專利名稱：一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料及其應用的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明ー種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料及其應用屬于耐高溫芯片封裝材料技術(shù)領域。
背景技術(shù)：
RFID術(shù)語為射頻設備，俗稱電子標簽、射頻標簽、應答器、數(shù)據(jù)載體。常見的RFID封裝材料包括紙質(zhì)卡式封裝、PVC封裝，使用局限于常溫干燥環(huán)境，使用溫度最高不能超過85°C，也沒有防潮隔濕防鹽霧等抗惡劣環(huán)境特性，使得RFID技術(shù)在應用時受到很大的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供ー種耐高溫、隔濕防潮的封裝芯片復合材料。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，由以下按照重量份配比的組分組成
硅橡膠100份、增塑劑O. 1-2份、補強劑1-10份、絕熱微珠50-100份、硫化劑1-15份。各組分優(yōu)選的重量份配比為
硅橡膠100份、增塑劑O. 5-1. 2份、補強劑3-8份、絕熱微珠70-85份、硫化劑6_10份。所述硅橡膠為甲基こ烯基硅橡膠或甲基こ烯基苯基硅橡膠。所述補強劑為超細ニ氧化硅、超細炭黑或纖維狀硅酸鹽。所述增塑劑為羥基硅油。所述絕熱微珠為空心玻璃微珠。所述硫化劑為過氧化ニ異丙苯、雙ニ五或雙ニ四。按照以下步驟進行用混煉機將硅橡膠、增塑劑、補強劑、絕熱微珠和硫化劑按照所述重量份配比混合均勻，擠壓成片材，然后按芯片尺寸裁切成小片，用裁好的片材封裝芯片后再開引線孔，最后在溫度150°C _168°C燒結(jié)12min-20min即得到成品封裝芯片。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的有益效果為本發(fā)明涉及的可塑性橡膠基復合材料具有耐高溫特性，能夠全方位保護RFID芯片在高溫環(huán)境中正常工作，不僅能保證芯片在300°C環(huán)境中不會因過熱受損，封裝后的芯片還有優(yōu)良的隔濕防潮性能。同時保證芯片技術(shù)不會被竊取，可廣泛地在防偽、進出庫管盤點、物流運輸?shù)刃袠I(yè)提供新的管理思路。經(jīng)過本發(fā)明的復合材料封裝的RFID可在惡劣環(huán)境中工作，并且可以廣泛應用在一下方面。I、高端物品的防偽、進出庫管理盤點，為大型超市物流運輸、貨物儲備提供管理新思路。
2、對珍稀物種如海中生存的稀有物種、野外生存的稀有動植物進行標識、跟蹤和"[目息米集。3、對特種環(huán)境中工作或儲存的物資和設備，如高溫環(huán)境中工作的設備標識，低溫環(huán)境中儲存的食品標識等提供新的管理模式和管理辦法。4、對300°C高溫環(huán)境下進行二次塑封的電子標簽進行先期耐高溫封裝保護。
具體實施例方式以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。本發(fā)明一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料的制備方法是利用混煉機將各組分按照所述的重量份配比混合均勻，擠壓成型。也可采用其它現(xiàn)有擠壓成型技術(shù)制備。本發(fā)明中超細二氧化硅、超細炭黑和纖維狀硅酸鹽的粒度限定在微納米級粒度。 實施例I
一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，由以下按照重量份配比的組分組成
甲基乙烯基硅橡膠100份、羥基硅油0.5份、超細二氧化硅5份、空心玻璃微珠50份、雙二四5份。一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料的應用，按照以下步驟進行用混煉機將甲基乙烯基硅橡膠、羥基硅油、超細二氧化硅、空心玻璃微珠和雙二四按照上述重量份配比混合均勻，擠壓成厚度均勻的片材，然后按芯片尺寸裁切成小片，用裁好的片材封裝芯片，封裝好的芯片外形應均勻規(guī)范，再開引線孔，最后在溫度160°C燒結(jié)15min即得到成品封裝
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心/T 實施例2
一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，由以下按照重量份配比的組分組成
甲基乙烯基苯基硅橡膠100份、羥基硅油I. 2份、超細炭黑8份、空心玻璃微珠100份、雙二五6份。一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料的應用，按照以下步驟進行用混煉機將甲基乙烯基苯基硅橡膠、羥基硅油、超細炭黑、空心玻璃微珠和雙二五按照上述重量份配比混合均勻，擠壓成厚度均勻的片材，然后按芯片尺寸裁切成小片，用裁好的片材封裝芯片，封裝好的芯片外形應均勻規(guī)范，再開引線孔，最后在溫度168°C燒結(jié)12min即得到成品封裝
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心/T 實施例3
一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，由以下按照重量份配比的組分組成
甲基乙烯基苯基硅橡膠100份、羥基硅油2份、纖維狀硅酸鹽10份、空心玻璃微珠70份、過氧化二異丙苯10份。一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料的應用，按照以下步驟進行用混煉機將甲基乙烯基苯基娃橡膠、輕基娃油、纖維狀娃酸鹽、空心玻璃微珠和過氧化二異丙苯按照上述重量份配比混合均勻，擠壓成厚度均勻的片材，然后按芯片尺寸裁切成小片，用裁好的片材封裝芯片，封裝好的芯片外形應均勻規(guī)范，再開引線孔，最后在溫度150°C燒結(jié)20min即得到成品封裝芯片。實施例4一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，由以下按照重量份配比的組分組成
甲基乙烯基硅橡膠100份、羥基硅油0.1份、纖維狀硅酸鹽3份、空心玻璃微珠85份、雙二四15份。一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料的應用，按照以下步驟進行用混煉機將甲基乙烯基硅橡膠、羥基硅油、纖維狀硅酸鹽、空心玻璃微珠和雙二四按照上述重量份配比混合均勻，擠壓成厚度均勻的片材，然后按芯片尺寸裁切成小片，用裁好的片材封裝芯片，封裝好的芯片外形應均勻規(guī)范，再開引線孔，最后在溫度155°C燒結(jié)ISmin即得到成品封裝芯片。實施例5
一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，由以下按照重量份配比的組分組成 甲基乙烯基苯基硅橡膠100份、羥基硅油0.5份、超細二氧化硅I份、空心玻璃微珠50份、過氧化二異丙苯I份。一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料的應用，按照以下步驟進行用混煉機將甲基乙烯基苯基娃橡膠、輕基娃油、超細二氧化娃、空心玻璃微珠和過氧化二異丙苯按照上述重量份配比混合均勻，擠壓成厚度均勻的片材，然后按芯片尺寸裁切成小片，用裁好的片材封裝芯片，封裝好的芯片外形應均勻規(guī)范，再開引線孔，最后在溫度165°C燒結(jié)16min即得到成品封裝芯片。實施例6
一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，由以下按照重量份配比的組分組成
甲基乙烯基硅橡膠100份、羥基硅油I份、纖維狀硅酸鹽6份、空心玻璃微珠80份、雙二五7份。一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料的應用，按照以下步驟進行用混煉機將甲基乙烯基硅橡膠、羥基硅油、纖維狀硅酸鹽、空心玻璃微珠和雙二五按照上述重量份配比混合均勻，擠壓成厚度均勻的片材，然后按芯片尺寸裁切成小片，用裁好的片材封裝芯片，封裝好的芯片外形應均勻規(guī)范，再開引線孔，最后在溫度162°C燒結(jié)13min即得到成品封裝
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心/T 本發(fā)明可用其他的不違背本發(fā)明的精神或主要特征的具體形式來概述。因此，無論從那一點來看，本發(fā)明的上述實施方案都只能認為是對本發(fā)明的說明而不能限制發(fā)明，權(quán)利要求書指出了本發(fā)明的范圍，而上述的說明并未指出本發(fā)明的范圍，因此，在與本發(fā)明的權(quán)利要求書相當?shù)暮x和范圍內(nèi)的任何變化，都應認為是包括在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，其特征在于由以下按照重量份配比的組分組成 硅橡膠100份、增塑劑O. 1-2份、補強劑1-10份、絕熱微珠50-100份、硫化劑1-15份。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，其特征在于由以下按照重量份配比的組分組成 硅橡膠100份、增塑劑O. 5-1. 2份、補強劑3-8份、絕熱微珠70-85份、硫化劑6_10份。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，其特征在于所述硅橡月父為甲基こ稀基娃橡13父或甲基こ稀基苯基娃橡月父。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，其特征在于所述補強劑為超細ニ氧化硅、超細炭黑或纖維狀硅酸鹽。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，其特征在于所述增塑劑為羥基硅油。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，其特征在于所述絕熱微珠為空心玻璃微珠。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料，其特征在于所述硫化劑為過氧化ニ異丙苯、雙ニ五或雙ニ四。
8.權(quán)利要求I所述的ー種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料的應用，其特征在于按照以下步驟進行用混煉機將硅橡膠、增塑劑、補強劑、絕熱微珠和硫化劑按照所述重量份配比混合均勻，擠壓成片材，然后按芯片尺寸裁切成小片，用裁好的片材封裝芯片后再開引線孔，最后在溫度150°C _168°C燒結(jié)12min-20min即得到成品封裝芯片。
全文摘要
本發(fā)明一種芯片封裝用耐高溫橡膠基復合材料及其應用屬于耐高溫芯片封裝材料技術(shù)領域；所要解決的技術(shù)問題為提供一種耐高溫、隔濕防潮的封裝芯片復合材料；所采用的技術(shù)方案為將采用的原料按照以下重量份配比硅橡膠100份、增塑劑0.1-2份、補強劑1-10份、絕熱微珠50-100份、硫化劑1-15份；本發(fā)明涉及的可塑性橡膠基復合材料具有耐高溫特性，能夠全方位保護RFID芯片在高溫環(huán)境中正常工作，不僅能保證芯片在300℃環(huán)境中不會因過熱受損，封裝后的芯片還有優(yōu)良的隔濕防潮性能。
文檔編號C08L83/07GK102675881SQ201210151699
公開日2012年9月19日 申請日期2012年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月16日
發(fā)明者任圣平, 姚運生, 王東紅, 王勝利 申請人:中國電子科技集團公司第三十三研究所