雜環(huán)化合物以及它們在電光或光電器件中的用圖
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及新化合物以及它們在電光或光電器件（尤其光學(xué)發(fā)光器件）中的用 途，例如在空穴傳輸層中。其還涉及具有雙極性質(zhì)的第二類化合物。其進(jìn)一步涉及新化合 物以及它們在電光或光電器件（尤其是可見發(fā)射器件）中的用途，例如在平板顯示器和照 明領(lǐng)域中的電致發(fā)光器件、電子傳輸層、空穴阻擋層、主體層和發(fā)射層。本發(fā)明還涉及可用 作薄膜晶體管器件中的有機(jī)光伏和半導(dǎo)體中的電子傳輸體的新化合物。
【背景技術(shù)】
[0002] 空穴傳輸材料
[0003] -類傳輸材料包含芳叔胺，其包括至少兩個芳叔胺結(jié)構(gòu)部分（例如基于聯(lián)苯基二 胺或"星型"構(gòu)造的那些），其中以下是代表性的并且其中此時認(rèn)為a -NPB (在下面具體描 述中的式）是最被廣泛接受的和用于商業(yè)生產(chǎn)。
[0004] W02011/021803 (Duksan)公開了具有噻蒽結(jié)構(gòu)的化合物以及它們在OLED的使用。 在實(shí)例中，合成了下面的五種化合物。
[0007] 作為形成OLED中的摻雜電致發(fā)光層的部分的主體材料測試以上化合物。在ITO 電極上的IOnm的酞菁銅層，在其上沉積30nm的a -NPB (也稱為a -NPD)作為空穴傳輸體， 上述噻蒽化合物或CBP之一的層充當(dāng)主體材料Ir (ppy)3作為摻雜劑，IOnm的聯(lián)苯氧基雙 (2-甲基喹啉）鋁作為空穴阻擋體，40nm的喹啉鋁作為電子傳輸體，0. 2nm的氟化鋰作為電 子注入體并且鋁作為陰極。當(dāng)使用測試噻蒽化合物作為主體，當(dāng)使用CBP作為主體時，獲得 具有基本上相同的顏色坐標(biāo)的綠色電致發(fā)光，并且開啟電壓和發(fā)光效率（cd/A)的范圍是 從略遜于CBP到稍微更好。然而，Duksan化合物的稠合咔唑環(huán)環(huán)結(jié)構(gòu)展現(xiàn)相對低的空穴迀 移率預(yù)期如果將這些化合物用作空穴傳輸體則它們展現(xiàn)出不良的性能。應(yīng)該提到CBP(其 也具有直接鏈接到擴(kuò)展芳族體系的咔唑環(huán)）具有相對低的空穴迀移率并且作為電致發(fā)光 層中的主體材料比作為空穴傳輸層材料更好。這并不令人意外，因此，Duksan采用常規(guī)的 空穴傳輸體并且沒有為該目的采用任何噻蒽化合物。
[0008] 會Wi St等人ARKIV0C 2012 (iii)，193-209(2012)公開了據(jù)稱具有空穴傳輸性質(zhì) 且據(jù)稱是藍(lán)色發(fā)射體的官能化噻蒽。噻嗯-2-基-2-硼酸與具有C4H9X12H 25S C 16H33取代基 的各種溴化芳族氨基化合物的Suzuki耦合生成油狀物或者在一種情形中產(chǎn)生低熔點(diǎn)的固 體。2, 8-二溴噻蒽與噻吩、噁唑、呋喃和吡啶的（Bu) 3Sn-衍生物的Stille耦合生成2, 8-雙 (2-噁唑基）噻蒽（其是油狀物）、2, 8-雙（2-硫苯基）噻蒽（熔點(diǎn)176-17%~ )、2, 8-雙 (2-呋喃基）噻蒽（熔點(diǎn)204-206°C )和2, 8-雙（2-吡啶基）噻蒽（熔點(diǎn)113-114°C )，它 們對于器件應(yīng)用均是過低的。雖然通過循環(huán)伏安法、DPV光譜法、UV-可見光譜法和熒光研 究了這些化合物，據(jù)稱它們具有在適合于半導(dǎo)體的范圍內(nèi)的帶隙，但沒有進(jìn)行空穴迀移率 測量，并且沒有在OLEDs或其它實(shí)際器件中測量這些化合物。它們據(jù)稱是可澆注成均勻的 膜，但這將不是由作為油狀物的那些化合物共有的性質(zhì)。沒有公開或建議應(yīng)將已報道的材 料或它們的任何用作OLEDs (與替代器件如有機(jī)光伏器件相反）中的空穴傳輸層的或者它 們在OLED的空穴傳輸層中產(chǎn)生比既定材料（例如α-NPB)更好的性質(zhì)，并且沒有理由認(rèn)為 是這樣。
[0009] US 8012606 (Takahiro等人，Nippon Steel)公開了由通式表示的雜環(huán)化合物
[0010]
[0011] 其中：R代表氫原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基，Ari、Ar 2、Ar3 和ArdS立地表示取代或未取代的芳基或者Ar ^Ar2連同與其結(jié)合的氮原子或者Ar 3、41*4連 同與其結(jié)合的氮原子可以形成含氮的雜環(huán)（例如N-咔唑基、N-吩噁嗪基、N-吩噻嗪基）， 并且m和η獨(dú)立地是1或2。實(shí)施例公開了上述化合物充當(dāng)OLED的光發(fā)射層的成分并且在 一種情形中充當(dāng)空穴傳輸層。據(jù)稱所述化合物當(dāng)用于有機(jī)EL器件時使得能夠以低電壓驅(qū) 動該器件。當(dāng)用作主體材料時，據(jù)稱電子和空穴以均衡的方式移動從而形成寬范圍的光發(fā) 射并實(shí)現(xiàn)高的發(fā)光效率。此外，該雜環(huán)化合物具有高的三重態(tài)能量，這在利用磷光的電致 發(fā)光器件中是重要的。因此，當(dāng)用作磷光器件的主體材料或電子傳輸材料時，可以有效地 限制磷光摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)的能量并且能夠以高效率獲得磷光。除了這些良好的電性能 之外，稱當(dāng)所述雜環(huán)化合物據(jù)形成為薄膜時是穩(wěn)定的。在其有機(jī)層中包含本發(fā)明的雜環(huán)化 合物的有機(jī)EL器件在低壓下有效地發(fā)射具有高亮度的光并且顯示優(yōu)異的耐久性并且其適 用于平板顯示器。代表性的化合物包括：
[0012] 2, 7-雙（苯基氨基）二苯并二噁英，
[0013] 2, 7-雙（9-咔唑基）二苯并二噁英，
[0014] 2, 7-雙（Ν-3-聯(lián)苯基-N-苯基氨基）二苯并二噁英，
[0015] 2, 7-雙（Ν-1-萘基-N-苯基氨基）二苯并二噁英，和
[0016] 2, 7-雙（9-咔唑基）噻蒽 [0017] 光發(fā)射
[0018] 當(dāng)電流通過其時發(fā)光的材料是眾所周知的并且用于各種顯示應(yīng)用中?；跓o機(jī)半 導(dǎo)體體系的器件是廣泛使用的。然而，這些器件遭受高能耗、高生產(chǎn)成本、低量子效率和不 能制造平板顯示器的缺點(diǎn)。已經(jīng)提議有機(jī)聚合物適用于電致發(fā)光器件，但不可能獲得純 色，制造它們是昂貴的并且它們具有相對低的效率。已經(jīng)提議的另一種電致發(fā)光化合物是 喹啉鋁，但它需要使用摻雜劑以獲得一系列的顏色并且具有相對低的效率。
[0019] 專利申請WO 98/58037描述了一系列過渡金屬和鑭系元素配合物，所述配合物 可用于具有改良性能的電致發(fā)光器件并且產(chǎn)生更好的結(jié)果。專利申請WO 98/58307、TO 00/26323、WO 00/32719、WO 00/32717、WO 00/32718 和 WO 00/44851 描述了使用稀土元素 螯合物的電致發(fā)光配合物、結(jié)構(gòu)和器件。美國專利5128587公開了一種電致發(fā)光器件，其由 以下組成：夾在具有高功函的透明電極和具有低功函的第二電極之間的鑭系元素的稀土元 素的有機(jī)金屬配合物，具有置于電致發(fā)光層和透明高功函電極之間的空穴傳導(dǎo)層，以及置 于電致發(fā)光層和電子注入低功函陰極之間的電子傳導(dǎo)層。需要空穴傳導(dǎo)層和電子傳導(dǎo)層以 改善器件的工作和效率?？昭▊鬏攲佑脕韨鬏斂昭ê妥钃蹼娮?，從而防止電子移入電極而 不與空穴復(fù)合。因此載流子的復(fù)合主要在發(fā)射層中發(fā)生。
[0020] 為了提高電致發(fā)光有機(jī)金屬配合物的性能，可以將電致發(fā)光有機(jī)金屬配合物與主 體材料混合，并且我們已經(jīng)設(shè)計(jì)了利用喹啉金屬作為主體材料的改良電致發(fā)光材料。
[0021] 電子傳輸材料
[0022] Kulkarni 等人，Chem. Mater. 2004, 16, 4556-4573 (通過引用將其內(nèi)容并入本 文）回顧了關(guān)于用以提高有機(jī)發(fā)光二極管（OLEDs)性能的電子傳輸材料（ETMs)的文獻(xiàn)。 除了大量的有機(jī)材料之外，他們討論包括喹啉鋁的金屬螯合物，由于其優(yōu)異的性能如高 EA (~-3. OeV ;本申請人測量為-2. 9eV)和IP (~-5. 95eV ;本申請人測量為約-5. 7eV)、良 好的熱穩(wěn)定性（Tg~172°C )和通過真空蒸發(fā)的無針孔薄膜的方便沉積，他們解釋其仍是最 廣泛研究的金屬螯合物。對于用作有待與各種熒光材料摻雜以提供電致發(fā)光層的主體以及 對于用作電子傳輸層，喹啉鋁仍是優(yōu)選的材料。對于要在磷光器件中有效地工作的空穴傳 輸體或電子傳輸體，各自材料的三重態(tài)能級應(yīng)該高于磷光發(fā)射體的三重態(tài)能級。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0023] 本發(fā)明關(guān)心的問題是提供另外的（或者在改替性的改進(jìn)中）化合物，該化合物當(dāng) 用于OLEDs和其它的電光或光電器件時具有良好的空穴傳輸性能。本發(fā)明關(guān)心的又一問題 是要提供具有改良的性能和壽命的OLEDs，例如通過非直接而是經(jīng)由芳基間隔基團(tuán)將氮連 接至三環(huán)結(jié)構(gòu)。
[0024] 在一個方面，發(fā)明提供了式化合物，其中：
[0025] m是1-3的整數(shù)，以及η是整數(shù)并且可以是1或2 ;
[0026] Ar1代表二苯并[b, e] [1，4]二噁英、吩噻噁（phenoxathine)、噻蒽、二苯并 [b, e] 1，4-噻硒喃（thiaselenane)、硒士林或吩噻嗪基殘基，具有在選自環(huán)位置1_4、2, 7和 6-9的一個或兩個位置處到Ar2的鏈接，并且在吩噻嗪衍生物的情形中任選地在環(huán)氮原子處 且任選地單取代、雙取代或多取代有C 1-C4-烷基-X1-C4-烷氧基-、氟基、苯基或聯(lián)苯基，在 苯基或聯(lián)苯的情形中其可以進(jìn)一步被C 1-C4-烷基-、C1-C4-烷氧基-或氣基取代；
[0027] Ar2代表衍生自如下的殘基：芳基胺，其中芳基環(huán)是任選地取代有C i-C4-烷基_、 C1-C4-烷氧基-或氟基的苯基、萘基或蒽基并且其中在氮和Ar1之間存在芳基；多環(huán)稠合或 鏈芳族環(huán)體系，任選地包含氮或硫并且在鏈芳環(huán)體系中任選地包含一個或多個鏈氧或硫原 子；三芳基膦氧化物或芳基硅烷，其任何一個的環(huán)任選地取代有C 1-C4-烷基-、C1-C4-烷氧 基-或氟基。
[0028] 在這樣的化合物中，在許多實(shí)施方案中Ar1代表噻蒽。在實(shí)施方案中在1-位、在 2-位、1-位和8-位或者2-位和7-位Ar1鏈接至Ar 2。
[0029] 在許多實(shí)施方案中，Ar2代表二芳胺殘基，其氮鏈接至Ar \并且其環(huán)任選地取代有 C1-C4-烷基-、C1-C4-烷氧基-或氟基、苯基、萘基、蒽基或苯基吡啶基。在其它實(shí)施方案中， Ar2代表二芳胺殘基，其環(huán)任選地取代有C ^C4-烷基-、C1-C4-烷氧基-或氣基。在二芳胺 系列中例如二苯胺、N-苯基-1-萘胺、N-苯基-2-萘胺或者在三芳胺系列中例如三苯胺， 環(huán)可以任選地取代有C 1-C4-烷基-、C1-C4-烷氧基-或氣基。在二芳胺系列中m可以是1、 2或3。在進(jìn)一步的實(shí)施方案中，Ar 2代表咔唑、螺型-聯(lián)咔唑或二苯并噻吩殘基，其任選地 環(huán)取代有C1-C4-烷基-、C 1-C4-烷氧基-或氣基。
[0030] 本發(fā)明化合物的實(shí)施方案展現(xiàn)空穴迀移率和高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或熔點(diǎn)的驚人驚 訝的有利組合，并且該化合物也用于空穴注入層和/或電子阻擋層中。由于它們通常是小 分子，它們中的許多可通過升華純化，這對于生產(chǎn)具有OLEDs和其它器件應(yīng)用所需純度的 化合物是合意的。這些化合物的實(shí)施方案展現(xiàn)出雙極性，即取決于它們是用P-型還是η-型 摻雜劑摻雜，能夠?qū)λ鼈冞M(jìn)行摻雜從而形成傳輸層或空穴傳輸層。這樣的分子是器件制造 商所追求的，因?yàn)樵谝恍?shí)施方案中減少了必須使用在不同層中使用的不同材料的數(shù)量。
[0031] 下面示出與a -NBP相比的HOMO和LUMO能級。
[0033] 在進(jìn)一步的方面中，本發(fā)明提供一種空穴傳輸材料，其包含如上定義的雜三環(huán)化 合物和P-摻雜劑，該摻雜劑是受主型有機(jī)分子。在一些實(shí)施方案中，摻雜劑存在量使得當(dāng) 將沉積材料以形成層時摻雜劑對層厚度貢獻(xiàn)約10-40%，例如約33%。在實(shí)施方案中可以 按微小量（例如基于雜三環(huán)化合物的重量為〈50% )存在于組成中的其它材料包括已知的 有機(jī)空穴傳輸劑例如聯(lián)苯基的芳叔胺或星型構(gòu)造，在一些實(shí)施方案中α -NPB。
[0034] 在進(jìn)一步的方面中，本發(fā)明提供具有第一和第二電極并且在所述電極之間包含如 上定義的化合物或如上定義的材料的層的光學(xué)發(fā)光二極管。該層可以是空穴傳輸層或空穴 注入層。該器件可以包括發(fā)射層，所述發(fā)射層包含熒光發(fā)射體、磷光發(fā)射體、離子熒光（基 于稀土元素）發(fā)射體或光學(xué)發(fā)光量子點(diǎn)?？梢蕴峁┛昭ㄗ⑷雽?，其包含CuPC、ZnTpTP (四苯 基卟啉鋅）、2-TNATA、M〇03、M〇0X、W03、W0 X、NiOx或如下結(jié)構(gòu)的六氰基六氮雜三亞苯
[0036] 該器件可以形成平板顯示器或照明面板的一部分。其它的最終用途可以包括有機(jī) 光伏器件、形成靜電潛像的成像元件、有機(jī)薄膜晶體管和染料敏化太陽能電池。
[0037] 本發(fā)明關(guān)心的進(jìn)一步的問題是提供可以用在OLEDs中的化合物，作為電子傳輸材 料、電子注入體、主體、空穴阻擋體和發(fā)射材料以及在一些實(shí)施方案中在電磁波譜的藍(lán)色區(qū) 域發(fā)射的材料。
[0038] 根據(jù)發(fā)明的進(jìn)一步的方面，通過如下化合物或組合物解決了那個問題：在所述化 合物中采用了其中噻蒽結(jié)合至多環(huán)芳基的化合物，所述組合物包含前述化合物與P-型摻 雜劑混合。實(shí)例包括在實(shí)施例中描述的材料ETS-I、ETS-2和ETS-3連同在關(guān)于OLED的電 子傳輸層所討論的其它材料。例示化合物特別地展現(xiàn)出電子迀移率和高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的 令人驚訝地有利的組合。此外，這些化合物作為薄膜、粉末和在溶液中顯示強(qiáng)烈的熒光性， 特別在可見光譜的藍(lán)色和綠色區(qū)域中。
[0039] 在進(jìn)一步的方面，本發(fā)明提供了具有包含上面所述且關(guān)于電子傳輸層進(jìn)一步討論 的化合物的層的電光或光電器件。這樣的器件包括OLED顯示器、OLED照明以及例如有機(jī) 薄膜晶體管、有機(jī)光電晶體管、有機(jī)光伏電池、有機(jī)光檢測器、基于雙穩(wěn)態(tài)有機(jī)分子的電子 存儲器件和產(chǎn)生靜電潛像的光導(dǎo)成像元件。
[0040] 在另外的方面中，本發(fā)明提供了一種光學(xué)發(fā)光二極管器件，其具有第一電極、包含 表1中的任何化合物或其衍生物的層和第二電極。該層是在電子傳輸層（要么未摻雜的要 么摻雜有低功函的金屬或金屬配合物）或電子注入層或主體或發(fā)射層（主體或摻雜劑分別 連同另一摻雜劑或主體）的實(shí)施方案中。
[0041] 同一層還可以充當(dāng)一個空穴阻擋層。
[0042] 將理解的是根據(jù)發(fā)明的OLEDs可以在兩個空穴傳輸層和電子傳輸層兩者中或者 在空穴傳輸層中、在電致發(fā)光層中和在電子傳輸層中具有前述的噻蒽化合物。
[0043] 在另外的方面，提供了具有如下化合物的0LED，該化合物具有鏈接至共輒或芳香 烴而不是烷基取代的氟的一個或兩個噻蒽結(jié)構(gòu)部分。該OLED可以包括具有下面所列式之 一的化合物
[0044]
[0049] 其中X和Y都是S，所述環(huán)任選地例如用甲基取代。
[0050] 該化合物可以是1-蒽基-9-基-噻蒽、1-聯(lián)苯-4-基-噻蒽或9, 10-雙（1-噻蒽 基）蒽或其混合物?？梢詫⑵渑c低功函的金屬配合物混合或者可以用熒光摻雜劑摻雜或者 可以用磷光摻雜劑摻雜或者可以用稀土螯合物摻雜。例如，該化合物與喹啉鋰（LiQ)或其 衍生物或者鋰席夫堿配合物混合，按從1到99質(zhì)量％，例如10到90質(zhì)量％，例如20-90質(zhì) 量％，通常30-80質(zhì)量％。
[0051] 化合物可以是發(fā)射層的組分例如主體或者其可以包含在電子傳輸層中和/或電 子注入層中。
[0052] 在一個實(shí)施方案中，提供了具有第一電極、包含1-蒽基-9-基-噻蒽、1-聯(lián) 苯-4-基-噻蒽或9, 10-雙（1-噻蒽基）蒽的層和第二電極以及任選地低功函材料的光學(xué) 發(fā)光二極管器件。
[0053] 以上OLEDs可以具有以下特征中的任何特征：
[0054] (a)發(fā)射層由焚光發(fā)射體構(gòu)成；
[0055] (b)發(fā)射層由磷光發(fā)射體構(gòu)成；
[0056] (C)發(fā)射層由離子熒光（基于稀土元素的發(fā)射體）構(gòu)成；
[0057] (d)空穴注入層，其包含 CuPC、ZnTpTP、2-TNATA、MoO3、MoOx、TO3、TO xS NiOx 或
[0058]
[0059] (e)空穴傳輸層摻雜或混合有電子受主
[0060] (f)空穴傳輸層摻雜或混合有電子受主如TCNQ或F4TCNQ ;
[0061] (g)空穴傳輸體與另一空穴傳輸體混合；
[0062] (h)電子傳輸體與Li、K、Cs化合物或低功函金屬或材料的任何其它化合物混合；
[0063] (i)電子傳輸體與稀土金屬或其配合物混合；
[0064] (j)電子傳輸體與喹啉鋰（Liq)或鋰希夫堿混合；
[0065] (k)電子傳輸體與另一電子傳輸體或電子注入體混合；
[0066] (1)電致發(fā)光層包含金屬配合物；
[0067] (m)電致發(fā)光層包含喹啉鋯或喹啉鉿作為用摻雜劑摻雜的主體材料；
[0068] (η)電致發(fā)光層包含喹啉鋁作為用摻雜劑摻雜的主體材料；
[0069] (〇)電致發(fā)光層包含芳叔胺作為用摻雜劑摻雜的主體材料；
[0070] (P)電致發(fā)光層包含作為金屬或準(zhǔn)金屬配合物的發(fā)光材料；
[0071] (q)電致發(fā)光層包含金屬喹啉合物，銥、釕、鋨、銠、銥、鈀或鉑的配合物，硼配合物 或稀土配合物作為發(fā)光材料；
[0072] (r)電致發(fā)光層包含喹啉鋰或喹啉鋁作為電致發(fā)光材料；
[0073] (S)電致發(fā)光層包含發(fā)光共輒聚合物或共聚物或樹枝狀聚合物；
[0074] (t)包含a -NPB的空穴傳輸層。
[0075] 可以將以上化合物并入下文所述的其它光電或電光器件中。
【附圖說明】
[0076] 附圖1-16示出用包含本發(fā)明化合物或材料的實(shí)際的綠色和紅色OLED器件獲得的 數(shù)據(jù)。
【具體實(shí)施方式】
[0077] 單元結(jié)構(gòu)
[0078] 本發(fā)明的OLEDs尤其適用于平板顯示器，并且典型地包含陽極和陰極，其間夾著 多個薄層，包括電致發(fā)光層、電子注入和/或傳輸層、空穴注入和/或傳輸層和任選地輔助 層。典型地通過相繼地真空氣相沉積操作建立這些層，盡管可以方便地通過其它方法例如 旋涂或噴墨印刷形成一個或多個層例如空穴注入和空穴傳輸層。
[0079] 典型的器件包含透明基底（實(shí)例包括玻璃、塑料（PET、PEN等）金屬或合金、半導(dǎo) 體（有機(jī)或無機(jī)）），在其上相繼地形成陽極、空穴注入體（緩沖）層、空穴傳輸層、電致發(fā)光 層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，可以進(jìn)而將其層壓至第二透明基底。頂發(fā)射OLEDs 也是可能的，其中鋁或其它金屬基底載有ITO層、空穴注入層、空穴傳輸層、電致發(fā)光層、電 子傳輸層、電子注入層和ITO或其它透明陰極，光通過該陰極發(fā)射。進(jìn)一步的可能性是逆反 的0LED，其中鋁或與低功函金屬合金化的鋁的陰極相繼地載有電子注入層、電子傳輸層、電 致發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和ITO或其它的透明導(dǎo)電陽極，光的發(fā)射是通過陽極。 如果需要，可以將空穴阻擋層插入例如電致發(fā)光層和電子傳輸層之間。
[0080] 本發(fā)明的OLEDs包括小分子OLEDs、聚合物發(fā)光二極管（P-OLEDs)、通過熒光發(fā)光 的OLEDs、通過磷光發(fā)光的OLEDs (PHOLEDs)和通過離子熒光發(fā)光的OLEDs (稀土配合物）并 且包括單色或彩色有源或無源矩陣顯示器。
[0081] 陽極
[0082] 在許多實(shí)施方案中，陽極由涂覆到玻璃或其它透明基底上的一層氧化錫或銦錫氧 化物形成?？梢允褂玫钠渌牧习ㄥa銻氧化物、鋁鋅氧化物和銦鋅氧化物。其它陽極材 料還包括導(dǎo)電聚合物（實(shí)例：聚（噻吩）（類）、聚（苯胺）（類）和聚吡咯（類））。如果需 要，可以制備改性的陽極，例如隨后用氧等離子體處理ITO表面，和然后通過在等離子體處 理室中分解CHF 3氣體以沉積~Ι-nm厚的CF 整為改性陽極。在有源矩陣實(shí)施方案中，陽 極可以是高功函金屬或合金例如金或鉑或可以是結(jié)晶、多晶、連續(xù)晶?；蚍蔷У墓瑁ㄆ淇?以是P-摻雜的）或金屬氧化物例如Mo、W和Ni的氧化物。其中陽極是摻雜或未摻雜的石 墨烯的電池也在本發(fā)明內(nèi)。
[0083] 空穴注入和空穴傳輸層
[0084] 通常OLEDs具有不同的空穴注入和空穴