專利名稱：：光學記錄介質(zhì)和氮雜菁色素的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及光學記錄介質(zhì)和氮雜菁色素，更詳細地說，本發(fā)明涉及能對應藍色激光且耐光性優(yōu)異的光學記錄介質(zhì)和適合用于該光學記錄介質(zhì)的記錄層的氮雜菁色素。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)今，CD畫R/RW(compactdisc-recordable/rewritable)、DVD-R/RW(digitalvideodisc-recordable/rewritable)、MO(magneto-optic)盤等各禾中光學記錄介質(zhì)能夠存儲大容量的信息，由于隨機存取容易，所以其作為計算機等信息處理裝置的外部存儲裝置廣為人們所知并得到普及。這些之中，以CD-R、DVD-R為代表的有機色素系光學記錄介質(zhì)(設置有含有有機色素化合物的記錄層)的成本低且容易制造，在這一點上，其具有優(yōu)越性。另一方面，隨著處理的信息量的增大，希望提高介質(zhì)的記錄密度，近年一直提倡一種光學記錄介質(zhì)，其使用藍色激光束等振蕩波長短的激光束能夠進行高密度的記錄再生，該光學記錄介質(zhì)正被積極開發(fā)著。關于所述使用藍色激光束等振蕩波長短的激光束的光學記錄介質(zhì)已有了一些報告。但是，現(xiàn)狀是記錄裝置、記錄條件沒有被統(tǒng)一的狀態(tài)仍在持續(xù)，難以見到理想的光學記錄介質(zhì)的樣子。在這種狀況下，例如，下述專利文獻14公開了一種光學記錄介質(zhì)的記錄層用的有機色素，所述光學記錄介質(zhì)能夠利用波長405nm430nm程度的振蕩波長短的激光束進行信息的記錄-再生。專利文獻l:日本特開平11-105423號公報專利文獻2:日本特開平11-78239號公報專利文獻3:國際公開第2006-035554號小冊子專利文獻4:日本特開2001-301333號公報
發(fā)明內(nèi)容但是，專利文獻12所記載的那樣的現(xiàn)有的藍色激光用等短波長用有機色素存在對現(xiàn)今開發(fā)的半導體激光即波長405nm附近的激光束的吸收少或者在有機溶劑中的溶解性不夠好等課題。特別是，現(xiàn)有的短波長用有機色素在其結(jié)構(gòu)上不易進行吸收波長的調(diào)整，因此，記錄層含有這些有機色素的光學記錄介質(zhì)存在難以得到足夠的記錄靈敏度等課題。另外，專利文獻34所記載的藍色激光用等短波長用有機色素的目標是與現(xiàn)有的被稱作CD-R、DVD-R的光學記錄介質(zhì)相同的記錄機制即HightoLow記錄。HightoLow記錄是未記錄時的反射率比記錄時的反射率高的記錄方法，未記錄部分的折返光多的材料被認為是優(yōu)異的記錄材料。但是，記錄方法中使用現(xiàn)今開發(fā)的藍色半導體激光時，對于例如HD(HighDefinition,高清)DVD-R、BD(Blu-rayDisc,藍光光盤)-R等存在難以實際應用HightoLow記錄的課題。本發(fā)明是鑒于上述的課題完成的，其目的在于，提供能夠利用藍色激光等短波長的光進行高密度的光信息的記錄-再生的光學記錄介質(zhì)，同時提供適合用于該光學記錄介質(zhì)的新型色素。并且，本發(fā)明的另一個目的在于，提供能夠利用與以往不同的記錄機制LowtoHigh記錄來進行高密度的光信息的記錄-再生的光學記錄介質(zhì)，同時提供適合用于該光學記錄介質(zhì)的新型色素。值得注意的是，"LowtoHigh記錄"是記錄時的反射率高于未記錄時的反射率的記錄方法，該記錄方法中，優(yōu)選降低未記錄時的反射率。本發(fā)明人進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過將具有特定的結(jié)構(gòu)的氮雜菁色素用于光學記錄介質(zhì)的記錄層，能夠利用藍色激光等短波長的光進行高密度的光信息的記錄-再生，特別是能夠?qū)崿F(xiàn)利用LowtoHigh記錄的新型光學記錄介質(zhì)的實用化，從而完成了本發(fā)明。艮口，本發(fā)明的要點在于一種光學記錄介質(zhì)，其至少具有基板和設置在上述基板上的記錄層，所述記錄層通過被光照射能夠進行信息的記錄或再生，所述光學記錄介質(zhì)的特征在于，該記錄層含有以下述通式[I]表示的氮雜菁色素(權(quán)利要求1)。(通式[I]中，R1和W各自獨立地表示氫原子或者具有或不具有取代基的碳原子數(shù)為14的直鏈或者支鏈的烷基。并且，W和f可以相互鍵合形成環(huán)。W表示氫原子或烴基。并且，W是烴基時，2個以上的通式[I]的化合物可以通過R3交聯(lián)起來。W表示氫原子或碳原子數(shù)為14的直鏈或支鏈的烷基。Rs表示具有或不具有取代基的芳香環(huán)基或者具有或不具有取代基的不飽和雜環(huán)基。并且，2個以上的通式[I]的化合物可以通過RS結(jié)合在一起。并且，W和RS可以相互鍵合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。X'表示抗衡陰離子。A表示的苯環(huán)可以具有取代基。)此處，上述通式[I]中，優(yōu)選W是氫原子、RS是具有或不具有取代基的苯基(權(quán)利要求2)。并且，上述通式[I]中，還優(yōu)選W是氫原子、RS是具有或不具有取代基的5元或6元的不飽和雜環(huán)基(權(quán)利要求3)。并且，上述通式[I]中，還優(yōu)選W和RS相互鍵合形成5元或6元的飽和烴環(huán)或飽和雜環(huán)(權(quán)利要求4)。并且，RS是苯基的情況下，優(yōu)選其不具有取代基(權(quán)利要求5)。并且，通式[I]中，優(yōu)選X'是以下述通式[II]表示的偶氮系金屬絡合物的陰離子(權(quán)利要求6)。(通式[II]中，環(huán)C和環(huán)D各自獨立地表示芳香族環(huán)或雜環(huán)。并且環(huán)C和環(huán)D之中至少一方的環(huán)是雜環(huán)。Y和Z各自獨立地表示具有活性氫的基團。M表示3價的金屬元素。)并且，優(yōu)選該記錄層利用波長為350nm530nm的激光束進行信息的記錄或再生(權(quán)利要求7)。并且，本發(fā)明的另一個要點在于一種氮雜菁色素，其特征在于，其以下式(i)表示(權(quán)利要求8)。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage7</formula>(x—表示抗衡陰離子。)如果利用本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)和本發(fā)明的氮雜菁色素，能夠利用藍色激光等短波長的光進行高密度的光信息的記錄-再生。并且，能夠利用與以往不同的記錄機制LowtoHigh記錄來進行高密度的光信息的記錄-再生。圖1中圖l(a)是示意性表示本發(fā)明的第1實施方式的光記錄介質(zhì)的層構(gòu)成的一例的部分截面圖，圖l(b)是示意性說明本發(fā)明的第2實施方式的光記錄介質(zhì)的層構(gòu)成的一例的部分截面圖。圖2是實施例1得到的氮雜菁色素(例示化合物(l))的涂布膜的吸收光譜。圖3是實施例2得到的氮雜菁色素(例示化合物(2))的涂布膜的吸收光譜。圖4是比較例1得到的氮雜菁色素的涂布膜的吸收光譜。圖5是說明實施例AE的光學記錄介質(zhì)的激光記錄能量與PRSNR的關系的圖。圖6是說明實施例F的光學記錄介質(zhì)(2層介質(zhì))的激光記錄能量與PRSNR的關系的圖。圖7中圖7(a)圖7(f)均是說明本發(fā)明的第3實施方式的2層型光記錄介質(zhì)的制造方法的圖。符號說明1基板2記錄層3反射層4保護層5保護覆膜10、20光學記錄介質(zhì)L激光束201第1基板202第1記錄層203第1反射層204中間層204a紫外線固化性樹脂層205第2記錄層206第2反射層207粘結(jié)層208第2基板(鏡面基板)210樹脂壓模具體實施例方式下面對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明，但本發(fā)明不限于下述的說明，實施時可以在其要點的范圍內(nèi)進行各種變化。本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)具有基板和上述基板上設置的記錄層，所述記錄層通過被光照射能夠進行信息的記錄或再生，并且上述記錄層含有后述的通式[I]表示的氮雜菁色素。下述的記載中，為了方便說明，首先對本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)的記錄層含有的氮雜菁色素進行說明，接著進行本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)的說明。[I.氮雜菁色素]本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)在其記錄層中含有以下述通式D]表示的氮雜菁色素(下文中，為了方便起見，簡稱為"式[I]的氮雜菁色素")。式[I]的氮雜菁色素在波長350nm530nm的藍色光區(qū)域具有適當?shù)奈眨云溥m于利用藍色激光束的記錄，是具有能夠?qū)嵱玫哪凸庑缘纳鼗衔铩?通式[I]中，R'和W各自獨立地表示氫原子或碳原子數(shù)為14的直鏈或者支鏈的烷基。并且，W和I^可以相互鍵合形成環(huán)。W表示氫原子或烴基。并且，W是烴基時，2個以上的通式[I]的化合物可以通過R3交聯(lián)起來。W表示氫原子或碳原子數(shù)為14的直鏈或支鏈狀的烷基。R5表示具有或不具有取代基的芳香環(huán)基或者具有或不具有取代基的不飽和雜環(huán)基。并且，2個以上的通式[I]的化合物可以通過RS結(jié)合在一起。并且，W和R/可以相互鍵合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。X—表示抗衡陰離子。A表示的苯環(huán)可以具有取代基。)下面對上述通式[I]中的R'W的各項進行說明。需要說明的是，R'RS的說明中，提到"具有或不具有取代基"時，除了有特別說明的情況外，其取代基原則上不包括羥基、磺酸基等水溶性基團。這是因為，為了使色素化合物可以含在光學記錄介質(zhì)的記錄層中，首先需要該色素化合物對有機溶劑具有一定程度的溶解性。進而，從光盤的實用上考慮，這種記錄層必須是具有一定程度的耐水性的穩(wěn)定的膜。上述通式[I]中，W和112各自獨立地表示氫原子或者具有或不具有取代基的碳原子數(shù)為14的直鏈或者支鏈的垸基。并且，R"和W可以結(jié)合而形成環(huán)。作為碳原子數(shù)為14的直鏈或者支鏈的垸基，可以舉出例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基等。W或W是碳原子數(shù)為14的直鏈或者支鏈狀的烷基的情況下，作為取代基，可以舉出例如甘菊環(huán)、喹啉環(huán)、環(huán)丙垸環(huán)、環(huán)丁烷環(huán)、環(huán)戊垸環(huán)、環(huán)己烷環(huán)、環(huán)己烯環(huán)、萘環(huán)、噻吩環(huán)、苯環(huán)、哌啶環(huán)、吡啶環(huán)、吡咯烷環(huán)、吡咯環(huán)、呋喃環(huán)等飽和或不飽和的環(huán)狀基團；鹵原子(氟原子、氯原子、溴原子等)等。這些之中，優(yōu)選苯環(huán)、萘環(huán)作為取代基，并且，作為R1或R2，特別優(yōu)選結(jié)合有苯環(huán)的碳原子數(shù)為1或2的烷基。作為R'和W結(jié)合形成環(huán)的情況下的環(huán)，可以形成例如環(huán)丁烷環(huán)、環(huán)戊垸環(huán)、環(huán)己烷環(huán)、環(huán)己烯環(huán)、環(huán)庚烷環(huán)等飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。對于R1或R2具有環(huán)狀取代基的情況下的環(huán)以及R1和R2結(jié)合而形成環(huán)的情況下的環(huán)來說，該環(huán)上可以帶有一個或多個取代基。作為這種情況下的取代基，可以舉出例如甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙烯基、l-丙烯基、2-丙烯基、2-丙炔基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-丁烯基、1，3-丁二烯基、戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、l-甲基戊基、2-甲基戊基、2-戊烯-4-炔基等脂肪族烴基；環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)己烯基等脂環(huán)式烴基；苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、二甲苯基、2,4,6-三甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、聯(lián)苯基等芳香族烴基；氟基、氯基、溴基、碘基等鹵素基團；甲氧基、乙氧基等烷氧基；二甲氨基、二乙氨基等垸基氨基；以及硝基，進而可舉出這些基團組合構(gòu)成的取代基。上述通式[I]中，RS表示氫原子或烴基。113是烴基時，優(yōu)選是具有或不具有取代基的碳原子數(shù)為16的直鏈或者支鏈狀的烷基。并且，RS是烴基時，2個以上的通式[I]的化合物可以通過W交聯(lián)起來。作為在113介于中間將2個以上的通式[I]的化合物交聯(lián)起來的情況下的R3，除了碳原子數(shù)為16的直鏈或者支鏈狀的烷基之外，還可以使用碳原子數(shù)更多的垸基或亞苯基等。此外，作為R"RS是烷基時可以具有的取代基，只要不違反本發(fā)明的宗旨，對其沒有特別限制，可以舉出鹵原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基等)、烷基氨基(二甲氨基、二乙氨基等)、芳基(苯基、萘基等)等。這是因為，鹵原子能夠期待提高與鹵素類溶劑的親和性；垸氧基或垸基氨基等極性基團能夠期待提高極性溶劑的溶劑合作用；芳基通過空間位阻抑制色素分子之間的締合；這些都能夠期待提高在溶劑中的溶解性。上述通式[I]中，W表示氫原子或碳原子數(shù)為14的直鏈或支鏈狀的烷基。其中，優(yōu)選是氫原子。上述通式[I]中，RS表示具有或不具有取代基的芳香環(huán)基或具有或不具有取代基的不飽和雜環(huán)基。此外，本說明書中，"芳香環(huán)基"和"雜環(huán)基"分別是指從芳香環(huán)和雜環(huán)上除去了一個氫原子而得到的基團。從提高得到的色素在有機溶劑中的溶解性方面考慮，優(yōu)選R5是不飽和雜環(huán)基。RS是不飽和雜環(huán)基的情況下，環(huán)優(yōu)選為5元環(huán)或6元環(huán)。這是因為，4元以下的環(huán)狀結(jié)構(gòu)通常不穩(wěn)定，而7元以上的環(huán)狀結(jié)構(gòu)的合成復雜。RS是芳香環(huán)基的情況下，具體優(yōu)選苯基。與RS是烷基等的情況相比，R5是芳香環(huán)基或不飽和雜環(huán)基的情況下，所得到的色素的光吸收變成了長波長，作為藍色激光的振蕩波長的405nm處的吸收變大。RS是不飽和雜環(huán)基的情況下，對其種類沒有特別限制，可以舉出含有氮原子、氧原子、硫原子等作為雜原子的雜環(huán)基。例如，RS是下式表示的不飽和雜環(huán)基的情況下，能夠調(diào)整吸收的波長，所以是優(yōu)選的。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage11</formula>R5是芳香環(huán)基或不飽和雜環(huán)基的情況下，這些基團可以具有取代基。作為取代基，只要不違反本發(fā)明的宗旨，對其沒有特別限制，作為優(yōu)選的例子，可以舉出碳原子數(shù)為18的直鏈或支鏈狀的烷基、氟化垸基、烷氧基、烷硫基等。其原因是，R5是這些基團的情況下，提高了在涂布溶劑中的溶解性，并且在薄膜中難以發(fā)生結(jié)晶化。其中，特別優(yōu)選碳原子數(shù)為15的直鏈或支鏈狀的烷基、-CF3、-OCF3、-SCF3、-SC2Fs、-OCH3、-0-(iso-C3H7)等。并且，Rs是芳香環(huán)基或不飽和雜環(huán)基的情況下，這些基團可以進一步具有稠環(huán)。只要不違反本發(fā)明的宗旨，對稠環(huán)的種類沒有特別限制，優(yōu)選為5元或6元的芳香環(huán)或雜環(huán)。并且，該稠環(huán)可以帶有上述例示的取代基。并且，2個以上的通式[I]的化合物可以通過RS結(jié)合在一起。并且，114和115可以相互鍵合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。通過形成所述環(huán)結(jié)構(gòu)，有時能夠抑制結(jié)晶化，得到在有機溶劑中的溶解性，所以是優(yōu)選的。對于環(huán)結(jié)構(gòu)的種類沒有特別限制，優(yōu)選5元環(huán)或6元環(huán)。這是因為，4元以下的環(huán)狀結(jié)構(gòu)通常不穩(wěn)定，7元以上的環(huán)狀結(jié)構(gòu)的合成復雜。并且，W和R5結(jié)合成的氮原子以外的環(huán)骨架原子可以全部是碳原子，也可以含有氮原子、氧原子、硫原子等作為雜原子。R"和RS形成環(huán)結(jié)構(gòu)的情況下，該環(huán)結(jié)構(gòu)可以具有取代基。對于取代基的種類沒有特別限制，作為例子，可以舉出作為RS是芳香環(huán)基或雜環(huán)基時可以具有的取代基而在上文舉出的各種取代基。并且，R4和R5形成環(huán)結(jié)構(gòu)的情況下，該環(huán)結(jié)構(gòu)可以進一步具有稠環(huán)。對于稠環(huán)的種類沒有特別限制，作為例子，可以舉出作為RS是芳香環(huán)基或雜環(huán)基的情況下可以具有的稠環(huán)而在上文舉出的各種稠環(huán)。進而，該稠環(huán)還可以帶有上述例示的取代基。并且，W和RS形成環(huán)結(jié)構(gòu)的情況下，2個以上的通式[I]的化合物可以通過該環(huán)結(jié)構(gòu)結(jié)合在一起。上述通式[I]中，A表示的苯環(huán)可以具有取代基。作為這種情況下的取代基，可以舉出Cl、Br等鹵原子；碳原子數(shù)為14的直鏈或支鏈狀的烷基；乙?；被惶荚訑?shù)為14的烷氧基等。苯環(huán)A可以進一步具有稠環(huán)。對于稠環(huán)的種類沒有特別限制，優(yōu)選苯環(huán)。上述通式[I]中，X,表示抗衡陰離子。只要是l價的陰離子，則沒有特別的限制，作為容易使用的陰離子，可以舉出r、cr、Bf、BF4—、<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage13</formula>并且，作為x，可以適當使用具有負電荷的金屬絡合物。作為各金屬絡合物，可以舉出例如乙酰丙酮螯合物系、偶氮系、水楊醛肟系、二亞銨(7'4>壬二々A)系、二硫醇系、二吡咯甲川系、方酸菁系、硫代鄰苯二酚螯合物系、硫代雙苯酚鹽螯合物系、雙二硫-a-二酮螯合物系、聯(lián)苯二硫酚系、甲臜(formazan)系過渡金屬螯合物等。這些之中，從耐光性和在溶劑中的溶解性方面考慮，優(yōu)選偶氮金屬絡合物。作為上述例示等的金屬絡合物中的過渡元素，可以舉出例如釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸、鐵、釕、鋨、鈷、銠、銥、鎳、鈀、鉑、銅、銀、金、鋅、鎘、汞等。這些之中，從經(jīng)濟性和對生物體的影響方面考慮，優(yōu)選釩、錳、鈷、銅。作為x-優(yōu)選偶氮金屬絡合物的陰離子，這樣的陰離子可以舉出下述通式[II]表示的偶氮系金屬絡合物的陰離子。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage13</formula>通式[II]中，環(huán)C和環(huán)D各自獨立地表示芳香族環(huán)或雜環(huán)。并且，環(huán)C和環(huán)D之中至少一方的環(huán)是雜環(huán)。Y和Z各自獨立地表示具有活性氫的基團。M表示3價的金屬元素。Y和Z脫去活性氫，從而偶氮系配位體具有2個負電荷，2個該偶氮系配位體與1個具有3個正電荷的金屬原子整體形成了帶有1個負電荷的金屬絡合物。上述通式[II]中，C和D表示的環(huán)是芳香族環(huán)或者不飽和或飽和的雜環(huán)，其還可以具有Y和Z以外的取代基。對于C和D表示的環(huán)的種類沒有特別的限制，可以舉出例如苯、萘等芳香族環(huán)；吡啶、嘧啶、噻吩等不飽和雜環(huán)；麥氏酸、巴比妥酸、吡啶酮等飽和雜環(huán)；等。上述通式[II]中，Y和Z表示的基團只要是具有活性氫的基團，并且脫去質(zhì)子后帶有負電荷即可。對于Y和Z表示的基團的種類沒有特別的限制，可以舉出例如羧酸、磺酸、氨基、羥基、酰胺基、硼酸、磷酸等。并且，基團可以在環(huán)內(nèi)。上述通式[n]中，M表示的元素是3價的金屬元素。假設偶氮系配位體所具有的基團Y、Z和偶氮鍵中的一個氮原子與金屬配位，則1個金屬元素具有2個3齒配位體的金屬絡合物以6配齒穩(wěn)定化。因此，由2個帶2個負電荷的配位體和一個帶3個正電荷的金屬形成的偶氮系金屬絡合物最穩(wěn)定，并且，由于能與通式[I]表示的氮雜菁色素以等摩爾成對，所以其是優(yōu)選的。作為上述通式[II]表示的偶氮系金屬絡合物的陰離子中最優(yōu)選的例子，可以舉出例如下述通式[II-l][II-4]表示的偶氮金屬絡合物的陰離子。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage15</formula>上述通式[n-i]的過渡元素。上述通式[ii-i]m表示屬于元素周期表的第512族[ii-4]中的r11、r12、r14r17、r19r22、r25和r"表示烴基。同一分子內(nèi)的這些烴基可以相互相同，也可以不同。對各烴基的種類沒有特別限制，可以是脂肪族烴基，也可以是脂環(huán)式烴基。作為脂肪族烴基的例子，可以舉出碳原子數(shù)為16的直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙烯基、l-丙烯基、2-丙烯基、2-丙炔基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-丁烯基、1，3-丁二烯基、戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、l-甲基戊基、2-甲基戊基、2-戊烯-4-炔基等。作為脂環(huán)式烴基的例子，可以舉出環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)己烯基等。所述烴基的一個或多個氫原子可以被例如氟原子、氯原子、溴原子等鹵原子取代。具有上述通式[II-4]的偶氮系金屬絡合物陰離子的式[I]的氮雜菁色素的溶解性雖然也取決于溶劑的種類，但通常R11、R12、R14R17、R19R22、1125和1126的碳原子數(shù)越多，在溶劑中的溶解性越大。上述通式[II-l]、[11-3]、[II-4]中的R10、R13、R18、R23、1124和R"表示氫原子或取代基。同一分子內(nèi)的這些取代基可以相互相同，也可以不同。作為各取代基的例子，可以舉出例如甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙烯基、l-丙烯基、2-丙烯基、2-丙炔基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-丁烯基、1，3-丁二烯基、戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、2-戊烯-4-炔基等脂肪族烴基；環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)己烯基等脂環(huán)式烴基；苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、二甲苯基、2,4，6-三甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、聯(lián)苯基等芳香族烴基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、苯氧基等醚基；甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、乙酰氧基、苯甲酰氧基等酯基；二甲氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二異丙基氨基、二丁基氨基、二戊基氨基等氨基；氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵原子；羥基、羧基、氰基、硝基等；以及多個上述例示取代基結(jié)合形成的取代基等。此外，上述通式[II-l]、[II-2]表示的偶氮金屬絡合物的陰離子中，二個硝基結(jié)合的位置相對于偶氮基可以是鄰位、間位、對位中的任一位置，但從合成上的觀點出發(fā)，優(yōu)選為間位。上述式[I]的氮雜菁色素中，存在許多可引入取代基的部位，并且，該取代基的吸電子性或給電子性等效果容易通過71電子系的共軛進行傳遞，所以其具有容易調(diào)整波長的特點。例如，通過對RS是芳香環(huán)基或雜環(huán)基的情況下具有的取代基或W和Rs形成環(huán)結(jié)構(gòu)的情況下具有的取代基進行適宜的選擇，能夠?qū)⒆畲笪盏牟ㄩL改變到大概350nm450nm。所以，能夠在記錄光波長處具有大的吸收，其結(jié)果，提高了記錄靈敏度。作為式[I]的氮雜菁色素的優(yōu)選的實例，可以舉出下述的結(jié)構(gòu)式(1)(3)、(5)、(6)、(8)(16)、(20)(37)表示的化合物(此外，下文的記載中，有時對各結(jié)構(gòu)式表示的化合物添加其結(jié)構(gòu)式的編號，簡稱為"例示化合物(l)"等)。并且，下述的化合物當然只是例子，不應該將本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中可使用的式[I]的氮雜菁色素理解為限于這些化合物。(3)(5)<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage18</formula>9)(6)(8)<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage18</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage19</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage21</formula>(<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage25</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage26</formula>(37)<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage27</formula>此外，如上述例示化合物(13)那樣，具有噻唑環(huán)基作為R5的化合物可以期待提高溶解性，所以這樣的化合物是優(yōu)選的。并且，如例示化合物(8)那樣，具有雜環(huán)上縮合有苯環(huán)的基團作為R5的化合物的親水性降低，所以其具有增加色素穩(wěn)定性(水解性降低)的優(yōu)點。以上的例示化合物(1)(3)、(5)、(6)、(8)(16)、(20)(37)中，從用于光學記錄介質(zhì)的記錄層中時更明顯地得到上述的效果的觀點出發(fā)，優(yōu)選例示化合物(1)(3)、(6)、(15)和(20)(23)。并且，還優(yōu)選例示化合物(24)(30)。特別是以例示化合物(27)和(28)為代表的下式(i)表示的氮雜菁色素(為了方便起見，將這些色素稱作"本發(fā)明的氮雜菁色素")是新結(jié)構(gòu)的色素化合物，并且，從用于光學記錄介質(zhì)的記錄層時能特別明顯地得到上述的效果的觀點出發(fā)，其是極為優(yōu)選的。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage28</formula>(x'表示抗衡陰離子。)此外，對于上述式[I]的氮雜菁色素的合成方法沒有特別限制，例如可以通過將2-(1，3，3-三甲基二氫吲哚-2-叉基)乙醛{2-(l,3，3-Trimethylindolin-2-ylidene)acetaldehyde}和胺化合物在乙酸中加熱，將反應混合物釋放到水中后進行鹽析的方法(參見K.Venkataraman，TheChemistryofSyntheticDyesVolumeII，1952,AcademicPress,pp.1175等)來合成。本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)至少具有基板和設置在上述基板上的記錄層，所述記錄層通過被光照射能夠進行信息的記錄或再生，上述記錄層含有上述通式[i]的氮雜菁色素。根據(jù)需要，其還可以具有底涂層、反射層、保護層等基板和記錄層以外的層。下面舉出實施方式對本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)進行具體說明，但下述的實施方式只不過是為了說明而舉出的，本發(fā)明并不限于下述的實施方式，在不違反本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，實施時可以自由變化。首先，對本發(fā)明的第1實施方式進行說明。圖l(a)是示意性表示本發(fā)明的第1實施方式的光記錄介質(zhì)的層構(gòu)成的一例的部分截面圖。圖1(a)所示的光學記錄介質(zhì)10具有由透光性材料構(gòu)成的基板1、設置于基板1上的記錄層2、層積于記錄層2上的反射層3和保護層4依次層積的結(jié)構(gòu)。光學記錄介質(zhì)10利用從基板1側(cè)照射的激光束L可以進行信息的記錄-再生。此外，為了方便說明，光學記錄介質(zhì)10中，以保護層4存在的一側(cè)為上方，以基板1存在的一側(cè)為下方，各層中對應這些方向的各面分別為各層的上面和下面。作為基板1的材料，只要是基本上對于記錄光和再生光的波長是透明的材料，就可以使用各種材料。具體地說，可舉出例如丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴類樹脂(特別是無定形聚烯烴)、聚酯類樹脂、聚苯乙烯樹脂、環(huán)氧樹脂等樹脂；玻璃等。并且，還可以使用在玻璃上設置有由光固化性樹脂等放射線固化性樹脂形成的樹脂層的結(jié)構(gòu)的基板。其中，從高生產(chǎn)率、成本、耐吸濕性等角度出發(fā)，優(yōu)選能以注射成型法使用的聚碳酸酯樹脂，從耐化學性和耐吸濕性等角度出發(fā)，優(yōu)選無定形聚烯烴。另外，從高速應答等角度出發(fā)，優(yōu)選玻璃。使用樹脂制造的基板1的情況下，或者使用在與記錄層相接側(cè)(上側(cè))設置了樹脂層的基板1的情況下，可以在上表面形成記錄再生光的導向槽或凹坑。作為導向槽的形狀，可以舉出以光學記錄介質(zhì)10的中心為基準的同心圓狀的形狀或螺旋狀的形狀。形成螺旋狀的導向槽的情況下，優(yōu)選槽間距為0.2pm1.2nm程度。記錄層2是直接形成在基板1的上側(cè)的層，或者是形成在根據(jù)需要設置于基板1上的底涂層等的上側(cè)的層，記錄層2含有上述式[I]的氮雜菁色素。式[I]的氮雜菁色素可以單獨使用任意一種，也可以以任意組合和比例使用兩種以上。此外，記錄層2中除了式[I]的氮雜菁色素之外，還可以根據(jù)需要合用其他系統(tǒng)的色素。作為其他系統(tǒng)的色素，只要是主要在記錄用激光束的振蕩波長范圍具有適當?shù)奈盏纳丶纯?，沒有特別限制。并且，將CD-R等中使用的適于使用近紅外激光束(在770nm830nm的波長范圍中具有振蕩波長)進行記錄-再生的色素、DVD-R等中使用的適于使用紅色激光束(在620nm690nm波長范圍中具有振蕩波長)進行記錄-再生的色素等與式[I]的氮雜菁色素并用，從而在記錄層2含有這些色素時，能夠制造出對應于使用屬于不同波長范圍的多種激光束的記錄-再生的光學記錄介質(zhì)IO。并且，上述CD-R用或DVD-R用色素中，選擇耐光性好的色素與式[I]的氮雜菁色素時，能夠進一步提高耐光性。作為式[I]的氮雜菁色素以外的其他系統(tǒng)的色素，可以舉出偶氮金屬絡合物系色素、二苯甲酮系色素、酞菁系色素、萘酞菁系色素、花青系色素、偶氮系色素、方酸菁系色素、靛苯胺金屬絡合物系色素、三芳基甲浣系色素、部花青系色素、奧鑰(azulenium)系色素、萘醌系色素、蒽醌系色素、靛酚系色素、咕噸系色素、噁嗪系色素、吡喃鑰鹽系色素等。并且，為了提高穩(wěn)定性和耐光性，記錄層2中除了式[I]的氮雜菁色素之外，還可以含有過渡金屬螯合物(例如乙酰丙酮螯合物、聯(lián)苯基二硫酚、水楊醛肟、雙二硫-a-二酮等)等作為單重態(tài)氧猝滅劑，為了提高記錄靈敏度，還可以含有金屬系化合物等記錄靈敏度改善劑。此處，金屬系化合物是指以原子、離子、簇等形式含有過渡金屬等金屬的化合物，例如可以舉出乙二胺系絡合物、偶氮甲堿系絡合物、苯胲系絡合物、菲咯啉系絡合物、二羥基偶氮苯系絡合物、二肟系絡合物、亞硝基氨基酚系絡合物、吡啶基三嗪系絡合物、乙酰丙酮系絡合物、茂金屬系絡合物、卟啉系絡合物這樣的有機金屬化合物。對于金屬原子沒有特別的限制，優(yōu)選為過渡金屬。另外，根據(jù)需要還可以合用粘合劑、流平劑、消泡劑等。作為優(yōu)選的粘合劑，可以舉出聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、硝基纖維素、乙酸纖維素、酮類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚苯乙烯類樹脂、聚氨酯類樹脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚碳酸酯、聚烯烴等。這些可以單獨使用任意一種，也可以以任意組合和比例使用兩種以上。作為記錄層2的成膜方法，可以舉出真空蒸鍍法、濺射法、刮刀法、澆注法、旋涂法、浸漬法等通常進行的各種薄膜形成法。從量產(chǎn)性、成本的角度出發(fā)，優(yōu)選旋涂法，從得到厚度均勻的記錄層2的方面考慮，與涂布法相比，更優(yōu)選真空蒸鍍法等。利用旋涂法進行成膜的情況下，優(yōu)選轉(zhuǎn)速為500rpm15000rpm。并且，有時可以在旋涂后實施加熱、熏溶劑蒸氣等處理。利用刮刀法、澆注法、旋涂法、浸漬法等涂布法形成記錄層2的情況下，用來溶解式[I]的氮雜菁色素而將其涂布到基板1上的涂布溶劑只要是不腐蝕基板1的溶劑，則沒有特別限定。具體地說，可以舉出例如二丙酮醇、3-羥基-3-甲基-2-丁酮等酮醇類溶劑；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑等溶纖劑類溶劑；正己烷、正辛烷等鏈狀烴類溶劑；環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、二甲基環(huán)己烷、正丁基環(huán)己烷、叔丁基環(huán)己垸、環(huán)辛烷等環(huán)狀烴類溶劑；四氟丙醇、八氟戊醇、六氟丁醇等全氟烴基醇類溶劑；乳酸甲酯、乳酸乙酯、2-羥基異丁酸甲酯等羥基羧酸酯類溶劑等。這些溶劑可以單獨使用任意一種，也可以以任意組合和比例使用兩種以上。采用真空蒸鍍法的情況下，可以如下形成記錄層2，例如將式[I]的氮雜菁色素和必要時的其他色素、各種添加劑等記錄層成分加入設置在真空容器內(nèi)的坩堝中，利用適當?shù)恼婵毡脤υ撜婵杖萜鲀?nèi)抽真空到1(^10'spa后，對坩堝進行加熱，使記錄層成分蒸發(fā)，并使其蒸鍍到對向坩堝設置的基板上，由此形成記錄層2。對于不同的記錄方法等，記錄層2的適合的膜厚不同，所以對記錄層2的膜厚沒有特別限定，但必須具有一定程度的厚度，以便能夠進行記錄，通常厚度至少為lnm以上，優(yōu)選5nm以上。但是，過厚有時也不能良好地進行記錄，所以膜厚通常為300nm以下，優(yōu)選為200nm以下，更優(yōu)選為100nm以下。反射層3形成在記錄層2之上。反射層3的膜厚優(yōu)選為50nm300nm。作為反射層3的材料，可以使用在再生光的波長下具有充分高的反射率的材料，例如單獨使用Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、Pd等金屬，或?qū)⑦@些金屬制成合金使用。這些之中，Au、Al、Ag的反射率高，適合作為反射層3的材料。并且，在以這些金屬為主成分的基礎上，還可以含有其他材料。此處，"主成分"是指含量在50重量％以上的成分。作為主成分以外的其他材料，可以舉出例如Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Cu、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi、Ta、Ti、Pt、Pd、Nd等金屬和半金屬。其中，從成本低的方面、容易得到高反射率的方面、設置后述的印刷接受層時底色凈美的方面等出發(fā)，特別優(yōu)選以Ag為主成分的材料。例如Ag中含有0.1原子％5原子％左右的從Au、Pd、Pt、Cu以及Nd中選出的一種以上的金屬的合金的反射率高、耐久性高、靈敏度高且成本低，所以是優(yōu)選的。具體地說，例如是AgPdCu合金、AgCuAu合金、AgCuAuNd合金、AgCuNd合金等。作為金屬以外的材料，還可以將低折射率薄膜和高折射率薄膜交替疊置形成多層膜，將該多層膜作為反射層3使用。作為形成反射層3的方法，可以舉出例如濺射法、離子鍍法、化學蒸鍍法、真空蒸鍍法等。并且，為了提高反射率、改善記錄特性、提高密合性等，還可以在基板1之上或反射層3之下設置公知的無機系或有機系的中間層、粘結(jié)層。保護層4形成在反射層3之上。保護層4的材料只要是保護反射層3不受外力損害的材料，則沒有特別限定。作為有機物質(zhì)的材料，可以舉出熱塑性樹脂、熱固性樹脂、電子線固化性樹脂、紫外線(下文中，為了方便起見，稱作"UV")固化性樹脂等。并且，作為無機物質(zhì)，可以舉出氧化硅、氮化硅、氟化鎂(MgF2)、氧化錫(Sn02)等。使用熱塑性樹脂、熱固性樹脂等的情況下，只需將其溶解到適當?shù)娜軇┲?，將由此調(diào)制的涂布液涂布到反射層3上并使其干燥即可形成保護層4。使用UV固化性樹脂的情況下，可以通過直接涂布在反射層3上或者將其溶解到適當溶劑中調(diào)制成涂布液，將該涂布液涂布到反射層3上，然后照射UV光，使之固化，由此形成保護層4。作為UV固化性樹脂，可以使用例如氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等丙烯酸酯類樹脂。這些材料可以單獨使用，也可以多種混合使用。并且，保護層可以以單層的形式形成，也可以以多層的形式形成。作為保護層4的形成方法，與記錄層2相同，可以采用旋涂法、澆注法等涂布法；濺射法、化學蒸鍍法等方法，其中，優(yōu)選旋涂法。為了實現(xiàn)其保護功能，保護層4的膜必須具有一定的厚度，所以該膜厚通常為0.1nm以上，優(yōu)選為3)im以上。但是，膜厚過厚時，不僅效果沒有變化，而且有時保護層4的形成花費時間，成本增高，所以膜厚通常為100nm以下，優(yōu)選為30^im以下。上文中，作為光學記錄介質(zhì)10的層結(jié)構(gòu)，以依次層積基板、記錄層、反射層、保護層而成的結(jié)構(gòu)為例進行了說明，但也可采用其他的層結(jié)構(gòu)。例如，可以在上述的層結(jié)構(gòu)中的保護層4的上面或者上述層結(jié)構(gòu)中省略了保護層4而在反射層3的上面進一步貼合其他的基板1。此時的基板1可以是沒有設置任何層的基板本身，也可以是在貼合面或其背對面具有反射層3等任意的層的基板。并且，還可以將2片同樣具有上例的層結(jié)構(gòu)的光學記錄介質(zhì)10或上例層結(jié)構(gòu)中省略了保護層4的光學記錄介質(zhì)10以各自的保護層4和/或反射層3的上面相互對置的方式進行貼合。接著，對本發(fā)明的第2實施方式進行說明。圖l(b)是示意性表示本發(fā)明的第2實施方式的光記錄介質(zhì)的層構(gòu)成的一例的部分截面圖。圖l(b)中，對于與圖l(a)通用的要素添加相同的符號，并省略了說明。圖l(b)所示的光學記錄介質(zhì)20具有由透光性材料構(gòu)成的基板1、基板1上設置的反射層3、反射層3上層積的記錄層2和保護覆膜5依次層積而成的結(jié)構(gòu)。光學記錄介質(zhì)20通過從保護覆膜5側(cè)照射的激光束L進行信息的記錄-再生。保護覆膜5可以是將膜或片狀物用粘結(jié)劑貼合而成，并且，還可以使用與上述的保護層4相同的材料，涂布成膜用涂液，并進行固化或干燥，由此形成保護覆膜5。為了實現(xiàn)其保護功能，保護覆膜5必須具有一定程度的厚度，所述保護覆膜5的膜厚通常為O.lpm以上，優(yōu)選為3nm以上。但是保護覆膜5的膜厚過厚時，不僅效果沒有變化，而且保護覆膜5的形成花費時間，并且有時成本增高，所以保護覆膜5的膜厚通常為300nm以下，優(yōu)選為200jim以下。此外，記錄層2和反射層3等各層通常可以使用與第1實施方式的光學記錄介質(zhì)10相同的各層。但是，第2實施方式中，基板l不必是透明的，所以除了上述的材料以外，還可以使用不透明的樹脂、陶瓷、金屬(包括合金)等。這樣的層構(gòu)成中，只要不損害本發(fā)明的特性，上述各層間可以根據(jù)需要具有任意的層。另外，作為提高光記錄介質(zhì)IO、20的記錄密度的方法之一，可以舉出提高物鏡的數(shù)值孔徑。由此可以使會聚在信息記錄面的光斑微小化。但是，如果提高物鏡的數(shù)值孔徑，則為進行記錄-再生而照射激光束時，光學記錄介質(zhì)IO、20的翹曲等引起的光斑的像差容易變大，所以有時不能得到穩(wěn)定的良好的記錄再生信號。激光束透過的透明基板或保護覆膜的膜厚越厚，這樣的像差越容易變大，所以為了減小像差，優(yōu)選盡可能使基板或保護覆膜薄。但是，為了確保光學記錄介質(zhì)10、20的強度，通?；?需要一定的厚度，所以，這種情況下，優(yōu)選采用第2實施方式的光學記錄介質(zhì)20的構(gòu)成(由基板1、反射層3、記錄層2、保護覆膜5構(gòu)成的基本的層構(gòu)成的光學記錄介質(zhì)20)。與使第1實施方式的光學記錄介質(zhì)10的基板1薄相比，更容易使第2實施方式的光學記錄介質(zhì)20的保護覆膜5薄，所以優(yōu)選使用第2實施方式的光學記錄介質(zhì)20。但是，即使是第1實施方式的光學記錄介質(zhì)10的構(gòu)成(由基板1、記錄層2、反射層3、保護覆膜4形成的基本的層構(gòu)成的光學記錄介質(zhì)10)，通過將記錄-再生用激光束通過的透明的基板1的厚度減薄至50拜300pm左右，使用時也能減小像差。并且，形成其他各層后，基于保護表面和防止表面附著塵埃等的目的，可以在記錄-再生激光束的入射面(通常為基板1的下面)成膜形成紫外線固化樹脂層、無機系薄膜等，還可在記錄-再生激光束的非入射面的面(通常為反射層3、保護層4的上面)設置能使用噴墨、熱感轉(zhuǎn)印等各種印刷機或各種文具進行記入或印刷的印刷接受層。對于應用了本實施方式的光學記錄介質(zhì)10、20，從實現(xiàn)高密度記錄的觀點出發(fā)，用于信息的記錄-再生的激光束的波長越短越優(yōu)選，特別優(yōu)選波長為350nm530nm的激光束。作為所述激光束的代表例，可以舉出中心波長為405nm、410nm、515nm的激光束。波長為350nm530nm的激光束可以使用波長為405nm、410nm的藍色或515nm的藍綠色高功率半導體激光束來得到。并且，此外還可以利用二次諧波發(fā)生(Second-HarmonicGeneration:SHG)元件對例如(a)基本振蕩波長為740nm960nm的可連續(xù)振蕩的半導體激光束以及(b)由半導體激光束激發(fā)的基本振蕩波長為740nm960nm的可連續(xù)振蕩的固體激光束中的任一振蕩激光束進行波長轉(zhuǎn)換來得到。此外，作為SHG元件，只要是不具有反轉(zhuǎn)對稱性的壓電元件，可以是任意的元件，優(yōu)選KDP(KH2P04)、ADP(NH4H2P04)、BNN(Ba2NaNb5015)、KN(KNb03)、LBO(LiB305)、化合物半導體等。作為二次諧波的具體例，對于基本振蕩波長為860nm的半導體激光束來說，可以舉出其基本振蕩波長的倍波430nm，另外，對于半導體激光束激發(fā)的固體激光束來說，可以舉出來自摻雜了Cr的LiSrAlF6結(jié)晶(基本振蕩波長為860nm)的倍波430nm等。在本發(fā)明的各實施方式的光學記錄介質(zhì)10、20上進行信息的記錄時，對記錄層2(通常使光從基板1側(cè)透過基板l)照射通常聚焦為0.4pm0.6pm左右的激光束。記錄層2受到激光束照射的部分因吸收激光束的能量而發(fā)生分解、發(fā)熱、溶解等熱變形，所以光學特性發(fā)生變化。另一方面，對記錄在記錄層2的信息進行再生時，同樣地對記錄層2(通常從與記錄時相同的方向)照射能量更低的激光束。通過讀取記錄層2中光學特性發(fā)生了變化的部分(即記錄了信息的部分)的反射率與光學特性未發(fā)生變化的部分的反射率的差，進行信息的再生。接著，作為本發(fā)明的第3實施方式，對具有多個記錄層的光記錄介質(zhì)及其制造方法進行說明。圖7(a)圖7(f)是說明本發(fā)明的第3實施方式的2層型光記錄介質(zhì)的制造方法的圖。首先，如圖7(a)所示，通過使用壓模的注射成型法等來制作在表面形成有槽和槽脊、預制凹坑的第1基板201。接著，通過旋涂等，將溶劑中至少溶解了有機色素的涂布液涂布到第1基板201的具有凹凸一側(cè)的表面，然后進行加熱(anneal，韌化)，以除去涂布液中使用的溶劑，進行第1記錄層202的成膜。進行第1記錄層202的成膜后，通過濺射或蒸鍍Ag合金等，利用濺射法等在第1記錄層202上進行半透明的第1反射層203的成膜。接著，如圖7(b)所示，通過旋涂等進行涂布，在第1反射層203的整個表面形成紫外線固化性樹脂層204a，然后，如圖7(c)所示，通過旋涂等涂布紫外線固化性樹脂層204a后，安裝樹脂壓模210，將凹凸轉(zhuǎn)印到紫外線固化性樹脂層204a上。此時，同時進行調(diào)整，以使紫外線固化性樹脂層204a的膜厚達到規(guī)定范圍。然后，在該狀態(tài)下，從樹脂壓模210側(cè)照射紫外線或通過其他方式使紫外線固化性樹脂層204a固化，經(jīng)充分固化后，剝離樹脂壓模210，形成表面具有凹凸的中間層204。此外，樹脂壓模210只要對形成中間層204的樹脂具有充分的剝離性即可，優(yōu)選其成型性好且形狀穩(wěn)定性好。從生產(chǎn)率和成本的觀點出發(fā)，優(yōu)選樹脂壓模210可用于多次轉(zhuǎn)印。并且，優(yōu)選使用后可以再循環(huán)。并且，作為樹脂壓模210的材料，可以舉出例如丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴類樹脂(特別是無定形聚烯烴)、聚酯類樹脂、聚苯乙烯樹脂、環(huán)氧樹脂等。這些之中，從成型性等高生產(chǎn)率、成本、低吸濕性、形狀穩(wěn)定性等方面考慮，優(yōu)選無定形聚烯烴。接著，如圖7(d)所示，通過旋涂等將在溶劑中溶解了有機色素的涂布液涂布到中間層204表面，為了除去涂布液中使用的溶劑,進行加熱(韌化)，從而進行第2記錄層205的成膜。然后，如圖7(e)所示，通過濺射、蒸鍍Ag合金等，在第2記錄層205上進行第2反射層206的成膜。其后，如圖7(f)所示，將注射成型聚碳酸酯得到的作為第2基板208的鏡面基板隔著粘結(jié)層207貼合于第2反射層206上，從而完成了光記錄介質(zhì)的制造。以上對本發(fā)明的第3實施方式的光記錄介質(zhì)及其制造方法進行了說明，但本實施方式并不限于上述的方式，可以進行各種變化。例如，光記錄介質(zhì)可以具有3個以上的多個記錄層。并且，還可以根據(jù)需要在各層間或作為最外層設置其他的層。本發(fā)明不限于基板入射型光盤，還適用于膜面入射型光盤，膜面入射型光盤具有至少由基板/反射層/第2記錄層/緩沖層/中間層/半透明反射膜/第1記錄層/保護層構(gòu)成的層積結(jié)構(gòu)且從保護層側(cè)(即膜面?zhèn)?照射激光束進行信息的記錄-再生。作為適合作為用于多層介質(zhì)的色素的要素，可以舉出記錄靈敏度高于單層介質(zhì)使用的色素的記錄靈敏度。其原因是，在各層進行信息的記錄時，在進行記錄的目的層以外的層也必然產(chǎn)生光吸收、透過的現(xiàn)象。在該意義上也可以認為，由于本申請的氮雜菁色素具有比以往更良好的記錄靈敏度，因此是更優(yōu)選的。實施例下面，使用實施例對本發(fā)明進行更詳細的說明，但是只要不超出本發(fā)明要點，本發(fā)明并不限定于以下實施例。[I.色素的合成和評價][實施例1〗將2g2-(l,3，3-三甲基二氫吲哚-2-叉基)乙醛(2-(l，3,3-Trimethylindolin-2-ylidene)acetaldehyde}禾卩2.43g4-氨基五氟乙基苯硫酚(4-Aminopentafluoroethylthiophenol)分散到10g乙酸中，在80。C攪拌6小時。將反應混合物放冷后，釋放到200ml水中，加入約lg碘化鈉，使結(jié)晶析出。過濾所得到的結(jié)晶，加入100ml丙酮使結(jié)晶溶解，通過過濾除去不溶物后，減壓蒸餾除去丙酮。對所得到的結(jié)晶用二異丙基醚清洗2次，用異丙醇清洗2次，得到2.93g上述的例示化合物(l)的黃色結(jié)晶。對于得到的例示化合物(l)，測定其在三氯甲烷中的吸光度，結(jié)果為最大吸收波長(U為427nm、摩爾吸光系數(shù)為5.2><104。另外，將所得到的例示化合物(l)以1重量％的濃度溶解到八氟戊醇中，過濾除去不溶物，制備色素溶液。將所得到的色素溶液滴加到直徑為120mm、厚度為1.2mm的注射成形型聚碳酸酯樹脂基板上，利用旋涂法進行涂布(500rpm)后，在IOO'C干燥30分鐘，由此形成色素涂布膜。測定該涂布膜的吸光度，結(jié)果為最大吸收波長(^ax)為419nm。吸收光譜見圖2。將2g2-(l,3，3-三甲基二氫吲哚-2-叉基)乙醛(2-(l，3,3-Trimethylindolin-2-ylidene)acetaldehyde}和1.37g3,4-(亞甲基二氧基)苯胺{3.4-(Methylenedioxy)aniline}分散到10g乙酸中，在80。C攪拌2小時。將反應混合物放冷后，放入200ml水中，加入約lg碘化鈉，使結(jié)晶析出。過濾所得到的結(jié)晶，將所述結(jié)晶溶解到100ml丙酮中，過濾除去不溶物后，減壓蒸餾除去丙酮。將所得到的結(jié)晶用50ml二異丙基醚清洗，得到1.32g上述的例示化合物(2)。對于得到的例示化合物(2)，測定其在三氯甲烷中的吸光度，結(jié)果為最大吸收波長(U為437nm、摩爾吸光系數(shù)為3.9><104。另外，使用所得到的例示化合物(2)，以與實施例1相同的步驟在聚碳酸酯樹脂基板上形成色素涂布膜，測定該涂布膜的吸光度，結(jié)果為最大吸收波長(^nw)為435.5nm。吸收光譜見圖3。[實施例3]將2g2-(1,3，3-三甲基二氫吲哚-2-叉基)乙醛{2-(l，3,3誦Trimethylindolin-2-ylidene)acetaldehyde}和1.40g3-氨基醫(yī)5-叔丁基異噁唑(3-Amino-5-tert-butylisoxazole)分散到10g乙酸中，在50°C6(TC攪拌5小時。將反應混合物放冷后，放入100ml水中，加入數(shù)克六氟磷酸銨(NH4PF6)，使結(jié)晶析出。過濾所得到的結(jié)晶，在100ml水中攪拌10分鐘后，再次進行過濾，對得到的固體進行干燥，由此得到2.79g上述的例示化合物(15)的黃色結(jié)晶。對于得到的例示化合物(15)，測定其在三氯甲烷中的吸光度，結(jié)果為:最大吸收波長(U為395.5nm、摩爾吸光系數(shù)為4.2"04。[比較例1]使用下述結(jié)構(gòu)式(A)表示的色素，以與實施例1相同的步驟在聚碳酸酯樹脂基板上形成色素涂布膜，測定該涂布膜的吸光度。所得到的吸收光譜見圖4。吸收峰位于大于500nm的長波長(539nm)處，400nm附近的吸收極小，與使用405nm激光的本發(fā)明的目的不相稱。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage38</formula>對于下述結(jié)構(gòu)式(B)表示的色素，以與實施例l幾乎相同的條件涂布在實施例1使用的聚碳酸酯基板上。涂布膜發(fā)生結(jié)晶化而得不到透明的涂布膜，與本發(fā)明的目的不相稱。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage39</formula>(B)除了改變與2-(l,3，3-三甲基二氫H引哚-2-叉基)乙醛反應的胺化合物的種類之外，以與實施例1基本相同的方法，制造相當于上述式[I]的氮雜菁色素的色素化合物(實施例49)。下述表1中給出了實施例19得到的色素化合物中上述式[I]的基團115的結(jié)構(gòu)和抗衡陰離子X-的結(jié)構(gòu)。下述表1中，"Pr(i)"表示異丙基，"t-Bu"表示叔丁基。此外，實施例19得到的任何色素化合物的上述式[I]的基團WW均是甲基，基團W是氫原子。并且，下述表1中，實施例19得到的色素化合物以例示化合物的編號表示其相當于上述的例示化合物(1)(19)中的哪一個。并且，對于實施例49得到的各色素化合物，通過與實施例l相同的方法，測定其在三氯甲烷中的最大吸收波長(^M)、涂布膜的最大吸收波長(U和在三氯甲烷中的摩爾吸光系數(shù)。下述表1給出了實施例19得到的色素化合物在三氯甲烷中的最大吸收波長(表中"Xsol"欄)、涂布膜的最大吸收波長(表中"Xfilm"欄)和在三氯甲烷中的摩爾吸光系數(shù)(表中"s"欄)。表l<table>complextableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>[n.光學記錄介質(zhì)的制作和評價]根據(jù)需要，以濺射法在上述的實施例1和實施例2中制作的色素涂布膜上進行Ag等的成膜，形成反射層，進而，通過旋涂等涂布uv固化樹脂，通過uv照射使其固化，形成保護層，由此可以得到光學記錄介質(zhì)。該光學記錄介質(zhì)可以利用色素涂布膜的最大吸收波長(^ax)的值例如中心波長為405nm的半導體激光束進行記錄再生。即，實施例1和實施例2中合成的例示化合物(1)和(2)(本發(fā)明的氮雜菁色素)是對藍色激光束記錄有效的結(jié)構(gòu)的化合物。于是，使用實施例2合成的例示化合物(2)，以下述順序制作光學記錄介質(zhì)。將實施例2中合成的例示化合物(2)以1.4重量％的濃度溶解到八氟戊醇中，過濾不溶物，由此制備色素溶液。將溶解液滴加到具有軌道間距400nm、槽寬200nm、槽深70nm的槽的直徑為120mm、厚度為0.6mm的注射成型聚碳酸酯樹脂基板上，利用旋涂法涂布。此外，涂布時，用25秒將轉(zhuǎn)速從600rpm提高到4900rpm,在4900rpm保持5秒，由此進行涂布。另外，通過在IOO'C干燥30分鐘，從而形成記錄層。接下來，在該記錄層上通過濺射法以100nm的厚度將銀合金成膜，形成反射層。其后，通過旋涂法，涂布由UV固化性樹脂構(gòu)成的保護涂布劑，照射UV光，形成厚度為5|_im的保護層。另外，使用延遲固化型粘結(jié)劑，在有保護層的面上粘結(jié)厚度為0.6mm的聚碳酸酯制基板，制備評價用光學記錄介質(zhì)。將得到的評價用光學記錄介質(zhì)以6.61m/sec的線速度旋轉(zhuǎn)，同時用波長為405nm(物鏡的數(shù)值孔徑NA-0.65)的激光束將8T標記(mark)/8T間距(spacer)的單一頻率信號記錄到槽上。此外，T是對應頻率65MHz的標準時鐘頻率。作為記錄脈沖策略，分割脈沖數(shù)在將標記長記作nT時為(n-l)、先記錄脈沖寬為2T、后記錄脈沖寬為0.6T、偏壓功率為1.5mW、再生功率為0.4mW、記錄能量為可變。其結(jié)果，能夠以7mW記錄調(diào)制度為51%的信號。據(jù)認為，通過脈沖策略等記錄條件的最佳化，調(diào)制度將變得更大。由上述可知，能夠以短波長激光用本發(fā)明的色素進行信息的記錄，此外，為了確認是否滿足更嚴格的條件即作為高密度光盤用色素所要求的特性，基于HDDVD-R標準實施評價。通過旋涂法，在厚度為0.6mm、軌道間距為0.4pim、槽寬為260nm、槽深為60rnn的聚碳酸酯制造的基板上涂布下述溶液，該溶液是將上述的例示化合物(27)以相對于TFP(2,2,3，3-四氟-l-丙醇)為1.0重量°/。的濃度進行混合得到的，在70。C干燥25分鐘，由此設置記錄層。此外，以空氣為參比測定的在470nm下的吸光度為0.32。其后，在該記錄層上通過濺射設置厚度為120nm的AgBi。.2Nd。.5反射膜。進而，在該反射層上使用紫外線固化樹脂(索尼化學社制造的SK7100)粘結(jié)上0.6mm厚的聚碳酸酯制造的襯板，制作光學記錄介質(zhì)(實施例A的光學記錄介質(zhì))。對于得到的實施例A的光學記錄介質(zhì)，使用激光波長為405nm、NA(數(shù)值孔徑)為0.65的測試機(PULSTEC社制造的ODU-IOOO)，以6.61m/s的線速度、204nm的最短標記長進行記錄。對于記錄和再生，以基于由DVD論壇確定的HDDVD-R標準Verl.O的方式進行同一標準中具有的PRSNR(局部響應信噪比，PartialResponseSNR)的評價。其結(jié)果如下記錄機制為LowToHigh型，最佳記錄能量為6.4mW。所得到的PRSNR見圖5。由圖5可知，實施例A的光學記錄介質(zhì)的PRSNR為34.0，大大高于標準值15。除了使用上述的例示化合物(28)作為色素之外，以與實施例A相同的條件制作光學記錄介質(zhì)(實施例B的光學記錄介質(zhì))，并以相同的條件進行評價。其結(jié)果如下記錄機制為LowToHigh型，最佳記錄能量為6.2mW。所得到的PRSNR見圖5。由圖5可知，實施例B的光學記錄介質(zhì)的PRSNR為26.0，大大高于標準值15。除了使用上述的例示化合物(29)作為色素之外，以與實施例A相同的條件制作光學記錄介質(zhì)(實施例C的光學記錄介質(zhì))，并以相同的條件進行評價。其結(jié)果如下記錄機制為LowToHigh型，最佳記錄能量為6.8mW。所得到的PRSNR見圖5。由圖5可知，實施例C的光學記錄介質(zhì)的PRSNR為28.0，大大高于標準值15。[實施例D]除了使用上述的例示化合物(30)作為色素之外，以與實施例A相同的條件制作光學記錄介質(zhì)(實施例D的光學記錄介質(zhì))，并以相同的條件進行評價。其結(jié)果如下記錄機制為LowToHigh型，最佳記錄能量為7.2mW。所得到的PRSNR見圖5。由圖5可知，實施例D的光學記錄介質(zhì)的PRSNR為30.0，大大高于標準值15。除了使用上述的例示化合物(31)作為色素之外，以與實施例A相同的條件制作光學記錄介質(zhì)(實施例E的光學記錄介質(zhì))，并以相同的條件進行評價。其結(jié)果如下記錄機制為LowToHigh型，最佳記錄能量為6.8mW。所得到的PRSNR見圖5。由圖5可知，實施例E的光學記錄介質(zhì)的PRSNR為26.0，大大高于標準值15。使用與實施例A相同的色素即例示化合物(27)制作2層介質(zhì)，對Layer0、Layer1各記錄層的記錄特性進行評價。此處，Layer0是指"第1記錄層"(接近激光入射一側(cè)的記錄層)，Layer1是指"第2記錄層"(遠離激光入射一側(cè)的記錄層)。并且，將AgBi,.Q合金以20nrn的膜厚形成"第1反射層"(半透明的反射層)，將Ag以120nrn的膜厚形成"第2反射層"，將紫外線固化性樹脂以25pm的膜厚形成中間層。使用的基板的軌道間距為0.4(im，Layer0的槽深為60nm、Layer1的槽深為65nm，兩者的槽寬均為260nm，并且Layer0在470nm的吸光度為0.315、Layer1在470nm的吸光度為0.345。記錄條件與單層介質(zhì)相同，使用激光波長為405nm、NA(數(shù)值孔徑)為0.65的測試機(PULSTEC社制造的ODU-IOOO)，以6.61m/s的線速度、204nm的最短標記長進行隨機圖案記錄。對于記錄和再生，以基于由DVD論壇確定的HDDVD-R標準Verl.0的方式進行同一標準中具有的PRSNR評價。評價結(jié)果如下Layer0、Layer1的記錄機制均為LowToHigh型。所得到的PRSNR見圖6。由圖6可知，Layer0的最佳記錄能量為9.4mW、PRNSR為25.1，Layer1的最佳記錄能量為12.5mW、PRNSR為24.0。Layer0、Layer1的PRSNR值均大大高于標準值15.0，結(jié)果良好，能夠充分確保2層介質(zhì)所需的記錄特性。產(chǎn)業(yè)上的可利用性對本發(fā)明的應用領域沒有特別限制，但非常適合用于使用藍色激光束等振蕩波長短的激光束進行記錄-再生的光學記錄介質(zhì)的領域。上面使用特定的方式詳細說明了本發(fā)明，但在不脫離本發(fā)明的意圖和范圍的前提下，可以進行各種改變和變化，這對本領域技術(shù)人員來說是顯而易見的。此外，本申請基于2005年12月27日提出的日本專利申請(特愿2005-375871)以及2006年6月23日提出的日本專利申請(特愿2006-174427)，并以引用的方式引入其全部內(nèi)容支持本申請。權(quán)利要求1、一種光學記錄介質(zhì)，其至少具有基板和設置在上述基板上的記錄層，所述記錄層通過被光照射能夠進行信息的記錄或再生，所述光學記錄介質(zhì)的特征在于，所述記錄層含有以下述通式[I]表示的氮雜菁色素，通式[I]中，R1和R2各自獨立地表示氫原子或者具有或不具有取代基的碳原子數(shù)為1～4的直鏈或者支鏈的烷基；并且，R1和R2可以相互鍵合形成環(huán)；R3表示氫原子或烴基；并且，R3是烴基時，2個以上的通式[I]的化合物可以通過R3交聯(lián)起來；R4表示氫原子或碳原子數(shù)為1～4的直鏈或支鏈的烷基；R5表示具有或不具有取代基的芳香環(huán)基或者具有或不具有取代基的不飽和雜環(huán)基；并且，2個以上的通式[I]的化合物可以通過R5結(jié)合在一起；并且，R4和R5可以相互鍵合形成環(huán)結(jié)構(gòu)；X-表示抗衡陰離子；A表示的苯環(huán)可以具有取代基。2、如權(quán)利要求1所述的光學記錄介質(zhì)，其特征在于，所述通式[I]中，R4是氫原子，R5是具有或不具有取代基的苯基。3、如權(quán)利要求1所述的光學記錄介質(zhì)，其特征在于，所述通式[I]中，R4是氫原子，R5是具有或不具有取代基的5元或6元的不飽和雜環(huán)基。4、如權(quán)利要求1所述的光學記錄介質(zhì)，其特征在于，所述通式[I]中，R4和1R5相互鍵合形成5元或6元的飽和烴環(huán)或飽和雜環(huán)。5、如權(quán)利要求2所述的光學記錄介質(zhì)，其特征在于，R5的苯基不具有取代基。6、如權(quán)利要求15中任一項所述的光學記錄介質(zhì)，其特征在于，通式[I]中，x-是以下述通式[II]表示的偶氮系金屬絡合物的陰離子，<formula>seeoriginaldocumentpage3</formula>(II)通式[II]中，環(huán)C和環(huán)D各自獨立地表示芳香族環(huán)或雜環(huán)，并且環(huán)C和環(huán)D之中至少一方的環(huán)是雜環(huán)；Y和Z各自獨立地表示具有活性氫的基團；M表示3價的金屬元素。7、如權(quán)利要求16中任一項所述的光學記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層利用波長為350nm530nm的激光束進行信息的記錄或再生。8、一種氮雜菁色素，其特征在于，其以下述式(i)表示，<formula>seeoriginaldocumentpage3</formula>(i)X表示抗衡陰離子。全文摘要本發(fā)明提供一種光學記錄介質(zhì)，其能夠利用藍色激光等短波長的光進行高密度的光信息的記錄-再生。光學記錄介質(zhì)至少具有基板和設置在上述基板上的記錄層，所述記錄層通過被光照射能夠進行信息的記錄或再生，其中，所述記錄層含有以通式[I]表示的氮雜菁色素(式中，R¹和R²各自獨立地表示氫原子或者具有或不具有取代基的碳原子數(shù)為1～4的直鏈或者支鏈的烷基。R³表示氫原子或烴基。R⁴表示氫原子或碳原子數(shù)為1～4的直鏈或支鏈的烷基。R⁵表示具有或不具有取代基的芳香環(huán)基或者具有或不具有取代基的不飽和雜環(huán)基。R⁴和R⁵可以相互鍵合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。X^-表示抗衡陰離子。A表示的苯環(huán)具有或不具有取代基)。文檔編號C07D405/12GK101346243SQ20068004936公開日2009年1月14日申請日期2006年12月27日優(yōu)先權(quán)日2005年12月27日發(fā)明者久保秀之,佐竹賢一,內(nèi)田直幸,土岐雅彥,宮沢隆司,段王保文,照田尚,相澤恭,風呂本滋行,黑瀨裕申請人:三菱化學媒體股份有限公司;株式會社林原生物化學研究所