專利名稱：吲哚鎓化合物以及使用了該化合物的光學(xué)記錄材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及主要應(yīng)用于光學(xué)記錄材料等的新型吲哚鎓化合物以及含有該吲哚鎓化合物而形成的光學(xué)記錄材料，具體而言，涉及利用激光等將信息加工成信息圖案來進行記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)中使用的光學(xué)記錄材料，更具體而言，涉及可以利用具有紫外以及可見區(qū)域的波長且低能量的激光等進行高密度的光學(xué)記錄和再生的光學(xué)記錄介質(zhì)中使用的光學(xué)記錄材料。

背景技術(shù)：
光學(xué)記錄介質(zhì)一般具有記錄容量大、記錄或再生以非接觸的方式進行等優(yōu)良的特征，因而廣泛普及。WORM、CD-R、DVD±R等追記型光盤是將激光聚集在記錄層的微小面積上，改變光學(xué)記錄層的性狀來進行記錄，并根據(jù)記錄部分與未記錄部分的反射光量的不同來進行再生。
在550nm～620nm的范圍內(nèi)具有高強度吸收的化合物、特別是在550nm～620nm具有最大吸收(λmax)的化合物被用作形成DVD-R等光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄材料。
作為上述光學(xué)記錄材料，具有吲哚環(huán)的吲哚鎓化合物由于具有靈敏度高、能應(yīng)對記錄高速化的優(yōu)點，所以報道的例子很多。例如，在專利文獻1～6中報道了苯乙烯基吲哚鎓化合物。另外，在專利文獻7中報道了在吲哚環(huán)的3位引入芐基而形成的低溫分解性的花青化合物，在專利文獻8中報道了在吲哚環(huán)的3位引入芐基而形成的吲哚鎓化合物。人們認為在低溫下分解的化合物易于形成光學(xué)記錄層的記錄部分(凹坑)，因此適合高速記錄介質(zhì)。
但是，這些材料在耐熱性、耐光性和記錄特性方面還沒有取得令人滿意的性能。
專利文獻1日本特開平11-34489號公報 專利文獻2日本特開平11-170695號公報 專利文獻3日本特開2001-342366號公報 專利文獻4日本特開2002-206061號公報 專利文獻5日本特開2003-313447號公報 專利文獻6日本特開2003-321450號公報 專利文獻7日本特開2003-231359號公報 專利文獻8日本特開2006-150841號公報

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供耐熱性和耐光性高、且顯示出適合高速光學(xué)記錄用途的熱分解行為的吲哚鎓化合物以及含有該吲哚鎓化合物而形成的光學(xué)記錄材料。
本發(fā)明人等經(jīng)過反復(fù)研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)具有特定的陽離子結(jié)構(gòu)的吲哚鎓化合物作為光學(xué)記錄材料顯示出良好的熱分解行為，從而完成了本發(fā)明。
本發(fā)明通過提供下述通式(I)表示的吲哚鎓化合物來實現(xiàn)上述目的。

(式中，環(huán)A表示苯環(huán)或萘環(huán)，R1表示下述通式(II)或下述通式(III)表示的基團，R2表示碳原子數(shù)為1～30的有機基團、下述通式(II)或下述通式(III)表示的基團，Y1表示氫原子、碳原子數(shù)為1～10的烷基、碳原子數(shù)為6～20的芳基或碳原子數(shù)為7～20的芳基烷基，Z1表示可以被鹵素基取代或者可以被-O-、-CO-、-OCO-或-COO-中斷的碳原子數(shù)為1～8的烷基、具有碳原子數(shù)為1～8的烴基的磺?；?、具有碳原子數(shù)為1～8的烴基的亞磺酰基、具有碳原子數(shù)為1～8的烷基的烷基氨基、具有碳原子數(shù)為1～8的烷基的二烷基氨基、下述通式(III)表示的基團、氰基、硝基、羥基或鹵素基，Z2表示可以被鹵素基取代或者可以被-O-、-CO-、-OCO-或-COO-中斷的碳原子數(shù)為1～8的烷基、具有碳原子數(shù)為1～8的烴基的磺酰基、具有碳原子數(shù)為1～8的烴基的亞磺?；?、下述通式(III)表示的基團、氰基、硝基、羥基或鹵素基，多個Z2之間可以鍵合形成環(huán)結(jié)構(gòu)，a表示0～6的整數(shù)，b表示0～5的整數(shù)，Anq-表示q價的陰離子，q表示1或2，p表示保持電荷為中性的系數(shù)。)
(式中，G與T之間的鍵為雙鍵、共軛雙鍵或三鍵，G表示碳原子，T表示碳原子、氧原子或氮原子(其中，當(dāng)T為氧原子時，y和z為0，當(dāng)T為氮原子時，y+z為0或1)；w表示0～4的數(shù)，x、y和z表示0或1，R01、R02、R03以及R04分別獨立地表示氫原子、羥基、硝基、氰基、鹵原子、可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷基或可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷氧基，R01和R04可以鍵合形成環(huán)烯環(huán)或雜環(huán)。)
(式中，Ra～Ri分別獨立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1～4的烷基，該烷基中的亞甲基可以被-O-或-CO-取代，Q表示直接鍵合或可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～8的亞烷基，該亞烷基中的亞甲基可以被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N＝CH-或-CH＝CH-取代，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir。) 另外，本發(fā)明還通過提供上述通式(I)表示的吲哚鎓化合物是下述通式(IV)表示的化合物的吲哚鎓化合物來實現(xiàn)上述目的。

(式中，環(huán)A、R2、Y1、Z1、Z2、a、b、Anq-、p和q與上述通式(I)中的定義相同，R3、R4和R5分別獨立地表示鹵原子、羥基、硝基、氰基、可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷基或可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷氧基。) 另外，本發(fā)明還通過提供在基體上形成有光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的所述光學(xué)記錄層的形成中使用的、含有上述吲哚鎓化合物中的至少1種而形成的光學(xué)記錄材料來實現(xiàn)上述目的。
另外，本發(fā)明還通過提供以在基體上具有由上述光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層為特征的光學(xué)記錄介質(zhì)來實現(xiàn)上述目的。

具體實施例方式 以下，結(jié)合優(yōu)選實施方式，對本發(fā)明的吲哚鎓化合物以及含有該吲哚鎓化合物而形成的光學(xué)記錄材料進行詳細說明。
首先，對上述通式(I)和(IV)表示的吲哚鎓化合物進行說明。
上述通式(I)和上述通式(IV)中，在環(huán)A表示的苯環(huán)或萘環(huán)的取代基Z1和Z2表示的、可以被鹵素基取代或者可以被-O-、-CO-、-OCO-或-COO-中斷的碳原子數(shù)為1～8的烷基中，鹵素基的取代位置以及-O-、-CO-、-OCO-或-COO-的中斷位置是任意的，也包括-O-、-CO-、-OCO-或-COO-與環(huán)A直接鍵合的情況。
作為上述碳原子數(shù)為1～8的烷基，例如可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、己基、環(huán)己基、庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、一氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、三氟甲基、五氟乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、叔戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、異庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、異辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基、一氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、2-羥基乙氧基、2-甲基-2-羥基乙氧基、1-甲基-2-羥基乙氧基、3-羥基丙氧基、2-(2-羥基乙氧基)乙氧基、2-甲氧基乙氧基、2-丁氧基乙氧基、2-甲基-2-甲氧基乙氧基、1-甲基-2-甲氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基、乙?；?、丙酮基、丁烷-2-酮-1-基、丁烷-3-酮-1-基、環(huán)己烷-4-酮-1-基、三氯乙?；⑷阴；?、乙酰氧基、乙烷羰氧基、丙烷羰氧基、丁烷羰氧基、三氟乙酰氧基等。另外，作為Z1和Z2表示的磺?；騺喕酋；哂械奶荚訑?shù)為1～8的烴基，例如可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、己基、環(huán)己基、環(huán)己基甲基、2-環(huán)己基乙基、庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基等烷基；乙烯基、1-甲基乙烯-1-基、丙烯-1-基、丙烯-2-基、丙烯-3-基、丁烯-1-基、丁烯-2-基、2-甲基丙烯-3-基、1，1-二甲基乙烯-2-基、1，1-二甲基丙烯-3-基等鏈烯基；苯基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-異丙基苯基、4-異丙基苯基、4-丁基苯基、4-異丁基苯基、4-叔丁基苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3，5-二甲基苯基等芳基；芐基、2-甲基芐基、3-甲基芐基、4-甲基芐基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、苯乙烯基等芳烷基；作為Z1表示的烷基氨基或二烷基酰胺基所具有的碳原子數(shù)為1～8的烷基，可以列舉上述例示的烷基；作為Z1和Z2表示的鹵素基，可以列舉氟、氯、溴、碘等。
上述通式(I)和上述通式(IV)中，作為Z2的取代基之間鍵合形成的環(huán)結(jié)構(gòu)的例子，可以列舉環(huán)戊烷環(huán)、環(huán)己烷環(huán)、環(huán)戊烯環(huán)、苯環(huán)、哌啶環(huán)、嗎啉環(huán)、內(nèi)酯環(huán)、內(nèi)酰胺環(huán)等5～7元環(huán)以及萘環(huán)、蒽環(huán)等稠合環(huán)。
上述通式(I)和上述通式(IV)中，作為R2表示的除上述通式(II)以及(III)表示的基團以外的碳原子數(shù)為1～30的有機基團，沒有特殊限制，例如可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、己基、環(huán)己基、環(huán)己基甲基、2-環(huán)己基乙基、庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、異壬基、癸基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基等烷基；乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五碳烯基、1-苯基丙烯-3-基等鏈烯基；苯基、萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-異丙基苯基、4-異丙基苯基、4-丁基苯基、4-異丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-己基苯基、4-環(huán)己基苯基、4-辛基苯基、4-(2-乙基己基)苯基、4-硬脂基苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3，5-二甲基苯基、2，4-二叔丁基苯基、環(huán)己基苯基等烷基芳基；芐基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等芳烷基以及這些烴基被醚鍵或硫醚鍵中斷而得到的基團、例如2-甲氧基乙基、3-甲氧基丙基、4-甲氧基丁基、2-丁氧基乙基、甲氧基乙氧基乙基、甲氧基乙氧基乙氧基乙基、3-甲氧基丁基、2-苯氧基乙基、2-甲基硫代乙基、2-苯基硫代乙基，這些基團還可以被以下所示的取代基所取代。
作為上述取代基，例如可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、環(huán)丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、環(huán)戊基、己基、2-己基、3-己基、環(huán)己基、雙環(huán)己基、1-甲基環(huán)己基、庚基、2-庚基、3-庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、異壬基、癸基等烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、叔戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、異庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、異辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基等烷氧基；甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、異丁硫基、戊硫基、異戊硫基、叔戊硫基、己硫基、環(huán)己硫基、庚硫基、異庚硫基、叔庚硫基、正辛硫基、異辛硫基、叔辛硫基、2-乙基己硫基等烷硫基；乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、2-丙烯基、1-甲基-3-丙烯基、3-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、異丁烯基、3-戊烯基、4-己烯基、環(huán)己烯基、雙環(huán)己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五碳烯基、二十碳烯基、二十三碳烯基等鏈烯基；芐基、苯乙基、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等芳烷基；苯基、萘基等芳基；苯氧基、萘氧基等芳氧基；苯硫基、萘硫基等芳硫基；吡啶基、嘧啶基、噠嗪基、哌啶基、吡喃基、吡唑基、三嗪基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、咪唑基、苯并咪唑基、三唑基、呋喃基(furyl)、呋喃基(furanyl)、苯并呋喃基、噻嗯基、苯硫基、苯并苯硫基、噻二唑基、噻唑基、苯并噻唑基、噁唑基、苯并噁唑基、異噻唑基、異噁唑基、吲哚基、2-吡咯烷酮-1-基、2-哌啶酮-1-基、2，4-二氧代咪唑烷-3-基、2，4-二氧代噁唑烷-3-基等雜環(huán)基；氟、氯、溴、碘等鹵原子；乙酰基、2-氯乙?；?、丙?；⑿刘；?、丙烯酰基、甲基丙烯?；?、苯基羰基(苯甲酰基)、鄰苯二甲酰基、4-三氟甲基苯甲?；?、特戊酰基、水楊?；⒉蒗；?、硬脂酰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基、氨基甲酰基等?；?；乙酰氧基、苯甲酰氧基等酰氧基；氨基、乙基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、丁基氨基、環(huán)戊基氨基、2-乙基己基氨基、十二烷基氨基、苯胺基、氯苯基氨基、甲苯基氨基、茴香氨基、N-甲基-苯胺基、二苯基氨基、萘基氨基、2-吡啶基氨基、甲氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、乙酰氨基、苯甲酰氨基、甲酰氨基、特戊酰氨基、月桂酰氨基、氨基甲酰氨基、N，N-二甲基氨基羰基氨基、N，N-二乙基氨基羰基氨基、嗎啉基羰基氨基、甲氧基羰基氨基、乙氧基羰基氨基、叔丁氧基羰基氨基、正十八烷氧基羰基氨基、N-甲基-甲氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、氨磺酰氨基、N，N-二甲基氨基磺酰氨基、甲基磺酰氨基、丁基磺酰氨基、苯基磺酰氨基等取代氨基；磺酰胺基、磺?；?、羧基、氰基、磺基、羥基、硝基、巰基、酰亞胺基、氨基甲?；?、磺酰胺基等，這些基團還可以進一步被取代。另外，羧基和磺基可以形成鹽。
作為R2表示的除上述通式(II)以及(III)表示的基團以外的優(yōu)選取代基，例如可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基。
上述通式(I)和上述通式(IV)中，作為Y1表示的碳原子數(shù)為1～10的烷基，例如可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、己基、環(huán)己基、環(huán)己基甲基、環(huán)己基乙基、庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、異壬基、癸基等；作為Y1表示的碳原子數(shù)為6～20的芳基，例如可以列舉苯基、萘基、蒽-1-基、菲-1-基等；作為Y1表示的碳原子數(shù)為7～20的芳烷基，例如可以列舉芐基、苯乙基、2-苯基丙烷、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等。
上述通式(I)和上述通式(IV)中，作為Anq-表示的陰離子，例如作為1價陰離子，可以列舉氯陰離子、溴陰離子、碘陰離子、氟陰離子等鹵素陰離子；高氯酸陰離子、氯酸陰離子、硫氰酸陰離子、六氟磷酸陰離子、六氟化銻陰離子、四氟化硼陰離子等無機類陰離子；苯磺酸陰離子、甲苯磺酸陰離子、三氟甲磺酸陰離子、二苯基胺-4-磺酸陰離子、2-氨基-4-甲基-5-氯代苯磺酸陰離子、2-氨基-5-硝基苯磺酸陰離子、日本特開2004-53799號公報中記載的磺酸陰離子等有機磺酸陰離子；辛基磷酸陰離子、十二烷基磷酸陰離子、十八烷基磷酸陰離子、苯基磷酸陰離子、壬基苯基磷酸陰離子、2，2’-亞甲基雙(4，6-二叔丁基苯基)膦酸陰離子等有機磷酸系陰離子、雙三氟甲基磺酰亞胺陰離子、雙全氟丁烷磺酰亞胺陰離子、全氟-4-乙基環(huán)己烷磺酸鹽陰離子、四(五氟苯基)硼酸陰離子等；作為2價陰離子，例如可以列舉苯二磺酸陰離子、萘二磺酸陰離子等。另外，根據(jù)需要也可以使用具有使處于激發(fā)態(tài)的活性分子去激發(fā)(猝滅)功能的猝滅劑陰離子或在環(huán)戊二烯基環(huán)上具有羧基或膦酸基、磺酸基等陰離子性基團的二茂鐵、二茂釕等茂金屬化合物陰離子等。
作為上述猝滅劑陰離子，例如可以列舉下述通式(A)或(B)或者下述化學(xué)式(C)或(D)表示的陰離子、日本特開昭60-234892號公報、日本特開平5-43814號公報、日本特開平5-305770號公報、日本特開平6-239028號公報、日本特開平9-309886號公報、日本特開平9-323478號公報、日本特開平10-45767號公報、日本特開平11-208118號公報、日本特開2000-168237號公報、日本特開2002-201373號公報、日本特開2002-206061號公報、日本特開2005-297407號公報、日本特公平7-96334號公報、國際公開98/29257號公報等中記載的陰離子。

(式中，M與上述通式(III)相同，R9和R10分別獨立地表示鹵原子、碳原子數(shù)為1～8的烷基、碳原子數(shù)為6～30的芳基或-SO2-J基，J表示烷基、可以被鹵原子取代的芳基、二烷基氨基、二芳基氨基、哌啶基或嗎啉基，c和d分別獨立地表示0～4的數(shù)。另外，R11、R12、R13和R14分別獨立地表示烷基、烷基苯基、烷氧基苯基或鹵代苯基。)
上述通式(II)中，作為R01～R04表示的可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷基，例如可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基等；作為可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷氧基，例如可以列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基等；作為鹵原子，可以列舉氟、氯、溴、碘；作為R01與R04鍵合形成的環(huán)烯環(huán)，例如可以列舉環(huán)丁烯環(huán)、環(huán)戊烯環(huán)、環(huán)己烯環(huán)、環(huán)己二烯環(huán)等；作為R01與R04鍵合形成的雜環(huán)，例如可以列舉二氫吡喃環(huán)、吡咯啉環(huán)、吡唑啉環(huán)、吲哚啉環(huán)、吡咯環(huán)、噻吩環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)、三嗪環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、咪唑環(huán)、噁唑環(huán)、咪唑烷環(huán)、吡唑烷環(huán)、異噁唑烷環(huán)、異噻唑烷環(huán)等；這些環(huán)還可以與其他的環(huán)稠合，也可以被取代。
上述通式(III)中，作為Ra～Ri表示的碳原子數(shù)為1～4的烷基，例如可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基等；作為該烷基中的亞甲基被-O-取代形成的基團，例如可以列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、2-甲氧基乙基等；作為該烷基中的亞甲基被-CO-取代形成的基團，例如可以列舉乙?；?、1-羰基乙基、乙?；谆?、1-羰基丙基、2-氧代丁基、2-乙酰基乙基、1-羰基異丙基等。
上述通式(III)中，作為Q表示的可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～8的亞烷基，例如可以列舉亞甲基、亞乙基、亞丙基、甲基亞乙基、亞丁基、1-甲基亞丙基、2-甲基亞丙基、1，2-二甲基亞丙基、1，3-二甲基亞丙基、1-甲基亞丁基、2-甲基亞丁基、3-甲基亞丁基、4-甲基亞丁基、2，4-二甲基亞丁基、1，3-二甲基亞丁基、亞戊基、亞己基、亞庚基、亞辛基、乙烷-1，1-二基、丙烷-2，2-二基等；作為該亞烷基中的亞甲基被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N＝CH-或-CH＝CH-取代形成的基團，例如可以列舉亞甲基氧基、亞乙基氧基、氧基亞甲基、硫代亞甲基、羰基亞甲基、羰基氧基亞甲基、亞甲基羰基氧基、磺酰基亞甲基、氨基亞甲基、乙?；被?、亞乙基羧酰胺基、乙烷酰亞胺基、亞乙烯基、亞丙烯基等。
另外，M表示的金屬原子為Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir。
作為本發(fā)明的吲哚鎓化合物，因制造成本低、摩爾吸光系數(shù)大而優(yōu)選上述通式(IV)表示的化合物。
作為上述通式(I)表示的吲哚鎓化合物的優(yōu)選的具體例子，可以列舉下述化合物No.1～No.37。另外，以下的例示中，用省略了陰離子的吲哚鎓陽離子來表示。在本發(fā)明的吲哚鎓化合物中，聚甲炔鏈也可以為共振結(jié)構(gòu)。



在本發(fā)明的上述通式(I)表示的吲哚鎓化合物中，有時存在以R1和R2表示的基團所鍵合的不對稱原子為手性中心的對映異構(gòu)體、非對映異構(gòu)體或外消旋體等光學(xué)異構(gòu)體，可以將這些化合物中的任何光學(xué)異構(gòu)體單獨分離使用，也可以以它們的混合物的形式使用。
上述通式(I)表示的吲哚鎓化合物不受其制造方法限制。例如，可以通過使2-甲基吲哚衍生物與芳香族醛衍生物進行縮合反應(yīng)后進行鹽交換反應(yīng)來合成。
另外，上述通式(II)表示的具有不飽和鍵的基團可以在得到中間體2-甲基吲哚衍生物的過程中引入。作為該方法，例如可以列舉如下方法以芳基肼衍生物為起始物質(zhì)，在利用具有上述通式(II)表示的不飽和鍵基團的2-丁酮衍生物形成吲哚環(huán)時引入的方法；使鹵化衍生物在吲哚環(huán)上反應(yīng)而引入的方法。Y可以通過與吲哚環(huán)的NH反應(yīng)的Y-D(D是氯、溴、碘等鹵素基；苯基磺酰氧基、4-甲基苯基磺酰氧基、4-氯苯基磺酰氧基等磺酰氧基)來引入。另外，具有上述通式(II)表示的不飽和鍵基團的2-丁酮衍生物可以通過使丙酮與具有相應(yīng)不飽和鍵基團的醛反應(yīng)來得到。
本發(fā)明的上述吲哚鎓化合物除了作為光學(xué)記錄材料使用外，還可以應(yīng)用于濾光器中含有的光吸收劑等光學(xué)元件、藥品、農(nóng)藥、香料、染料等的合成中間體、或者各種功能性材料等各種聚合物原料。但是，本發(fā)明不受這些用途的任何限制。
接著，對本發(fā)明的光學(xué)記錄材料和光學(xué)記錄介質(zhì)進行說明。
本發(fā)明的光學(xué)記錄材料含有至少1種上述吲哚鎓化合物。另外，本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)通過在基體上形成由該光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層而得到。
對本發(fā)明的光學(xué)記錄材料的制備、以及本發(fā)明的以在基體上形成有由所述光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層為特征的光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法沒有特殊限制。通常采用下述的濕式涂布法在有機溶劑中，溶解本發(fā)明的吲哚鎓化合物以及根據(jù)需要溶解的后述各種化合物，制作溶液狀的光學(xué)記錄材料，通過旋涂、噴霧、浸漬等將該光學(xué)記錄材料涂布在基體上，所述有機溶劑是例如甲醇、乙醇等低級醇類；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、丁基二乙二醇等醚醇類；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮、二丙酮醇等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧基乙酯等酯類；丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯類；2，2，3，3-四氟丙醇等氟代醇類；苯、甲苯、二甲苯等烴類；二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿等氯代烴類等。還可以采用蒸鍍法、濺射法等。使用上述有機溶劑時，其用量優(yōu)選為使本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中的上述吲哚鎓化合物的含量為0.1～10質(zhì)量％的量。
上述光學(xué)記錄層以薄膜的形式形成，其厚度通常以0.001～10μm為宜，優(yōu)選為0.01～5μm的范圍。
另外，在本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中，本發(fā)明的吲哚鎓化合物的含量優(yōu)選為本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中含有的固體成分中的10～100質(zhì)量％。上述光學(xué)記錄層優(yōu)選按照光學(xué)記錄層中含有50～100質(zhì)量％的上述吲哚鎓化合物的方式形成，為了形成這種吲哚鎓化合物含量的光學(xué)記錄層，本發(fā)明的光學(xué)記錄材料更優(yōu)選按本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中含有的固體成分基準(zhǔn)計含有50～100質(zhì)量％的上述吲哚鎓化合物。
本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中含有的上述固體成分是從該光學(xué)記錄材料中除去了有機溶劑等除固體成分以外的成分后的成分，該固體成分的含量優(yōu)選為上述光學(xué)記錄材料中的0.01～100質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.1～10質(zhì)量％。
本發(fā)明的光學(xué)記錄材料除本發(fā)明的吲哚鎓化合物以外，根據(jù)需要還可以含有偶氮系化合物、酞菁系化合物、氧雜菁(oxonol)系化合物、方酸內(nèi)鎓鹽(squarylium)系化合物、吲哚化合物、苯乙烯系化合物、卟吩系化合物、甘菊環(huán)型鎓(azulenium)系化合物、克酮酸亞甲酯(croconic methine)系化合物、吡喃鎓(pyrylium)系化合物、噻喃鎓(thiopyrylium)系化合物、三芳基甲烷系化合物、二苯基甲烷系化合物、四氫膽堿系化合物、靛酚系化合物、蒽醌系化合物、萘醌系化合物、呫噸系化合物、噻嗪系化合物、吖啶系化合物、噁嗪系化合物、螺吡喃系化合物、芴系化合物、若丹明系化合物等在光學(xué)記錄層中常用的化合物；聚乙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯等樹脂類；表面活性劑；防靜電劑；潤滑劑；阻燃劑；受阻胺等自由基捕獲劑；二茂鐵衍生物等凹坑形成促進劑；分散劑；抗氧劑；交聯(lián)劑；耐光性賦予劑等。此外，本發(fā)明的光學(xué)記錄材料還可以含有作為單態(tài)氧等的猝滅劑的芳香族亞硝基化合物、銨鎓化合物、亞胺鎓化合物、二亞胺鎓化合物、過渡金屬螯合物等。本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中，上述各化合物以在本發(fā)明的光學(xué)記錄材料所含有的固體成分中為0～50質(zhì)量％范圍的量使用。
本發(fā)明的光學(xué)記錄材料可以含有二亞銨鎓(diimmonium)化合物。通過含有該二亞銨鎓化合物，可以更有效地防止本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的吸光度殘留率隨著時間推移而下降。另外，關(guān)于含有該二亞銨鎓化合物時的含量，優(yōu)選為本發(fā)明的光學(xué)記錄材料所含有的固體成分中的0～99質(zhì)量％范圍的量，更優(yōu)選為50～95質(zhì)量％。
關(guān)于設(shè)置這種光學(xué)記錄層的上述基體的材料，只要是對寫入(記錄)光和讀出(再生)光實質(zhì)上是透明的材料，則沒有特殊限制，例如可以使用聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯等樹脂、玻璃等。另外，其形狀根據(jù)用途可以采用條狀、筒狀、帶狀、盤狀等任意的形狀。
另外，在上述光學(xué)記錄層上，可以使用金、銀、鋁、銅等通過蒸鍍法或濺射法來形成反射膜，也可以用丙烯酸樹脂、紫外線固化性樹脂等來形成保護層。
本發(fā)明的光學(xué)記錄材料適用于使用半導(dǎo)體激光進行記錄、再生的光學(xué)記錄介質(zhì)，特別適用于高速記錄型的CD-R、DVD±R、HD-DVD-R、BD-R等公知的單層式、雙層式、多層式光盤。
實施例 以下，舉出實施例、比較例和評價例對本發(fā)明進行更詳細地說明。但是，本發(fā)明并不受以下實施例等的任何限制。
下述制造例1和2表示上述通式(I)所示的化合物No.1的溴化物鹽以及猝滅劑(C)鹽的制造例。
另外，下述實施例1和2表示含有制造例1和2中得到的化合物No.1的光學(xué)記錄材料的制備以及使用該光學(xué)記錄材料的光學(xué)記錄介質(zhì)No.1和No.2的制造例。
下述比較例1表示使用了與上述通式(I)表示的吲哚鎓化合物具有不同結(jié)構(gòu)的吲哚鎓化合物的比較光學(xué)記錄材料的制備以及使用了該比較光學(xué)記錄材料的比較光學(xué)記錄介質(zhì)No.1的制造例。
在下述評價例1以及比較評價例1中，通過測定UV吸收光譜的最大吸收波長(λmax)下的吸光度殘留率來評價實施例1中得到的光學(xué)記錄介質(zhì)No.1以及比較例1中得到的比較光學(xué)記錄介質(zhì)No.1的耐熱性。它們的結(jié)果如[表5]所示。
[制造例1和2]化合物No.1的溴化物以及猝滅劑(C)鹽的制造 使用以下所示的合成方法合成化合物No.1和No.2。得到的化合物通過IR和1H-NMR分析來進行鑒定。[表1]表示得到的化合物的收率以及特性值[溶液狀態(tài)下的光吸收特性(λmax和λmax下的ε)、分解點]的測定結(jié)果，[表2]和[表3]表示鑒定數(shù)據(jù)。需要說明的是，[表1]中，分解點是指在10℃/分鐘的升溫速度下差熱分析的質(zhì)量開始減少的溫度。
[制造例1]化合物No.1的溴化物的制造 加入假吲哚季鹽(溴鹽)24mmol、苯甲醛30mmol以及氯仿38g，在80℃下攪拌7小時。餾去溶劑，將得到的殘留物用氯仿20ml進行重結(jié)晶，得到目標(biāo)物化合物No.1的溴化物。
[制造例2]化合物No.1的猝滅劑(C)鹽的制造 加入化合物No.1的Br鹽0.69mmol、上述化學(xué)式(C)表示的陰離子的三乙基胺鹽0.69mmol以及吡啶3.6g，在60℃下攪拌2小時，加入甲醇8g，冷卻至室溫。將析出的固體過濾后，減壓干燥，得到目標(biāo)物化合物No.1的猝滅劑陰離子(C)鹽。
[表1] [表2] [表3] [實施例1和2] 將上述制造例1和2中得到的化合物溶解于2，2，3，3-四氟丙醇中并使吲哚鎓化合物濃度為1.0質(zhì)量％，以2，2，3，3-四氟丙醇溶液的形式得到光學(xué)記錄材料。在通過涂布鈦螯合物(T-50日本曹達公司制)并水解而形成了底涂層(0.01μm)的直徑為12cm的聚碳酸酯圓盤基板上，用旋涂法涂布上述光學(xué)記錄材料，形成厚100nm的光學(xué)記錄層，得到光學(xué)記錄介質(zhì)No.1和No.2。測定得到的光學(xué)記錄介質(zhì)的UV光譜吸收以及薄膜(光學(xué)記錄層)的入射角5°的反射光的UV光譜。結(jié)果如[表4]所示。
[表4] r405∶405nm下的摩爾吸光系數(shù)與λmax下的摩爾吸光系數(shù)之比 [比較例1] 除了用下述比較化合物No.1代替本發(fā)明的吲哚鎓化合物以外，與上述實施例1～5同樣操作，制作光學(xué)記錄材料，使用該光學(xué)記錄材料得到光學(xué)記錄介質(zhì)No.1。
比較化合物No.1
[評價例1-1以及比較評價例1-1] 對實施例1中得到的光學(xué)記錄介質(zhì)No.1以及比較例1中得到的比較光學(xué)記錄介質(zhì)No.1進行耐熱性評價。評價如下來進行將該光學(xué)記錄介質(zhì)置于設(shè)定為80℃的熱風(fēng)循環(huán)式恒溫干燥機內(nèi)120小時，測定從加熱前的UV吸收光譜的λmax的吸光度殘留率。評價結(jié)果如以下的[表5]所示。
[表5] 由[表5]可知，具有利用本發(fā)明的光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)即使在80℃下加熱120小時后，殘留率也很高。另一方面可見，具有利用含有比較化合物的比較光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層的比較光學(xué)記錄介質(zhì)的殘留率顯著下降，耐熱性不好。
根據(jù)本發(fā)明，能提供適用于形成光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層的吲哚鎓化合物以及含有該吲哚鎓化合物而形成的光學(xué)記錄材料。本發(fā)明的特定的吲哚鎓化合物由于分解點低，因此蓄熱性低，能夠抑制熱干擾，且耐光性高，適用于光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層的形成。
權(quán)利要求
1.下述通式(I)表示的吲哚鎓化合物，
通式(I)中，環(huán)A表示苯環(huán)或萘環(huán)，R1表示下述通式(II)或下述通式(III)表示的基團，R2表示碳原子數(shù)為1～30的有機基團、下述通式(II)或下述通式(III)表示的基團，Y1表示氫原子、碳原子數(shù)為1～10的烷基、碳原子數(shù)為6～20的芳基或碳原子數(shù)為7～20的芳基烷基，Z1表示可以被鹵素基取代或者可以被-O-、-CO-、-OCO-或-COO-中斷的碳原子數(shù)為1～8的烷基、具有碳原子數(shù)為1～8的烴基的磺?；?、具有碳原子數(shù)為1～8的烴基的亞磺?；?、具有碳原子數(shù)為1～8的烷基的烷基氨基、具有碳原子數(shù)為1～8的烷基的二烷基氨基、下述通式(III)表示的基團、氰基、硝基、羥基或鹵素基，Z2表示可以被鹵素基取代或者可以被-O-、-CO-、-OCO-或-COO-中斷的碳原子數(shù)為1～8的烷基、具有碳原子數(shù)為1～8的烴基的磺?；⒕哂刑荚訑?shù)為1～8的烴基的亞磺?；?、下述通式(III)表示的基團、氰基、硝基、羥基或鹵素基，多個Z2之間可以鍵合形成環(huán)結(jié)構(gòu)，a表示0～6的整數(shù)，b表示0～5的整數(shù)，Anq-表示q價的陰離子，q表示1或2，p表示保持電荷為中性的系數(shù)，
通式(II)中，G與T之間的鍵為雙鍵、共軛雙鍵或三鍵，G表示碳原子，T表示碳原子、氧原子或氮原子，其中，當(dāng)T為氧原子時，y和z為0，當(dāng)T為氮原子時，y+z為0或1；w表示0～4的數(shù)，x、y和z表示0或1，R01、R02、R03以及R04分別獨立地表示氫原子、羥基、硝基、氰基、鹵原子、可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷基或可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷氧基，R01和R04可以鍵合形成環(huán)烯環(huán)或雜環(huán)，
通式(III)中，Ra～Ri分別獨立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1～4的烷基，該烷基中的亞甲基可以被-O-或-CO-取代，Q表示直接鍵合或可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～8的亞烷基，該亞烷基中的亞甲基可以被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N＝CH-或-CH＝CH-取代，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吲哚鎓化合物，其中，所述通式(I)表示的吲哚鎓化合物是下述通式(IV)表示的化合物，
通式(IV)中，環(huán)A、R2、Y1、Z1、Z2、a、b、Anq-、p和q與所述通式(I)中的定義相同，R3、R4和R5分別獨立地表示鹵原子、羥基、硝基、氰基、可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷基或可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷氧基。
3.一種光學(xué)記錄材料，其被用于在基體上形成有光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的該光學(xué)記錄層的形成中，且含有權(quán)利要求1或2所述的吲哚鎓化合物中的至少1種。
4.一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于，其在基體上具有由權(quán)利要求3所述的光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層。
全文摘要
本發(fā)明提供下述通式(I)表示的新型吲哚鎓化合物以及使用了該吲哚鎓化合物的光學(xué)記錄材料。通式(I)中，環(huán)A表示苯環(huán)等，R1表示通式(II)表示的基團等，R2表示碳原子數(shù)為1～30的有機基團等，Y1表示碳原子數(shù)為1～10的烷基等，Z1表示可以被鹵素基取代、或者可以被-O-等中斷的碳原子數(shù)為1～8的烷基等，Z2表示可以被鹵素基取代、或者可以被-O-等中斷的碳原子數(shù)為1～8的烷基等，a表示0～6的整數(shù)，b表示0～5的整數(shù)，Anq-表示q價的陰離子，q表示1或2，p表示保持電荷為中性的系數(shù)。
文檔編號C07D209/08GK101778906SQ200880102660
公開日2010年7月14日 申請日期2008年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月15日
發(fā)明者矢野亨, 青山洋平 申請人:株式會社艾迪科