專利名稱：發(fā)磷光性組合物及使用該組合物的發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)磷光性組合物及使用該組合物的發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
作為發(fā)光元件的發(fā)光層中使用的發(fā)光材料，已知將顯示來自三重激發(fā)態(tài)的發(fā)光的 化合物(以下有時稱為“發(fā)磷光性化合物”。)用于發(fā)光層的元件具有高的發(fā)光效率。將發(fā) 磷光性化合物用于發(fā)光層時，通常將在基體中添加該化合物而成的組合物用作發(fā)光材料。 作為基體，由于可通過涂布形成薄膜，因此使用聚乙烯基咔唑(專利文獻(xiàn)1)。但是，該化合物的最低未占分子軌道(以下稱為“LUM0”。)的能級高，因此難以注 入電子。另一方面，聚芴等共軛系高分子化合物的LUMO低，因此，將其用作基體時，可以比 較容易地實現(xiàn)低驅(qū)動電壓。但是，這樣的共軛系高分子化合物的最低三重態(tài)激發(fā)能(以下 稱為"T1能量”。)的值小，因此，不適合用作特別是用于波長比綠色短的發(fā)光的基體(專利 文獻(xiàn)2)。例如，由共軛系高分子聚芴和三重態(tài)發(fā)光化合物構(gòu)成的發(fā)光材料由于來自三重態(tài) 發(fā)光化合物的發(fā)光弱，因此，發(fā)光效率低(非專利文獻(xiàn)1)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-50483號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2002-241455號公報非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)1 APPLIED PHYSICS LETTERS,80,13,2308(2002)

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種用于發(fā)光元件等時發(fā)光效率優(yōu)異的材料。本發(fā)明的第一方面提供一種組合物，其包含具有選自下式(1-1)、(1-2)、(1-3)及 (1-4)所示的含氮多環(huán)式化合物中的至少2種含氮多環(huán)式化合物的殘基的化合物和發(fā)磷光 性化合物，
權(quán)利要求
1. 一種組合物，其包含具有選自下式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的含氮多環(huán)式 化合物中的至少2種含氮多環(huán)式化合物的殘基的化合物和發(fā)磷光性化合物， R
2.如權(quán)利要求1所述的組合物，其中，所述具有至少2種含氮多環(huán)式化合物的殘基的化 合物是具有選自所述式(1-1)、(1_2)及(1-3)所示的含氮多環(huán)式化合物中的至少2種含氮 多環(huán)式化合物的殘基的化合物。
3.如權(quán)利要求1或2所述的組合物，其中，所述R中的至少1個為烷基、烷氧基、可具有 取代基的芳基或可具有取代基的雜芳基。
4.如權(quán)利要求3所述的組合物，其中，所述R中的至少1個為氫原子以外的原子的總數(shù) 為3以上的取代基。
5.如權(quán)利要求4所述的組合物，其中，所述R中的至少1個是碳原子數(shù)為3 10的烷 基或碳原子數(shù)為3 10的烷氧基。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項所述的組合物，其中，所述具有至少2種含氮多環(huán)式化合 物的殘基的化合物為下式(A-I)或(A-幻所示的化合物或具有其殘基的化合物，Z1-(Y1)m-Z2 (A-I)Z1-(Y2)n-Z2 (A-2)式中，Z1及Z2分別獨立地表示上式(1-1)、(1-2)、(1-3)或(1-4)所示的含氮多環(huán)式 化合物的殘基；Y1 表示-C(Ra) (Rb)-、-N(R。)-、-0-、-Si (Rd) (Re)-、-P (Rf)-或-S- ；Ra Rf 分 別獨立地表示氫原子或取代基；m為0 5的整數(shù)；存在多個Y1時，它們可以相同或不同；Y2 表示可具有取代基的亞芳基；n為1 5的整數(shù)；存在多個Y2時，它們可以相同或不同。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項所述的組合物，其中，所述具有至少2種含氮多環(huán)式化合 物的殘基的化合物為高分子化合物。
8.如權(quán)利要求7所述的組合物，其中，所述具有至少2種含氮多環(huán)式化合物的殘基的化 合物為具有包含所述式(A-I)或(A-幻所示的化合物的殘基的重復(fù)單元的高分子化合物。
9.如權(quán)利要求1 8中任一項所述的組合物，其中，所述具有至少2種含氮多環(huán)式化合 物的殘基的化合物的由計算科學(xué)方法算出的最低三重激發(fā)態(tài)能量的值為3. OeV以上。
10.如權(quán)利要求1 9中任一項所述的組合物，其中，所述具有至少2種含氮多環(huán)式 化合物的殘基的化合物的由計算科學(xué)方法算出的最低未占分子軌道能級的絕對值為1. 5eV 以上。
11.如權(quán)利要求1 9中任一項所述的組合物，其中，所述具有至少2種含氮多環(huán)式 化合物的殘基的化合物的由計算科學(xué)方法算出的最高占據(jù)分子軌道能級的絕對值為6. 2eV以下。
12.如權(quán)利要求1 11中任一項所述的組合物，其中，所述具有至少2種含氮多環(huán)式化 合物的殘基的化合物的最低三重態(tài)激發(fā)能的值ETH和所述發(fā)磷光性化合物的最低三重態(tài) 激發(fā)能的值ETG滿足下式ETH > ETG (eV)。
13.如權(quán)利要求1 12中任一項所述的組合物，其中，所述具有至少2種含氮多環(huán)式化 合物的殘基的化合物，具有構(gòu)成該含氮多環(huán)式化合物的雜環(huán)結(jié)構(gòu)和與該雜環(huán)結(jié)構(gòu)鄰接的部 分結(jié)構(gòu)，且所述部分結(jié)構(gòu)具有至少2個π共軛電子，并且所述雜環(huán)結(jié)構(gòu)和所述部分結(jié)構(gòu)之 間的2面角為40°以上。
14.如權(quán)利要求1 13中任一項所述的組合物，其中，所述發(fā)磷光性化合物為銥絡(luò)合物 或鉬絡(luò)合物。
15.如權(quán)利要求14所述的組合物，其中，所述發(fā)磷光性化合物為以銥或鉬為中心金屬， 以8-羥基喹啉或其衍生物、苯并羥基喹啉或其衍生物、或2-苯基吡啶或其衍生物為配體的 金屬絡(luò)合物。
16.一種高分子化合物，其包含選自下式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的含氮多 環(huán)式化合物中的至少2種含氮多環(huán)式化合物的殘基和發(fā)磷光性化合物的殘基，
17.—種薄膜，其是使用權(quán)利要求1 15中任一項所述的組合物或權(quán)利要求16所述的 高分子化合物而得到的。
18.一種發(fā)光元件，其是使用權(quán)利要求1 15中任一項所述的組合物或權(quán)利要求16所 述的高分子化合物而得到的。
19.一種具備權(quán)利要求18所述的發(fā)光元件的面狀光源。
20.一種具備權(quán)利要求18所述的發(fā)光元件的顯示裝置。
21.一種具備權(quán)利要求18所述的發(fā)光元件的照明裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種組合物，其包含具有選自下式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的含氮多環(huán)式化合物中的至少2種含氮多環(huán)式化合物的殘基的化合物和發(fā)磷光性化合物，式中，R表示氫原子或取代基，存在的多個R可以相同或不同。
文檔編號C08L65/00GK102066523SQ20098012373
公開日2011年5月18日 申請日期2009年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月23日
發(fā)明者秋野喜彥 申請人:住友化學(xué)株式會社, 薩美甚株式會社