專利名稱：芳香族胺衍生物及使用它們的有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芳香族胺衍生物及使用它們的有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件，特別涉及分子難以結(jié)晶化、制造有機(jī)EL元件時(shí)的成品率提高、且壽命長(zhǎng)的有機(jī)EL元件、以及實(shí)現(xiàn)該有機(jī)EL元件的芳香族胺衍生物。

背景技術(shù)：
有機(jī)EL元件是利用以下原理的自發(fā)光元件，所述原理為通過(guò)施加電場(chǎng)，利用由陽(yáng)極注入的空穴和由陰極注入的電子的復(fù)合能，熒光物質(zhì)進(jìn)行發(fā)光。自從由イ—ストマン·コダツク公司的C.W.Tang等研究的根據(jù)層壓型元件的低電壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件的報(bào)道(C.W.Tang，S.A.Vanslyke，アプライドフイジツクスレタ—ズ(Applied Physics Letters)，51卷，913頁(yè)，1987年等)發(fā)表以來(lái)，關(guān)于以有機(jī)材料作為構(gòu)成材料的有機(jī)EL元件的研究積極開(kāi)展起來(lái)。Tang等在發(fā)光層中使用三(8-羥基喹啉)鋁，在空穴傳輸層使用三苯基二胺衍生物。作為層壓結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，可以列舉提高向發(fā)光層的空穴注入效率；阻擋由陰極注入的電子，提高通過(guò)復(fù)合生成的激子的生成效率；以及將發(fā)光層內(nèi)生成的激子封閉等。如該例所示作為有機(jī)EL元件的元件結(jié)構(gòu)，熟知有空穴傳輸(注入)層、電子傳輸性發(fā)光層的2層型、或者空穴傳輸(注入)層、發(fā)光層、電子傳輸(注入)層的3層型等。在這樣的層壓型結(jié)構(gòu)元件中，為了提高注入的空穴與電子的復(fù)合效率，在元件結(jié)構(gòu)或形成方法上正在進(jìn)行研究。
通常在高溫環(huán)境下使有機(jī)EL元件驅(qū)動(dòng)或保存時(shí)，產(chǎn)生發(fā)光顏色變化、發(fā)光效率降低、驅(qū)動(dòng)電壓上升、發(fā)光壽命縮短等不良影響。為了對(duì)其進(jìn)行防止，需要提高空穴傳輸材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。因此，在空穴傳輸材料的分子內(nèi)需要具有多個(gè)芳香族基團(tuán)(例如，專利文獻(xiàn)1的芳香族二胺衍生物、專利文獻(xiàn)2的芳香族稠環(huán)二胺衍生物)，通常優(yōu)選使用具有8～12個(gè)苯環(huán)的結(jié)構(gòu)。
但是，如果分子內(nèi)具有多個(gè)芳香族基團(tuán)，則使用這些空穴傳輸材料形成薄膜來(lái)制作有機(jī)EL元件時(shí)，產(chǎn)生如下問(wèn)題容易引起結(jié)晶化，堵塞用于蒸鍍的坩堝的出口，產(chǎn)生由結(jié)晶化引起的薄膜缺陷，導(dǎo)致有機(jī)EL元件的成品率降低等。另外，分子內(nèi)具有多個(gè)芳香族基團(tuán)的化合物，雖然通常玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)高，但考慮到升華溫度高，引起蒸鍍時(shí)的分解或蒸鍍形成不均勻等現(xiàn)象，因此存在壽命短的問(wèn)題。
另一方面，已有公知文獻(xiàn)公開(kāi)了非對(duì)稱的芳香族胺衍生物。例如，專利文獻(xiàn)3中，雖然記載了具有非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物，但沒(méi)有具體的實(shí)施例，對(duì)于非對(duì)稱化合物的特征尚無(wú)記載。另外，專利文獻(xiàn)4中，作為實(shí)施例記載了具有菲的非對(duì)稱芳香族胺衍生物，但與對(duì)稱的化合物排為同列，同時(shí)對(duì)于非對(duì)稱化合物的特征尚無(wú)記載。另外，盡管非對(duì)稱化合物需要特殊的合成法，但在這些專利中關(guān)于非對(duì)稱化合物的制造方法還沒(méi)有明確記載。另外，在專利文獻(xiàn)5中，雖然對(duì)具有非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物的制造方法進(jìn)行了記載，但對(duì)于非對(duì)稱化合物的特征尚無(wú)記載。在專利文獻(xiàn)6中記載了玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高的熱穩(wěn)定的非對(duì)稱化合物，但僅僅例示了具有咔唑的化合物。
另外，已有公知文獻(xiàn)公開(kāi)了具有對(duì)三聯(lián)苯-4，4”-二基衍生物的芳香族胺衍生物(專利文獻(xiàn)7～13)。但是，專利文獻(xiàn)7記載的化合物產(chǎn)生由結(jié)晶化引起的薄膜的缺陷，因此不優(yōu)選。專利文獻(xiàn)8和9僅在具體例中有記載，對(duì)于具有對(duì)三聯(lián)苯-4，4”-二基衍生物的特征尚無(wú)記載。專利文獻(xiàn)10在權(quán)利要求中包含對(duì)三聯(lián)苯-4，4”-二基衍生物，但在具體例和實(shí)施例中沒(méi)有對(duì)三聯(lián)苯-4，4”-二基衍生物的記載。另外，在以含有雜環(huán)作為特征的方面與本發(fā)明不同。專利文獻(xiàn)11中記載了具有叔丁基的對(duì)三聯(lián)苯-4，4”-二基衍生物，但該化合物作為空穴傳輸材料使用時(shí)，壽命短，因此不優(yōu)選。專利文獻(xiàn)12在權(quán)利要求中包含對(duì)三聯(lián)苯-4，4”-二基衍生物，但在具體例和實(shí)施例中沒(méi)有對(duì)三聯(lián)苯-4，4”-二基衍生物的記載。專利文獻(xiàn)13中記載了對(duì)三聯(lián)苯-4，4”-二基衍生物，但對(duì)于在末端具有對(duì)三聯(lián)苯基的化合物沒(méi)有記載。專利文獻(xiàn)14中記載了對(duì)三聯(lián)苯-4，4”-二基衍生物，同時(shí)記載了在末端含有稠環(huán)的化合物，但對(duì)其效果尚無(wú)記載。
如上所述，雖然已有關(guān)于長(zhǎng)壽命的有機(jī)EL元件的報(bào)道，但還不能說(shuō)很充分。因此，強(qiáng)烈期待開(kāi)發(fā)具有更加優(yōu)異性能的有機(jī)EL元件。
專利文獻(xiàn)1美國(guó)專利第4,720,432號(hào)說(shuō)明書(shū)
專利文獻(xiàn)2美國(guó)專利第5,061,569號(hào)說(shuō)明書(shū)
專利文獻(xiàn)3日本特開(kāi)平8-48656號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)4日本特開(kāi)平11-135261號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)5日本特開(kāi)2003-171366號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)6美國(guó)專利第6,242,115號(hào)說(shuō)明書(shū)
專利文獻(xiàn)7日本專利第3398548號(hào)說(shuō)明書(shū)
專利文獻(xiàn)8日本特開(kāi)平11-149986號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)9日本特開(kāi)平11-312587號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)10日本特表2004-536134號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)11日本特開(kāi)11-167991號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)12日本特開(kāi)2002-53533號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)13日本特愿2003-007762號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)14日本特愿2004-206969號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題而進(jìn)行的，其目的在于提供分子難以進(jìn)行結(jié)晶化、制造有機(jī)EL元件時(shí)的成品率提高、壽命長(zhǎng)并且效率高的有機(jī)EL元件以及實(shí)現(xiàn)該有機(jī)EL元件的芳香族胺衍生物。
本發(fā)明人為了實(shí)現(xiàn)上述目的，重復(fù)進(jìn)行深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，將由下述通式(1)表示的具有特定取代基的新型芳香族胺衍生物作為有機(jī)EL元件用材料使用、特別是作為空穴傳輸材料使用時(shí)，可以解決上述課題，從而完成了本發(fā)明。
另外，在二胺化合物中，作為對(duì)三聯(lián)苯-4，4”-二基衍生物的新型芳香族胺衍生物，由于具有空間障礙性，故分子間的相互作用小，因此，抑制結(jié)晶化，使制造有機(jī)EL元件的成品率提高，壽命長(zhǎng)，并且效率高，特別是通過(guò)與藍(lán)色發(fā)光元件組合，得到顯著的高效率效果。
即，本發(fā)明提供由下述通式(1)表示的芳香族胺衍生物。

[式中，Ar1～Ar4分別獨(dú)立地為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基，其中至少一個(gè)為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳香族稠環(huán)基， R1～R3分別獨(dú)立地為氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6～50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為2～50的烷氧基羰基、由取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基取代的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或羧基， a、b和c分別獨(dú)立地為0～4的整數(shù)，a、b和c中的任一個(gè)為2以上時(shí)，對(duì)應(yīng)的多個(gè)R1～R3可以互相結(jié)合形成飽和或不飽和的可取代的5元環(huán)或6元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。]。
另外，本發(fā)明提供一種有機(jī)EL元件，其在陰極和陽(yáng)極之間夾持著至少含有發(fā)光層的由一層或多層構(gòu)成的有機(jī)薄膜層，其特征在于，該有機(jī)薄膜層的至少1層作為單獨(dú)的成分或混合物的成分含有所述芳香族胺衍生物。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物及使用其的有機(jī)EL元件，分子難以進(jìn)行結(jié)晶化，制造有機(jī)EL元件時(shí)的成品率提高，壽命延長(zhǎng)，并且效率高。

具體實(shí)施例方式 本發(fā)明的芳香族胺衍生物由下述通式(1)表示。

通式(1)中，Ar1～Ar4分別獨(dú)立地為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基，其中至少一個(gè)為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳香族稠環(huán)基。R1～R3分別獨(dú)立地為氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6～50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為2～50的烷氧羰基、由取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基取代的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或羧基。
作為通式(1)中Ar1～Ar4及R1～R3的取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基，例如可以列舉苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對(duì)三聯(lián)苯-4-基、對(duì)三聯(lián)苯-3-基、對(duì)三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對(duì)甲苯基、對(duì)叔丁基苯基、對(duì)(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯(lián)苯基、4”-叔丁基對(duì)三聯(lián)苯-4-基、熒蒽基、芴基、1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1—異吲哚基、2—異吲哚基、3—異吲哚基、4—異吲哚基、5—異吲哚基、6—異吲哚基、7—異吲哚基、2—呋喃基、3—呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4—苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、1—異苯并呋喃基、3—異苯并呋喃基、4—異苯并呋喃基、5—異苯并呋喃基、6—異苯并呋喃基、7—異苯并呋喃基、喹啉基、3—喹啉基、4—喹啉基、5—喹啉基、6—喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、1—異喹啉基、3—異喹啉基、4—異喹啉基、5—異喹啉基、6—異喹啉基、7—異喹啉基、8—異喹啉基、2—喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、1—咔唑基、2—咔唑基、3—咔唑基、4—咔唑基、9—咔唑基、1—菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4—菲啶基、6—菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9—菲啶基、10—菲啶基、1—吖啶基、2—吖啶基、3—吖啶基、4—吖啶基、9—吖啶基、1，7—菲繞啉—2—基、1，7—菲繞啉—3—基、1，7—菲繞啉—4—基、1，7—菲繞啉—5—基、1，7—菲繞啉—6—基、1，7—菲繞啉—8—基、1，7—菲繞啉—9—基、1，7—菲繞啉—10—基、1，8—菲繞啉—2—基、1，8—菲繞啉—3—基、1，8—菲繞啉—4—基、1，8—菲繞啉—5—基、1，8—菲繞啉—6—基、1，8—菲繞啉—7—基、1，8—菲繞啉—9—基、1，8—菲繞啉—10—基、1，9—菲繞啉—2—基、1，9—菲繞啉—3—基、1，9—菲繞啉—4—基、1，9—菲繞啉—5—基、1，9—菲繞啉—6—基、1，9—菲繞啉—7—基、1，9—菲繞啉—8—基、1，9—菲繞啉—10—基、1，10—菲繞啉—2—基、1，10—菲繞啉—3—基、1，10—菲繞啉—4—基、1，10—菲繞啉—5—基、2，9—菲繞啉—1—基、2，9—菲繞啉—3—基、2，9—菲繞啉—4—基、2，9—菲繞啉—5—基、2，9—菲繞啉—6—基、2，9—菲繞啉—7—基、2，9—菲繞啉—8—基、2，9—菲繞啉—10—基、2，8—菲繞啉—1—基、2，8—菲繞啉—3—基、2，8—菲繞啉—4—基、2，8—菲繞啉—5—基、2，8—菲繞啉—6—基、2，8—菲繞啉—7—基、2，8—菲繞啉—9—基、2，8—菲繞啉—10—基、2，7—菲繞啉—1—基、2，7—菲繞啉—3—基、2，7—菲繞啉—4—基、2，7—菲繞啉—5—基、2，7—菲繞啉—6—基、2，7—菲繞啉—8—基、2，7—菲繞啉—9—基、2，7—菲繞啉—10—基、1—吩嗪基、2—吩嗪基、1—吩噻嗪基、2—吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4—吩噻嗪基、10—吩噻嗪基、1—吩噁嗪基、2—吩噁嗪基、3—吩噁嗪基、4—吩噁嗪基、10—吩噁嗪基、2—噁唑基、4—噁唑基、5—噁唑基、2—噁二唑基、5—噁二唑基、3—呋咱基、2—噻吩基、3—噻吩基、2—甲基吡咯—1—基、2—甲基吡咯—3—基、2—甲基吡咯—4—基、2—甲基吡咯—5—基、3—甲基吡咯—1—基、3—甲基吡咯—2—基、3—甲基吡咯—4—基、3—甲基吡咯—5—基、2—叔丁基吡咯—4—基、3—(2—苯基丙基)吡咯—1—基、2—甲基—1—吲哚基、4—甲基—1—吲哚基、2—甲基—3—吲哚基、4—甲基—3—吲哚基、2—叔丁基—1—吲哚基、4—叔丁基—1—吲哚基、2—叔丁基—3—吲哚基、4—叔丁基—3—吲哚基等。
它們之中，優(yōu)選為苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、三聯(lián)苯基、菲基、芘基、

基、熒蒽基、芴基。
作為通式(1)中R1～R3的取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷基，例如可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、1—羥乙基、2—羥乙基、2—羥基異丁基、1，2—二羥基乙基、1，3—二羥基異丙基、2，3—二羥基叔丁基、1，2，3—三羥基丙基、氯甲基、1—氯乙基、2—氯乙基、2—氯異丁基、1，2—二氯乙基、1，3—二氯異丙基、2，3—二氯叔丁基、1，2，3—三氯丙基、溴甲基、1—溴乙基、2—溴乙基、2—溴異丁基、1，2—二溴乙基、1，3—二溴異丙基、2，3—二溴叔丁基、1，2，3—三溴丙基、碘甲基、1—碘乙基、2—碘乙基、2—碘異丁基、1，2—二碘乙基、1，3—二碘異丙基、2，3—二碘叔丁基、1，2，3—三碘丙基、氨基甲基、1—氨基乙基、2—氨基乙基、2—氨基異丁基、1，2—二氨基乙基、1，3—二氨基異丙基、2，3—二氨基叔丁基、1，2，3—三氨基丙基、氰基甲基、1—氰基乙基、2—氰基乙基、2—氰基異丁基、1，2—二氰基乙基、1，3—二氰基異丙基、2，3—二氰基叔丁基、1，2，3—三氰基丙基、硝基甲基、1—硝基乙基、2—硝基乙基、2—硝基異丁基、1，2—二硝基乙基、1，3—二硝基異丙基、2，3—二硝基叔丁基、1，2，3—三硝基丙基等、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4—甲基環(huán)己基、1—金剛烷基、2—金剛烷基、1—降冰片基、2—降冰片基等。
作為通式(1)中R1～R3的取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基，是由-OY表示的基團(tuán)，作為Y的例子，可以列舉與上述烷基中說(shuō)明的基團(tuán)相同的例子。
作為通式(1)中R1～R3的取代或未取代的碳原子數(shù)為6～50的芳烷基，例如可以列舉芐基、1—苯基乙基、2—苯基乙基、1—苯基異丙基、2—苯基異丙基、苯基叔丁基、α—萘基甲基、1—α—萘基乙基、2—α—萘基乙基、1—α—萘基異丙基、2—α—萘基異丙基、β—萘基甲基、1—β—萘基乙基、2—β—萘基乙基、1—β—萘基異丙基、2—β—萘基異丙基、1—吡咯基甲基、2—(1—吡咯基)乙基、對(duì)甲基芐基、間甲基芐基、鄰甲基芐基、對(duì)氯芐基、間氯芐基、鄰氯芐基、對(duì)溴芐基、間溴芐基、鄰溴芐基、對(duì)碘芐基、間碘芐基、鄰碘芐基、對(duì)羥基芐基、間羥基芐基、鄰羥基芐基、對(duì)氨基芐基、間氨基芐基、鄰氨基芐基、對(duì)硝基芐基、間硝基芐基、鄰硝基芐基、對(duì)氰基芐基、間氰基芐基、鄰氰基芐基、1—羥基—2—苯基異丙基、1—氯—2—苯基異丙基等。
通式(1)中R1～R3的取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳氧基表示為-OY’，作為Y’的例子，可以列舉與在上述芳基中說(shuō)明的基團(tuán)同樣的例子。
通式(1)中R1～R3的取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳硫基表示為-SY’，作為Y’的例子，可以列舉與在上述芳基中說(shuō)明的基團(tuán)同樣的例子。
通式(1)中R1～R3的取代或未取代的碳原子數(shù)為2～50的烷氧羰基，是由-COOY表示的基團(tuán)，作為Y的例子，可以列舉與在上述烷基中說(shuō)明的基團(tuán)同樣的例子。
作為通式(1)中R1～R3的由取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基取代的氨基中的芳基的例子，可以列舉與在上述芳基中說(shuō)明的基團(tuán)同樣的例子。
作為通式(1)中R1～R3的鹵原子，可以列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
在通式(1)中a、b和c分別獨(dú)立地為0～4的整數(shù)，a、b和c中的任一個(gè)為2以上時(shí)，對(duì)應(yīng)的多個(gè)R1～R3可以互相結(jié)合形成飽和或不飽和的可取代的5元環(huán)或6元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
作為可形成的5元環(huán)或6元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，例如可以列舉環(huán)戊烷、環(huán)己烷、金剛烷、降冰片烷等碳原子數(shù)為4～12的環(huán)烷烴；環(huán)戊烯、環(huán)己烯等碳原子數(shù)為4～12的環(huán)烯烴；環(huán)戊二烯、環(huán)己二烯等碳原子數(shù)為6～12的環(huán)二烯烴；苯、萘、菲、蒽、芘、

、苊烯等碳原子數(shù)為6～50的芳香族環(huán)等。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中Ar1和Ar3為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)5～50的芳香族稠環(huán)基。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中Ar1和Ar3為α-萘基或β-萘基。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中Ar2和Ar4相同。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中Ar2和Ar4均為苯基。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中Ar2和Ar4均為聯(lián)苯基。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中Ar2和Ar4均為三聯(lián)苯基。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選為有機(jī)EL元件用材料。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選為有機(jī)EL元件用空穴傳輸材料。
以下示出本發(fā)明由通式(1)表示的芳香族胺衍生物的具體例子，但并不限于這些例示化合物。

以下對(duì)本發(fā)明的有機(jī)EL元件進(jìn)行說(shuō)明。
本發(fā)明的有機(jī)EL元件，其在陰極和陽(yáng)極之間夾持著至少含有發(fā)光層的由一層或多層構(gòu)成的有機(jī)薄膜層，優(yōu)選該有機(jī)薄膜層的至少1層作為單獨(dú)的成分或混合物的成分含有上述芳香族胺衍生物。
本發(fā)明的有機(jī)EL元件優(yōu)選上述有機(jī)薄膜層具有空穴傳輸層，且該空穴傳輸層含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物作為單獨(dú)的成分或混合物的成分。進(jìn)一步優(yōu)選上述空穴傳輸層含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物作為主要成分。
另外，本發(fā)明的有機(jī)EL元件優(yōu)選發(fā)光層含有芳基胺化合物和/或苯乙烯基胺化合物。
作為芳基胺化合物，可以列舉由下述通式(I)表示的化合物等，作為苯乙烯基胺化合物，可以列舉由下述通式(II)表示的化合物等。

[通式(I)中，Ar8為選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、二苯乙烯基、二苯乙烯基芳基中的基團(tuán)，Ar9和Ar10分別為氫原子或碳原子數(shù)為6～20的芳香族基團(tuán)，Ar9～Ar10可以被取代。p’為1～4的整數(shù)。進(jìn)一步優(yōu)選Ar9和/或Ar10為苯乙烯基被取代]。
在此，作為碳原子數(shù)為6～20的芳香族基團(tuán)，優(yōu)選為苯基、萘基、蒽基、菲基、三聯(lián)苯基等。

[在通式(II)中，Ar11～Ar13為可被取代的環(huán)碳原子數(shù)為5～40的芳基。q’為1～4的整數(shù)。] 在此，作為環(huán)原子數(shù)為5～40的芳基，優(yōu)選為苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、暈苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、噁二唑基、二苯并蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、熒蒽基、苊并熒蒽、二苯乙烯等。另外，環(huán)原子數(shù)為5～40的芳基可以進(jìn)一步由取代基取代，作為優(yōu)選的取代基，可以列舉碳原子數(shù)為1～6的烷基(乙基、甲基、異丙基、正丙基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基等)、碳原子數(shù)為1～6的烷氧基(乙氧基、甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧基等)、環(huán)原子數(shù)為5～40的芳基、由環(huán)原子數(shù)為5～40的芳基取代的氨基、具有環(huán)原子數(shù)為5～40的芳基的酯基、具有碳原子數(shù)為1～6的烷基的酯基、氰基、硝基、鹵原子(氯、溴、碘等)。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物特別優(yōu)選用于藍(lán)色系發(fā)光的有機(jī)EL元件。
以下，對(duì)本發(fā)明的有機(jī)EL元件的元件結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
(1)有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu) 作為本發(fā)明的有機(jī)EL元件的代表元件結(jié)構(gòu)，可以列舉 (1)陽(yáng)極/發(fā)光層/陰極 (2)陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極 (3)陽(yáng)極/發(fā)光層/電子注入層/陰極 (4)陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極 (5)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/發(fā)光層/陰極 (6)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/電子障壁層/發(fā)光層/陰極 (7)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/發(fā)光層/附著改善層/陰極 (8)陽(yáng)極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子注入層/陰極 (9)陽(yáng)極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極 (10)陽(yáng)極/無(wú)機(jī)半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極 (11)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極 (12)陽(yáng)極/絕緣層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/絕緣層/陰極 (13)陽(yáng)極/絕緣層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子注入層/陰極 等的結(jié)構(gòu)。
它們之中通常優(yōu)選使用(8)的結(jié)構(gòu)，但并不限于這些。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物可以用于有機(jī)EL元件的任意有機(jī)薄膜層，可以用于發(fā)光帶域或空穴傳輸帶域，優(yōu)選用于空穴傳輸帶域，特別優(yōu)選用于空穴傳輸層，由此分子難以結(jié)晶化，制造有機(jī)EL元件時(shí)的成品率提高。
作為在有機(jī)薄膜層中含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物的量，優(yōu)選為30～100摩爾％。
(2)透光性基板 本發(fā)明的有機(jī)EL元件在透光性的基板上制成。在此所謂的透光性基板是支撐有機(jī)EL元件的基板，400～700nm可見(jiàn)光區(qū)域的光的透光率為50％以上，優(yōu)選為平滑的基板。
具體可以列舉玻璃板、聚合物板等。作為玻璃板，特別可以列舉鈉鈣玻璃、含鋇·鍶玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、鋇硼硅酸玻璃、石英等。另外，作為聚合物板，可以列舉聚碳酸酯、丙烯酸、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫化物、聚砜等。
(3)陽(yáng)極 本發(fā)明的有機(jī)EL元件的陽(yáng)極具有將空穴注入到空穴傳輸層或發(fā)光層中的作用，具有4.5eV以上的功函數(shù)是有效的。作為本發(fā)明中使用的陽(yáng)極材料的具體例子，可以列舉氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、氧化銦鋅(IZO)、金、銀、鉑、銅等。
陽(yáng)極可以通過(guò)用蒸鍍法或?yàn)R射法等方法使這些電極物質(zhì)形成薄膜來(lái)制成。
這樣從陽(yáng)極射出來(lái)自發(fā)光層的發(fā)光時(shí)，陽(yáng)極對(duì)于發(fā)光的透光率優(yōu)選為大于10％。另外，陽(yáng)極的方塊電阻優(yōu)選為數(shù)百Ω/□以下。陽(yáng)極的膜厚也根據(jù)材料，但通常在10nm～1μm、優(yōu)選在10～200nm的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。(4)發(fā)光層 有機(jī)EL元件的發(fā)光層是兼具有以下(1)～(3)功能的層。
(1)注入功能可以在施加電場(chǎng)時(shí)由陽(yáng)極或空穴注入層注入空穴、并且可以由陰極或電子注入層注入電子的功能； (2)傳輸功能通過(guò)電場(chǎng)的力使注入的電荷(電子和空穴)移動(dòng)的功能； (3)發(fā)光功能提供電子與空穴復(fù)合的場(chǎng)所、并將其與發(fā)光聯(lián)系的功能。
其中，在空穴的注入容易性和電子的注入容易性上可以不同，另外，由空穴和電子的遷移率表示的傳輸功能也可以存在差別，但優(yōu)選移動(dòng)任意一方的電荷。
作為形成該發(fā)光層的方法，可以應(yīng)用例如蒸鍍法、旋涂法、LB法等公知的方法。發(fā)光層特別優(yōu)選分子堆積膜。在此，分子堆積膜，是由氣相狀態(tài)的材料化合物沉淀而形成的薄膜、或由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的材料化合物固化而形成的膜。通常該分子堆積膜，可以根據(jù)凝聚結(jié)構(gòu)、高次結(jié)構(gòu)的不同、或由此引起的功能上的不同，與通過(guò)LB法形成的薄膜(分子累積膜)進(jìn)行區(qū)分。
另外，如日本特開(kāi)昭57-51781號(hào)公報(bào)中所公開(kāi)的，將樹(shù)脂等粘合劑和材料化合物溶解于溶劑中形成溶液后，根據(jù)旋涂法等將其薄膜化，由此也可以形成發(fā)光層。
在本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)，根據(jù)期望可以使發(fā)光層中含有由本發(fā)明的芳香族胺衍生物構(gòu)成的發(fā)光材料以外的其他公知的發(fā)光材料，另外，在含有由本發(fā)明的芳香族胺衍生物構(gòu)成的發(fā)光材料的發(fā)光層中，可以層壓含有其他公知的發(fā)光材料的發(fā)光層。
作為可以在發(fā)光層中與本發(fā)明的芳香族胺衍生物一起使用的發(fā)光材料或摻雜物材料，可以列舉例如蒽、萘、菲、芘、并四苯、暈苯、

、熒光素、苝、酞苝(フタロペリレン)、萘并苝、紫環(huán)酮、二苯代酚酞、萘并紫環(huán)酮、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、鄰吡喃酮、噁二唑、醛連氮、二苯并噁唑啉、聯(lián)苯乙烯、吡嗪、環(huán)戊二烯、喹啉金屬絡(luò)合物、氨基喹啉金屬絡(luò)合物、苯并喹啉金屬絡(luò)合物、亞胺、二苯乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、多甲川、份菁、咪唑螯合化8-羥基喹啉酮(oxinoid)、喹吖啶酮、紅熒烯及熒光色素，但并不限于這些。
作為可以在發(fā)光層中與本發(fā)明的芳香族胺衍生物一起使用的主材料，優(yōu)選為由下述(i)～(ix)表示的化合物。
由下述通式(i)表示的非對(duì)稱蒽。

(式中，Ar為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為10～50的稠環(huán)芳香族基團(tuán)。
Ar’為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族基團(tuán)。
X為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族基團(tuán)、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6～50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧羰基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基、羥基。
a、b和c分別為0～4的整數(shù)。
n為1～3的整數(shù)。另外，當(dāng)n為2以上時(shí)，[]內(nèi)可以相同或不同)。
由下述通式(ii)表示的非對(duì)稱單蒽衍生物。

(式中，Ar1和Ar2分別獨(dú)立地為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族環(huán)基，m和n分別為1～4的整數(shù)。其中，m＝n＝1且Ar1和Ar2在苯環(huán)上的結(jié)合位置為左右對(duì)稱型時(shí)，Ar1和Ar2可以不同，m或n為2～4的整數(shù)時(shí)，m與n為不同的整數(shù)。
R1～R10分別獨(dú)立地為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族環(huán)基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6～50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基、羥基)。
由下述通式(iii)表示的非對(duì)稱芘衍生物。

[式中，Ar和Ar’分別為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族基團(tuán)。L和L’分別為取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的亞萘基、取代或未取代的亞芴基、或者取代或未取代的亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基(dibenzosilolylene)。
m為0～2的整數(shù)，n為1～4的整數(shù)，s為0～2的整數(shù)，t為0～4的整數(shù)。另外，L或Ar在芘的1～5位的任一位置上結(jié)合，L’或Ar’在芘的6～10位的任一位置上結(jié)合。
其中，n+t為偶數(shù)時(shí)，Ar、Ar’、L、L’滿足下述(1)或(2)。
(1)Ar≠Ar’和/或L≠L’(在此，≠表示為不同結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。) (2)Ar＝Ar’且L＝L’時(shí) (2-1)m≠s和/或n≠t、或者 (2-2)m＝s且n＝t時(shí) (2-2-1)L和L’或芘分別在Ar和Ar’上的不同結(jié)合位置上結(jié)合，或(2-2-2)L和L’或芘分別在Ar和Ar’上的相同結(jié)合位置上結(jié)合時(shí)，不存在L和L’或者Ar和Ar’在芘中的取代位置為1位和6位、或者2位和7位的情況]。
由下述通式(iv)表示的非對(duì)稱蒽衍生物。

(式中，A1和A2分別獨(dú)立地為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為10～20的稠合芳香族環(huán)基。
Ar1和Ar2分別獨(dú)立地為氫原子、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族環(huán)基。
R1～R10分別獨(dú)立地為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族環(huán)基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6～50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基或羥基。
Ar1、Ar2、R9和R10分別可以為多個(gè)，在鄰接的基團(tuán)之間可以形成飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
其中，在通式(1)中，處于中心的蒽的9位和10位上相對(duì)于該蒽上所示的X-Y軸為對(duì)稱型的基團(tuán)結(jié)合的情況不存在)。
由下述通式(v)表示的蒽衍生物。

(式中，R1～R10分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、可取代的芳基、烷氧基、芳氧基、烷氨基、烯基、芳氨基或可取代的雜環(huán)基團(tuán)，a和b分別表示1～5的整數(shù)，它們?yōu)?以上時(shí)，R1之間或R2之間各自可以相同或不同，另外，R1之間或R2之間可以結(jié)合形成環(huán)，R3與R4、R5與R6、R7與R8、R9與R10也可以互相結(jié)合形成環(huán)。L1表示單鍵、-O-、-S-、-N(R)-(R為烷基或可取代的芳基)、亞烷基或者亞芳基)。
由下述通式(vi)表示的蒽衍生物。

(式中，R11～R20分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷氨基、芳氨基或可取代的雜環(huán)基團(tuán)，c、d、e和f分別表示1～5的整數(shù)，它們?yōu)?以上時(shí)，R11之間、R12之間、R16之間或R17之間各自可以相同或不同，另外，R11之間、R12之間、R16之間或R17之間可以結(jié)合形成環(huán)，R13與R14、R18與R19也可以互相結(jié)合形成環(huán)。L2表示單鍵、-O-、-S-、-N(R)-(R為烷基或可取代的芳基)、亞烷基或者亞芳基)。
由下述通式(vii)表示的螺環(huán)芴衍生物。

(式中，A5～A8分別獨(dú)立地為取代或未取代的聯(lián)苯基或取代或未取代的萘基)。
由下述通式(viii)表示的含稠環(huán)化合物。

(式中，A9～A14與上述相同，R21～R23分別獨(dú)立地為氫原子、碳原子數(shù)為1～6的烷基、碳原子數(shù)為3～6環(huán)烷基、碳原子數(shù)為1～6的烷氧基、碳原子數(shù)為5～18的芳氧基、碳原子數(shù)為7～18的芳烷氧基、碳原子數(shù)為5～16的芳氨基、硝基、氰基、碳原子數(shù)為1～6的酯基或鹵原子，A9～A14中至少一個(gè)為具有3環(huán)以上的稠合芳香族環(huán)的基團(tuán))。
由下述通式(ix)表示的芴化合物。

(式中，R1和R2表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代氨基、氰基或鹵原子。在不同的芴基上結(jié)合的R1之間、R2之間可以相同或不同，在相同的芴基上結(jié)合的R1和R2可以相同或不同。R3和R4表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜環(huán)基，在不同的芴基上結(jié)合的R3之間、R4之間可以相同或不同，在相同的芴基上結(jié)合的R3和R4可以相同或不同。Ar1和Ar2表示苯環(huán)合計(jì)為3個(gè)以上的取代或未取代的稠合多環(huán)芳香族基團(tuán)、或以苯環(huán)與雜環(huán)合計(jì)為3個(gè)以上的取代或未取代的碳與芴基結(jié)合的稠合多環(huán)雜環(huán)基，Ar1和Ar2可以相同或不同。n表示1至10的整數(shù))。
在以上的主體材料中，優(yōu)選為蒽衍生物、進(jìn)一步優(yōu)選為單蒽衍生物、特別優(yōu)選為非對(duì)稱蒽。
另外，作為摻雜物的發(fā)光材料，也可以使用磷光發(fā)光性的化合物。作為磷光發(fā)光性的化合物，優(yōu)選為在主體材料中含有咔唑環(huán)的化合物。作為摻雜物，為可以由三線態(tài)激子發(fā)光的化合物，只要由三線態(tài)激子進(jìn)行發(fā)光則沒(méi)有特別限制，優(yōu)選為含有選自Ir、Ru、Pd、Pt、Os和Re中的至少一種金屬的金屬絡(luò)合物，優(yōu)選為卟啉金屬絡(luò)合物或鄰位金屬化金屬絡(luò)合物。
由含有咔唑環(huán)的化合物構(gòu)成的適于磷光發(fā)光的主體，是具有以下功能的化合物，所述功能為由該激發(fā)態(tài)向磷光發(fā)光性化合物引起能量移動(dòng)，結(jié)果使磷光發(fā)光性化合物發(fā)光。作為主體化合物只要是在磷光發(fā)光性化合物中可以使激子能量產(chǎn)生能量移動(dòng)的化合物即可，沒(méi)有特別的限制，可以根據(jù)目的來(lái)進(jìn)行適宜選擇。在咔唑環(huán)以外可以具有任意的雜環(huán)等。
作為這樣的主體化合物的具體例子，可以列舉咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基鏈烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代查爾酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、硅氮烷衍生物、芳香族叔胺衍生物、苯乙烯基胺衍生物、芳香族二亞甲基(ジメチリデイン)類化合物、聚卟啉類衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二亞胺衍生物、亞芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘苝等雜環(huán)四羧酸酐、酞菁衍生物、8-羥基喹啉衍生物的金屬絡(luò)合物或金屬酞菁、以苯并噁唑衍生物或苯并噻唑衍生物作為配位體的金屬絡(luò)合物中代表的各種金屬絡(luò)合物聚硅烷類化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺類共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子低聚物、聚噻吩衍生物、聚亞苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、聚芴衍生物等高分子化合物等。主體化合物可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。
作為具體例子，可以列舉以下的化合物。

磷光發(fā)光性的摻雜物為可以由三線態(tài)激子發(fā)光的化合物，只要由三線態(tài)激子進(jìn)行發(fā)光則沒(méi)有特別限制，優(yōu)選為含有選自Ir、Ru、Pd、Pt、Os和Re中的至少一種金屬的金屬絡(luò)合物。優(yōu)選為卟啉金屬絡(luò)合物或鄰位金屬化金屬絡(luò)合物。作為卟啉金屬絡(luò)合物，優(yōu)選為卟啉鉑絡(luò)合物。磷光發(fā)光性化合物可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。
作為形成鄰位金屬化金屬絡(luò)合物的配位體可以為各種，但作為優(yōu)選的配位體，可以列舉2-苯基吡啶衍生物、7，8-苯并喹啉衍生物、2-(2-噻吩基)吡啶衍生物、2-(1-萘基)吡啶衍生物、2-苯基喹啉衍生物等。這些衍生物可以根據(jù)需要具有取代基。特別是引入有氟化合物、三氟甲基的化合物優(yōu)選作為藍(lán)色系摻雜物。另外作為輔助配位體，可以具有乙酰丙酮化物、苦味酸等除了上述配位體以外的配位體。
作為磷光發(fā)光性的摻雜物在發(fā)光層中的含量，沒(méi)有特別的限制，可以根據(jù)目的來(lái)進(jìn)行適宜選擇，例如為0.1～70質(zhì)量％，優(yōu)選為1～30質(zhì)量％。當(dāng)磷光發(fā)光性化合物的含量不足0.1質(zhì)量％時(shí)，發(fā)光微弱，不能充分地發(fā)揮其含有效果，當(dāng)超過(guò)70質(zhì)量％時(shí)，被稱為濃度消光的現(xiàn)象變顯著，元件性能降低。
另外，發(fā)光層根據(jù)需要可以含有空穴傳輸材料、電子傳輸材料、聚合物粘合劑。
另外，發(fā)光層的膜厚優(yōu)選為5～50nm，更優(yōu)選為7～50nm，最優(yōu)選為10～50nm。不足5nm時(shí)，有可能發(fā)光層形成變困難，色度的調(diào)節(jié)變困難，當(dāng)超過(guò)50nm時(shí)，有可能驅(qū)動(dòng)電壓上升。
(5)空穴注入/傳輸層(空穴傳輸帶域) 空穴注入/傳輸層是有助于向發(fā)光層中的空穴注入、并傳輸至發(fā)光區(qū)域的層，空穴遷移率大，離子化能量小，通常為5.5eV以下。就這樣的空穴注入/傳輸層而言，優(yōu)選以更低的電場(chǎng)強(qiáng)度將空穴傳輸至發(fā)光層的材料，另外，如果空穴的遷移率例如在104～106V/cm的電場(chǎng)施加時(shí)至少為10-4cm2/V·秒，則優(yōu)選。
將本發(fā)明的芳香族胺衍生物用于空穴傳輸帶域時(shí)，本發(fā)明的芳香族胺衍生物可以單獨(dú)形成空穴注入、傳輸層，也可以與其他的材料進(jìn)行混合來(lái)使用。
作為與本發(fā)明的芳香族胺衍生物混合而形成空穴注入/傳輸層的材料，只要是具有上述優(yōu)選的性質(zhì)的材料，則沒(méi)有特別的限制，以往，可以從光傳導(dǎo)材料中作為空穴的電荷傳輸材料慣用的材料、或用于有機(jī)EL元件的空穴注入/傳輸層的公知材料中選擇任意的材料來(lái)使用。
作為具體例子，可以列舉三唑衍生物(參照美國(guó)專利3,112,197號(hào)說(shuō)明書(shū)等)、噁二唑衍生物(參照美國(guó)專利3,189,447號(hào)說(shuō)明書(shū)等)、咪唑衍生物(參照日本特公昭37-16096號(hào)公報(bào)等)、聚芳基鏈烷衍生物(參照美國(guó)專利3,615,402號(hào)說(shuō)明書(shū)、美國(guó)專利第3,820,989號(hào)說(shuō)明書(shū)、美國(guó)專利第3,542,544號(hào)說(shuō)明書(shū)、日本特公昭45-555號(hào)公報(bào)、日本特公昭51-10983號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭51-93224號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-17105號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭56-4148號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-108667號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-156953號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭56-36656號(hào)公報(bào)等)、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物(參照美國(guó)專利第3,180,729號(hào)說(shuō)明書(shū)、美國(guó)專利第4,278,746號(hào)說(shuō)明書(shū)、日本特開(kāi)昭55-88064號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-88065號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭49-105537號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-51086號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭56-80051號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭56-88141號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭57-45545號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭54-112637號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-74546號(hào)公報(bào)等)、苯二胺衍生物(參照美國(guó)專利第3,615,404號(hào)說(shuō)明書(shū)、日本特公昭51-10105號(hào)公報(bào)、日本特公昭46-3712號(hào)公報(bào)、日本特公昭47-25336號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭54-53435號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭54-110536號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭54-119925號(hào)公報(bào)等)、芳胺衍生物(參照美國(guó)專利第3,567,450號(hào)說(shuō)明書(shū)、美國(guó)專利第3,180,703號(hào)說(shuō)明書(shū)、美國(guó)專利第3,240,597號(hào)說(shuō)明書(shū)、美國(guó)專利第3,658,520號(hào)說(shuō)明書(shū)、美國(guó)專利第4,232,103號(hào)說(shuō)明書(shū)、美國(guó)專利第4,175,961號(hào)說(shuō)明書(shū)、美國(guó)專利第4,012,376號(hào)說(shuō)明書(shū)、日本特公昭49-35702號(hào)公報(bào)、日本特公昭39-27577號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-144250號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭56-119132號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭56-22437號(hào)公報(bào)、西獨(dú)專利第1,110,518號(hào)說(shuō)明書(shū)等)、氨基取代查爾酮衍生物(參照美國(guó)專利第3,526,501號(hào)說(shuō)明書(shū))、噁唑衍生物(美國(guó)專利第3,257,203號(hào)說(shuō)明書(shū)等中公開(kāi)的化合物)、苯乙烯基蒽衍生物(參照日本特開(kāi)昭56-46234號(hào)公報(bào)等)、芴酮衍生物(參照日本特開(kāi)昭54-110837號(hào)公報(bào)等)、腙衍生物(參照美國(guó)專利第3,717,462號(hào)說(shuō)明書(shū)、日本特開(kāi)昭54-59143號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-52063號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-52064號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-46760號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-85495號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭57-11350號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭57-148749號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)平2-311591號(hào)公報(bào)等)、二苯乙烯衍生物(參照日本特開(kāi)昭61-210363號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭61-228451號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭61-14642號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭61-72255號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭62-47646號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭62-36674號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭62-10652號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭62-30255號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-93455號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-94462號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-174749號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-175052號(hào)公報(bào)等)、硅氮烷衍生物(美國(guó)專利第4,950,950號(hào)說(shuō)明書(shū))、聚硅烷類(日本特開(kāi)平2-204996號(hào)公報(bào))、苯胺類共聚物(日本特開(kāi)平2-282263號(hào)公報(bào))、日本特開(kāi)平1-211399號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的導(dǎo)電性高分子低聚物(特別是噻吩低聚物)等。
作為空穴注入/傳輸層的材料，可以使用上述的材料，但優(yōu)選使用卟啉化合物(日本特開(kāi)昭63-2956965號(hào)公報(bào)等中公開(kāi)的化合物)、芳香族叔胺化合物和苯乙烯基胺化合物(參照美國(guó)專利第4,127,412號(hào)說(shuō)明書(shū)、日本特開(kāi)昭53-27033號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭54-58445號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭54-149634號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭54-64299號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-79450號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55-144250號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭56-119132號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭61-295558號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭61-98353號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭63-295695號(hào)公報(bào)等)，特別優(yōu)選使用芳香族叔胺化合物。
另外，可以列舉美國(guó)專利第5,061,569號(hào)中記載的在分子內(nèi)具有2個(gè)稠合芳香族環(huán)的、例如4，4’-雙(N-(1-萘)-N-苯氨基)二苯(以下簡(jiǎn)略記為NPD)；或日本特開(kāi)平4-308688號(hào)公報(bào)中記載的三苯胺單元連接成3個(gè)星爆(star burst)型的4，4’，4”-三(N-(3-甲基苯)-N-苯氨基)三苯胺(以下簡(jiǎn)略記為MTDATA)等。
另外，除了作為發(fā)光層的材料例示的上述芳香族二亞甲基(ジメチリデイン)類化合物之外，也可以使用p型Si、p型SiC等無(wú)機(jī)化合物作為空穴注入/傳輸層的材料。
空穴注入/傳輸層可以通過(guò)將本發(fā)明的芳香族胺衍生物由例如真空蒸鍍法、旋涂法、流延法、LB法等公知的方法進(jìn)行薄膜化來(lái)形成。作為空穴注入/傳輸層的膜厚沒(méi)有特別的限制，通常為5nm～5μm。該空穴注入/傳輸層如果在空穴傳輸帶域含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物，則可以通過(guò)由上述材料的一種或二種以上構(gòu)成的一層來(lái)構(gòu)成，或者所述空穴注入/傳輸層也可以是將由其他種類的化合物構(gòu)成的空穴注入/傳輸層進(jìn)行層壓而成的層。
另外，可以設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體層作為有助于向發(fā)光層的空穴注入或電子注入的層，優(yōu)選為具有10-10/cm以上的導(dǎo)電率的層。作為這樣的有機(jī)半導(dǎo)體層的材料，可以使用含噻吩低聚物或日本特開(kāi)平8-193191號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的含芳胺低聚物等導(dǎo)電性低聚物、含芳胺樹(shù)枝狀高分子等導(dǎo)電性樹(shù)枝狀高分子等。
(6)電子注入/傳輸層 其次，電子注入/傳輸層是有助于向發(fā)光層中的電子注入、并傳輸至發(fā)光區(qū)域的層，電子遷移率大，另外，附著改善層是在該電子注入層中由與陰極的附著特別良好的材料構(gòu)成的層。
另外，已知有機(jī)EL元件由于發(fā)射的光通過(guò)電極(此時(shí)為陰極)反射，因此，直接從陽(yáng)極發(fā)出的發(fā)光與經(jīng)過(guò)由電極的反射而發(fā)出的發(fā)光互相干涉。為了有效地利用該干涉效果，電子傳輸層在數(shù)nm～數(shù)μm的膜厚中進(jìn)行適宜選擇，但膜厚特別厚時(shí)，為了避免電壓上升，在104～106V/cm的電場(chǎng)施加時(shí)電子的遷移率優(yōu)選至少為10-5cm2/Vs以上。
作為電子注入層中使用的材料，優(yōu)選為8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、或噁二唑衍生物。作為上述8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物的具體例子，可以使用含有喔星(一般為8-喹啉或8-羥基喹啉)的螯合物的金屬螯合喔星化合物、例如三(8-喹啉)鋁作為電子注入材料。
另一方面，作為噁二唑衍生物，可以列舉由下述通式表示的電子傳遞化合物。

(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6、Ar9分別表示取代或未取代的芳基，可以分別相同或不同。另外，Ar4、Ar7、Ar8表示取代或未取代的亞芳基，可以分別相同或不同)。
在此，作為芳基，可以列舉苯基、聯(lián)苯基、蒽基、苝基、芘基。另外，作為亞芳基，可以列舉亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞苝基、亞芘基等。另外，作為取代基，可以列舉碳原子數(shù)為1～10的烷基、碳原子數(shù)為1～10的烷氧基或氰基等。該電子傳遞化合物優(yōu)選為薄膜形成性的物質(zhì)。
作為上述電子傳遞性化合物的具體例子，可以列舉下述物質(zhì)。

另外，作為電子注入層和電子傳輸層中使用的材料，也可以使用由下述通式(A)～(F)表示的化合物。由
表示的含氮雜環(huán)衍生物， (式(A)和(B)中，A1～A3分別獨(dú)立地為氮原子或碳原子。
Ar1為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～60的芳基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為3～60的雜芳基，Ar2為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～60的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為3～60的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～20烷基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為1～20的烷氧基、或者它們的2價(jià)基團(tuán)。其中Ar1和Ar2中的任一個(gè)為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為10～60的稠環(huán)基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為3～60的單雜稠環(huán)基、或者它們的2價(jià)基團(tuán)。
L1、L2和L分別獨(dú)立地為單鍵、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～60的亞芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為3～60的雜亞芳基、或者取代或未取代的亞芴基。
R為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～60的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為3～60的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～20的烷基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為1～20的烷氧基，n為0～5的整數(shù)。當(dāng)n為2以上時(shí)，多個(gè)R可以相同或不同，另外，由相鄰接的多個(gè)R基團(tuán)之間結(jié)合，可以形成碳環(huán)式脂肪族環(huán)或碳環(huán)式芳香族環(huán)。
R1為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～60的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為3～60的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～20的烷基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為1～20的烷氧基、或者-L-Ar1-Ar2)。
由HAr-L-Ar1-Ar2 (C) 表示的含氮雜環(huán)衍生物， (式中，HAr為可具有取代基的碳原子數(shù)為3～40的含氮雜環(huán)，L為單鍵、可具有取代基的碳原子數(shù)為6～60的亞芳基、可具有取代基的碳原子數(shù)為3～60的雜亞芳基、或者可具有取代基的亞芴基，Ar1為可具有取代基的碳原子數(shù)為6～60的2價(jià)的芳香族烴基，Ar2為可具有取代基的碳原子數(shù)為6～60的芳基、或者可具有取代基的碳原子數(shù)為3～60的雜芳基)。

由 表示的硅雜環(huán)戊二烯衍生物， (式中，X和Y分別獨(dú)立地為碳原子數(shù)1～6的飽和或不飽和的烴基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、羥基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)、或者X與Y結(jié)合形成飽和或不飽和的環(huán)的結(jié)構(gòu)，R1～R4分別獨(dú)立地為氫、鹵素原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～6的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧羰基、芳氧羰基、偶氮基、烷基羰氧基、芳基羰氧基、烷氧羰氧基、芳氧羰氧基、亞磺?；⒒酋；⒒峭榛?sulfanyl)、甲硅烷基、氨基甲?；?、芳基、雜環(huán)基、烯基、炔基、硝基、甲?；?、亞硝基、甲酰氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基或氰基、或者相鄰接時(shí)取代或未取代的環(huán)縮合而成的結(jié)構(gòu))。
由
表示的硼烷衍生物， (式中，R1～R8和Z2分別獨(dú)立地表示氫原子、飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環(huán)基、取代氨基、取代硼基、烷氧基或芳氧基，X、Y和Z1分別獨(dú)立地表示飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環(huán)基、取代氨基、烷氧基或芳氧基，Z1和Z2的取代基可以互相結(jié)合形成稠環(huán)，n表示1～3的整數(shù)，當(dāng)n為2以上時(shí)，Z1可以不同。其中，不包括以下的情況n為1、且X、Y和R2為甲基、R8為氫原子或取代硼基的情況；以及n為3、Z1為甲基的情況)。

[式中，Q1和Q2分別獨(dú)立地為由下述通式(G)表示的配位體，L為鹵原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、-OR1(R1為氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基)或者-O-Ga-Q3(Q4)(Q3和Q4，與Q1和Q2相同)表示的配位體]。

[式中，環(huán)A1和A2為可具有取代基的互相縮合的6元芳環(huán)結(jié)構(gòu)]。
該金屬絡(luò)合物作為n型半導(dǎo)體的性質(zhì)強(qiáng)，電子注入能力大。另外，絡(luò)合物形成時(shí)的生成能量也低，因此，形成的金屬絡(luò)合物的金屬與配位體之間的結(jié)合性也變牢固，作為發(fā)光材料的熒光量子效率也變大。
列舉形成通式(G)的配位體的環(huán)A1和A2的取代基的具體例子時(shí)，有氯、溴、碘、氟等鹵素原子、甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬質(zhì)基、三氯甲基等取代或未取代的烷基、苯基、萘基、3-甲基苯基、3-甲氧基苯基、3-氟苯基、3-三氯甲基苯基、3-三氟甲基苯基、3-硝基苯基等取代或未取代的芳基、甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2，2，3，3-四氟丙氧基、1，1，1，3，3，3-六氟-2-丙氧基、6-(全氟乙基)己氧基等取代或未取代的烷氧基、苯氧基、對(duì)硝基苯氧基、對(duì)叔丁基苯氧基、3-氟苯氧基、五氟苯基、3-三氟甲基苯氧基等取代或未取代的芳氧基、甲硫基、乙硫基、叔丁硫基、己硫基、辛硫基、三氟甲硫基等取代或未取代的烷硫基、苯硫基、對(duì)硝基苯硫基、對(duì)叔丁基苯硫基、3-氟苯硫基、五氟苯硫基、3-三氟甲基苯硫基等取代或未取代的芳硫基、氰基、硝基、氨基、甲基氨基、二乙基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基等單或二取代氨基、雙(乙酰氧甲基)氨基、雙(乙酰氧乙基)氨基、雙(乙酰氧丙基)氨基、雙(乙酰氧丁基)氨基等酰氨基、羥基、硅氧基、?；?、甲基氨基甲?；⒍谆被柞；?、乙基氨基甲?；⒍一被柞；⒈被柞；?、丁基氨基甲?；⒈交被柞；劝被柞；?、羧酸基、磺酸基、酰亞胺基、環(huán)戊基、環(huán)己基等環(huán)烷基、苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、吲哚基、喹啉基、吖啶基、吡咯烷基、二噁烷基、哌啶基、嗎啉烷基(モルフォリジニル)、哌嗪基、三嗪基(トリアチニル)、咔唑基、呋喃基、噻吩基、噁唑基、噁二唑基、苯并噁唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、吡喃基(プラニル)等雜環(huán)基等。另外，以上的取代基之間也可以結(jié)合來(lái)進(jìn)一步形成6元芳環(huán)或雜環(huán)。
本發(fā)明的有機(jī)EL元件的優(yōu)選形式中包括在傳輸電子的區(qū)域或陰極與有機(jī)層的界面區(qū)域上含有還原性摻雜物的元件。在此，還原性摻雜物定義為可以還原電子傳輸性化合物的物質(zhì)。因此，只要是具有一定還原性的物質(zhì)，則可以使用各種物質(zhì)，例如，可以適宜使用選自堿金屬、堿土類金屬、稀土類金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物、堿土類金屬的氧化物、堿土類金屬的鹵化物、稀土類金屬的氧化物或稀土類金屬的鹵化物、堿金屬的有機(jī)絡(luò)合物、堿土類金屬的有機(jī)絡(luò)合物、稀土類金屬的有機(jī)絡(luò)合物中的至少一種物質(zhì)。
另外，更具體而言，作為優(yōu)選的還原性摻雜物，可以列舉選自Na(功函數(shù)2.36eV)、K(功函數(shù)2.28eV)、Rb(功函數(shù)2.16eV)和Cs(功函數(shù)1.95eV)中的至少一種堿金屬、或選自Ca(功函數(shù)2.9eV)、Sr(功函數(shù)2.0～2.5eV)和Ba(功函數(shù)2.52eV)中的至少一種堿土類金屬，特別優(yōu)選功函數(shù)為2.9eV以下的物質(zhì)。它們之中，更優(yōu)選的還原性摻雜物為選自K、Rb和Cs中的至少一種堿金屬，進(jìn)一步優(yōu)選為Rb或Cs，最優(yōu)選為Cs。這些堿金屬，還原能力特別高，通過(guò)向電子注入域中添加較少量，就可以實(shí)現(xiàn)在有機(jī)EL元件中的發(fā)光亮度的提高和長(zhǎng)壽命化。另外，作為功函數(shù)為2.9eV以下的還原性摻雜物，也優(yōu)選它們2種以上的堿金屬的組合，特別優(yōu)選含有Cs的組合，例如Cs和Na、Cs和K、Cs和Rb、或Cs和Na和K的組合。通過(guò)組合含有Cs，可以有效發(fā)揮還原能力，通過(guò)向電子注入域中的添加，實(shí)現(xiàn)有機(jī)EL元件中的發(fā)光亮度的提高和長(zhǎng)壽命化。
本發(fā)明中，陰極與有機(jī)層之間可以進(jìn)一步設(shè)置由絕緣體或半導(dǎo)體構(gòu)成的電子注入層。此時(shí)，可以有效防止電流的泄漏，使電子注入性提高。作為這樣的絕緣體，優(yōu)選使用選自堿金屬硫?qū)倩衔?、堿土類金屬硫?qū)倩衔?、堿金屬的鹵化物和堿土類金屬的鹵化物中的至少一種金屬化合物。電子注入層如果由這些堿金屬硫?qū)倩衔锏葮?gòu)成，則在可以進(jìn)一步使電子注入性提高的方面優(yōu)選。具體而言，作為優(yōu)選的堿金屬硫?qū)倩衔?，可以列舉例如Li2O、LiO、Na2S、Na2Se和Na2O。作為優(yōu)選的堿土類金屬硫?qū)倩衔?，可以列舉例如CaO、BaO、SrO、BeO、BaS和CaSe。另外，作為優(yōu)選的堿金屬的鹵化物，可以列舉例如LiF、NaF、KF、LiCl、KCl和NaCl等。另外，作為優(yōu)選的堿土類金屬的鹵化物，可以列舉例如CaF2、BaF2、SrF2、MgF2和BeF2等氟化物、或氟化物以外的鹵化物。
另外，作為構(gòu)成電子傳輸層的半導(dǎo)體，可以列舉含有Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb和Zn中的至少一種元素的氧化物、氮化物或氧氮化物等的單獨(dú)一種或二種以上的組合。另外，構(gòu)成電子傳輸層的無(wú)機(jī)化合物，優(yōu)選為微晶或非晶質(zhì)的絕緣性薄膜。電子傳輸層如果由這些絕緣性薄膜構(gòu)成，則由于形成更勻質(zhì)的薄膜，因此可以使暗斑等像素缺陷減少。另外，作為這樣的無(wú)機(jī)化合物，可以列舉上述的堿金屬硫?qū)倩衔?、堿土類金屬硫?qū)倩衔铩A金屬的鹵化物和堿土類金屬的鹵化物等。
(7)陰極 作為陰極，為了在電子注入/傳輸層或發(fā)光層中注入電子，可以使用將功函數(shù)小(4eV以下)的金屬、合金、電傳導(dǎo)性化合物及它們的混合物作為電極物質(zhì)的陰極。作為這樣的電極物質(zhì)的具體例子，可以列舉鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、鎂·銀合金、鋁/氧化鋁、鋁·鋰合金、銦、稀土類金屬等。
該陰極，可以通過(guò)用蒸鍍或?yàn)R射等方法使這些電極物質(zhì)形成薄膜來(lái)制成。
在此，從陰極射出來(lái)自發(fā)光層的發(fā)光時(shí)，陰極對(duì)于發(fā)光的透光率優(yōu)選為大于10％。
另外，作為陰極的方塊電阻優(yōu)選為數(shù)百Ω/□以下，膜厚通常為10nm～1μm、優(yōu)選為50～200nm。
(8)絕緣層 由于有機(jī)EL元件在超薄膜上施加電場(chǎng)，因此容易產(chǎn)生因泄漏或短路引起的像素缺陷。為了防止該問(wèn)題，優(yōu)選在一對(duì)電極間插入絕緣性的薄膜層。
作為用于絕緣層的材料，可以列舉例如氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氟化銫、碳酸銫、氮化鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等。也可以使用它們的混合物或?qū)訅何铩?br> (9)有機(jī)EL元件的制造方法 通過(guò)以上例示的材料及形成方法，形成陽(yáng)極、發(fā)光層、根據(jù)需要的空穴傳注入/傳輸層、根據(jù)需要的電子注入/傳輸層等，再形成陰極，由此可以制作有機(jī)EL元件。另外，也可以按照從陰極到陽(yáng)極、與上述相反的順序來(lái)制作有機(jī)EL元件。
以下，記載了在透光性基板上依次設(shè)置有陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極的結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL元件的制造例。
首先，通過(guò)蒸鍍或?yàn)R射等方法，在適宜的透光性基板上形成由陽(yáng)極材料構(gòu)成的薄膜，以便得到1μm以下、優(yōu)選10～200nm范圍的膜厚，由此來(lái)制造陽(yáng)極。
之后，在該陽(yáng)極上設(shè)置空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥男纬?，可以如上所述通過(guò)真空蒸鍍法、旋涂法、流延法、LB法等方法來(lái)進(jìn)行，但從容易得到勻質(zhì)的膜、且難以產(chǎn)生針孔等方面考慮，優(yōu)選通過(guò)真空蒸鍍法來(lái)形成。通過(guò)真空蒸鍍法形成空穴注入層的情況下，該蒸鍍條件根據(jù)使用的化合物(空穴注入層的材料)、作為目標(biāo)的空穴注入層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)或復(fù)合結(jié)構(gòu)等而不同，通常優(yōu)選在蒸鍍?cè)礈囟?0～450℃、真空度10-7～10-3Torr、蒸鍍速度0.01～50nm/秒、基板溫度-50～300℃、膜厚5nm～5μm的范圍內(nèi)適宜選擇。
接著，在空穴傳輸層上設(shè)置發(fā)光層。發(fā)光層的形成，也可以使用所期望的有機(jī)發(fā)光材料通過(guò)真空蒸鍍法、濺射法、旋涂法、流延法等方法將有機(jī)發(fā)光材料薄膜化，由此來(lái)形成，但從容易得到勻質(zhì)的膜、且難以產(chǎn)生針孔等方面考慮，優(yōu)選通過(guò)真空蒸鍍法來(lái)形成。通過(guò)真空蒸鍍法形成發(fā)光層的情況下，該蒸鍍條件根據(jù)使用的化合物而不同，但通常可以從與空穴注入層相同的條件范圍中進(jìn)行選擇。
然后，在該發(fā)光層上設(shè)置電子注入層。與空穴注入層、發(fā)光層同樣，從需要得到勻質(zhì)的膜考慮，優(yōu)選通過(guò)真空蒸鍍法來(lái)形成。蒸鍍條件可以從與空穴注入層、發(fā)光層同樣的條件范圍中進(jìn)行選擇。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物，根據(jù)在發(fā)光帶域或空穴傳輸帶域的哪層中含有而不同，使用真空蒸鍍法的情況可以設(shè)定為與其他材料的共蒸鍍。另外，使用旋涂法的情況，可以通過(guò)與其他材料混合而含有。
最后，可以層壓陰極來(lái)得到有機(jī)EL元件。
陰極是由金屬構(gòu)成的，因此可以使用蒸鍍法、濺射法。但是，為了保護(hù)底層的有機(jī)物層免受制膜時(shí)的損傷，優(yōu)選真空蒸鍍法。
該有機(jī)EL元件的制造，優(yōu)選通過(guò)一次抽真空連續(xù)進(jìn)行，從陽(yáng)極到陰極來(lái)制造。
本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各層的形成方法沒(méi)有特別的限定，可以使用基于現(xiàn)有已知的真空蒸鍍法、旋涂法等的形成方法。含有用于本發(fā)明的有機(jī)EL元件的、由上述通式(1)表示的化合物的有機(jī)薄膜層，可以通過(guò)基于真空蒸鍍法、分子束蒸鍍法(MBE法)、或溶解于溶劑而得到的溶液的浸漬法、旋涂法、流延法、刮棒涂布法、輥涂法等涂布法的公知方法來(lái)形成。
本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各有機(jī)層的膜厚沒(méi)有特別的限制，但通常膜厚過(guò)薄時(shí)，容易產(chǎn)生針孔等缺陷，相反過(guò)厚時(shí)，需要高施加電壓，效率變差，因此，通常優(yōu)選數(shù)nm至1μm的范圍。
在有機(jī)EL元件上施加直流電壓的情況下，使陽(yáng)極為+極性、陰極為-極性，如果施加5～40V的電壓，則可以觀測(cè)到發(fā)光。另外，相反的極性時(shí)，即使施加電壓也無(wú)電流通過(guò)，完全不產(chǎn)生發(fā)光。另外，施加交流電壓的情況下，只有使陽(yáng)極為+極性、陰極為-極性時(shí)，才觀測(cè)到均勻的發(fā)光。施加的交流的波形可以任意。
實(shí)施例 以下，基于合成例和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)的說(shuō)明。
由合成例1～3制造的中間體的結(jié)構(gòu)式如下所示。

中間體1中間體2中間體3 合成例1(中間體1的合成) 在氬氣流下，在300mL三頸燒瓶中加入對(duì)三聯(lián)苯10g、碘12g、過(guò)碘酸二水合物4.9g、水20mL、醋酸170mL、硫酸22mL，在65℃下攪拌30分鐘后，在90℃下反應(yīng)6小時(shí)。將反應(yīng)物注入到冰水中，過(guò)濾。用水洗滌后，用甲醇進(jìn)行洗滌，由此以67g白色粉末的形式得到上述中間體1。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C18H12I2＝482，得到m/z＝482的主峰，因此鑒定為中間體1。
合成例2(中間體2的合成) 在氬氣流下，在300mL三頸燒瓶中加入1-乙酰酰胺萘(東京化成公司制)11.1g、4-溴聯(lián)苯(東京化成公司制)15.4g、碘化銅(I)(廣島和光公司制)1.14g、N，N’-二甲基乙二胺(アルドリツチ公司制)1.06g、碳酸鉀(廣島和光公司制)20.0g以及二甲苯100mL，在130℃下反應(yīng)36小時(shí)。
冷卻后進(jìn)行過(guò)濾，用甲苯洗滌。再用水和甲醇洗滌后，進(jìn)行干燥，結(jié)果得到15.0g的淡黃色粉末。
在300mL三頸燒瓶中加入上述粉末15.0g、氫氧化鉀(廣島和光公司制)17.6g、離子交換水15mL、二甲苯(廣島和光公司制)20mL、EtOH(廣島和光公司制)10mL，回流36小時(shí)。反應(yīng)結(jié)束后，用甲苯進(jìn)行提取，用硫酸鎂干燥。在減壓下將其濃縮，將所得到的粗生成物進(jìn)行色譜柱精制。用甲苯再結(jié)晶，將其過(guò)濾分離后，進(jìn)行干燥，結(jié)果以11.2g白色粉末的形式得到上述中間體2。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C22H17N＝295，得到m/z＝295的主峰，因此鑒定為中間體2。
合成例3(中間體3的合成) 在合成例2中，使用4-溴-對(duì)三聯(lián)苯25.6g代替4-溴聯(lián)苯15.4g，除此以外，同樣地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果以11.3g白色粉末的形式得到上述中間體3。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C28H21N＝371，得到m/z＝482的主峰，因此鑒定為中間體3。
由合成實(shí)施例1～3制造的本發(fā)明的芳香族胺衍生物的結(jié)構(gòu)式如下所示。

合成實(shí)施例1(化合物H1的合成) 在氬氣流下，加入5.8g的中間體1、5.9g的中間體2、叔丁氧基鈉2.7g(廣島和光公司制)、三(二芐叉丙酮)二鈀(0)186mg(アルドリツチ公司制)、三叔丁基膦82mg以及脫水甲苯200mL，在80℃下反應(yīng)8小時(shí)。
冷卻后，加入水500mL，將混合物進(jìn)行硅藻土過(guò)濾，用甲苯提取濾液，用無(wú)水硫酸鎂使其干燥。在減壓下將其濃縮，將所得到的粗生成物進(jìn)行色譜柱精制。用甲苯再結(jié)晶，將其過(guò)濾分離后，進(jìn)行干燥，結(jié)果得到4.6g淡黃色粉末。通過(guò)FD-MS(場(chǎng)解析質(zhì)譜)分析，相對(duì)于C62H44N2＝817，得到m/z＝817的主峰，因此鑒定為上述化合物H1。
合成實(shí)施例2(化合物H2的合成) 在合成實(shí)施例1中，使用7.4g中間體3代替中間體2，除此以外，同樣地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果得到5.3g淡黃色粉末。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C74H52N2＝969，得到m/z＝969的主峰，因此鑒定為上述化合物H2。合成實(shí)施例3(化合物H3的合成) 在合成實(shí)施例1中，使用4.2g N-苯基-1-萘胺代替中間體2，除此以外，同樣地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果得到3.1g淡黃色粉末。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C50H36N2＝664，得到m/z＝664的主峰，因此鑒定為上述化合物H3。
實(shí)施例1(有機(jī)EL元件的制造) 將25mm×75mm×1.1mm厚的帶ITO透明電極的玻璃基板(ジオマテイク公司制)在異丙醇中進(jìn)行超聲波清洗5分鐘，之后，進(jìn)行UV臭氧清洗30分鐘。
將清洗后的帶透明電極線的玻璃基板安裝在真空蒸鍍裝置的基板支架上，首先，在形成透明電極線的一側(cè)的面上覆蓋所述透明電極，形成膜厚60nm的下述化合物H232膜。該H232膜作為空穴注入層起作用。在該H232膜上作為空穴傳輸材料形成膜厚20nm的上述化合物H1層。該膜作為空穴傳輸層起作用。再對(duì)膜厚40nm的下述化合物EM1進(jìn)行蒸鍍成膜。同時(shí)作為發(fā)光分子將下述具有苯乙烯基的胺化合物D1以EM1與D1的重量比為40∶2進(jìn)行蒸鍍。該膜作為發(fā)光層起作用。
在該膜上形成膜厚為10nm的下述Alq膜。其作為電子注入層起作用。之后，使作為還原性摻雜物的Li(Li源サエスゲツタ—公司制)和Alq進(jìn)行二次蒸鍍，形成Alq:Li膜(膜厚10nm)作為電子注入層(陰極)。在該Alq:Li膜上使金屬Al蒸鍍，形成金屬陰極，從而形成有機(jī)EL元件。
另外，對(duì)于所得到的有機(jī)EL元件，測(cè)定發(fā)光效率，觀察發(fā)光色。發(fā)光效率使用ミノルタ制CS1000測(cè)定亮度，并算出10mA/cm2下的發(fā)光效率。另外，將在初期亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動(dòng)下測(cè)定的發(fā)光的半衰期的結(jié)果示于表1。

實(shí)施例2～3(有機(jī)EL元件的制造) 在實(shí)施例1中，使用表1記載的化合物代替化合物H1作為空穴傳輸材料，除此以外，同樣操作來(lái)制作有機(jī)EL元件。
對(duì)于所得到的有機(jī)EL元件，測(cè)定發(fā)光效率，觀察發(fā)光色，另外，將在初期亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動(dòng)下測(cè)定的發(fā)光的半衰期的結(jié)果示于表1。
比較例1～3 在實(shí)施例1中，使用比較例化合物1～3代替化合物H1作為空穴傳輸材料，除此以外，同樣操作來(lái)制作有機(jī)EL元件。
對(duì)于所得到的有機(jī)EL元件，測(cè)定發(fā)光效率，觀察發(fā)光色，另外，將在初期亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動(dòng)下測(cè)定的發(fā)光的半衰期的結(jié)果示于表1。

比較化合物1 比較化合物2 比較化合物3 表1 實(shí)施例4(有機(jī)EL元件的制造) 在實(shí)施例1中，使用下述芳胺化合物D2代替具有苯乙烯基的胺化合物D1，除此以外，同樣操作來(lái)制作有機(jī)EL元件。另外，Me為甲基。
對(duì)于所得到的有機(jī)EL元件，測(cè)定發(fā)光效率，觀察發(fā)光色，另外，將在初期亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動(dòng)下測(cè)定的發(fā)光的半衰期的結(jié)果示于表1。

比較例4 在實(shí)施例4中，使用上述比較例化合物1代替化合物H1作為空穴傳輸材料，除此以外，同樣操作來(lái)制作有機(jī)EL元件。
對(duì)于所得到的有機(jī)EL元件，測(cè)定發(fā)光效率，觀察發(fā)光色，另外，將在初期亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動(dòng)下測(cè)定的發(fā)光的半衰期的結(jié)果示于表1。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性 如以上詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的芳香族胺衍生物由于具有空間障礙性，故分子之間的相互作用小，因此，抑制結(jié)晶化，制作有機(jī)EL元件的成品率提高，得到壽命長(zhǎng)且效率高的有機(jī)EL元件，特別是通過(guò)與藍(lán)色發(fā)光元件組合，得到壽命明顯長(zhǎng)的有機(jī)EL元件。
權(quán)利要求
1.由下述通式(1)表示的芳香族胺衍生物，
式中，Ar1～Ar4分別獨(dú)立地為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基，其中至少一個(gè)為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳香族稠環(huán)基，
R1～R3分別獨(dú)立地為氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6～50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為2～50的烷氧基羰基、由取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基取代的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或羧基，
a、b和c分別獨(dú)立地為0～4的整數(shù)，a、b和c中的任一個(gè)為2以上時(shí)，對(duì)應(yīng)的多個(gè)R1～R3可以互相結(jié)合形成飽和或不飽和的可取代的5元環(huán)或6元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，在所述通式(1)中，Ar1和Ar3為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳香族稠環(huán)基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，在所述通式(1)中，Ar1和Ar3為α-萘基或β-萘基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的芳香族胺衍生物，其中，在所述通式(1)中，Ar2和Ar4相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的芳香族胺衍生物，其中，在所述通式(1)中，Ar2和Ar4均為苯基。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的芳香族胺衍生物，其中，在所述通式(1)中，Ar2和Ar4均為聯(lián)苯基。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的芳香族胺衍生物，其中，在所述通式(1)中，Ar2和Ar4均為三聯(lián)苯基。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的芳香族胺衍生物，其為有機(jī)電致發(fā)光元件用材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的芳香族胺衍生物，其為有機(jī)電致發(fā)光元件用空穴傳輸材料。
10.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其在陰極和陽(yáng)極之間夾持著至少含有發(fā)光層的由一層或多層構(gòu)成的有機(jī)薄膜層，其特征在于，該有機(jī)薄膜層的至少1層作為單獨(dú)的成分或混合物的成分含有權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的芳香族胺衍生物。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述有機(jī)薄膜層具有空穴傳輸層，且該空穴傳輸層中含有所述芳香族胺衍生物。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述空穴傳輸層中含有所述芳香族胺衍生物作為主成分。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，在發(fā)光層中還含有苯乙烯基胺化合物和/或芳胺化合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求10～13中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其進(jìn)行藍(lán)色系q發(fā)光。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光元件以及實(shí)現(xiàn)其的芳香族胺衍生物，其中所述芳香族胺衍生物為在二胺化合物中作為對(duì)三聯(lián)苯基-4，4”-二基衍生物的新型芳香族胺衍生物，所述有機(jī)電致發(fā)光元件，在陰極和陽(yáng)極之間夾持著至少含有發(fā)光層的由一層或多層構(gòu)成的有機(jī)薄膜層，該有機(jī)薄膜層的至少一層作為單獨(dú)的成分或混合物的成分含有上述芳香族胺衍生物，由此，分子難以結(jié)晶化，制造有機(jī)電致發(fā)光元件時(shí)的成品率提高，壽命長(zhǎng)，且高溫保存后效率也高。
文檔編號(hào)C07C211/58GK101484412SQ200780023530
公開(kāi)日2009年7月15日 申請(qǐng)日期2007年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月27日
發(fā)明者藪乃內(nèi)伸浩, 河村昌宏 申請(qǐng)人:出光興產(chǎn)株式會(huì)社