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      微晶的玻璃薄膜及其制備方法

      文檔序號:9527144閱讀:221來源:國知局
      微晶的玻璃薄膜及其制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及含一種稀土離子摻雜微晶的玻璃薄膜,具體涉及一種用作閃爍材料的含稀土離子摻雜Cs2NaGdBr6微晶的玻璃薄膜及其溶膠-凝膠濕化學(xué)制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]閃爍材料是一種在高能射線(如X射線、γ射線)或其它放射性粒子的激發(fā)下能夠發(fā)出可見光的光功能材料,可被廣泛應(yīng)用于核醫(yī)學(xué)診斷、安檢、防恐、高能物理及地質(zhì)勘探等領(lǐng)域。近幾年來隨著醫(yī)學(xué)成像與安全檢查等領(lǐng)域的快速發(fā)展,大量地需求高性能的新型閃爍材料。優(yōu)秀的閃爍材料主要具備以下性能:發(fā)光效率高、材料密度大、熒光衰減快、抗輻射性能好以及生產(chǎn)成本低下等特征。
      [0003]就目前的閃爍材料而言,主要由單晶體與玻璃兩種材料。閃爍單晶體通常具有耐輻照、快衰減、高光輸出等優(yōu)點(diǎn),但其存在工藝制備復(fù)雜、成本價(jià)格昂貴以及大尺寸單晶體難獲得等缺點(diǎn)。更有甚者,摻雜于單晶體中的稀土發(fā)光離子由于存在分凝現(xiàn)象,在晶體中的分布很不均勻,因此嚴(yán)重地影響其發(fā)光性能與材料的使用率。閃爍玻璃具備稀土摻雜均勻、成本低下、大尺寸玻璃易于制備、化學(xué)組分容易調(diào)節(jié)等特點(diǎn),但通常其光輸出、重復(fù)次數(shù)等方面性能劣于單晶體,因此其應(yīng)用也受到嚴(yán)重限制。
      [0004]摻稀土離子的Cs2NaGdBrt晶體是一種具有優(yōu)異閃爍性能的材料,由于Gd 3+與其它稀土離子具有可比擬的離子半徑大小以及相同的離子價(jià)態(tài),可摻雜較大量的其它多種發(fā)光稀土離子。比如,Ce3+摻雜的Cs 2NaGdBr6晶體具有光輸出高,快衰減,好的能量分辨率、時(shí)間分辨率和線性響應(yīng),具有比稀土離子摻雜的氟化物晶體與氧化物晶體更高的發(fā)光效率,可使閃爍探測儀效率大幅度提高。Eu3+、Tb3+摻雜的Cs2NaGdBr6晶體的閃爍性能也較優(yōu)異,可用于安檢、閃爍熒光屏等領(lǐng)域。但Cs2NaGdBr6S質(zhì)溴化物晶體機(jī)械性能較差、容易解理與極易潮解等缺陷,以及大尺寸晶體生長困難與價(jià)格昂貴等缺點(diǎn)影響其實(shí)際應(yīng)用。
      [0005]含微晶的玻璃是一種集玻璃與單晶體兩者性能于一體的材料,因此含稀土離子摻雜Cs2NaGdBr6微晶的玻璃有望解決上述材料的各自不同缺陷。傳統(tǒng)的含微晶的玻璃材料制備過程為:首先采用高溫融熔法制備成玻璃,然后通過在玻璃軟化溫度附近保溫,在玻璃內(nèi)部析出微晶。但該方法存在以下缺陷,第一:由于在高溫下融熔制得,因此容易引起溴化物原料的分解與揮發(fā);第二:通常制備的玻璃其化學(xué)組分和析晶保溫溫度的不完全均勻性,析出的微晶粒大小很不均勻,極易引起玻璃的失透;第三:在析晶過程中,稀土發(fā)光離子難進(jìn)入微晶的晶格位中,影響材料的發(fā)光效果。更有甚者,由于高溫融熔法玻璃制備工藝的特點(diǎn),生產(chǎn)的玻璃均為塊體,不能得到薄膜態(tài)的材料。隨著民用化的廣泛普及,小型、集成化的閃爍器件是今后發(fā)展的必然之路。通常薄膜材料是制作該類器件的最合適原材料,因此目前的閃爍材料形態(tài)對今后器件的發(fā)展會產(chǎn)生較大的限制。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種物化性能穩(wěn)定、機(jī)械強(qiáng)度高、抗潮解性強(qiáng)、光學(xué)透過性高、微晶含量高,同時(shí)具有高的光輸出、快衰減與好的能量分辨率和時(shí)間分辨率特性的含稀土離子摻雜CsAaGdBrjj晶的玻璃薄膜及其制備方法,該玻璃薄膜具有物化性能穩(wěn)定、制備方法具有設(shè)備簡單、生產(chǎn)成本較低、操作方便、合成效率高,合成的玻璃薄膜中的微晶大小均勻、結(jié)晶度與稀土離子的摻雜濃度高。
      [0007]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:含稀土離子摻雜CsAaGdBrjj晶的玻璃薄膜,其摩爾百分組成為:三氧化二硼:67-70mol%、二氧化鈦:10_15mol %、五氧化二銀:3_6mol%、Cs2NaGdBr6:8-15mol %、稀土溴化物:l-5mol %,其中稀土溴化物為溴化鈰、溴化銪或溴化鋱中的一種。
      [0008]所述的含稀土離子摻雜Cs2NaGdBr6微晶的玻璃薄膜,其特征在于其摩爾百分組成為:三氧化二硼:70mol%、二氧化鈦:15mol%、五氧化二銀:6mol%、Cs2NaGdBr6:8mol%、溴化鋪:lmol%。
      [0009]所述的含稀土離子摻雜RbLu2Br7微晶的玻璃薄膜,其特征在于其摩爾百分組成為:三氧化二硼:67mol%、二氧化鈦:10mol%、五氧化二銀:3mol%、Cs2NaGdBr6:15mol %、溴化銪:5mol%0
      [0010]所述的含稀土離子摻雜Cs2NaGdBr6微晶的玻璃薄膜,其特征在于其摩爾百分組成為:三氧化二硼:69mol%、二氧化鈦:13mol%、五氧化二銀:4mol%、Cs2NaGdBr6:12mol %、溴化鋪:2mol%0
      [0011]所述的含稀土離子摻雜Cs2NaGdBrf^j晶的玻璃薄膜的制備方法,包括下列具體步驟:
      [0012]原料的準(zhǔn)備:
      [0013](1)、將制備原料按摩爾比:硼酸三正丁酯:鈦酸丁酯:乙醇鈮:溴化銫:溴化鈉:溴化釓:稀土溴化物=134-140: 10-15: 6-12: 16-30: 8-15: 8-15: 1-5,且溴化銫:溴化鈉:溴化釓的摩爾比為2: 1: 1,其中稀土溴化物為溴化鈰、溴化銪或溴化鋱中的一種,分別稱取分析純的各制備原料,待用;溴化銫、溴化鈉、溴化釓、溴化鈰、溴化銪與溴化鋱可用相同摩爾的其它結(jié)晶水的溴化物代替;
      [0014]凝膠的制備:
      [0015](2)、硼酸三正丁酯的水解:把步驟(1)中秤量的硼酸三正丁酯溶解到無水乙醇中,無水乙醇與硼酸三正丁酯的摩爾比為2: 1,快速加入乙酰丙酮,乙酰丙酮作為螯合劑,能有效降低硼酸三正丁酯的水解反應(yīng)速度,乙酰丙酮與硼酸三正丁酯的體積比為0.7: 1,并進(jìn)行強(qiáng)力磁力攪拌,逐步滴入蒸餾水,蒸餾水與硼酸三正丁酯的摩爾比為0.5: 1,室溫下進(jìn)行水解反應(yīng)1小時(shí),制成溶液A ;
      [0016](3)、鈦酸丁酯的水解:把步驟(1)中秤量的鈦酸丁酯溶解到無水乙醇中,無水乙醇與鈦酸丁酯的摩爾比為2: 1,快速加入冰醋酸,冰醋酸作為螯合劑,能有效降低鈦酸丁酯的水解反應(yīng)速度,冰醋酸與鈦酸丁酯的體積比為0.7: 1,并進(jìn)行強(qiáng)力磁力攪拌,逐步滴入蒸餾水,蒸餾水與鈦酸丁酯的摩爾比為0.5: 1,室溫下進(jìn)行水解反應(yīng)1小時(shí),制成溶液B ;
      [0017](4)、乙醇鈮的水解:把步驟(1)中秤量的乙醇鈮溶解到無水乙醇中,無水乙醇與乙醇鈮的摩爾比為2.5: 1,快速加入乙酰丙酮,乙酰丙酮作為螯合劑,能有效降低乙醇鈮的水解反應(yīng)速度,乙酰丙酮與乙醇鈮的體積比為0.7: 1,并進(jìn)行強(qiáng)力磁力攪拌,逐步滴入蒸餾水,蒸餾水與乙醇鈮的摩爾比為0.6: 1,室溫下進(jìn)行水解反應(yīng)1小時(shí),制成溶液C;
      [0018](5)、將溶液B與C分別緩慢加入到溶液A中,充分混合攪拌后,再滴加一定量的蒸餾水,進(jìn)行二次水解反應(yīng),蒸餾水與硼酸三正丁酯、鈦酸丁酯、乙醇鈮三者總和的摩爾比為0.6: 1,混合水解反應(yīng)0.5小時(shí)后,制成溶液D ;
      [0019](6)、在溶液D中加入步驟⑴中秤量好的溴化銫、溴化鈉、溴化釓與稀土溴化物各原料,在強(qiáng)烈攪拌下,水解反應(yīng)2小時(shí)后,制成溶液E ;
      [0020](7)、將溶液E密封后靜置1天,得到一定粘度的溶液F ;
      [0021]薄膜的制備:
      [0022](8)、將溶液F用浸漬提拉法(dip-coating)涂覆在潔凈的玻璃基板上,玻璃基片在溶液F中的提拉速度控制在0.2.1毫米/秒,根據(jù)具體厚度要求可重復(fù)提拉1-5次,每次提拉間隔時(shí)間為15分鐘,涂覆后的薄膜在室溫下晾干4小時(shí);
      [0023]薄膜的熱處理:
      [0024](9)、將步驟⑶制得的薄膜放置到爐子中,以每小時(shí)30-50°C的速率升溫到100°C,保溫1小時(shí),以除去殘余的水和乙醇,然后以每小時(shí)30-50°C的速率再升溫爐子到340°C,保溫20分鐘,以除去薄膜中殘余的有機(jī)物,熱處理結(jié)束,以每小時(shí)50°C降溫速率,緩慢冷卻爐子到室溫;
      [0025]薄膜的高溫溴化氫微晶化處理:<
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