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      螺芴衍生物,發(fā)光元件用材料,發(fā)光元件,發(fā)光設(shè)備和電子設(shè)備的制作方法

      文檔序號:3485816閱讀:221來源:國知局
      螺芴衍生物,發(fā)光元件用材料,發(fā)光元件,發(fā)光設(shè)備和電子設(shè)備的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供具有高Tg和寬能隙的材料。本發(fā)明提供由通式1表示的螺芴衍生物。(在該通式中,R1是氫、含1-4個碳原子的烷基或由通式2表示的基團(tuán)中的任一種。R2和R3中的每一個是氫或含1-4個碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15個碳原子的芳基。R5和R6中的每一個是氫、含1-4個碳原子的烷基或含6-15個碳原子的芳基中的任一種并且可以是相同或不同的。)
      【專利說明】螺芴衍生物,發(fā)光元件用材料,發(fā)光元件,發(fā)光設(shè)備和電
      子設(shè)備
      [0001]本申請為申請?zhí)枮?00680035328.0、申請日為2006年9月22日、發(fā)明名稱為“螺芴衍生物,發(fā)光元件用材料,發(fā)光元件,發(fā)光設(shè)備和電子設(shè)備”的專利申請的分案申請。
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0002]本發(fā)明涉及新型材料。具體來說,本發(fā)明涉及理想用于發(fā)光元件的材料,在該發(fā)光元件中,有機(jī)化合物用于至少一個部件。此外,本發(fā)明涉及包括所述材料的發(fā)光元件,發(fā)光設(shè)備和電子設(shè)備。
      【背景技術(shù)】
      [0003]已經(jīng)開發(fā)了使用發(fā)光元件的發(fā)光設(shè)備,該發(fā)光元件包括在一對電極之間的含有機(jī)材料的層并且當(dāng)電流在該電極之間流動時發(fā)光。與現(xiàn)在稱作薄顯示設(shè)備的其它顯示設(shè)備相t匕,此種發(fā)光設(shè)備的優(yōu)點是薄且輕。此種設(shè)備還具有高的可見度,原因在于它是自發(fā)光元件,并且具有快的響應(yīng)速度。因此,已經(jīng)積極地開發(fā)這種發(fā)光設(shè)備作為下一代顯示設(shè)備,并且已經(jīng)部分地投入實際使用。
      [0004]在電極之間提供的含有機(jī)化合物的層可以具有包括一個發(fā)光層的單層結(jié)構(gòu)或包括彼此具有不同功能的層的層狀結(jié)構(gòu),然而,通常使用后一種(功能獨立型層狀結(jié)構(gòu))。作為功能獨立型層狀結(jié)構(gòu)的一個實例,其中空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層順序地堆疊在充當(dāng)陽極的電極上的結(jié)構(gòu)是典型的,并且每個層是使用對每種功能特異的材料形成的。應(yīng)指出,可以使用具有這些作用中兩種或更多種的層,如既發(fā)揮發(fā)光層作用又發(fā)揮電子傳輸層作用的層或具有另一種作用的層如載流子阻擋層。
      [0005]用于這些功能層的材料要求是對每個層發(fā)揮的作用特異性的材料并且要求具有高的耐熱性,原因在于該材料的耐熱性本身極大地影響發(fā)光元件的耐熱性。當(dāng)形成層狀結(jié)構(gòu)時,還要求該材料是不會不利地影響另一個層的材料,并且已經(jīng)進(jìn)行研究以找到更好的材料。例如,因為常用作空穴注入材料或空穴傳輸材料的4,4’ -雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫:TPD)具有67°C的低玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)并具有低的耐熱性,已經(jīng)提出了通過用萘基取代TPD中的甲基苯基以使Tg提高到96°C而形成的4,4’-雙[N- (1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫NPB)并且廣泛地得到使用(例如,參考文獻(xiàn)l.S.A.VanSlyke, C.H.Chen, and C.ff.Tang, “具有改進(jìn)的穩(wěn)定性的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備”,Appl.Phys.Lett.69 (15),1996 年 10 月 7 日)。
      [0006]然而,雖然NPB具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg),但是其能隙較低。因此,TH)發(fā)射紫區(qū)域的光,而NPB發(fā)射藍(lán)區(qū)域的光。換言之,NPB可以說成是通過犧牲其能隙而獲得比TPD好的Tg的材料。NPB和TH)通常用于空穴傳輸層,并且在很多情況下,與發(fā)光層相鄰地提供。在此情況下,如果鄰近提供的空穴傳輸層的能隙較小,則存在激發(fā)能將從發(fā)光材料或在該發(fā)光層中激發(fā)的主體材料轉(zhuǎn)移至空穴傳輸層的風(fēng)險。當(dāng)激發(fā)能從發(fā)光層轉(zhuǎn)移到相鄰層時,發(fā)光元件的發(fā)光效率發(fā)生惡化,或色純度降低。發(fā)光元件的發(fā)光效率的降低,和色純度的減少在使用該發(fā)光元件的發(fā)光設(shè)備或電子設(shè)備中分別引起功耗的提高和顯示質(zhì)量的下降。因此,與發(fā)光層接觸的層令人希望地具有盡可能大的能隙。
      [0007]發(fā)明公開
      [0008]考慮到上述情況,本發(fā)明的目的是提供具有足夠的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)和足夠的帶隙的新型材料。本發(fā)明的另一個目的是提供發(fā)光元件用材料,該材料具有足夠的耐熱性和足夠的帶隙。
      [0009]形成空穴傳輸層的材料希望具有盡可能高的能隙,該空穴傳輸層如上所述通常與發(fā)光層相鄰地形成。然而,已經(jīng)對具有有利的空穴傳輸性能、高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg),此外還有大的能隙的材料報道的不多。
      [0010]因此,本發(fā)明的一個目的是提供具有足夠的空穴傳輸性能、足夠大的能隙和高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的作為形成空穴傳輸層的材料的新型材料。 [0011]此外,本發(fā)明的另一個目的是提供發(fā)光元件用材料,該材料具有作為形成空穴傳輸層的材料的足夠的空穴傳輸性能、足夠大的能隙和高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。
      [0012]本發(fā)明的另一個目的是提供具有高耐熱性的發(fā)光元件。本發(fā)明的又一個目的是提供具有高的發(fā)光效率的發(fā)光元件。
      [0013]本發(fā)明的另一個目的是提供具有高的耐熱性的發(fā)光設(shè)備。本發(fā)明的又一個目的是提供具有小功耗的發(fā)光設(shè)備。
      [0014]本發(fā)明的目的是提供具有高的耐熱性的電子設(shè)備。本發(fā)明的又一個目的是提供具有小功耗的電子設(shè)備。本發(fā)明的又一個目的是提供具有高顯示質(zhì)量的電子設(shè)備。
      [0015]本發(fā)明的一個特征是由通式I表示的螺芴衍生物。(在該通式中,R1是氫、含1-4個碳原子的烷基或由通式2表示的基團(tuán)中的任一種。R2和R3中的每一個是氫或含1-4個碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15個碳原子的芳基。R5和R6中的每一個是氫、含1-4個碳原子的烷基或含6-15個碳原子的芳基中的任一種并且可以是相同或不同的。)
      [0016]
      【權(quán)利要求】
      1.由通式5表示的螺芴衍生物, 其中R13是氫、含1-4個碳原子的烷基和由通式6表示的基團(tuán)中的任一種; 其中R14和R15中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的; 其中R16是含6-15個碳原子的芳基; 其中R17是氫、含1-4個碳原子的烷基和含6-15個碳原子的芳基中的任一種;和 其中R18是含含6-15個碳原子的芳基

      2.根據(jù)權(quán)利要求1的螺芴衍生物,其由通式11表示, 其中R31是氫、含1-4個碳原子的烷基和由通式12表示的基團(tuán)中的任一種; 其中R32和R33中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的; 其中R34是氫、含1-4個碳原子的烷基和含6-15個碳原子的芳基中的任一種; 其中R35是氫、含1-4個碳原子的烷基和含6-15個碳原子的芳基中的任一種;和 其中R36是氫、含1-4個碳原子的烷基和含6-15個碳原子的芳基中的任一種
      3.根據(jù)權(quán)利要求2的螺芴衍生物,其由通式17表示, 其中R43是氫、含1-4個碳原子的烷基和由通式18表示的基團(tuán)中的任一種;和 其中R44和R45中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的
      4.根據(jù)權(quán)利要求3的螺芴衍生物,其由通式21表示, 其中R5tl和R51中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的

      5.根據(jù)權(quán)利要求3的螺芴衍生物,其由通式24表示, 其中R56和R57中的每一個是氫或含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的
      6.由結(jié)構(gòu)式35表示的螺芴衍生物
      7.由結(jié)構(gòu)式30表示的螺芴衍生物
      8.包含根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項的螺芴衍生物的發(fā)光元件用材料。
      9.包含根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項的螺芴衍生物的發(fā)光元件。
      10.根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光兀件,其中該螺荷衍生物包含在該發(fā)光兀件的空穴傳輸層中。
      11.根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光元件,其中該螺芴衍生物包含在該發(fā)光元件的空穴注入層中。
      12.根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光元件,其中該螺芴衍生物包含在該發(fā)光元件的發(fā)光層中作為主體材料。
      13.發(fā)光設(shè)備,包括: 根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光元件;和 控制該發(fā)光元件發(fā)射光的控制電路。
      14.電子設(shè)備,包括: 使用根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光元件的顯示部分;和 控制該發(fā)光元件發(fā)射光的控制電路。
      【文檔編號】C07D209/88GK103641770SQ201310493078
      【公開日】2014年3月19日 申請日期:2006年9月22日 優(yōu)先權(quán)日:2005年9月30日
      【發(fā)明者】川上祥子, 中島晴惠 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所
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