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      一種外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋的制作方法

      文檔序號:10947197閱讀:735來源:國知局
      一種外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋的制作方法
      【專利摘要】本實用新型公開了一種外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,包括上頂蓋及下頂蓋,下頂蓋包括一中心圓插件及至少兩個扇形環(huán)插件,所述中心圓插件通過連接件與上頂蓋中部連接,所述扇形環(huán)插件緊密配合的環(huán)繞于中心圓插件外側(cè)并分別與上頂蓋連接;其中中心圓插件與扇形環(huán)插件的相接處及扇形環(huán)插件相互之間的相接處均形成臺階狀配合。相對于傳統(tǒng)的整片式下頂蓋,本實用新型設(shè)計成多部件拼接易于拆卸清潔維護及更換,同時多點受力可以有效減少形變防止抱死。
      【專利說明】
      一種外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù),特別是涉及一種外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋。【背景技術(shù)】
      [0002]外延晶片,例如碳化硅外延晶片通常是采用CVD(化學(xué)氣相沉積)的方法來生長,具體是將襯底置于外延爐反應(yīng)室中,將含有構(gòu)成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入反應(yīng)室,借助孔徑氣相化學(xué)反應(yīng)在襯底表面上沉積固體薄膜。反應(yīng)室的頂蓋是反應(yīng)室的重要組成部分,可以調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)部溫度場分布,改善外延生長條件。
      [0003]反應(yīng)室的頂蓋包括上頂蓋及下頂蓋,其中下頂蓋為高純石墨且外表面設(shè)有涂層。 在使用過程中,下頂蓋亦會沉積反應(yīng)物及副產(chǎn)物,這些沉積物隨著使用時間的增加越來越厚,并在外延生長過程中掉落到晶片上引起外延生長缺陷的產(chǎn)生,因而需要人工及時進行清理?,F(xiàn)有的下頂蓋是整片式結(jié)構(gòu),其中心點與上頂蓋連接固定,在此單點受力情況下高溫環(huán)境中受熱后極易發(fā)生形變,因而難以拆卸下來進行清潔。當進行設(shè)備維護時,只能直接在反應(yīng)室內(nèi)部清理其沉積物,清理過程中會產(chǎn)生大量的粉塵等污染,對后續(xù)外延生長的質(zhì)量造成很大影響,這對維持反應(yīng)腔室內(nèi)環(huán)境潔凈度帶來巨大的困難?!緦嵱眯滦蛢?nèi)容】
      [0004]本實用新型提供了一種外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,其克服了現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足之處。
      [0005]本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
      [0006]—種外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,包括上頂蓋及下頂蓋,所述下頂蓋包括一中心圓插件及至少兩個扇形環(huán)插件,所述中心圓插件通過連接件與上頂蓋中部連接,所述扇形環(huán)插件緊密配合的環(huán)繞于中心圓插件外側(cè)并分別與上頂蓋連接;其中中心圓插件與扇形環(huán)插件的相接處及扇形環(huán)插件相互之間的相接處均形成臺階狀配合。
      [0007]優(yōu)選的,所述扇形環(huán)插件背面設(shè)置有軌道槽,所述上頂蓋設(shè)有與所述軌道槽配合的軌道,所述扇形環(huán)插件與上頂蓋通過軌道槽與軌道插接實現(xiàn)可拆卸連接。
      [0008]優(yōu)選的,所述中心圓插件周緣下凹形成環(huán)狀臺階,所述扇形環(huán)插件的內(nèi)環(huán)外凸形成圓弧狀臺階,環(huán)狀臺階與圓弧狀臺階拼接。
      [0009]優(yōu)選的,扇形環(huán)插件的兩側(cè)邊外凸形成臺階,且相鄰扇形環(huán)插件的側(cè)邊臺階相互拼接。
      [0010]優(yōu)選的,所述上頂蓋中部設(shè)有與所述連接件配合的固定件,所述中心圓插件中部設(shè)有通孔,所述連接件包括大于所述通孔的支撐部及小于所述通孔的連接部,連接部穿過所述通孔并與所述固定件連接。
      [0011]優(yōu)選的,所述固定件為一外凸部,外凸部上設(shè)有卡槽;所述連接件為一卡環(huán),卡環(huán)上設(shè)有卡扣;所述中心圓插件的通孔套進所述外凸部并通過卡環(huán)的卡扣與外凸部的卡槽插接以實現(xiàn)可拆卸連接。
      [0012]優(yōu)選的,所述扇形環(huán)插件為4個,且各扇形環(huán)插件的圓心角均為90°。[〇〇13]優(yōu)選的,所述中心圓插件、扇形環(huán)插件及連接件由石墨制成,且外表面涂覆有TaC涂層。
      [0014]相較于現(xiàn)有技術(shù),本實用新型具有以下有益效果:
      [0015]1.下頂蓋包括一中心圓插件及至少兩個扇形環(huán)插件,中心圓插件通過連接件與上頂蓋中部連接,扇形環(huán)插件緊密配合的環(huán)繞于中心圓插件外側(cè)并分別與上頂蓋連接,形成了可拆卸式的多個部件,且各部件均與上頂蓋連接,增加了受力點,有效防止單點固定下形變造成抱死的情況,且各部件可拆卸并在反應(yīng)室外進行清潔維護工作,提高了生產(chǎn)環(huán)境潔凈度;同時可以根據(jù)反應(yīng)物具體沉積情況進行區(qū)域性更換,減少設(shè)備更換的支出。
      [0016]2.中心圓插件與扇形環(huán)插件的相接處及扇形環(huán)插件相互之間的相接處均形成臺階狀配合,使插件之間配合形成一個整體且具有平整的表面,同時互為支撐,進一步提高了受力均勻性,延長使用壽命。
      [0017]3.連接件及軌道槽與軌道配合的方式易于拆卸安裝,省時省力。【附圖說明】
      [0018]圖1是本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0019]圖2是本實用新型的上頂蓋結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0020]圖3是本實用新型的中心圓插件結(jié)構(gòu)示意圖,其中3a為俯視圖,3b為正視圖;[〇〇21]圖4是本實用新型的連接件結(jié)構(gòu)示意圖,其中4a為俯視圖,4b為正視圖;[〇〇22]圖5是本實用新型的扇形環(huán)插件結(jié)構(gòu)示意圖,其中5a為俯視圖,5b為正視圖?!揪唧w實施方式】
      [0023]以下結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。本發(fā)明的各附圖僅為示意以更容易了解本發(fā)明,其相對大小比例可依照設(shè)計需求進行調(diào)整。此外,文中所描述的圖形中相對元件的上下關(guān)系,在本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解是指構(gòu)件的相對位置而言,因此皆可以翻轉(zhuǎn)而呈現(xiàn)相同的構(gòu)件,此皆應(yīng)同屬本說明書所揭露的范圍。
      [0024]實施例,請參見圖1所示,一種外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,包括上頂蓋1及下頂蓋。下頂蓋包括一中心圓插件2及至少兩個扇形環(huán)插件3,中心圓插件2通過連接件4與上頂蓋1中部連接,扇形環(huán)插件3緊密配合的環(huán)繞于中心圓插件2外側(cè)并分別與上頂蓋1連接,其中中心圓插件2與扇形環(huán)插件3的相接處及扇形環(huán)插件3相互之間的相接處均形成臺階狀配合。
      [0025]具體的,例如碳化硅外延爐反應(yīng)室的上頂蓋是不銹鋼外蓋,且不銹鋼外蓋內(nèi)側(cè)設(shè)有石墨泡沫層,形成良好的隔熱保溫的效果。在上頂蓋1內(nèi)側(cè)的中部設(shè)有與連接件4配合的固定件。中心圓插件2中部設(shè)有通孔21,連接件4包括大于通孔21的支撐部及小于通孔21的連接部,連接部穿過通孔21并與固定件連接。參考圖2至圖4,作為一種優(yōu)選的實施方式,固定件為外凸部11,外凸部11上設(shè)有卡槽111。連接件4為一設(shè)有卡扣的卡環(huán),卡環(huán)的環(huán)狀部41 即形成支撐部,其外徑大于通孔21的圓徑,卡扣42形成連接部。中心圓插件2具有用于容納卡環(huán)環(huán)狀部41的臺階22,其通孔21套進外凸部11后,再將卡環(huán)的內(nèi)圓套進外凸部11,旋轉(zhuǎn)卡環(huán)使卡扣42旋進卡槽111,通過卡扣42與卡槽111插接實現(xiàn)了中心圓插件2與上頂蓋1的固定。拆卸時,反方向旋轉(zhuǎn)卡環(huán),從而實現(xiàn)了可拆卸連接。
      [0026]結(jié)合圖2及圖5,扇形環(huán)插件3的背面設(shè)置有軌道槽31,上頂蓋1設(shè)有與軌道槽31配合的軌道12,扇形環(huán)插件3與上頂蓋1通過軌道槽31與軌道12插接固定,拆卸時,扇形環(huán)插件 3向外滑動,從而實現(xiàn)了可拆卸連接。
      [0027]參考圖3及圖5,中心圓插件2周緣下凹形成環(huán)狀臺階23,扇形環(huán)插件3的內(nèi)環(huán)外凸形成圓弧狀臺階32,環(huán)狀臺階23與圓弧狀臺階32拼接。扇形環(huán)插件3的兩側(cè)邊外凸形成臺階 33,且相鄰扇形環(huán)插件3的側(cè)邊臺階33相互拼接,從而使中心圓插件2及扇形環(huán)插件3拼接后于外觀上形成一個圓形的下頂蓋整體且具有平整的表面。臺階式拼接亦使扇形環(huán)插件3之間互為支撐,提高了整體受力的均勻性。
      [0028]作為一種優(yōu)選的實施方式,扇形環(huán)插件3可為4個,且各扇形環(huán)插件的圓心角均為 90°,實現(xiàn)均勻?qū)ΨQ的拼接。中心圓插件2、扇形環(huán)插件3及連接件4均由高純石墨制成,且外表面涂覆有TaC涂層,以減少碳化硅的沉積。
      [0029]上述實施例僅用來進一步說明本實用新型的一種外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,但本實用新型并不局限于實施例,凡是依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均落入本實用新型技術(shù)方案的保護范圍內(nèi)。
      【主權(quán)項】
      1.一種外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,包括上頂蓋及下頂蓋,其特征在于:所述下頂蓋包 括一中心圓插件及至少兩個扇形環(huán)插件,所述中心圓插件通過連接件與上頂蓋中部連接, 所述扇形環(huán)插件緊密配合的環(huán)繞于中心圓插件外側(cè)并分別與上頂蓋連接;其中中心圓插件 與扇形環(huán)插件的相接處及扇形環(huán)插件相互之間的相接處均形成臺階狀配合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,其特征在于:所述扇形環(huán)插件背 面設(shè)置有軌道槽,所述上頂蓋設(shè)有與所述軌道槽配合的軌道,所述扇形環(huán)插件與上頂蓋通 過軌道槽與軌道插接實現(xiàn)可拆卸連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,其特征在于:所述中心圓插件周 緣下凹形成環(huán)狀臺階,所述扇形環(huán)插件的內(nèi)環(huán)外凸形成圓弧狀臺階,環(huán)狀臺階與圓弧狀臺 階拼接。4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,其特征在于:扇形環(huán)插件的 兩側(cè)邊外凸形成臺階,且相鄰扇形環(huán)插件的側(cè)邊臺階相互拼接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,其特征在于:所述上頂蓋中部設(shè) 有與所述連接件配合的固定件,所述中心圓插件中部設(shè)有通孔,所述連接件包括大于所述 通孔的支撐部及小于所述通孔的連接部,連接部穿過所述通孔并與所述固定件連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,其特征在于:所述固定件為一外 凸部,外凸部上設(shè)有卡槽;所述連接件為一卡環(huán),卡環(huán)上設(shè)有卡扣;所述中心圓插件的通孔 套進所述外凸部并通過卡環(huán)的卡扣與外凸部的卡槽插接以實現(xiàn)可拆卸連接。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,其特征在于:所述扇形環(huán)插件為 4個,且各扇形環(huán)插件的圓心角均為90°。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延爐反應(yīng)室的可拆卸頂蓋,其特征在于:所述中心圓插件、 扇形環(huán)插件及連接件由石墨制成,且外表面涂覆有TaC涂層。
      【文檔編號】C30B25/08GK205635849SQ201620365709
      【公開日】2016年10月12日
      【申請日】2016年4月27日
      【發(fā)明人】李奕洋, 馮淦, 趙建輝
      【申請人】瀚天天成電子科技(廈門)有限公司
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