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      一種含硼雜環(huán)有機(jī)晶體管材料及其制備方法

      文檔序號(hào):3484245閱讀:311來源:國(guó)知局
      一種含硼雜環(huán)有機(jī)晶體管材料及其制備方法
      【專利摘要】本發(fā)明屬于有機(jī)電子學(xué)領(lǐng)域,具體涉及含硼雜環(huán)有機(jī)晶體管材料及其制備方法。本發(fā)明提出的有機(jī)晶體管材料在結(jié)構(gòu)上含萘基、苯基及六元硼雜環(huán),其優(yōu)點(diǎn)如下:(1)是一種本征型半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)摻雜型有機(jī)半導(dǎo)體復(fù)合材料穩(wěn)定。(2)由于B元素存在于有機(jī)半導(dǎo)體分子結(jié)構(gòu)中,載流子在共軛芳香基、B元素及半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)中傳遞更迅速,即具有更高的載流子傳輸速度。該材料由6,13-二溴-6,13-二氫二萘并[2,3-b:2',3'-e][1,4]二硼雜環(huán)、叔丁基鋰以及取代碘苯為起始原料,通過一步法制備獲得,生產(chǎn)成本低。
      【專利說明】一種含硼雜環(huán)有機(jī)晶體管材料及其制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明屬于有機(jī)電子材料【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及含硼雜環(huán)有機(jī)晶體管材料及其制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]雖然早在20世紀(jì)40年代后期就已經(jīng)開始對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體進(jìn)行研究,但是直到最近10多年,具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料才真正得到研究者的廣泛關(guān)注。有機(jī)半導(dǎo)體作為晶體管的活性層早已受到研究者的青睞,有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究日益普及。事實(shí)上,電子學(xué)在經(jīng)歷了真空電子學(xué)和固體電子學(xué)兩個(gè)時(shí)期以后,當(dāng)前正處于以超大規(guī)模集成電路為特征的微電子學(xué)時(shí)期。美國(guó)工業(yè)界估計(jì)在今后15至20年內(nèi),線寬將減小至IOnm左右。線寬的減小將帶來單個(gè)器件尺寸的進(jìn)一步縮小和芯片集成度的進(jìn)一步提高。但是當(dāng)器件尺寸縮小到數(shù)十納米以后,傳統(tǒng)晶體管器件將面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。首先在數(shù)十納米量級(jí)PN結(jié)無法形成,二極管、三極管也就無法正常工作。同時(shí),當(dāng)源、漏極間溝道長(zhǎng)度減小到數(shù)十納米以后,場(chǎng)強(qiáng)迅速增加,電子在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下將使器件雪崩擊穿或進(jìn)入柵極與溝道間的絕緣層中存儲(chǔ)起來,屏蔽柵極,因此場(chǎng)效應(yīng)晶體管也將無法正常工作。其次,隨著器件密度的提高,單位面積的發(fā)熱將變得異常巨大。再者,量子效應(yīng)將隨著器件尺寸的減小而越來越顯著。面臨的這些困難與挑戰(zhàn),是傳統(tǒng)無機(jī)半導(dǎo)體工藝所難以解決的。然而,有機(jī)半導(dǎo)體有望在一個(gè)有機(jī)分子的區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)電子運(yùn)動(dòng)的控制,從而極大地提高電路的集成度與計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。
      [0003]P型半導(dǎo)體即空穴濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中摻入III族元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中摻入V族元素(如磷、砷、銻等),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了 η型半導(dǎo)體。具有平面大η共軛結(jié)構(gòu)的化合物,如蒽、并四苯、并五苯等制備的單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較大的載流子遷移率,將III族元素(如硼)引入平面大π共軛結(jié)構(gòu),則可制備本征型半導(dǎo)體(P型)。`
      [0004]本發(fā)明將B元素與2個(gè)萘環(huán)形成類似于并五苯的共軛結(jié)構(gòu),是一種新型半導(dǎo)體材料,其優(yōu)點(diǎn)如下:(1)是一種本征型半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)摻雜型有機(jī)半導(dǎo)體復(fù)合材料穩(wěn)定。
      (2)由于B元素存在于有機(jī)半導(dǎo)體分子結(jié)構(gòu)中,載流子在共軛芳香基、B元素及半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)中傳遞更迅速,即具有更高的載流子傳輸速度。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明的目的在于提出一類含硼雜環(huán)有機(jī)晶體管材料及其制備方法。
      [0006]本發(fā)明提出的含硼雜環(huán)有機(jī)晶體管材料,在結(jié)構(gòu)上含萘基、苯基及六元硼雜環(huán),其結(jié)構(gòu)式如下所示:
      [0007]
      【權(quán)利要求】
      1.一種含硼雜環(huán)有機(jī)晶體管材料,其特征在于該材料在結(jié)構(gòu)上含萘基、苯基及六元硼雜環(huán),其結(jié)構(gòu)式如下所示:
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)晶體管材料,其特征在于R為氫原子,材料的分子式為C32H22B2,化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)晶體管材料,其特征在于R為甲基,材料的分子式為C34H26B2,化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)晶體管材料,其特征在于R為乙基,材料的分子式為C36H3ciB2,化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)晶體管材料,其特征在于R為異丙基,材料的分子式為C38H34B2,化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)晶體管材料,其特征在于R為叔丁基,材料的分子式為C4tlH38B2,化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:`
      7.—種如權(quán)利要求1-6所述的有機(jī)晶體管材料的制備方法,其特征在于該材料由6,13-二溴-6,13-二氫二萘并[2,3-b:2’,3’ -e] [1,4] 二硼雜環(huán)、叔丁基鋰以及取代碘苯為起始原料,通過一步法制備獲得,反應(yīng)方程式如下:



      【文檔編號(hào)】C07F5/02GK103450237SQ201310392349
      【公開日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2013年9月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月3日
      【發(fā)明者】藍(lán)碧健 申請(qǐng)人:太倉(cāng)碧奇新材料研發(fā)有限公司
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