本發(fā)明屬于陶瓷材料制備,具體涉及一種鈮酸鉍鈣基織構(gòu)陶瓷材料及其制備方法。
背景技術(shù):
1、高溫壓電陶瓷作為一種能在高溫環(huán)境下工作的壓電陶瓷,被廣泛應(yīng)用于傳感器、濾波器、換能器等領(lǐng)域。目前,受限于壓電陶瓷的居里溫度,大部分的高溫壓電器件的工作溫度都低于500℃。
2、然而,在一些特殊的高溫領(lǐng)域,如航空航天、核工業(yè)以及石油勘探等,迫切需要能夠在500℃以上的高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作的壓電器件。目前商業(yè)化的pzt(pbzro3-pbtio3)和pt(pbtio3)體系的居里溫度都在490℃以下,高于居里溫度時(shí)會(huì)發(fā)生退極化而無法使用。因此迫切需要開發(fā)一種超高居里溫度的壓電陶瓷來應(yīng)用于一些特殊的高溫環(huán)境。
3、鉍層狀結(jié)構(gòu)壓電陶瓷具有較高的居里溫度(650~950℃)、低介電常數(shù)、低老化率以及高電阻率等特點(diǎn)。這使得鉍層狀結(jié)構(gòu)壓電陶瓷在制造高溫壓電傳感器方面具有廣闊的前景。鉍層狀結(jié)構(gòu)壓電陶瓷是由鉍氧層((bi2o2)2+)和類鈣鈦礦層相互交替疊加而成的,其化學(xué)通式為(bi2o2)2+(am-1bmo3m+1)2-,式中a表示十二配位的一價(jià)、二價(jià)、三價(jià)陽離子或者它們的組合,構(gòu)成十二面體配位;b表示一系列滿足六配位的過渡金屬陽離子,形成八面體配位;m表示類鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中氧八面體層的數(shù)目,取值范圍為1~6。其中鈮酸鉍鈣(cabi2nb2o9,m=2)是一種典型的鉍層狀結(jié)構(gòu)壓電陶瓷,其居里溫度可達(dá)到950℃,是居里溫度最高的鉍層狀結(jié)構(gòu)壓電陶瓷之一。然而,由于具有特殊的二維結(jié)構(gòu),自發(fā)極化被限制a-b平面內(nèi),使其具有高的矯頑場(chǎng)、極低的壓電系數(shù)(5~7pc/n),很難通過人工極化獲得壓電性能優(yōu)異的陶瓷體,這也是鉍層狀結(jié)構(gòu)鐵電體的普遍問題。目前cbn陶瓷的改性方法主要是離子摻雜,但是改性后的cbn陶瓷壓電性能提升有限(d33<20pc/n),且摻雜之后居里溫度降低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的第一個(gè)目的在于提供一種鈮酸鉍鈣基織構(gòu)陶瓷材料的制備方法,本發(fā)明所提供的制備方法簡(jiǎn)單可控,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
2、本發(fā)明的第二個(gè)目的在于提供上述制備方法所制備的鈮酸鉍鈣基織構(gòu)陶瓷材料,所述鈮酸鉍鈣基織構(gòu)陶瓷材料晶粒高度取向,晶粒的高度取向有利于極大的提高其剩余極化強(qiáng)度,從而提高壓電性能。
3、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案,
4、本發(fā)明一種鈮酸鉍鈣基織構(gòu)陶瓷材料的制備方法,將摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末、摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷模板晶粒,溶劑、分散劑、增塑劑、粘結(jié)劑混合獲得陶瓷漿料,將陶瓷漿料在流延機(jī)上進(jìn)行流延成型,獲得膜片,將膜片堆疊獲得生坯,將生坯依次經(jīng)過第一次壓制成型、排膠、第二次壓制成型獲得壓坯,再將壓坯燒結(jié)即得鈮酸鉍鈣基織構(gòu)陶瓷材料;
5、所述摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末的化學(xué)式為ca0.95na0.025sm0.025bi2nb2o9;
6、所述摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷模板晶粒為片狀,其化學(xué)式為:ca0.95na0.025sm0.025bi2nb2o9;
7、所述流延成型時(shí),先設(shè)置刮刀高度為25-200μm,進(jìn)行第一次流延,流延完成后烘干,得到第一層陶瓷生坯膜;然后將刮刀高度設(shè)置比第一層陶瓷生坯膜高25-200μm,優(yōu)選為25-50μm,進(jìn)行第二次流延,流延完成后烘干,得到第二層陶瓷生坯膜;重復(fù)上述操作,得到第n層陶瓷生坯膜,所述n為5~20,即為膜片。
8、本發(fā)明的制備方法,以與摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末相同的片狀摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷作為模板,相同的成分,可以避免籽晶吞噬基體顆粒后,原籽晶部分與后面吞噬基體形成的部分會(huì)存在由晶格常數(shù)不同引起的內(nèi)應(yīng)力,從而避免了內(nèi)應(yīng)力對(duì)壓電性能造成影響,在流延成型時(shí),通過流延-烘干-再流延的過程,可以將刮刀降低至很小的高度(25μm),從而使籽晶能夠高度取向排列,織構(gòu)度更高。
9、在本發(fā)明中,刮刀高度需有控制,若過低:籽晶取向排列的程度會(huì)更高,但高的程度有限,且刮膜效率不高;而過高的話則會(huì)使籽晶取向排列的程度降低,使陶瓷的織構(gòu)度降低,引起壓電性能變差。
10、優(yōu)選的方案,所述摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末的制備過程為:按設(shè)計(jì)比例配取caco3粉體,na2co3粉體,sm2o3粉體,bi2o3粉體和nb2o5粉體獲得混合粉,將混合粉進(jìn)行第一次球磨、預(yù)燒結(jié)、第二次球磨即得。
11、進(jìn)一步的優(yōu)選,所述第一次球磨為濕法球磨,球磨介質(zhì)為無水乙醇,球磨的時(shí)間為8-24h,球磨的轉(zhuǎn)速為200-400r/min。
12、進(jìn)一步的優(yōu)選,所述預(yù)燒結(jié)的溫度為900-1000℃,預(yù)燒結(jié)的時(shí)間為2-6h。
13、進(jìn)一步的優(yōu)選,所述第二次球磨為濕法球磨,球磨介質(zhì)為無水乙醇,球磨時(shí)間為8-24h,球磨的轉(zhuǎn)速為200-400r/min。
14、第二次球磨后所得球磨料烘干、研磨得到混合粉料。
15、優(yōu)選的方案,所述摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷模板晶粒的制備過程為:將caco3粉體,na2co3粉體,sm2o3粉體,bi2o3粉體和nb2o5粉體混合獲得混合料,將混合料與中性鹽球磨獲得球磨粉,將球磨粉燒結(jié)獲得燒結(jié)粉,再經(jīng)清洗即得摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷模板晶粒。
16、進(jìn)一步的優(yōu)選,所述中性鹽由nacl和kcl組成;所述中性鹽中,按摩爾比計(jì),nacl:kcl=0.5~2:1。
17、進(jìn)一步的優(yōu)選,所述混合料與中性鹽的質(zhì)量比為0.5~2:1。
18、進(jìn)一步的優(yōu)選,所述球磨為濕法球磨,球磨介質(zhì)為無水乙醇,磨球的材質(zhì)為氧化鋯,其中,混合料與中性鹽的總質(zhì)量與磨球、球磨介質(zhì)的質(zhì)量比為1:1-1.5:0.5-0.65,所述球磨的轉(zhuǎn)速為200-400r/min,所述球磨的時(shí)間為8-48h。
19、在實(shí)際操作過程中,將球磨后所得物料進(jìn)行干燥、篩粉。
20、進(jìn)一步的優(yōu)選,所述燒結(jié)的溫度為9500-1100℃,燒結(jié)的時(shí)間為6-24h;升溫速率為5℃/min。
21、進(jìn)一步的的優(yōu)選,將燒結(jié)粉清洗至電導(dǎo)率降至3μs/cm。
22、優(yōu)選的方案,所述陶瓷漿料中,摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷模板晶粒的加入量為摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末質(zhì)量的5~20%,優(yōu)選為10~20%,優(yōu)選為10-15%。發(fā)明人發(fā)現(xiàn),通過將摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷模板晶粒的加入量控制在上述范圍內(nèi),陶瓷的織構(gòu)度越高,最終所得陶瓷材料的壓電性能最優(yōu)。
23、優(yōu)選的方案,混合獲得陶瓷漿料的過程為:將摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末加入溶劑、分散劑中進(jìn)行球磨12-48h,獲得混合液,于混合液中加入增塑劑、粘結(jié)劑進(jìn)行球磨12-48h,獲得混合粘液,再于混合粘液中加入摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷模板晶粒進(jìn)行球磨0.5-12h即得陶瓷漿料。
24、發(fā)明人發(fā)現(xiàn),通過采用本發(fā)明的漿料體系,協(xié)同發(fā)明中提供的漿料配取過程,所得漿料流延效果好,使最終所得織構(gòu)陶瓷性能最優(yōu)。
25、在實(shí)際操作過程中,首先,將配置好的漿料置于真空環(huán)境下緩慢攪拌,已排除漿料中的氣泡;然后將處理后的陶瓷漿料倒入流延機(jī)內(nèi),依次設(shè)置好刮刀高度,進(jìn)行流延處理,流延處理完后后,將陶瓷膜裁剪即得膜片。
26、優(yōu)選的方案,所述溶劑為二甲苯與無水乙醇的混合溶液,其中二甲苯與無水乙醇的體積比為1-3:1。
27、優(yōu)選的方案,所述摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末與溶劑的固液質(zhì)量體積比為50g:30-50ml。
28、優(yōu)選的方案,所述分散劑為磷酸三乙酯,所述摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末與分散劑的固液質(zhì)量體積比為50g:0.1-0.5ml。
29、優(yōu)選的方案,所述增塑劑由聚乙二醇和鄰苯二甲酸二丁酯組成,所述摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末與聚乙二醇的固液質(zhì)量體積比為50g:4-10ml,所述摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末與鄰苯二甲酸二丁酯的固液質(zhì)量體積比為50g:0-6ml。
30、優(yōu)選的方案,所述粘結(jié)劑為聚乙烯醇縮丁醛,所述摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末與聚乙烯醇縮丁醛的質(zhì)量比為50:1-6。
31、優(yōu)選的方案,將膜片堆疊,然后進(jìn)行真空干燥獲得生坯,控制干燥的溫度為30-100℃,內(nèi)部氣壓為20-70kpa。通過真空干燥將生坯中的氣泡排出。
32、優(yōu)選的方案,所述第一次壓制成型的壓力為100-500mpa,第一次壓制成型的時(shí)間為10-30min。在實(shí)際操作過程中,將生坯放入冷等靜壓機(jī)內(nèi),進(jìn)行壓制成型,使生坯致密。
33、優(yōu)選的方案,所述排膠的過程為:以0.5-3℃/min的速率從室溫升到150-200℃保溫2-6h,然后以0.1-1℃/min的升溫速率升到500-600℃保溫6-12h。
34、優(yōu)選的方案,所述第二次壓制成型的壓力為100-500mpa,第二次壓制成型的時(shí)間為10-30min。
35、發(fā)明人發(fā)現(xiàn),通過將壓制成型的壓力控制在本發(fā)明的范圍內(nèi),并且經(jīng)排膠后,再一次采用相同的壓力進(jìn)行壓制成型,可以進(jìn)一步的提升材料的致密度,使最終所得織構(gòu)陶瓷的致密度最高。
36、優(yōu)選的方案,所述燒結(jié)的過程為:將壓坯以1-10℃/min的升溫速度從室溫升到1100-1200℃保溫18-24h。
37、本發(fā)明的燒結(jié)過程,通過長(zhǎng)時(shí)間的燒結(jié)保溫,保證了晶粒高度取向排列,提高了織構(gòu)度。
38、本發(fā)明還提供上述制備方法所制備的鈮酸鉍鈣基織構(gòu)陶瓷材料。
39、有益效果
40、本發(fā)明的制備方法,以與摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷粉末相同的片狀摻雜鈮酸鉍鈣陶瓷作為模板,相同的成分,可以避免籽晶吞噬基體顆粒后,原籽晶部分與后面吞噬基體形成的部分會(huì)存在由晶格常數(shù)不同引起的內(nèi)應(yīng)力,從而避免了內(nèi)應(yīng)力對(duì)壓電性能造成影響,在流延成型時(shí),通過流延-烘干-再流延的過程,可以將刮刀降低至很小的高度(25μm),從而使籽晶能夠高度取向排列,此外,本發(fā)明要燒結(jié)過程中,控制燒結(jié)溫度足夠長(zhǎng),最后所有的晶粒都取向排列是因?yàn)槿∠蚺帕械淖丫г跓Y(jié)的過程中吞噬了隨機(jī)取向的基體顆粒形成了一顆與籽晶取向相同的大晶粒,而只有保證足夠長(zhǎng)時(shí)間的燒結(jié)過程籽晶才能夠完全的吞噬掉隨機(jī)取向的基體顆粒,從而保證晶粒高度取向排列,在上述的協(xié)同下,使本發(fā)明的鈮酸鉍鈣基織構(gòu)陶瓷材料具有優(yōu)異的壓電性能。
41、此外,在本發(fā)明中,由于只是改變了晶粒的取向和尺寸,材料的成分并未發(fā)生改變,即沒有改變材料的晶格畸變程度、電負(fù)性等因素,也就對(duì)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性影響不大,因此也避免了對(duì)居里溫度產(chǎn)生影響。