預(yù)處理硅片濕法制絨的方法
【專(zhuān)利摘要】一種預(yù)處理硅片濕法制絨的方法，包括以下步驟：（1）制備親水性溶液：將親水性表面活性劑加入到溶劑中，形成互溶的親水性溶液；（2）預(yù)處理硅片：用步驟（1）制備的親水性溶液均勻地涂覆在待處理硅片的待制絨面上；（3）制絨：將經(jīng)步驟（2）預(yù)處理的硅片進(jìn)行濕法化學(xué)腐蝕，制得絨面。對(duì)經(jīng)步驟（4）處理后的硅片絨面進(jìn)行全系太陽(yáng)光譜的反射率測(cè)量，所述硅片絨面反射率比現(xiàn)有技術(shù)制的絨面反射率低2%左右。采用本發(fā)明，能使硅的腐蝕速率均勻，便于形成陷光結(jié)構(gòu)，從而制得太陽(yáng)光反射率低于20%的理想絨面，提高光的吸收率，提高光伏電池的轉(zhuǎn)換效率；同時(shí)由于腐蝕的均勻可控性，后續(xù)電池制作中的色差片的比例也大幅降低。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
預(yù)處理硅片濕法制絨的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種硅片制絨的方法，尤其涉及一種預(yù)處理硅片濕法制絨的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著全球經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，各行各業(yè)對(duì)能源的需求日益增多，目前人類(lèi)所利用能源的絕大多數(shù)來(lái)源于所謂的礦物燃料，主要有:煤、石油、天然氣等，其燃燒都會(huì)在空氣中釋放大量有害氣體，如硫氮化合物等，有害氣體排放在大氣中，使得人類(lèi)賴(lài)以生存的大氣環(huán)境污染，環(huán)境污染對(duì)人類(lèi)的危害越來(lái)越嚴(yán)重。我國(guó)日益普遍的霧霾天氣，就是人們對(duì)環(huán)境的污染造成的，因此，現(xiàn)在人類(lèi)保護(hù)綠色環(huán)境的意識(shí)越來(lái)越強(qiáng)烈了。因此，減少污染，發(fā)展可再生能源已經(jīng)成為各個(gè)國(guó)家能源產(chǎn)業(yè)的主要方向。太陽(yáng)通過(guò)輻射產(chǎn)生大量的能量傳播到地球，它不像化石能源燃燒那樣產(chǎn)生有害氣體;面對(duì)世界能源的急劇匱乏，太陽(yáng)能越來(lái)越受到人們的關(guān)注，十三五規(guī)劃中，我國(guó)政府將大力支持光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，規(guī)劃太陽(yáng)能等綠色能源將占到能源總需求的20%以上;如何合理有效的實(shí)現(xiàn)光伏發(fā)電成為可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略重大組成部分。目前，光伏電池發(fā)展的種類(lèi)已很多，有晶硅電池、薄膜太陽(yáng)能電池、聚合物太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其中晶硅太陽(yáng)能電池發(fā)展最成熟。
[0003]晶硅太陽(yáng)能電池是把太陽(yáng)光能直接轉(zhuǎn)化為電能的裝置，其晶體硅的折射率為3.42，照射在娃基體上的太陽(yáng)光很大一部分被反射掉，娃電池對(duì)太陽(yáng)光的利用率不高，從而使電池的轉(zhuǎn)化效率降低;人們對(duì)電池的表面形貌進(jìn)一步處理，常用的方法是在電池形成前，在硅片表面形成粗糙的絨面結(jié)構(gòu)，絨面結(jié)構(gòu)可以減少電池表面光的反射從而增加光吸收，太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率會(huì)有所提高。
[0004]太陽(yáng)能電池的減反射膜不僅要有低的減反射率，而且還要具有良好的物理化學(xué)性能，以滿(mǎn)足后續(xù)的工藝要求。在太陽(yáng)能電池制備中，現(xiàn)有的制絨技術(shù)主要有機(jī)械刻槽、激光刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、各向同性的酸腐蝕體系和各向異性的堿腐蝕體系，通常工業(yè)上使用堿或者酸化學(xué)腐蝕的方法對(duì)硅片表面形貌進(jìn)行修飾，使硅片表面形成凹凸不平的絨面陷光結(jié)構(gòu)。其中多晶硅片在晶硅電池領(lǐng)域中占據(jù)了80%以上市場(chǎng)份額，是市場(chǎng)的主流。
[0005]酸腐蝕制絨體系主要用于多晶電池的制絨中，一般由無(wú)機(jī)酸、氧化劑、溶劑組成，酸腐蝕系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)是過(guò)程簡(jiǎn)單、工藝時(shí)間短、材料耗量少、成本低廉，因此多晶硅酸腐蝕制絨被太陽(yáng)能行業(yè)廣泛應(yīng)用。目前廣泛應(yīng)用的是以HF/HN03/H20為基礎(chǔ)的酸腐蝕溶液體系，通過(guò)腐蝕的硅片一般減重3%左右，同時(shí)伴隨產(chǎn)生一定量的黃褐色含氮有毒煙霧，且硅在酸腐蝕反應(yīng)體系中的反應(yīng)非常復(fù)雜，難以控制，由于制絨過(guò)程中反應(yīng)的硅片表面不均勻性，也很容易在后續(xù)的PECVD過(guò)程中形成色差，反射率的降低程度有限，太陽(yáng)光的反射率一直在20%以上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種與濕法腐蝕制絨兼容，腐蝕速率均勻，便于形成良好陷光結(jié)構(gòu)的預(yù)處理硅片濕法制絨的方法;應(yīng)用該方法可以制得太陽(yáng)光反射率低于20%的絨面，從而提高光的吸收效率，提高光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0007]本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種預(yù)處理硅片濕法制絨的方法，包括以下步驟:
(1)制備親水性溶液:將親水性表面活性劑加入到溶劑中，進(jìn)行分散，形成互溶的親水性溶液，所述親水性溶液中親水性表面活性劑的濃度范圍為0.00001-lml/ml (優(yōu)選0.0001-
0.0lml/ml)，所述溶劑為水或酒精；
(2)預(yù)處理硅片:用步驟(I)制備的親水性溶液均勻地涂覆在待處理硅片的待制絨面上，所述親水性溶液的用量范圍是0.05-5ml/片；以此提高該表面的浸潤(rùn)性;若溶液在硅片表面流淌，即為表現(xiàn)出良好的親水性；
(3)制絨:將經(jīng)步驟(2)預(yù)處理后的硅片在濕潤(rùn)狀態(tài)下進(jìn)行濕法化學(xué)腐蝕，所述化學(xué)腐蝕采用富硝酸體系腐蝕溶液對(duì)所述硅片進(jìn)行腐蝕得絨面，所述腐蝕溶液的成分按摩爾配比為H20:HF:HN03=(2-3):1: (3-3.5)，腐蝕反應(yīng)的溫度為8-10°C，腐蝕反應(yīng)的時(shí)間為60-90秒。
[0008]進(jìn)一步，步驟(I)中，所述親水性表面活性劑為醚類(lèi)或酯類(lèi)或者醇類(lèi)表面活性劑，在酸性環(huán)境下具有很好的穩(wěn)定性。
[0009]進(jìn)一步，步驟(I)中，所述親水性表面活性劑為Dow公司生產(chǎn)的FC90表面活性劑。
[0010]進(jìn)一步，步驟(2)中，所述涂覆的方式為噴淋、涂刷、浸漬中的一種，并且預(yù)處理設(shè)備安裝在制絨設(shè)備的前端，實(shí)現(xiàn)與制絨設(shè)備無(wú)縫對(duì)接。
[0011]進(jìn)一步，所述娃片為多晶娃片。
[0012]所述步驟(2)預(yù)處理硅片的目的在于提高硅片待腐蝕面的親水性。
[0013]由于所述親水性表面活性劑均為水溶性，所以很容易被去除，對(duì)完成制絨后的硅片進(jìn)行噴淋水洗及烘干處理即可;對(duì)本發(fā)明制得的硅片絨面進(jìn)行全系太陽(yáng)光譜的反射率測(cè)量，所述硅片絨面反射率^ 20%ο
[0014]所述預(yù)處理后的硅片表面的浸潤(rùn)性好，水溶性的酸腐蝕液與硅片表面充分接觸，形成相對(duì)均勻的氧化還原制絨反應(yīng)，并且反應(yīng)產(chǎn)生的氣體相對(duì)容易脫離，從而制得理想的絨面。
[0015]將本發(fā)明方法制備的硅片完成后續(xù)擴(kuò)散、鍍膜等電池片工藝，并且檢測(cè)電池效率，電池絕對(duì)效率約有0.05-0.1%左右的提升，主要表現(xiàn)在短路電流的提升，這個(gè)主要是入射光吸收增強(qiáng)的原因。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
(1)本發(fā)明通過(guò)對(duì)待制絨的硅片進(jìn)行親水性預(yù)處理，改變了硅片表面的浸潤(rùn)性，使得后續(xù)酸制絨過(guò)程中，硅的腐蝕速率均勻，從而可以制得太陽(yáng)光反射率低于20%的理想絨面，增加了光的吸收，進(jìn)而能夠提高光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率；
(2)本發(fā)明操作簡(jiǎn)單，通過(guò)增加一個(gè)硅片表面親水性溶液涂覆裝置，與現(xiàn)有技術(shù)的濕法鏈?zhǔn)街平q工藝兼容;生產(chǎn)成本較低，容易實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制備的硅片絨面的掃描電鏡圖。
[0018]圖2是現(xiàn)有方法制備的硅片絨面的掃描電鏡圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0020]實(shí)施例1
本實(shí)施例之預(yù)處理硅片濕法制絨的方法，該方法包括以下步驟:
(1)制備親水性溶液:將親水性表面活性劑FC90(Dow公司生產(chǎn)的)加入到高純水中，進(jìn)行分散，形成互溶的親水性溶液，所述親水性溶液中親水性表面活性劑的濃度范圍為
0.00001ml/ml；
(2)預(yù)處理硅片:用步驟(I)制備的親水性溶液均勻地噴淋在待處理多晶硅片的待制絨面上，以提高該表面的浸潤(rùn)性;所述溶液在硅片表面流淌，表現(xiàn)出了良好的親水性;所述親水性溶液的用量為5ml/片;且預(yù)處理設(shè)備安裝在制絨設(shè)備的前端，實(shí)現(xiàn)與制絨設(shè)備無(wú)縫對(duì)接；
(3)制絨:將經(jīng)步驟(2)預(yù)處理后的多晶硅片在濕潤(rùn)狀態(tài)下進(jìn)行濕法化學(xué)腐蝕，所述化學(xué)腐蝕采用富硝酸體系腐蝕溶液對(duì)所述硅片進(jìn)行腐蝕得絨面(絨面的掃描電鏡如圖1所示，絨面細(xì)小且均勻)，所述腐蝕溶液的成分按摩爾配比為H2O = HF:ΗΝθ3=2:1:3，腐蝕反應(yīng)的溫度為8V，腐蝕反應(yīng)的時(shí)間為60秒。
[0021]對(duì)本實(shí)施例制得的多晶硅片絨面進(jìn)行D8全系太陽(yáng)光譜的反射率測(cè)量，所述硅片絨面平均反射率為20%，低于正常(現(xiàn)有技術(shù))生產(chǎn)線(xiàn)上的硅片絨面(現(xiàn)有方法制備硅片絨面的掃描電鏡如圖2所示，絨面粗大且不均勻)21-23%的反射率。
[0022]本實(shí)施例預(yù)處理后的硅片表面的浸潤(rùn)性好，水溶性的酸腐蝕液與硅片表面充分接觸，形成相對(duì)均勻的氧化還原制絨反應(yīng)，并且反應(yīng)產(chǎn)生的氣體相對(duì)容易脫離，從而制得理想的絨面。
[0023]將本實(shí)施例方法制備的多晶硅片應(yīng)用于光伏電池:將所述多晶硅片進(jìn)行后續(xù)擴(kuò)散，鍍膜等電池片工藝，制備成完整的電池片，測(cè)量得到平均電池效率18.36%(現(xiàn)有技術(shù)工業(yè)生產(chǎn)的平均電池效率為18.30%)，比現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的光伏電池轉(zhuǎn)換效率高0.06%，其中短路電流Isc提高了約30mA，且Uoc, FF等其他結(jié)果與正常生產(chǎn)的一致。
[0024]實(shí)施例2
本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別僅在于:
步驟(I)制備親水性溶液:將親水表面活性劑FC90 (Dow公司生產(chǎn)的)加入到酒精(工業(yè)酒精)中，攪拌分散，形成互溶的親水性溶液，所述親水性水溶液濃度為lml/ml;
步驟(2)預(yù)處理硅片:用步驟(I)制備的親水性溶液均勻地涂刷在待處理多晶硅片的待制絨面上，所述親水性溶液的用量為0.05ml/片；
步驟(3 )中所述腐蝕溶液的成分按摩爾配比為H2O: HF: HNO3=3:1:3.5，反應(yīng)溫度為10°C，反應(yīng)時(shí)間為90秒；
本實(shí)施例制得的硅片絨面平均反射率為18.9%，低于正常(現(xiàn)有技術(shù))生產(chǎn)線(xiàn)上的硅片絨面21-23%的反射率。
[0025]將本實(shí)施例方法制備的多晶硅片應(yīng)用于光伏電池:將所述多晶硅片進(jìn)行后續(xù)擴(kuò)散，鍍膜等電池片工藝，制備成完整的電池片，測(cè)量得到平均電池效率18.40%(現(xiàn)有技術(shù)工業(yè)生產(chǎn)的平均電池效率為18.30%)，比現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的光伏電池轉(zhuǎn)換效率高0.10%，其中短路電流Isc提高了約45mA，且Uoc，F(xiàn)F等其他結(jié)果與正常生產(chǎn)的接近。
[0026]其余同實(shí)施例1。
[0027]實(shí)施例3
本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別僅在于:
步驟(I)制備親水性溶液:將親水表面活性劑FC90 (Dow公司生產(chǎn)的)加入到酒精(工業(yè)酒精)中，攪拌分散，形成互溶的親水性溶液，所述親水性水溶液濃度為0.0OOlml/ml;
步驟(2)預(yù)處理硅片:用步驟(I)制備的親水性溶液均勻地浸漬在待處理多晶硅片的待制絨面上，所述親水性溶液的用量為2.5ml/片；
步驟(3)中所述腐蝕溶液的成分按摩爾配比為H2O: HF: HN03=2.8:1:3.2,反應(yīng)溫度為9°C，反應(yīng)時(shí)間為80秒；
本實(shí)施例制得的硅片絨面平均反射率為19.2%，低于正常(現(xiàn)有技術(shù))生產(chǎn)線(xiàn)上的硅片絨面21-23%的反射率。
[0028]將本實(shí)施例方法制備的多晶硅片應(yīng)用于光伏電池:將所述多晶硅片進(jìn)行后續(xù)擴(kuò)散，鍍膜等電池片工藝，制備成完整的電池片，測(cè)量得到平均電池效率18.39%(現(xiàn)有技術(shù)工業(yè)生產(chǎn)的平均電池效率為18.30%)，比現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的光伏電池轉(zhuǎn)換效率高0.09%，其中短路電流Isc提高了40mA，而Uoc，F(xiàn)F等其他參數(shù)與正常生產(chǎn)的接近。
[0029]其余同實(shí)施例1。
[0030]實(shí)施例4
本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別僅在于:
步驟(I)制備親水性溶液:將親水表面活性劑FC90(Dow公司生產(chǎn)的)加入到高純水中，攪拌分散，形成互溶的親水性溶液，所述親水性水溶液濃度為0.0lml/ml;
步驟(2)預(yù)處理硅片:用步驟(I)制備的親水性溶液均勻地涂刷在待處理多晶硅片的待制絨面上，所述親水性溶液的用量為0.5ml/片；
步驟(3)中所述腐蝕溶液的成分按摩爾配比為H2O: HF: HN03=2.5:1:3.4,反應(yīng)溫度為9°C，反應(yīng)時(shí)間為70秒；
本實(shí)施例制得的硅片絨面平均反射率為18.7%，低于現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)線(xiàn)上的硅片絨面21-23%的反射率。
[0031]將本實(shí)施例方法制備的多晶硅片應(yīng)用于光伏電池:將所述多晶硅片進(jìn)行后續(xù)擴(kuò)散，鍍膜等電池片工藝，制備成完整的電池片，測(cè)量得到平均電池效率18.40%(現(xiàn)有技術(shù)工業(yè)生產(chǎn)的平均電池效率為18.30%)，比現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的光伏電池轉(zhuǎn)換效率高0.10%，其中短路電流Isc提高了42mA，而Uoc，F(xiàn)F等其他參數(shù)與正常生產(chǎn)的接近。
[0032]其余同實(shí)施例1。
[0033]實(shí)施例5
本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別僅在于:
步驟(I)制備親水性溶液:將親水表面活性劑FC90 (Dow公司生產(chǎn)的)加入到酒精(工業(yè)酒精)中，攪拌分散，形成互溶的親水性溶液，所述親水性水溶液濃度為0.0025ml/ml;
步驟(2)預(yù)處理硅片:用步驟(I)制備的親水性溶液均勻地噴淋在待處理多晶硅片的待制絨面上，所述親水性溶液的用量為3.5ml/片；
步驟(3)中所述腐蝕溶液的成分按摩爾配比為H2O: HF: HN03=2.2:1:3.1,反應(yīng)溫度為8°C，反應(yīng)時(shí)間為90秒；
本實(shí)施例制得的硅片絨面平均反射率為18.5%，低于現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)線(xiàn)上的硅片絨面21-23%的反射率。
[0034]將本實(shí)施例方法制備的多晶硅片應(yīng)用于光伏電池:將所述多晶硅片進(jìn)行后續(xù)擴(kuò)散，鍍膜等電池片工藝，制備成完整的電池片，測(cè)量得到平均電池效率18.41%(現(xiàn)有技術(shù)工業(yè)生產(chǎn)的平均電池效率為18.30%)，比現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的光伏電池轉(zhuǎn)換效率高0.11 %，其中短路電流Isc提高了47mA，而Uoc，F(xiàn)F等其他參數(shù)與正常生產(chǎn)的接近。
[0035]其余同實(shí)施例1。
[0036]實(shí)施例6
本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別僅在于:
步驟(I)制備親水性溶液:將親水表面活性劑FC90 (Dow公司生產(chǎn)的)加入到酒精(工業(yè)酒精)中，攪拌分散，形成互溶的親水性溶液，所述親水性水溶液濃度為0.lml/ml;
步驟(2)預(yù)處理硅片:用步驟(I)制備的親水性溶液均勻地涂刷在待處理多晶硅片的待制絨面上，所述親水性溶液的用量為1.5ml/片；
步驟(3 )中所述腐蝕溶液的成分按摩爾配比為H2O: HF: HN03=2.7:1:3.4,反應(yīng)溫度為1°C，反應(yīng)時(shí)間為60秒；
本實(shí)施例制得的硅片絨面平均反射率為18.8%，低于現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)線(xiàn)上的硅片絨面21-23%的反射率。
[0037]將本實(shí)施例方法制備的多晶硅片應(yīng)用于光伏電池:將所述多晶硅片進(jìn)行后續(xù)擴(kuò)散，鍍膜等電池片工藝，制備成完整的電池片，測(cè)量得到平均電池效率18.40%(現(xiàn)有技術(shù)工業(yè)生產(chǎn)的平均電池效率為18.30%)，比現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的光伏電池轉(zhuǎn)換效率高0.10%，其中短路電流Isc提高了44mA，而Uoc，F(xiàn)F等其他參數(shù)與正常生產(chǎn)的接近。
[0038]其余同實(shí)施例1。
[0039]總之，本發(fā)明方法制備的硅片絨面能夠增強(qiáng)對(duì)太陽(yáng)光的吸收，同時(shí)兼容性好，適用于主流的制絨工藝；另外，按照每張硅片最多涂覆5ml懸浮液計(jì)算，僅增加1-2分錢(qián)的成本；采用親水性預(yù)處理硅片優(yōu)化制絨后，按照目前多晶硅片電池的轉(zhuǎn)換效率18.3%來(lái)計(jì)算，可提高0.05-0.1%(較佳實(shí)施例)左右的電池轉(zhuǎn)換效率，按每瓦售價(jià)2.5元，則多晶硅電池片的售價(jià)可以增加4-5分錢(qián)/片，以50兆瓦標(biāo)準(zhǔn)電池生產(chǎn)線(xiàn)計(jì)算，則可以增加凈利潤(rùn)約45.8萬(wàn)/年，經(jīng)濟(jì)效益十分明顯。
[0040]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本發(fā)明作任何限制，凡是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何修改、變更以及等效結(jié)構(gòu)變換，均仍屬本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種預(yù)處理硅片濕法制絨的方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)制備親水性溶液:將親水性表面活性劑加入到溶劑中，進(jìn)行分散，形成互溶的親水性溶液，所述親水性溶液中親水性表面活性劑的濃度范圍為0.00001-lml/ml，所述溶劑為水或酒精； (2)預(yù)處理硅片:用步驟(I)制備的親水性溶液均勻地涂覆在待處理硅片的待制絨面上，所述親水性溶液的用量范圍是0.05-5ml/片； (3)制絨:將經(jīng)步驟(2)預(yù)處理后的硅片在濕潤(rùn)狀態(tài)下進(jìn)行濕法化學(xué)腐蝕，所述化學(xué)腐蝕采用富硝酸體系腐蝕溶液對(duì)所述硅片進(jìn)行腐蝕，得絨面，所述腐蝕溶液的成分按摩爾配比為出0:冊(cè):_03=(2-3):1: (3-3.5)，腐蝕反應(yīng)的溫度為8-10°C，腐蝕反應(yīng)的時(shí)間為60-90秒。2.如權(quán)利要求1所述的預(yù)處理硅片濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(I)中，所述親水性溶液中親水性表面活性劑的濃度范圍為0.0001-0.01ml/ml。3.如權(quán)利要求1或2所述的預(yù)處理硅片濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(I)中，所述親水性表面活性劑為醚類(lèi)或酯類(lèi)或者醇類(lèi)表面活性劑。4.如權(quán)利要求1或2所述的預(yù)處理硅片濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(2)中，所述涂覆的方式為噴淋、涂刷、浸漬中的一種。5.如權(quán)利要求3所述的預(yù)處理硅片濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(2)中，所述涂覆的方式為噴淋、涂刷、浸漬中的一種。6.如權(quán)利要求1-5之一所述的預(yù)處理硅片濕法制絨的方法，其特征在于，所述硅片為多晶娃片。
【文檔編號(hào)】H01L31/0236GK105839192SQ201610271171
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年4月28日
【發(fā)明人】呂鐵錚
【申請(qǐng)人】呂鐵錚