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      綠色立方氧化鋯晶體的生長方法

      文檔序號:3461263閱讀:1380來源:國知局
      專利名稱:綠色立方氧化鋯晶體的生長方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及的是一種采用冷坩堝法生長綠色立方氧化鋯晶體的方法。
      立方氧化鋯晶體又稱鋯寶石,由于該種晶體折射率高,硬度大,因而可以與天然鉆石相比美。目前已可以生長出白色(即無色)、紅、橙、黃、橄欖、紫等顏色的立方氧化鋯晶體,然而綠色立方氧化鋯晶體的生長方法尚未見報(bào)導(dǎo),不少國家都在研制,但生長方法均處保密狀態(tài),成品銷售控制嚴(yán)格,而且價(jià)格昂貴。
      本發(fā)明的目的是為了增加鋯寶石的花色品種,對稀有的綠色立方氧化鋯晶體的生長方法進(jìn)行研究,從而獲得一種立方氧化鋯晶體新品種的生長方法。
      本發(fā)明采用冷坩堝生長綠色立方氧化鋯晶體,首先配制基質(zhì)原料,是由氧化鋯和氧化釔組成,其摩爾配比為90∶10。將上述原料混合,進(jìn)行球磨、過篩。取基質(zhì)原料的1/10-1/30,加入氧化銅,其加入量占總配合料的0.1-3%(重量百分比),進(jìn)行混合放入剛玉坩堝中,在800-1050℃中進(jìn)行燒結(jié),保溫1-5小時(shí),制成混合料。在這種混合料中再加入氧化鉣,其加入量在總配合料中為0.1-4.5%(重量百分比),經(jīng)過混合后作為摻質(zhì)著色料。先將其余部分基質(zhì)料裝入備好的坩堝內(nèi),然后將配好的摻質(zhì)著色料放在坩堝內(nèi)基質(zhì)料的中部,采用高頻加熱,溫度在2750℃以上,保溫30-50分鐘,以冷坩堝下降法生長晶體,下降速度為5-10mm/小時(shí),獲得穩(wěn)定立方氧化鋯晶體,所生長出的晶體在還原氣氛中進(jìn)行退火,溫度為900-1200℃,保溫時(shí)間為1-5小時(shí),然后降至室溫,即獲得綠色立方氧化鋯晶體。
      下面結(jié)合具體實(shí)例作進(jìn)一步說明。
      首先配制基質(zhì)原料,氧化鋯1660g,氧化釔340g,經(jīng)過混料,然后取其中100g,加入氧化銅20g,混合均勻,經(jīng)900℃予燒結(jié),保溫兩小時(shí),再加入10g氧化銩,混勻后制成摻質(zhì)著色料,先將其余基質(zhì)料裝入冷坩堝內(nèi),再將摻質(zhì)著色料放在坩堝內(nèi)基質(zhì)料的中部進(jìn)行熔化、生長,采用高頻感應(yīng)加熱,溫度為2750℃,保溫40分鐘,坩堝下降速度為6mm/小時(shí),生長出穩(wěn)定立方氧化鋯晶體,再通過還原氣氛下退火,溫度為900℃,時(shí)間3小時(shí),然后降溫到室溫,即獲得綠色立方氧化鋯晶體。
      本發(fā)明采用冷坩堝法生長綠色立方氧化鋯晶體,其生長方法簡單,易掌握,工藝穩(wěn)定,所獲得的綠色立方氧化鋯晶體顏色鮮艷,可以與天然寶石比美,屬高級人工寶石,光彩奪目,優(yōu)美華貴,高雅大方,系一代新產(chǎn)品。
      權(quán)利要求
      1.一種冷坩堝法生長立方氧化鋯的方法,基質(zhì)原料是由氧化鋯和氧化釔組成,其特征是在1/10-1/30的基質(zhì)原料中加入氧化銅,經(jīng)混合后放入剛玉坩堝中進(jìn)行燒結(jié),制成混合料,在這種混合料中加入氧化銩,經(jīng)混合后制成摻質(zhì)著色料,將其余基質(zhì)材料裝入坩堝內(nèi),再將摻質(zhì)著色料放在基質(zhì)料的中部,采用高頻加熱,冷坩堝下降法進(jìn)行生長,所生長晶體再經(jīng)退火,即獲得綠色立方氧化鋯晶體。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述立方氧化鋯晶體的方法,其特征是氧化銅的加入量為0.1-3%(重量百分比),氧化銩的加入量為0.1-4.5%(重量百分比)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述立方氧化鋯晶體的方法,其特征是混合料在剛玉坩堝中的燒結(jié)溫度為800-1050℃,保溫時(shí)間為1-5小時(shí)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述立方氧化鋯晶體的方法,其特征是冷坩堝的下降速度為5-10mm/小時(shí)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述立方氧化鋯晶體的方法,其特征是所生長的立方氧化鋯晶體在還原氣氛下退火,退火溫度為900-1200℃,保溫1-5小時(shí)。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及的是一種采用冷坩堝法生長綠色立方氧化鋯晶體的方法。其著色劑為氧化銅和氧化銩,經(jīng)處理后,加在氧化鋯和氧化釔的基質(zhì)原料中,采用高頻加熱,獲得立方氧化鋯晶體,再經(jīng)退火,即可獲得高雅大方,光彩奪目的稀有人工綠色立方氧化鋯晶體。
      文檔編號C01G25/02GK1062179SQ9111194
      公開日1992年6月24日 申請日期1991年12月30日 優(yōu)先權(quán)日1991年12月30日
      發(fā)明者張蓮花, 王文華, 崇志華 申請人:天津市硅酸鹽研究所
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