專利名稱：拋光和刨平表面用的組合物和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于各種工件，諸如半導體表面拋光和刨平的組合物，及其使用方法和由此產(chǎn)生的制品。
用于拋光各種工件表面的組合物是技術(shù)上眾所周知的。用于半導體，玻璃，晶體，金屬和陶瓷工件表面拋光的常規(guī)拋光組合物通常含有一種合適的研磨劑或研磨劑混合物的水懸浮液。已知的研磨劑包括氧化鈰，氧化鋁，氧化鋯，氧化錫，二氧化硅，二氧化鈦等。含研磨劑的組合物一般的使用方法是首先把組合物涂到拋光墊或涂到待拋光表面上。然后把拋光墊貼到該表面上，使組合物中所含的研磨顆粒機械地研磨該表面，從而實現(xiàn)拋光作用。但是，這種常規(guī)的拋光組合物不能制成半導體和微電子元件技術(shù)要求的高度鏡面和平面。另外，常規(guī)的拋光組合物具有明顯的缺點，諸如在拋光其它工件時拋光速度慢，表面質(zhì)量差。用該組合物拋光如玻璃，金屬，半導體等表面，發(fā)現(xiàn)各種缺陷諸如霧狀，疵點，刮痕，“桔皮”，波紋，凹進，凸出等。
因此，已經(jīng)做出了提高拋光組合物的效率和質(zhì)量的嘗試。在這些范圍內(nèi)獲得改進的兩種方法著重于混合各種研磨劑和/或向組合物中添加各種輔助劑。
例如在US4，601，755中公開了含有特定的組合的研磨顆粒的拋光組合物，該專利公開了含至少一種結(jié)晶相的氧化鈰和一種焦硅酸稀土鹽的拋光組合物。US4，786，325公開了一種含氧化鈰和至少一種鑭系元素或釔稀土氧化物的玻璃拋光組合物。同樣，US4，769，073公開了拋光有機玻璃表面用的鈰基拋光組合物，該組合物含有二氧化鈰，一種三價鈰鹽和隨意添加的焦硅酸鹽或硅石。
例如在US4，959，113中公開了拋光組合物中使用輔助劑的例子。該專利分開了用于拋光金屬表面的組合物，該組合物含有水，一種研磨劑和一種用來提高研磨劑對金屬表面拋光效率的鹽或鹽的混合物。同樣，US4，462，188涉及的半導體拋光組合物含有一種膠態(tài)硅溶膠或凝膠，一種水溶性胺和一種水溶性季銨鹽或堿。US4，588，421公開了一種用于拋光硅片的含膠體硅石水溶液凝膠和哌嗪(piperizine)的組合物。公開了哌嗪的添加，連同其它效益一道，使拋光效率得到提高。US4，954，142分開了電子元件的拋光方法，該法包括使元件表面與一種含研磨顆粒，一種過渡金屬螯合鹽和一種溶劑的懸浮液接觸。該專利還分開報道，研磨顆?？梢允峭ǔＪ褂玫难心チ系娜魏我环N，諸如硅石，鈰土，礬土，碳化硅，氮化硅，氧化鐵等。
但是，即使用這種研磨劑混合物并添加輔助物料，常規(guī)的拋光組合物仍然不能形成現(xiàn)代半導體和微電子技術(shù)要求的光滑表面。
制備半導體和其它微電子元件通常包括組成許多相互連接的元件層，該元件層可包括象甚大規(guī)模集成電路(VLSIC)和超大規(guī)模集成電路(ULSIC)之類的制品。因此，用于拋光或刨平半導體的組合物必須能夠拋光多元的各向異性復合面，該復合面由上下兩面多層相互連接的高密度集成電路組成。在制備半導體時由集成電路相互連接層造成的構(gòu)造被拋光到預定的平滑程度該構(gòu)造可由不同大小，形狀和硬度，以及不同深度和形狀的溝槽，孔眼和谷槽的元件組成。在這樣拋光以后，半導體的制備(如同本行業(yè)的人會考慮到的那樣)可繼之以各種其它工序，諸如化學氣相淀積，借助氣相淀積的金屬化，光致成象，擴散，蝕刻等。
為了產(chǎn)生最好的結(jié)果，用來拋光或刨平制成的半導體工件表面的組合物必須制出一種具有高質(zhì)量拋光的非常平坦而光滑的表面，即一種平滑的表面。但是，不同于常規(guī)的拋光，為了生成一種平滑的表面，拋光動作必須只被限制在工件的平坦表面范圍內(nèi)而且必須不影響該表面以下的構(gòu)形，形態(tài)和/或結(jié)構(gòu)。只有這種選擇性的拋光動作才會生成所要求的“平滑表面”。常規(guī)的拋光組合物不適合于這種工序，因為這種常規(guī)組合物通過研磨工件表面的上、下和內(nèi)部的某些部位僅生成不平坦的波紋狀表面。業(yè)已證明，使用常規(guī)的拋光劑要得到光滑無缺陷的表面，在拋光過程中該拋光組合物對工件的底層結(jié)構(gòu)沒有有害的影響，即使不是不可能，也是難以做到的。
在這種半導體和微電子元件制備的專門領(lǐng)域中這場合各元件層是在微小的硅，陶瓷基片或其它絕緣工件的范圍之內(nèi)相互連接，在許多層次要求非尋常的平面。否則，所受的有害影響會使半導體或其它器件的功能達到無效的程度。許多用來制作這種器件的微加工工序和有關(guān)的勞力和設備會僅僅因為一個表面有缺陷而被白白浪費掉，這是由于刨平技術(shù)沒能制出令人滿意的平面。
因此可以看出，已經(jīng)有一個長期以來意識到的組合物及其使用方法的需要，該組合物通過加快拋光速度來提高拋光效率，該組合物能夠制出平面的無缺陷的表面。本發(fā)明滿足了這一長期以來意識到的需要。
本發(fā)明的一種形態(tài)是一種用于工件表面拋光或刨平的研磨劑組合物，該組合物包含約30-約50%氧化鈰;約8-約20%氣相二氧化硅和約15-約45%沉淀法二氧化硅。
本發(fā)明的另一種形態(tài)是一種用于工件拋光或刨平的水懸浮液。該水懸浮液包含水和約5-約20%(重量)的研磨劑組合物。
本發(fā)明的又一個形態(tài)是一種工件表面拋光或刨平的方法，該方法包括(a)把本發(fā)明的研磨劑組合物的水懸浮液涂到待拋光或刨平的工件表面上;
(b)使水懸浮液靠機械和化學作用研磨工件表面來拋光或刨平該工件表面達到一個預定的程度。
本發(fā)明還涉及用本文公開和要求保護的拋光或刨平方法制造的制品。特別合乎要求的是一種用本文所述的方法制造的光滑的半導體制品。
“粒度”在本文中指的是顆粒的平均直徑，或當顆粒事實上不是球形時，指的是顆粒的平均最大尺寸。
“百分率”或“%”在本文中，除非另有說明或從其上下文可以確定者外，指的是所指組分對于本組合物中研磨劑組分總重量來說的重量百分數(shù)。
本發(fā)明的研磨劑組合物包含約30-約50%，較好是約42.5-約48.0%氧化鈰組分。最好是本組合物包含約45%氧化鈰。本組合物所用氧化鈰的粒度應該是約100-約2，000nm，較好是約100-約500nm。最好是氧化鈰的粒度為約100-約300nm。用于本組合物的氧化鈰優(yōu)選的是經(jīng)化學精煉的，純度最好是至少約99.9%，沒有放射性痕量元素，諸如釷。
本發(fā)明的研磨劑組合物還包含約8-約20%，最好約17-約19%氣相二氧化硅組分。市場上買得到的氣相二氧化硅來自幾種來源。通常，氣相二氧化硅是由揮發(fā)性硅烷化合物(諸如SiCl4)在氫-氧氣焰中水解制造的。制造方法十分有名并有許多文件證明。本研磨劑組合物最好含約18%氣相二氧化硅。用于本組合物的氣相二氧化硅的粒度應該是約10-約1，200nm，較好是約7-約40nm，最好是約10-約30nm。
本組合物還包含約15-約45%，最好是約35-約39%沉淀法二氧化硅。市場上買得到的沉淀法二氧化硅也來自幾種來源。通常，沉淀法二氧化硅是由一種堿性硅酸鹽溶液(諸如硅酸鈉，即水玻璃)一般在堿性反應條件下與一種無機酸(諸如硫酸)反應制造的。二氧化硅是沉淀法形成的主要反應制品。把它過濾，洗滌，干燥和從其它反應產(chǎn)物沉淀物中分離出來。這一切都是本行業(yè)的人熟知的一般性技術(shù)。本組合物較好含有約35-約39%，最好約37%沉淀法二氧化硅組分。用于本研磨劑組合物的沉淀法二氧化硅的粒度應該是約25-約4，000nm，較好是約50-約2，000nm。沉淀法二氧化硅的粒度最好是約100-約300nm。另外，沉淀法二氧化硅的純度最好是這樣的，以使其含有少于約1%的鈉。
本發(fā)明目前更優(yōu)選的組合物包含約45%氧化鈰(粒度約100-2，000nm);約18%氣相二氧化硅(粒度約10-1，200nm);約37%沉淀法二氧化硅(粒度約25-4，000nm)。
本發(fā)明是以下列重要新發(fā)現(xiàn)為基礎(chǔ)的，為了產(chǎn)生理想的效果，氣相二氧化硅和沉淀法二氧化硅二者都必須與氧化鈰(鈰土)共同使用。盡管其原因目前是未知的，這兩種不同類型二氧化硅連同氧化鈰的不同性能是造成本發(fā)明研磨劑組合物和水懸浮液拋光效力提高的主要原因。使本研磨劑組合物具有極好的刨平效果的是這三種研磨劑，即氧化鈰，沉淀法二氧化硅和氣相二氧化硅的共同使用。本發(fā)明的水懸浮液，與單獨一種氧化鈰，單獨一種氣相二氧化硅，單獨一種沉淀法二氧化硅或上述三種研磨組分的任何兩種的組合相比，具有優(yōu)越的拋光和刨平效果。本組合物中這些特定研磨劑的共同使用，具有一種導致優(yōu)良刨平作用的協(xié)同效應。
當用來拋光或刨平工件表面時，本組合物經(jīng)常以本組合物和水形成的水懸浮液的形式使用。本發(fā)明組合物的水懸浮液可用合適的方法制備，該方法對技工來說是顯而易見的。而本組合物優(yōu)選的制備方法是，向一個含適量水的合適容器中添加研磨劑組合物的固體組分，然后用高能，高剪切混合器或均化器進行混合?；旌匣驍嚢钁B續(xù)進行直到生成一種均勻的組合物為止。
本研磨劑組合物的水懸浮液還可包含各種表面活性劑化合物或它們的混合物。該表面活性劑充當懸浮劑，從而有助于本組合物的制備。添加表面活性劑使含有本研磨劑組合物的水懸浮液具有觸變性組合物的形態(tài)。此外，看來該表面活性劑化合物對拋光或刨平的工件表面提供一種抗刮痕效應，從而使研磨劑引起的表面缺陷程度進一步減輕。
水懸浮液中表面活性劑化合物的含量可以是約0.01-約2.0%，最好是約0.015-約0.15%，該含量根據(jù)組合物懸浮液的重量計算。合適的表面活性劑化合物包括本行業(yè)的人已知的大批非離子，陰離子，陽離子或兩性表面活性劑中的任何一種。根據(jù)本發(fā)明公開的內(nèi)容，為特定用途選用合適的表面活性劑對普通的本行業(yè)的人來說是顯而易見的。而優(yōu)選用作表面活性劑的有辛基苯基環(huán)氧乙烷，壬基苯基環(huán)氧乙烷，辛基苯氧基聚乙氧基乙醇，聚氧乙烯(10)辛基酚醚，壬基酚聚醚，聚氧乙烯(20)脫水山梨醇單油酸酯，聚(氧-1，2-乙二基)-α(壬基苯基)ω-羥基，脂族乙氧基化物，羧酸聚胺酰胺的鹽類，有陰離子或離子性質(zhì)的烷基銨鹽類，多羧酸，丙烯酸類共聚物或其混合物。在本組合物中最好是用非離子表面活性劑，辛基苯氧基聚乙氧基乙醇作表面活性劑。這一表面活性劑以“TRITON
X-102”的注冊商標由Rohm and Haas公司供應。
通常，本組合物的水懸浮液應該保持在pH約4-約12，最好是在pH約6-約11.4。為了保持pH在理想的范圍內(nèi)，本組合物還可包含一種合適的酸性或堿性物質(zhì)，其含量適于保持理想的pH?？捎糜诒窘M合物的合適的酸性和堿性物質(zhì)的例子包括鹽酸，硝酸，磷酸，硫酸，氫氧化鉀，氫氧化銨或乙醇胺。根據(jù)本公開內(nèi)容，合適的酸和堿及其用于具體應用場合的合適量對本行業(yè)的人是顯而易見的。
本發(fā)明還涉及一種拋光或刨平工件表面的方法，該方法包括(a)向待拋光或刨平的工件表面涂敷本研磨劑組合物的一種水懸浮液;(b)使水懸浮液靠機械和化學作用研磨工件表面來拋光或刨平該工件表面達到一個預定的程度。
當用于這種方法時，本組合物表現(xiàn)得使工件表面受到機械和化學作用的研磨和溶解而達到預定和令人滿意的程度。本組合物只在工件的平坦表面上起作用以形成一種平的，光滑無缺陷的表面而不致給工件下層的形態(tài)和結(jié)構(gòu)帶來有害的影響。
當用來拋光或刨平工件表面時，本組合物通常以約5-約20%(重量)為最終固體濃度的本研磨劑組合物的水懸浮液形式使用。本組合物使用時優(yōu)選的最終固體濃度是約10-約16%(重量)。
雖然本方法在拋光各種工件方面具有全能的用途，但對用于半導體制備中相互連接的集成電路表面的拋光或刨平特別有利。本組合物用來把介質(zhì)層拋光到預定的平面層，該平面層可由不同大小，形狀和硬度，以及溝槽，孔眼和谷槽的元件組成。一旦完成了介質(zhì)層，諸如非晶形硅石的拋光，就可在集成的表面頂層用諸如化學氣相淀積法淀積一層諸如鎢的導電層，然后該層可進一步刨平或拋光到令人滿意的程度。
因此，本組合物可用來拋光或刨平半導體晶片的多元，各向異性復合面以形成半導體技術(shù)中必需的極為平坦和光滑的表面。本組合物可用來拋光具有預定平面層的半導體晶片表面，高于此平面層，要求沒有任何工件部分，而低于此平面層存在無缺陷的電子元件，表面可刨平到平面層而基本上不致使此平面層下面的晶片產(chǎn)生有害的缺陷。因而本方法可用來拋光或刨平一種具有較少和較多電子器件集成密度區(qū)的半導體晶片，其中工件表面由很多臺階和臺階間的很多間隙組成。
通常，在實施本發(fā)明方法中，把本組合物涂到合適的拋光墊上。然后把拋光墊安置在充分壓力下貼緊工件表面以借助機械作用研磨該表面來把工件表面拋光或刨平到一個預定的程度。合適的拋光墊包括Rodel-IC拋光墊和SUBAIV拋光墊，皆由本發(fā)明的專利權(quán)所有者Rodel公司供應。本組合物可在任何常規(guī)拋光或刨平器械中使用，諸如R.H.Strasbaugh6DS-SP刨平器(制造商R.HowardStrasbaugh公司，SanLuisObispo，CA)或者Westech372型自動晶片拋光器(制造商WestechSystem公司，Phoenix，AZ)。
現(xiàn)在將參照下列具體非限定性的實施例來具體說明本發(fā)明。
實施例實施例1制備含有下列表I列出的不同量研磨組分的七個試樣。在各試樣中使用的氧化鈰是由Rhone-PoulencBasicChemicals公司供應的“OPALINE”氧化鈰，其粒徑為300-500nm。在各試樣中使用的氣相二氧化硅是由Degussa公司供應的“AEROSIL”二氧化硅，其粒徑為15-25nm。在各試樣中使用的沉淀法二氧化硅是由DeGussa公司供應的22LS，其粒徑為300-500nm。
試樣研磨劑組合物的水懸浮液的制法是，向裝有900g去離子水的高剪切混合器中添加總量為100g的合適的各研磨組分，其百分數(shù)列于表I中。在各試樣中，然后添加0.14g非離子表面活性劑辛基苯氧基聚乙氧基乙醇“TRITON
X-102”。各試樣在Waring小型混合器或均化器中于室溫下充分混合約3分鐘。
然后各試樣分別用來拋光工件。待拋光的工件是布有平面電路系統(tǒng)的一個6英寸直徑的硅晶片。進給到拋光墊上的本組合物水懸浮液是觸變的和流動的。研磨組分并不沉淀出來而保持懸浮狀態(tài)，因而不需攪拌。組合物水懸浮液在室溫下使用。
把每一個試樣組合物都分別涂到一個晶片上。然后把晶片和試樣組合物放置在配有拋光墊的一臺Strasbaugh 6CA拋光機上。拋光墊是由層壓在Mylar片上的Rodel IC-60拋光墊，而該Mylar片又層壓到Rodel SUBA IV拋光墊上組成的。Rodel IC-60和SUBA IV兩種拋光墊都由Rodel公司供應。然后各晶片在7psi(磅/英寸2)恒壓下拋光2分鐘。拋光組合物以150ml/分鐘的恒定流速供應給拋光機。
各試樣組合物按四種不同的最終固體濃度(見下列表I)進行試驗。具體地說，每一試樣按5%，8%，10%和12%的最終固體濃度進行試驗。這些濃度范圍指的是涂到晶片上的最終組合物中的固體總量。在上述條件下拋光后，測量出從晶片上磨掉的物料量(
，埃)并列入表中。試驗結(jié)果見表I
從表I可以看出，含有氧化鈰，氣相二氧化硅和沉淀法二氧化硅混合物的本發(fā)明水懸浮液，比這些研磨劑在水懸浮液中單獨使用，或者彼此相互混合使用，在同樣固體濃度下磨掉了明顯多的物料。另外可以看出，含有氣相或沉淀法二氧化硅的組合物，無論單獨使用或者彼此相互混合使用，都磨掉較少的物料。
完成上述測量之后，用肉眼在亮光下并用100倍暗視場顯微鏡來檢查晶片表面疵點，刮痕，表面缺陷的存在。晶片表面上沒有看到疵點，刮痕或其它表面缺陷。
然后用“ALPHASTEP200測平儀”(Tencor公司MountainView，California供應)檢查拋光晶片的表面平面度，該儀器測定一個行駛過晶片表面的超細探針高度的位移變化。此儀器能掃描約2，000微米的長度。分析各拋光晶片表面與原形體高度相比的平面度偏差(埃)。各拋光晶片表面與原形體高度相比的平面度偏差(埃)見下列表Ⅱ
從上面表Ⅱ所列的數(shù)據(jù)可以看出，在同一固體濃度下與單獨含一種研磨劑或僅含兩種研磨劑混合物的組合物相比，本組合物實例說明與原形體高度比較的平面度偏差明顯減少。
本發(fā)明可以體現(xiàn)在其它具體的形式里而不致脫離本發(fā)明的精神和主要特性，因此，當指示本發(fā)明的范圍時，應當根據(jù)所附的權(quán)利要求書，而不是前面的專利說明書。
權(quán)利要求
1.一種用于工件表面拋光或刨平的研磨劑組合物，該組合物包含約30-約50%氧化鈰；約8-約20%氣相二氧化硅和約15-約45%沉淀法二氧化硅。
2.權(quán)利要求1的組合物，該組合物包含約42.5-約48.0%氧化鈰，約17-約19%氣相二氧化硅和約35-約39%沉淀法二氧化硅。
3.權(quán)利要求1的組合物，該組合物包含約45%氧化鈰;約18%氣相二氧化硅和約37%沉淀法二氧化硅。
4.權(quán)利要求1，2或3的組合物，其中氧化鈰的粒度是約100nm-約2，000nm，氣相二氧化硅的粒度是約10nm-約1，200nm，沉淀法二氧化硅的粒度是約25nm-約4，000nm。
5.權(quán)利要求1，2或3的組合物，其中氧化鈰的粒度是約100nm-約500nm，氣相二氧化硅的粒度是約7nm-約40nm，沉淀法二氧化硅的粒度是約50nm-約2，000nm。
6.權(quán)利要求1，2或3的組合物，其中氧化鈰的粒度是約100nm-約300nm，氣相二氧化硅的粒度是約10nm-約30nm，沉淀法二氧化硅的粒度是約100nm-約300nm。
7.一種用于工件的拋光和刨平的水懸浮液，該水懸浮液包含水和約5-約20%(重量)權(quán)利要求1的研磨劑組合物。
8.權(quán)利要求7的水懸浮液，其中氧化鈰的粒度是約100nm-約2，000nm，氣相二氧化硅的粒度是約10nm-1，200nm，沉淀法二氧化硅的粒度是約25nm-約4，000nm。
9.權(quán)利要求8的水懸浮液，該懸浮液還包含約0.01-約2.0%表面活性劑。
10.權(quán)利要求9的水懸浮液，其中表面活性劑選自非離子表面活性劑，陰離子表面活性劑，陽離子表面活性劑，兩性表面活性劑和它們的混合物。
11.權(quán)利要求10的水懸浮液，其中表面活性劑選自辛基苯基環(huán)氧乙烷，壬基苯基環(huán)氧乙烷，辛基苯氧基聚乙氧基乙醇，聚氧乙烯(10)辛基酚醚，壬基酚聚醚，聚氧乙烯(20)脫水山梨醇單油酸酯，聚(氧-1，2-乙二基)α(壬基苯基)ω羥基，脂族乙氧基化物，羧酸聚胺酰胺的鹽類，有陰離子或離子性質(zhì)的聚合物的烷基銨鹽類，多羧酸，丙烯酸類共聚物，和它們的混合物。
12.權(quán)利要求11的水懸浮液，其中表面活性劑是辛基苯氧基聚乙氧基乙醇。
13.權(quán)利要求8的水懸浮液，該水懸浮液還包含一種酸性或堿性物料以保持該組合物的pH在約4-約12。
14.權(quán)利要求13的水懸浮液，其中酸性或堿性物料使該pH保持在約6-約11.4。
15.權(quán)利要求13的水懸浮液，其中酸性物料選自鹽酸，硝酸，磷酸和硫酸，堿性物料選自氫氧化鉀，氫氧化銨和乙醇胺。
16.一種用于工件的拋光和刨平的水懸浮液，該水懸浮液包含水和約10-約16%權(quán)利要求2的研磨劑組合物。
17.權(quán)利要求16的水懸浮液，其中氧化鈰的粒度是約100nm-約500nm，氣相二氧化硅的粒度是約7nm-約40nm，沉淀法二氧化硅的粒度是約50nm-約2，000nm。
18.一種用于工件的拋光或刨平的水懸浮液，該水懸浮液包含水和約10-約16%(重量)權(quán)利要求3的研磨劑組合物。
19.權(quán)利要求18的水懸浮液，其中氧化鈰的粒度是約100nm-約300nm，氣相二氧化硅的粒度是約10nm-約30nm，沉淀法二氧化硅的粒度是約100nm-約300nm。
20.權(quán)利要求19的水懸浮液，該水懸浮液還包含約0.01-約2.0%表面活性劑，該表面活性劑選自辛基苯基環(huán)氧乙烷，壬基苯基環(huán)氧乙烷，辛基苯氧基聚乙氧基乙醇，和它們的混合物。
21.一種工件表面的拋光或刨平的方法，該方法包括(a)向待拋光或刨平的工件表面涂敷權(quán)利要求7-20任何一項的水懸浮液;(b)使水懸浮液并機械和化學作用研磨工件表面來拋光或刨平該工件表面達到一個預定的程度。
22.權(quán)利要求21的方法，該方法包括向拋光墊上涂敷該組合物水懸浮液，然后使拋光墊充分貼緊工件，其壓力和時間足夠拋光或刨平工件。
23.權(quán)利要求22的方法，其中該工件是一種具有較少和較多電子器件集成密度區(qū)的半導體晶片，該晶片表面具有很多臺階和在至少一些階躍間的很多間隙。
24.權(quán)利要求23的方法，其中該晶片表面具有預定的平面層，高于此層，要求沒有工件材料，而低于此層是理想無缺陷的電子元件，該方法還包括刨平晶片表面達到平面層而基本上不致使該平面層下面的晶片產(chǎn)生有害的缺陷。
25.一種由權(quán)利要求21的方法制成的刨平的工件。
26.一種由權(quán)利要求21的方法制成的拋光的工件。
全文摘要
提供一種用于拋光或刨平工件表面的研磨劑組合物，該組合物包含約30—50％氧化鈰；約8—約20％氣相二氧化硅；和約15—約45％沉淀法二氧化硅。還提供用該組合物來拋光或刨平工件表面的方法，以及用該方法制成的制品。
文檔編號C08L71/02GK1077974SQ9310241
公開日1993年11月3日 申請日期1993年3月5日 優(yōu)先權(quán)日1992年4月27日
發(fā)明者G·布蘭卡羅尼, E·W·杰森, J·V·H·羅伯特思 申請人:羅德爾公司