本發(fā)明涉及一種利用四氯化硅生產(chǎn)三氯甲硅烷的方法，更具體來(lái)說(shuō)涉及一種在高壓條件下將液態(tài)四氯化硅與金屬硅粉連續(xù)氫化轉(zhuǎn)化為三氯甲硅烷的方法。本案是2015104455138(一種生產(chǎn)三氯甲硅烷的方法及裝置)的分案申請(qǐng)。

背景技術(shù)：

目前，絕大多數(shù)的多晶硅生產(chǎn)方法是改良西門(mén)子工藝。這種工藝存在的一個(gè)主要缺點(diǎn)為：采用三氯甲硅烷為原料進(jìn)行多晶硅沉積，反應(yīng)過(guò)程中，生成大量副產(chǎn)物四氯化硅，若不加以循環(huán)利用，將危害環(huán)境并造成極大的原料浪費(fèi)，嚴(yán)重影響生產(chǎn)成本。目前已大規(guī)模工業(yè)化的四氯化硅循環(huán)利用技術(shù)主要為冷氫化和熱氫化，均為將四氯化硅重新轉(zhuǎn)化為原料三氯甲硅烷的途徑。熱氫化技術(shù)是在熱氫化爐內(nèi)以石墨或碳復(fù)合材料作為電加熱件，壓力為0.4～0.8mpa的，溫度為1200～1300℃的條件下使氫氣與四氯化硅反應(yīng)生成三氯甲硅烷的過(guò)程。熱氫化的工藝流程及設(shè)備均較為簡(jiǎn)單，投資規(guī)模較小，但熱氫化能耗高，平均生產(chǎn)一千克三氯甲硅烷的耗電量一般不低于3kwh，使多晶硅生產(chǎn)總成本難以控制，并且在熱氫化爐中的電加熱件上極易沉積硅，導(dǎo)致加熱效果降低，更嚴(yán)重時(shí)出現(xiàn)火花放電損壞設(shè)備，降低了設(shè)備使用率并增加了維護(hù)成本。冷氫化技術(shù)是在流化床反應(yīng)器內(nèi)以冶金級(jí)硅粉作為床層原料，通入氫氣和四氯化硅，在壓力為2～4mpa，溫度為500～550℃的條件下進(jìn)行反應(yīng)生成三氯甲硅烷。冷氫化生產(chǎn)三氯甲硅烷單位電耗僅為0.6～0.8kwh/kg，且單臺(tái)設(shè)備處理規(guī)模較大，四氯化硅單程轉(zhuǎn)化率可超過(guò)25％。但冷氫化工藝流程復(fù)雜，設(shè)備投資規(guī)模較大，并且系統(tǒng)內(nèi)涉及高溫高壓下的固體硅粉氣力輸送，由于硅粉硬度極高，在氣固流態(tài)化體系中極易磨蝕設(shè)備，生產(chǎn)線(xiàn)維護(hù)費(fèi)用較高切難以保證長(zhǎng)周期連續(xù)運(yùn)行。

現(xiàn)有技術(shù)無(wú)論是熱氫化或冷氫化，主要均為氣相中四氯化硅的氫化反應(yīng)。熱氫化及冷氫化的反應(yīng)均為可逆反應(yīng)，反應(yīng)平衡常數(shù)不高，而在氣相反應(yīng)中，反應(yīng)物與產(chǎn)物不分離，生成的產(chǎn)物將影響反應(yīng)物的進(jìn)一步反應(yīng)，并且氣相中氣體分子密度較低，反應(yīng)速率難以提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種適合將液態(tài)四氯化硅和金屬硅粉連續(xù)與氫氣反應(yīng)生產(chǎn)三氯甲硅烷的方法，該方法通過(guò)在高壓及溫度介于四氯化硅和三氯甲硅烷臨界溫度之間的條件下將氫氣通入液態(tài)四氯化硅，形成噴動(dòng)床進(jìn)行反應(yīng)生成氣態(tài)三氯甲硅烷。該方法使用的裝置主要包含噴動(dòng)床反應(yīng)器與混合進(jìn)料器，同時(shí)配有金屬硅粉烘干器、硅粉進(jìn)料器、四氯化硅加熱器、過(guò)濾器、氫氣罐、氫氣進(jìn)料器、精餾系統(tǒng)以及渣漿回收器等。液態(tài)四氯化硅、金屬硅粉和/或催化劑在混合進(jìn)料器內(nèi)混合后通入噴動(dòng)床反應(yīng)器，氫氣從反應(yīng)器底部通入經(jīng)氫氣分布盤(pán)分布后與床層進(jìn)行反應(yīng)生成氣態(tài)三氯甲硅烷。

本發(fā)明采用技術(shù)方案如下：

一種將液態(tài)四氯化硅與氫氣和硅粉連續(xù)反應(yīng)生產(chǎn)三氯甲硅烷的方法，其特征在于在高壓條件下，將四氯化硅、金屬硅粉和/或催化劑經(jīng)混合進(jìn)料器混合，通入噴動(dòng)床反應(yīng)器，氫氣經(jīng)由噴動(dòng)床反應(yīng)器底部的氣體分布盤(pán)通入，形成噴動(dòng)床進(jìn)行反應(yīng)，生成三氯甲硅烷與氫氣不斷排出反應(yīng)器。

其中，所述的將噴動(dòng)床反應(yīng)溫度控制在高于三氯甲硅烷臨界溫度且低于四氯化硅臨界溫度的區(qū)間內(nèi)，反應(yīng)壓力控制在使四氯化硅為液態(tài)，使液態(tài)四氯化硅與固體硅粉形成液固相的床層。

其中，所述噴動(dòng)床反應(yīng)器內(nèi)壓力為2～4mpa，優(yōu)選地為3.5～3.8mpa。

其中，所述噴動(dòng)床反應(yīng)器優(yōu)選地為圓柱形結(jié)構(gòu)，液態(tài)四氯化硅裝填液面不超過(guò)二分之一高度。

所述的四氯化硅與金屬硅粉的質(zhì)量比為25-20∶1。

其中，所述噴動(dòng)床反應(yīng)器內(nèi)溫度為130～235℃，優(yōu)選地為210～230℃。

其中，所述氫氣被加熱至140～240℃通入所述噴動(dòng)床反應(yīng)器。

其中，所述液態(tài)四氯化硅在所述四氯化硅加熱器中被加熱至140～240℃，壓力為2.1～4.2mpa，經(jīng)所述混合進(jìn)料器通入所述噴動(dòng)床反應(yīng)器。

其中，所述噴動(dòng)床反應(yīng)器內(nèi)液態(tài)四氯化硅與金屬硅粉的質(zhì)量比為40∶1～10∶1。

其中，所述噴動(dòng)床反應(yīng)器內(nèi)可添加催化劑。

其中，所述催化劑為固體金屬顆粒及離子液體中的一種或幾種，固體金屬顆粒催化劑優(yōu)選地與金屬硅粉混合后同時(shí)由所述金屬硅粉烘干器經(jīng)所述硅粉進(jìn)料器通入所述噴動(dòng)床反應(yīng)器，離子液體催化劑優(yōu)選地與四氯化硅混合后同時(shí)由所述四氯化硅加熱器經(jīng)所述混合進(jìn)料器通入所述噴動(dòng)床反應(yīng)器。

其中，所述固體金屬顆粒催化劑至少含有銅、鎳、鉑、佬、鈀、堿金屬元素或堿土金屬元素中的一種或幾種，所述離子液體催化劑優(yōu)選地含有胺基或含氮雜環(huán)有機(jī)物官能團(tuán)。

一種優(yōu)選的生產(chǎn)方法是將壓力為2.1～4.2mpa下并加熱至140～240℃的氫氣從所述氫氣進(jìn)料器通入噴動(dòng)床反應(yīng)器內(nèi)，至氫氣流量及壓差穩(wěn)定后，將加熱至140～240℃，壓力為2.1～4.2mpa的液態(tài)四氯化硅由所述混合進(jìn)料器通入噴動(dòng)床反應(yīng)器內(nèi)，形成氣液噴動(dòng)床，至床層壓差穩(wěn)定后，將金屬硅粉由所述硅粉進(jìn)料器通過(guò)高壓氫氣壓入所述混合進(jìn)料器并與液態(tài)四氯化硅混合通入噴動(dòng)床反應(yīng)器內(nèi)，金屬硅粉和液態(tài)四氯化硅的加料優(yōu)選地采取間歇性操作；由噴動(dòng)床反應(yīng)器頂部排出產(chǎn)品三氯甲硅烷與氫氣、氯化氫及少量四氯化硅的混合氣體，可連續(xù)生產(chǎn)。

一種用于將液態(tài)四氯化硅與氫氣和硅粉連續(xù)反應(yīng)生產(chǎn)三氯甲硅烷的裝置，包括金屬硅粉烘干器(1)、硅粉進(jìn)料器(2)、混合進(jìn)料器(3)、四氯化硅加熱器(4)、噴動(dòng)床反應(yīng)器(5)、過(guò)濾器(6)、氫氣罐(7)、氫氣進(jìn)料器(8)、精餾系統(tǒng)(9)以及渣漿回收器(10)；其中，金屬硅粉裝載入金屬硅粉烘干器(1)進(jìn)行烘干，送入硅粉進(jìn)料器(2)，并定量向混合進(jìn)料器(3)中進(jìn)料，液態(tài)四氯化硅在四氯化硅加熱器(4)中進(jìn)行加熱，并定量向混合進(jìn)料器(3)中進(jìn)料，與金屬硅粉在混合進(jìn)料器(3)中充分混合，并向噴動(dòng)床反應(yīng)器(5)中進(jìn)料，在噴動(dòng)床反應(yīng)器(5)中形成液固相混合床層，氫氣由氫氣罐(7)向氫氣進(jìn)料器(8)內(nèi)進(jìn)料，并在氫氣進(jìn)料器(8)內(nèi)加壓和加熱，定量向噴動(dòng)床反應(yīng)器(5)底部進(jìn)料，氫氣在噴動(dòng)床反應(yīng)器(5)內(nèi)穿過(guò)液固相床層并進(jìn)行反應(yīng)，通過(guò)控制適當(dāng)?shù)臏囟燃皦毫κ顾穆然柙趪妱?dòng)床反應(yīng)器(5)內(nèi)維持為液態(tài)，而產(chǎn)品三氯甲硅烷則為氣態(tài)與反應(yīng)后的氫氣及副產(chǎn)物氯化氫同時(shí)由噴動(dòng)床反應(yīng)器(5)頂部排出，進(jìn)入精餾系統(tǒng)(9)，通過(guò)精餾后得到產(chǎn)品三氯甲硅烷(11)，噴動(dòng)床反應(yīng)器(5)內(nèi)由床層落下的液態(tài)四氯化硅與金屬硅粉通過(guò)渣漿回收器(10)回收后返回混合進(jìn)料器(3)重復(fù)利用，混合進(jìn)料器(3)與過(guò)濾器(6)連接，用于排出金屬硅粉進(jìn)料時(shí)同時(shí)進(jìn)入的氣體，過(guò)濾后尾氣(12)由過(guò)濾器(6)排出。

其中，所述噴動(dòng)床反應(yīng)器的主要結(jié)構(gòu)包括外殼(501)、氫氣分布盤(pán)(502)、填料層(503)、加熱層(504)、氫氣進(jìn)口管(505)、氫氣管(506)、混合進(jìn)料管(507)、出料管(508)、渣漿儲(chǔ)罐(509)、吹掃管(510)以及渣漿輸送管(511)；氫氣管(506)與氫氣進(jìn)口管(505)連接，位于氫氣分布盤(pán)(502)下方通入氫氣，加熱層(504)位于氫氣分布盤(pán)(502)上方，混合進(jìn)料管(507)設(shè)置于加熱層(504)上方通入液態(tài)四氯化硅、催化劑和硅粉的混合原料，出料管(508)設(shè)置于外殼頂部。

所述外殼(501)優(yōu)選地為金屬材質(zhì)，結(jié)構(gòu)優(yōu)選為上部圓柱筒型結(jié)構(gòu)，下部半圓形封頭結(jié)構(gòu)。

所述混合進(jìn)料器(3)的主要結(jié)構(gòu)包括外殼(301)、加熱層(302)、四氯化硅進(jìn)料管(303)、混合出料管(304)、硅粉進(jìn)料管(305)以及尾氣排出管(306)。

所述氫氣分布盤(pán)(502)上設(shè)有孔洞或噴嘴；所述混合進(jìn)料管(507)上方或設(shè)置有板式結(jié)構(gòu)填料層(503)，為波紋板規(guī)整填料；；所述加熱層(504)、(302)可采用電加熱或?qū)嵊蛫A套加熱；所述氫氣進(jìn)口管(505)可采用任意形式。

所述的孔洞或噴嘴為浮閥式或泡罩式噴嘴；所述加熱層(504)、(302)為導(dǎo)熱油夾套加熱；所述氫氣進(jìn)口管(505)可采用貼近所述外殼內(nèi)壁的環(huán)管形式。

一種優(yōu)選的方案是，氫氣通過(guò)氫氣管送至氫氣進(jìn)口管?chē)娙敕磻?yīng)器下部氫氣分布盤(pán)下方，經(jīng)過(guò)氫氣分布盤(pán)均勻流至氫氣分布盤(pán)上方；金屬硅粉與固體粉末催化劑混合后由硅粉進(jìn)料管以氫氣送入混合進(jìn)料器，液態(tài)四氯化硅與離子液體催化劑混合后由四氯化硅進(jìn)料管送入混合進(jìn)料器并將氫氣經(jīng)尾氣排出管排出；液態(tài)四氯化硅、金屬硅粉及催化劑由混合進(jìn)料管通入至氫氣分布盤(pán)上方，與氫氣流接觸形成噴動(dòng)床層發(fā)生反應(yīng)，生成的氣態(tài)三氯甲硅烷與反應(yīng)后的氫氣、氯化氫和少量四氯化硅的氣體通過(guò)填料層，一部分四氯化硅被冷凝回流，混合氣體流出出料管；少量液態(tài)氯硅烷和金屬硅粉可能漏至氫氣分布盤(pán)以下，將進(jìn)入渣漿儲(chǔ)罐，渣漿儲(chǔ)罐與反應(yīng)器底部連接閥門(mén)處于常開(kāi)狀態(tài)，當(dāng)渣漿達(dá)到一定量時(shí)，關(guān)閉閥門(mén)，并用液態(tài)四氯化硅通過(guò)吹掃管將渣漿儲(chǔ)罐中的渣漿由渣漿輸送管排出，可循環(huán)利用。

在研究了四氯化硅與氫氣的反應(yīng)機(jī)制基礎(chǔ)上，本發(fā)明提出了利用氫氣與液態(tài)四氯化硅和金屬硅粉反應(yīng)生成三氯甲硅烷的方法。在四氯化硅氫化反應(yīng)平衡可正向移動(dòng)的溫度條件下，利用合適的壓力，使體系溫度維持在介于四氯化硅與三氯甲硅烷的臨界溫度之間的范圍內(nèi)，氫氣與四氯化硅反應(yīng)生成的三氯甲硅烷不斷氣化離開(kāi)反應(yīng)系統(tǒng)，而反應(yīng)物四氯化硅則維持液體狀態(tài)，促使反應(yīng)能夠快速?gòu)氐走M(jìn)行。

有益效果：

(1)實(shí)現(xiàn)了在較低的溫度下大規(guī)模低成本高效節(jié)能的四氯化硅轉(zhuǎn)化三氯甲硅烷的連續(xù)生產(chǎn)工藝；

(2)本發(fā)明方法反應(yīng)溫度較低，轉(zhuǎn)化速率較高，系統(tǒng)內(nèi)無(wú)固體顆粒，設(shè)備損害小，能夠顯著降低多晶硅的生產(chǎn)成本及設(shè)備維護(hù)成本；

(3)合理利用多晶硅生產(chǎn)中的副產(chǎn)物，減少環(huán)境污染，降低原料成本，實(shí)現(xiàn)零排放。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明所涉及的液態(tài)四氯化硅與金屬硅粉氫化生產(chǎn)三氯甲硅烷的流程示意圖。其中，1、金屬硅粉烘干器；2、硅粉進(jìn)料器；3、混合進(jìn)料器；4、四氯化硅加熱器；5、噴動(dòng)床反應(yīng)器；6、過(guò)濾器；7、氫氣罐；8、氫氣進(jìn)料器；9、精餾系統(tǒng)；10、渣漿回收器；11、三氯甲硅烷；12、尾氣；13、反應(yīng)床層。

圖2是本發(fā)明所涉及的噴動(dòng)床反應(yīng)器的優(yōu)選結(jié)構(gòu)示意圖。其中，501、外殼；502、氫氣分布盤(pán)；503、填料層；504、加熱層；505、氫氣進(jìn)口管；506、氫氣管；507、混合進(jìn)料管；508、出料管；509、渣漿儲(chǔ)罐；510、吹掃管；511、渣漿輸送管。

圖3是本發(fā)明所涉及的噴動(dòng)床反應(yīng)器內(nèi)氫氣分布盤(pán)的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，50201為孔洞或噴嘴。

圖4是氫氣分布盤(pán)噴嘴的幾種優(yōu)選形式。

圖5是本發(fā)明所涉及的混合進(jìn)料器的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，301、外殼；302、加熱層；303、四氯化硅進(jìn)料管；304、混合出料管；305、硅粉進(jìn)料管；306、尾氣排出管。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

以下通過(guò)具體的實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明中的生產(chǎn)方法和裝置進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但這些實(shí)施例僅僅是例示的目的，并不旨在對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行任何限定。

實(shí)施例1：

參見(jiàn)圖1，圖1是本發(fā)明的液態(tài)四氯化硅和金屬硅粉氫化生產(chǎn)三氯甲硅烷的一種流程的示意圖。它包括金屬硅粉烘干器1、硅粉進(jìn)料器2、混合進(jìn)料器3、四氯化硅加熱器4、噴動(dòng)床反應(yīng)器5、過(guò)濾器6、氫氣罐7、氫氣進(jìn)料器8、精餾系統(tǒng)9及渣漿回收器10。

金屬硅粉烘干器1連接硅粉進(jìn)料器2，金屬硅粉與銅基催化劑的混合粉末在金屬硅粉烘干器1內(nèi)利用高溫氮?dú)庖粤骰残问竭M(jìn)行烘干，烘干后的混合粉末利用高壓氫氣以間歇操作形式送入硅粉進(jìn)料器2，再利用4mpa的高壓氫氣將硅粉進(jìn)料器2中的混合粉末送入混合進(jìn)料器3，并且剩余氣體經(jīng)過(guò)濾器6過(guò)濾，尾氣進(jìn)行循環(huán)重復(fù)利用；液體四氯化硅與離子液體催化劑在四氯化硅加熱器4中加熱至225℃并加壓至3.9mpa后送入混合進(jìn)料器3與混合粉末進(jìn)行混合并通入噴動(dòng)床反應(yīng)器5；同時(shí)，由氫氣罐7向氫氣進(jìn)料器8輸送氫氣并在氫氣進(jìn)料器8內(nèi)升溫至230℃并加壓至4.1mpa，通入噴動(dòng)床反應(yīng)器5，噴動(dòng)床反應(yīng)器5內(nèi)滴落的含有混合粉末的液體四氯化硅渣漿匯集至底部進(jìn)入渣漿回收器10進(jìn)行收集并返回混合進(jìn)料器3循環(huán)利用；維持噴動(dòng)床反應(yīng)器頂部溫度為210～220℃，壓力為3.7～3.8mpa，反應(yīng)過(guò)后的氣體混合物由噴動(dòng)床反應(yīng)器5頂部出口送至精餾系統(tǒng)9，并在精餾系統(tǒng)9中經(jīng)過(guò)降壓和精餾提純，得到產(chǎn)品三氯甲硅烷11。

圖2展示出本發(fā)明的圓柱形噴動(dòng)床反應(yīng)器的優(yōu)選結(jié)構(gòu)，所述噴動(dòng)床反應(yīng)器的主要結(jié)構(gòu)包括外殼501、氫氣分布盤(pán)502、填料層503、加熱層504、氫氣進(jìn)口管505、氫氣管506、混合進(jìn)料管507、出料管508、渣漿儲(chǔ)罐509、吹掃管510以及渣漿輸送管511；氫氣管506與氫氣進(jìn)口管505連接，位于氫氣分布盤(pán)502下方通入氫氣，加熱層504位于氫氣分布盤(pán)502上方，混合進(jìn)料管507設(shè)置于加熱層504上方通入液態(tài)四氯化硅、催化劑和硅粉的混合原料，出料管508設(shè)置于外殼頂部。所述外殼501優(yōu)選地為金屬材質(zhì)，結(jié)構(gòu)優(yōu)選為上部圓柱筒型結(jié)構(gòu)，下部半圓形封頭結(jié)構(gòu)。

在一個(gè)實(shí)施例中，其采用直徑為0.5m，高1m的圓柱形噴動(dòng)床反應(yīng)器，反應(yīng)參數(shù)如下：

1)氫氣流量約為26kg/h；

2)四氯化硅補(bǔ)充量約為32kg/h

3)金屬硅粉補(bǔ)充量約為3kg/h

4)連續(xù)生產(chǎn)100小時(shí)，消耗四氯化硅約2700kg，分離得到產(chǎn)品三氯甲硅烷約2800kg，總耗電量約為1600kwh，生產(chǎn)三氯氫硅的平均單位電耗約為0.57kwh/kg。

圖3-4是本發(fā)明所涉及的噴動(dòng)床反應(yīng)器內(nèi)氫氣分布盤(pán)的結(jié)構(gòu)示意圖，所述氫氣分布盤(pán)502上設(shè)有孔洞或噴嘴；所述混合進(jìn)料管507上方或設(shè)置有板式結(jié)構(gòu)填料層503，為波紋板規(guī)整填料；所述加熱層504、302可采用電加熱或?qū)嵊蛫A套加熱；所述氫氣進(jìn)口管505可采用任意形式。所述的孔洞或噴嘴為浮閥式或泡罩式噴嘴；所述加熱層504、302為導(dǎo)熱油夾套加熱；所述氫氣進(jìn)口管505可采用貼近所述外殼內(nèi)壁的環(huán)管形式。

如圖5所示，所述混合進(jìn)料器3的主要結(jié)構(gòu)包括外殼301、加熱層302、四氯化硅進(jìn)料管303、混合出料管304、硅粉進(jìn)料管305以及尾氣排出管306，其中加熱層302位于外殼301內(nèi)部，四氯化硅進(jìn)料管303、混合出料管304、硅粉進(jìn)料管305以及尾氣排出管306與外殼301相連通。

上述實(shí)施例中，利用四氯化硅與金屬硅粉在高壓液態(tài)條件下與氫氣反應(yīng)生成三氯甲硅烷，反應(yīng)溫度低，能耗低，設(shè)備簡(jiǎn)單且單臺(tái)反應(yīng)裝置處理量大，系統(tǒng)內(nèi)氣相介質(zhì)攜帶固體顆粒的部分較少，能夠保證長(zhǎng)周期連續(xù)生產(chǎn)，綜合成本顯著降低。

盡管上文對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式給予了詳細(xì)描述和說(shuō)明，但是應(yīng)該指明的是，我們可以依據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行各種等效改變和修改，其所產(chǎn)生的功能作用仍未超出說(shuō)明書(shū)及附圖所涵蓋的精神時(shí)，均應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同替換和改進(jìn)，均應(yīng)包含在本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。