一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于單晶硅生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，尤其是涉及一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)。
【背景技術(shù)】
[0002]區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅是目前生產(chǎn)單晶硅最先進(jìn)的應(yīng)用技術(shù)，利用反射環(huán)合理的控制單晶軸向和徑向電阻率的均勻性是單晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，常規(guī)反射環(huán)的不足之處是，區(qū)熔氣摻雜雜質(zhì)在爐內(nèi)與主氬氣混合后，由于溫度差導(dǎo)致的密度差而在爐內(nèi)流動(dòng)，形成氣體對(duì)流，在單晶生長(zhǎng)過(guò)程中，晶轉(zhuǎn)作用使得單晶邊緣雜質(zhì)濃度較小，且受氣流的影響而波動(dòng)較大，影響摻雜雜質(zhì)在軸向與徑向的分布，因此，軸向與徑向電阻率均勻性波動(dòng)大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型旨在提出一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，以解決區(qū)熔硅單晶軸向和徑向電阻率均勻性波動(dòng)大的問(wèn)題。
[0004]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0005]—種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，包括保溫筒、冷卻水管道和摻雜管道，所述保溫筒為一圓柱形筒體，所述筒體的外壁上套設(shè)有環(huán)形的冷卻水管道，所述冷卻水管道位于所述筒體上部，所述冷卻水管道上設(shè)置有進(jìn)水口和出水口，所述筒體外壁上緊挨冷卻水管道下端處，套設(shè)有環(huán)形的摻雜管道，所述摻雜管道上設(shè)有若干個(gè)管道進(jìn)氣口，所述筒體的筒壁上設(shè)有若干個(gè)與所述摻雜管道相連通的筒體進(jìn)氣口。
[0006]進(jìn)一步的，所述冷卻水管道和摻雜管道均以焊接的方式固定在所述筒體的外壁上。
[0007]進(jìn)一步的，所述冷卻水管道可為圓管或方管，所述摻雜管道可為圓管或方管。
[0008]進(jìn)一步的，所述冷卻水管道和摻雜管道的材質(zhì)為銅。
[0009]進(jìn)一步的，所述保溫筒的材質(zhì)為銅或銀。
[0010]進(jìn)一步的，所述管道進(jìn)氣口的個(gè)數(shù)為2個(gè)。
[0011]進(jìn)一步的，所述筒體進(jìn)氣口的個(gè)數(shù)為2-6個(gè)。
[0012]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)具有以下優(yōu)勢(shì):通過(guò)采用以上技術(shù)方案，可以減小爐內(nèi)氬氣對(duì)流對(duì)摻雜濃度的影響，提高熔體表面雜質(zhì)濃度的一致性，提高了軸向電阻率均勻性；可以減小自由熔體表面中心與邊緣的摻雜濃度差，提高了徑向電阻率均勻性；而且局部摻雜濃度升高，提高摻雜效率，降低成本。
【附圖說(shuō)明】
[0013]構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0014]圖1為本實(shí)用新型的主視圖；
[0015]圖2為本實(shí)用新型的俯視圖。
[0016]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0017]1-保溫筒，11-筒體進(jìn)氣口，2-冷卻水管道，21-進(jìn)水口，22-出水口，3-摻雜管道，31-管道進(jìn)氣口。
【具體實(shí)施方式】
[0018]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本實(shí)用新型中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0019]下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型。
[0020]如圖1和2所示，一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，包括保溫筒1、冷卻水管道2和摻雜管道3 ；
[0021]所述保溫筒1為一圓柱形筒體，所述筒體的外壁上以焊接的形式套設(shè)有環(huán)形的冷卻水管道2，所述冷卻水管道2可為圓管或方管，所述冷卻水管道2位于所述筒體上部，所述冷卻水管道2上設(shè)置有進(jìn)水口 21和出水口 22，所述冷卻水管道2的材質(zhì)為銅，冷卻水管道2的設(shè)置可減小因溫度差引起的氣體對(duì)流對(duì)摻雜濃度的影響，減小熔體表面中心與邊緣的摻雜濃度差；
[0022]所述筒體外壁上緊挨冷卻水管道2下端處，以焊接的形式套設(shè)有環(huán)形的摻雜管道3，所述摻雜管道3可為圓管或方管，所述摻雜管道3的材質(zhì)為銅，所述摻雜管道3上設(shè)有2個(gè)管道進(jìn)氣口 31，所述筒體的筒壁上設(shè)有2-6個(gè)與所述摻雜管道3相連通的筒體進(jìn)氣口11，摻雜管道3的設(shè)置可使局部摻雜濃度升高，提高摻雜效率。
[0023]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:包括保溫筒(1)、冷卻水管道(2)和摻雜管道(3)，所述保溫筒(1)為一圓柱形筒體，所述筒體的外壁上套設(shè)有環(huán)形的冷卻水管道(2)，所述冷卻水管道(2)位于所述筒體上部，所述冷卻水管道(2)上設(shè)置有進(jìn)水口(21)和出水口(22)，所述筒體外壁上緊挨冷卻水管道(2)下端處，套設(shè)有環(huán)形的摻雜管道(3)，所述摻雜管道(3)上設(shè)有若干個(gè)管道進(jìn)氣口(31)，所述筒體的筒壁上設(shè)有若干個(gè)與所述摻雜管道(3)相連通的筒體進(jìn)氣口(11)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述冷卻水管道(2)和摻雜管道(3)均以焊接的方式固定在所述筒體的外壁上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述冷卻水管道(2)可為圓管或方管，所述摻雜管道(3)可為圓管或方管。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述冷卻水管道(2)和摻雜管道(3)的材質(zhì)為銅。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述保溫筒(1)的材質(zhì)為銅或銀。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述管道進(jìn)氣口(31)的個(gè)數(shù)為2個(gè)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述筒體進(jìn)氣口(11)的個(gè)數(shù)為2-6個(gè)。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，包括保溫筒、冷卻水管道和摻雜管道，所述保溫筒筒體外壁上套設(shè)有環(huán)形的冷卻水管道，所述冷卻水管道上設(shè)置有進(jìn)水口和出水口，所述筒體外壁上緊挨冷卻水管道下端處，套設(shè)有環(huán)形的摻雜管道，所述摻雜管道上設(shè)有若干個(gè)管道進(jìn)氣口，所述筒體的筒壁上設(shè)有若干個(gè)與所述摻雜管道相連通的筒體進(jìn)氣口。本實(shí)用新型所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)可以減小爐內(nèi)氬氣對(duì)流對(duì)摻雜濃度的影響，提高了軸向電阻率均勻性；可以減小自由熔體表面中心與邊緣的摻雜濃度差，提高了徑向電阻率均勻性；而且局部摻雜濃度升高，提高摻雜效率，降低成本。
【IPC分類】C30B13/16, C30B29/06
【公開(kāi)號(hào)】CN205035488
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520811845
【發(fā)明人】劉錚, 王遵義, 婁中士, 韓暐, 涂頌昊, 孫昊, 王彥君, 張雪囡, 由佰玲
【申請(qǐng)人】天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月17日
【申請(qǐng)日】2015年10月19日