專利名稱：異氰脲酸三烯丙酯及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明 涉及異氰脲酸三烯丙酯及其制造方法。以下，將異氰脲酸三烯丙酯(三烯丙基異氰脲酸酯)記作“TAIC”。
背景技術(shù)：
作為TAIC的制造方法，有下述方法，即，使丙烯基氯和氰酸鈉反應(yīng)而得到異氰酸烯丙酯，再將其三聚化的氰酸鈉法(專利文獻(xiàn)1)；在堿催化劑的存在下，使丙烯基氯和異氰脲酸(氰脲酸的互變異構(gòu)體)反應(yīng)的異氰脲酸法(專利文獻(xiàn)2)。TAIC作為耐熱性和耐藥品性優(yōu)異的交聯(lián)劑是有用的，期待使用于電子材料、液晶、 半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池等寬領(lǐng)域中。例如，提出在印刷配線基板，即，在表面固定集成電路、 電阻器、電容器等多個(gè)電子零件，以配線連接其零件之間而構(gòu)成電子回路的板狀或膜狀的零件中，作為用于阻止液體和氣體等物質(zhì)進(jìn)入零件內(nèi)部的密封材料而使用TAIC(專利文獻(xiàn) 3)。在該方案中，因?yàn)門AIC在常溫下是粘性液體(熔點(diǎn)26°C)，所以作為液態(tài)密封材料被使用。另外，為了提高其潤(rùn)濕性而添加硅烷偶聯(lián)劑。另外，TAIC也可以作為交聯(lián)性高分子的交聯(lián)劑使用(專利文獻(xiàn)4)。但是，關(guān)于由上述各制造方法得到的TAIC的雜質(zhì)似乎還沒(méi)有報(bào)告，但必須盡可能除去作為金屬腐蝕原因的雜質(zhì)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利特公昭58-35515號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 美國(guó)專利第3965231號(hào)說(shuō)明書(shū)專利文獻(xiàn)3 日本專利特開(kāi)2007-115840號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本專利特開(kāi)2006-036876號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題本發(fā)明就是鑒于上述實(shí)際情況而做出的發(fā)明，其目的在于，從TAIC的雜質(zhì)中確定腐蝕原因物質(zhì)，并提供該原因物質(zhì)含量少的TAIC。用于解決課題的方法本發(fā)明的發(fā)明人為了達(dá)到上述目的而進(jìn)行了深入研究，結(jié)果獲得如下見(jiàn)解。(1)在以氰酸鈉法和異氰脲酸法得到的TAIC中，作為雜質(zhì)之一，含有化學(xué)式(I ) 所示的有機(jī)氯化合物，該有機(jī)氯化合物在水中慢慢水解而產(chǎn)生氯離子，因此成為腐蝕的原因。
權(quán)利要求
1. 一種異氰脲酸三烯丙酯，其特征在于含有以下化學(xué)式(I )所示的有機(jī)氯化合物，且其含量為500ppm以下，
2.一種異氰脲酸三烯丙酯的制造方法，其特征在于使丙烯基氯與氰酸鈉反應(yīng)而得到異氰酸烯丙酯，再將其三聚化而得到異氰脲酸三烯丙酯，在該制造方法中，作為原料，使用1，3_ 二氯丙烯含量為200ppm以下的烯丙基氯，其中， 該1，3-二氯丙烯含量是作為順式型或反式型或者順式型和反式型的任意比例的混合物的含量。
3.一種異氰脲酸三烯丙酯的制造方法，其特征在于在堿催化劑的存在下，使丙烯基氯與異氰脲酸反應(yīng)而得到異氰脲酸三烯丙酯，在該制造方法中，作為原料，使用1，3- 二氯丙烯含量為200ppm以下的烯丙基氯，其中，該1，3- 二氯丙烯含量是作為順式型或反式型或者順式型和反式型的任意比例的混合物的含量。
全文摘要
本發(fā)明從異氰脲酸三烯丙酯的雜質(zhì)中確定腐蝕原因物質(zhì)，提供該原因物質(zhì)含量少的異氰脲酸三烯丙酯。一種異氰脲酸三烯丙酯，其含有以下化學(xué)式(Ⅰ)所示的有機(jī)氯化合物，且其含量為500ppm以下，化學(xué)式(Ⅰ)的波狀線的鍵表示順式型或反式型或者順式型和反式型的任意比例的混合物。
文檔編號(hào)C07D251/34GK102448944SQ201080022780
公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月25日
發(fā)明者山浦真生子 申請(qǐng)人:日本化成株式會(huì)社