0nm、甚至更優(yōu)選從5至9nm的厚 度。
[0070] 如同在低發(fā)射率和/或陽光控制涂層領(lǐng)域中通常的那樣，該（一個或多個）銀基 功能層可以基本上由沒有任何添加劑的銀組成。然而，通過添加摻雜劑、合金添加劑等或者 甚至添加非常薄的金屬或金屬化合物層來改變該（一個或多個）銀基功能層的性質(zhì)也在本 發(fā)明的范圍內(nèi)，只要該（一個或多個）銀基功能層對于其作為高光透射和低光吸收的（一 個或多個）紅外反射層所必要的性質(zhì)沒有由此受到顯著損害。
[0071] 銀基功能層的厚度由其技術(shù)目的決定。對于典型的低發(fā)射率和/或陽光控制目 的，單一銀基層的優(yōu)選層厚度是從5至20nm，更優(yōu)選從5至15nm，甚至更優(yōu)選從5至12nm， 甚至更優(yōu)選從7至llnm，最優(yōu)選從8至10nm。對于單一銀涂層，采用這樣的層厚度，可以容 易獲得在熱處理后高于86%的透光率值及低于0.05的法向（norma 1)發(fā)射率。如果旨在 更好的陽光控制性能，則可以適當增加該銀基功能層的厚度，或者可以提供幾個間隔的功 能層。
[0072] 當該板包含兩個銀基功能層時，位于最遠離玻璃基材的銀基功能層可以優(yōu)選具有 從5至25nm，更優(yōu)選從10至21nm，甚至更優(yōu)選從13至19nm，甚至更優(yōu)選從14至18nm，最 優(yōu)選從15至17nm的厚度。
[0073] 當該板包含三個銀基功能層時，位于最遠離玻璃基材的兩個銀基功能層可以每個 層獨立地優(yōu)選具有從5至25nm，更優(yōu)選從10至21nm，甚至更優(yōu)選從13至19nm，甚至更優(yōu)選 從14至18nm，最優(yōu)選從15至17nm的厚度。
[0074] 該下減反射層中的基于Zn的氧化物的頂層優(yōu)選與該銀基功能層直接接觸。
[0075] 該（一個或多個）中間減反射層可以包含一個或多個以下層的至少一種組合：基 于Zn的氧化物和/或Ti的氧化物的層；
[0076] 基于NiCr的氧化物的層；
[0077] 基于金屬氧化物例如Zn和Sn的氧化物和/或Sn的氧化物的層；及
[0078] 基于Si的（氧）氮化物和/或Al的（氧）氮化物和/或其合金、和/或Al、Si、 Ti和/或Zr的氧化物的層。
[0079] 在一些優(yōu)選的實施方案中，每個銀基功能層通過中間減反射層與相鄰的銀基功能 層間隔開，
[0080] 其中每個中間減反射層包含至少，
[0081] 以從位于離玻璃基材最近的銀基功能層開始向外是多個銀基功能層（中間減反 射層位于其間）的順序，
[0082] 基于Zn的氧化物的阻擋層；
[0083] 基于金屬氧化物例如Zn和Sn的氧化物和/或Sn的氧化物的層；
[0084] 基于Si的（氧）氮化物和/或Al的（氧）氮化物和/或其合金、和/或Al、Si、 Ti和/或Zr的氧化物的層，和
[0085] 頂層，該頂層基于Zn的氧化物。
[0086] 在一些其它的優(yōu)選實施方案中，每個銀基功能層通過中間減反射層與相鄰的銀基 功能層間隔開，
[0087] 其中每個中間減反射層包含至少，
[0088] 以從位于離玻璃基材最近的銀基功能層開始向外是多個銀基功能層（中間減反 射層位于其間）的順序，
[0089] 基于NiCr的氧化物的阻擋層；
[0090] 基于Zn的氧化物的阻擋層；
[0091] 基于Si的（氧）氮化物和/或Al的（氧）氮化物和/或其合金、和/或Al、Si、 Ti和/或Zr的氧化物的層，
[0092] 基于金屬氧化物例如Zn和Sn的氧化物和/或Sn的氧化物的層；和
[0093] 基于Zn的氧化物的頂層。
[0094] 該至少一個吸收層可以嵌在中間減反射層的基于Si的（氧）氮化物和/或Al的 (氧）氮化物和/或其合金的層中。
[0095] 該基于NiCr的氧化物的層可以優(yōu)選具有至少0· 3nm、更優(yōu)選至少0· 4nm、甚至更優(yōu) 選至少0· 5nm、最優(yōu)選至少0· 6nm ;但優(yōu)選至多5nm、更優(yōu)選至多2nm、甚至更優(yōu)選至多l(xiāng)nm、 最優(yōu)選至多〇. 9nm的厚度。這些優(yōu)選的厚度能夠使得沉積更容易且改進光學(xué)特性例如霧 度，同時保持機械耐久性。
[0096] 該中間減反射層的基于Zn的氧化物和/或Ti的氧化物的（一個或多個）層可以 獨立優(yōu)選具有至少lnm、更優(yōu)選至少2nm、甚至更優(yōu)選至少3nm、最優(yōu)選至少3. 5nm ;但優(yōu)選至 多10nm、更優(yōu)選至多7nm、甚至更優(yōu)選至多5nm、最優(yōu)選至多4nm的厚度。這些優(yōu)選的厚度能 夠使得沉積更容易且改進光學(xué)特性例如霧度，同時保持機械耐久性。
[0097] 該中間減反射層的基于金屬氧化物例如Zn和Sn的氧化物和/或Sn的氧化物的 層可以優(yōu)選具有至少5nm、更優(yōu)選至少10nm、甚至更優(yōu)選至少13nm、最優(yōu)選至少14nm ;但優(yōu) 選至多40nm、更優(yōu)選至多30nm、甚至更優(yōu)選至多25nm、最優(yōu)選至多21nm的厚度。
[0098] 該中間減反射層的基于Si的（氧）氮化物和/或Al的（氧）氮化物和/或其合 金、和/或Al、Si、Ti和/或Zr的氧化物的層可以優(yōu)選具有至少5nm、更優(yōu)選至少15nm、甚 至更優(yōu)選至少25nm、最優(yōu)選至少30nm ;但優(yōu)選至多60nm、更優(yōu)選至多50nm、甚至更優(yōu)選至多 45nm、最優(yōu)選至多40nm的厚度。
[0099] 該上減反射層可以包含一個或多個以下層的至少一種組合：基于NiCr的氧化物 的層；
[0100] 基于Zn的氧化物和/或Ti的氧化物的層；
[0101] 基于Si的（氧）氮化物和/或Al的（氧）氮化物和/或其合金、和/或Al、Si、 Ti和/或Zr的氧化物的層；和
[0102] 基于金屬氧化物例如Zn和Sn的氧化物和/或Sn的氧化物的層。
[0103] 在一些優(yōu)選的實施方案中，以從位于最遠離玻璃基材的銀基功能層開始的順序， 該上減反射層包含至少，
[0104] 基于Zn的氧化物的阻擋層；
[0105] 基于Si的（氧）氮化物和/或Al的（氧）氮化物和/或其合金、和/或Al、Si、 Ti和/或Zr的氧化物的層；和
[0106] 基于金屬氧化物例如Zn和Sn的氧化物和/或Sn的氧化物的層。
[0107] 在一些其它的優(yōu)選實施方案中，以從位于最遠離玻璃基材的銀基功能層開始的順 序，該上減反射層包含至少，
[0108] 基于NiCr的氧化物的阻擋層；
[0109] 基于Zn的氧化物的阻擋層；
[0110] 基于Si的（氧）氮化物和/或Al的（氧）氮化物和/或其合金、和/或Al、Si、 Ti和/或Zr的氧化物的層，和
[0111] 基于金屬氧化物例如Zn和Sn的氧化物和/或Sn的氧化物的層。
[0112] 該至少一個吸收層可以嵌在該上減反射層的基于Si的（氧）氮化物和/或Al的 (氧）氮化物和/或其合金的層中。
[0113] 該上減反射層的基于Zn的氧化物和/或Ti的氧化物的阻擋層可以優(yōu)選具有至少 lnm、更優(yōu)選至少2nm、甚至更優(yōu)選至少3nm、最優(yōu)選至少3. 5nm ;但優(yōu)選至多10nm、更優(yōu)選至 多7nm、甚至更優(yōu)選至多5nm、最優(yōu)選至多4nm的厚度。這些優(yōu)選的厚度能夠使得沉積更容 易且改進光學(xué)特性例如霧度，同時保持機械耐久性。
[0114] 已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如果該阻擋層包含由混合的金屬氧化物靶濺射的混合金屬氧化物層， 則可以獲得在沉積工藝過程中對于該（一個或多個）銀基功能層的優(yōu)異保護以及在熱處理 過程中的高光學(xué)穩(wěn)定性。當該阻擋層基于Zn的氧化物時，所述氧化物可以是混合的金屬氧 化物例如ΖηΟ:Α1。特別是如果由導(dǎo)電ΖηΟ:Α1靶濺射基于ΖηΟ:Α1的層，則實現(xiàn)了良好的結(jié) 果。ΖηΟ:Α1可以是完全氧化沉積的或使得其為略微亞氧化的。優(yōu)選該ΖηΟ:Α1阻擋層是基 本上化學(xué)計量的。采用基本上化學(xué)計量的ΖηΟ:Α1阻擋層，而不是金屬性或小于95%化學(xué)計 量的ZnO:Al阻擋層，導(dǎo)致了涂層在熱處理過程中極高的光學(xué)穩(wěn)定性，并在熱處理過程中有 效協(xié)助保持小的光學(xué)改變。此外，采用基于基本上化學(xué)計量的金屬氧化物的阻擋層提供了 機械強度方面的好處。
[0115] 當該阻擋層基于NiCr的氧化物時，優(yōu)選將其沉積為亞化學(xué)計量的氧化物。這能夠 使得該層在熱處理過程中充當氧清除劑/吸收劑。
[0116] 優(yōu)選采用氧化性靶的非反應(yīng)性濺射來沉積與銀基功能層直接接觸的阻擋層的至 少一部分，以避免銀損傷。
[0117] 優(yōu)選通過非反應(yīng)性濺射來沉積該阻擋層。優(yōu)選由陶瓷靶來濺射該阻擋層。在本發(fā) 明的上下文中，術(shù)語"非反應(yīng)性濺射"包括在低氧氣氛（無氧或最多至5體積％的氧）中濺 射氧化性靶以提供基本上化學(xué)計量的氧化物。
[0118] 在該阻擋層基于TiOx時，X可以是從1. 5至2. 0。
[0119] 該上減反射層的基于Si的（氧）氮化物和/或Al的（氧）氮化物和/或其合 金、和/或Al、Si、Ti和/或Zr的氧化物的層可以優(yōu)選具有至少2nm、更優(yōu)選至少5nm、甚 至更優(yōu)選至少l〇nm、最優(yōu)選至少15nm ;但優(yōu)選至多40nm、更優(yōu)選至多35nm、甚至更優(yōu)選至多 30nm、最優(yōu)選至多25nm的厚度。這樣的厚度提供了涂覆板的機械強度方面的進一步改進。 基于Si的（氧）氮化物和/或Al的（氧）氮化物和/或其合金、和/或Al、Si、Ti和/或 Zr的氧化物的所述層可以優(yōu)選直接接觸該阻擋層。
[0120] 該基于Si的（氧）氮化物和/或Al的（氧）氮化物和/或其合金、和/或Al、 Si、Ti和/或Zr的氧化物的層（其在一些情況下可以構(gòu)成該上減反射層的主要部分）提 供了穩(wěn)定性（在熱處理過程中較好的保護）和擴散阻擋性質(zhì)。優(yōu)選通過Si、Al或混合的 SiAl靶（例如SitraAl1。靶）在含N2氣氛中的反應(yīng)濺射來將所述層沉積為氮化鋁和/或氮化 硅層。該基于Al的（氧）