專利名稱：制造存儲器硬盤用的拋光組合物和拋光方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種拋光組合物，該組合物用來在存儲器硬盤(即用于如計算機的存儲器裝置)所用的磁盤基片制造過程中對磁盤基片表面進行最終拋光(final polishing)。具體而言，本發(fā)明涉及一種拋光組合物，它適用于制造例如由Ni-P磁盤、Ni-Fe磁盤、鋁磁盤、碳化硼磁盤或碳磁盤代表的存儲器硬盤，尤其涉及這樣一種拋光組合物，它在對表面粗糙度良好的高度鏡面表面進行精加工的拋光工藝中能提供高磨削速率(stock removal rate)，同時適用于獲得可用于容量高、記錄密度高的磁盤裝置的優(yōu)良拋光加工表面的制造工藝。此外，本發(fā)明涉及使用該拋光組合物對存儲器硬盤進行拋光的方法。
人們正在不斷地努力，力求使用于磁盤設備的存儲器硬盤(它是一種用于如計算機的存儲介質)尺寸更小且容量更大，并使磁介質由傳統(tǒng)的涂覆型介質轉變成濺鍍、電鍍或類似方法制得的薄膜介質。
目前磁盤基片(下文簡稱為“基片”)得到了非常廣泛的應用，它是在坯料上形成的具有無電Ni-P敷鍍膜的基片。所用坯料的制法是將鋁或其它基板用金剛石車削方法進行車床加工整形，再用SiC磨料粘合制得的PVA磨石進行研磨或者用其它方法進行加工，達到平行度或平面度。然而，通過上述種種整形方法不可能完全除去表面上較大的波度。這樣，無電Ni-P敷鍍膜會沿著坯料上的這一波度而形成。因此，這一波度也會留在基片上，有時會形成結節(jié)(nodules)或較大凹坑。本文中“結節(jié)”是直徑至少約50微米的凸起物，它是鍍敷表面上有雜質進入Ni-P鍍敷膜的地方凸起而形成的。“凹坑”是對基片表面進行拋光時形成的凹處，“細小凹坑”是直徑小于約10微米的凹坑。
另一方面，隨著存儲器硬盤容量的增加，表面記錄密度也以每年數(shù)十％的速率增加。因此，在存儲器硬盤上由一預定量記錄信息所占據(jù)的空間就比以前要窄，進行記錄所需的磁力也趨于變弱。所以，最近的磁盤設備需要使磁頭的浮動高度(即磁頭和存儲器硬盤之間的距離)減小，磁頭浮動高度目前已經降低至不高于1.0微英寸(0.025微米)的水平。
此外，在拋光之后有時會對基片進行所謂的紋理化(texturing)加工以形成同心的圓劃線，其目的是防止用于讀寫信息的磁頭粘著在存儲器硬盤上，并且防止對基片表面進行拋光時形成在不同于存儲器硬盤旋轉方向上的劃線而使存儲器硬盤的磁場變得不均勻。近年來，為了進一步縮短磁頭的浮動高度，人們通過進行輕紋理化加工來進一步減少基片上形成的劃線，或者使用未經紋理化加工的沒有劃線的基片。人們已經開發(fā)出使得磁頭浮動高度更低的技術，所以磁頭浮動高度的縮短比以前進展得更快了。
當存儲器硬盤表面具有波度時，磁頭就會隨著非常高速旋轉的存儲器硬盤上的這種波度上下運動。然而，如果波度超過一定的高度，或者如果波度的寬度相對高度很小，磁頭就不再能隨著波度運動，它就會與基片表面碰撞，從而發(fā)生所謂的“磁頭壓碎”，由此損壞了磁頭或存儲器硬盤表面上的磁介質，從而導致磁盤設備發(fā)生故障或讀寫信息的錯誤。
另一方面，存儲器硬盤表面上存在數(shù)微米的微凸起物時，也會發(fā)生磁頭壓碎。此外，當存儲器硬盤表面上存在凹坑時，就可能無法完整地寫下信息，由此導致所謂的“信息缺損”或信息讀出的失敗，會發(fā)生錯誤。
因此，在拋光步驟(即形成磁介質之前的步驟)中使基片的表面粗糙度降至最小是很重要的，同時還必須完全除去較大的波度、微凸起物或細小凹坑以及其它表面缺陷。
為了上述目的，過去通常使用拋光組合物(下文由其形態(tài)有時稱為“漿液”)通過一步拋光操作來進行精加工，所述拋光組合物包含氧化鋁或其它各種磨料和水以及各種拋光促進劑。然而，通過一步拋光操作難以滿足以下所有要求在一定時間內除去基片表面上較大的波度和表面缺陷(如結節(jié)和大凹坑)，使表面粗糙度降至最小。因此，人們已經在研究包含兩個或多個步驟的拋光方法。
在拋光方法包括兩個步驟的情況下，第一步拋光的主要目的是除去基片表面上的較大波度和表面缺陷(如結節(jié)和大凹坑)，即進行整形。因此所需的拋光組合物應具有很強的能力用以除去上述波度和表面缺陷，且不會形成用第二步拋光不能除去的深劃痕，而不是使表面粗糙度降至最小。
第二步拋光(即精拋光或最終拋光)的目的是使基片的表面粗糙度降至最小。因此，重要的是第二步拋光的拋光組合物能夠使表面粗糙度降至最小，并能夠防止形成微凸起物、細小凹坑或其它表面缺陷，而不是具有第一步拋光所需要的很強的修整大波度或表面缺陷的能力。此外，從產率角度來看，磨削速率高同樣也是重要的。表面粗糙度的程度由基片的制備方法、作為存儲器硬盤的最終記錄容量和其它情況決定。然而，根據(jù)所需表面粗糙度的程度也可以使用包含兩步以上的拋光工藝。
此外，近來在用PVA磨床加工坯料方面已經作出了改進，得以降低加工成本，由此用來降低在使用主要拋光組合物前坯料的表面粗糙度，這樣，與拋光前經敷鍍基片的表面粗糙度或波度有關的質量也達到常規(guī)第一次拋光步驟后的程度。如果進行這樣一種加工，就無需常規(guī)的第一次拋光步驟，只需要所謂的精拋光(finishing polishing)。
為了上述目的，尤其是在精拋光中，通常用一種拋光組合物進行拋光，該拋光組合物的制法是將氧化鋁和其它磨料充分磨成粉狀，調節(jié)至合適的粒度，向其中加入水，并將硝酸鋁或各種有機酸和其它拋光促進劑混入其中?；蛘呤怯冒z體二氧化硅和水的拋光組合物進行拋光。然而，用前一種拋光組合物進行拋光存在的問題是機械組分和化學組分的平衡較差，易于形成微凸起物或細小凹坑。用后一種拋光組合物進行拋光的問題是磨削速率太低以致拋光耗時長，生產率低，作為基片端面下垂(sagging)指數(shù)的軋去量(roll off)或錘平量(＂duboff＂)會變差，或者拋光之后的沖洗會變得困難。
為了解決上述問題，JP-A-10-204416提出了一種包含磨料和一種鐵化合物的拋光組合物。該出版物所揭示的拋光組合物是為了解決上述問題的，它具有高磨削速率，能夠提供表面粗糙度小的拋光表面。然而，本發(fā)明的發(fā)明人進一步研究發(fā)現(xiàn)，為了確保用所揭示的拋光組合物得到高拋光效率，需要大量的鐵化合物，具體是硝酸鐵(Ⅲ)或硫酸鐵(Ⅲ)。此時就存在一個問題，即組合物的pH值會低至小于2.0。
本發(fā)明的一個目的是解決上述問題，提供一種拋光組合物，它如迄今對拋光組合物所要求的那樣，具有高磨削速率，能夠防止形成微凸起物、細小凹坑和其它表面缺陷，它還能夠在甚至大于2.0的pH值得到高磨削速率。
本發(fā)明提供一種用于存儲器硬盤的拋光組合物，該組合物至少包含以下組分(a)至(d)(a)以拋光組合物總量計的0.1-50％(重量)至少一種磨料，選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳，(b)以拋光組合物總量計的0.001-10％(重量)至少一種高碘酸(鹽)，選自高碘酸、高碘酸鉀、高碘酸鈉和高碘酸鋰，(c)用來將所述拋光組合物的pH值調節(jié)至2-5的緩沖組分，
(d)水。
此外，本發(fā)明提供一種制造存儲器硬盤的方法，該方法包括用存儲器硬盤用的拋光組合物對存儲器硬盤用的基片進行拋光，所述拋光組合物至少包含以下組分(a)至(d)(a)以拋光組合物總量計的0.1-50％(重量)至少一種磨料，選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳，(b)以拋光組合物總量計的0.001-10％(重量)至少一種高碘酸(鹽)，選自高碘酸、高碘酸鉀、高碘酸鈉和高碘酸鋰，(c)用來將所述拋光組合物的pH值調節(jié)至2-5的緩沖組分，(d)水。
本發(fā)明用于存儲器硬盤的拋光組合物具有高磨削速率，能夠提供具有低表面粗糙度的經拋光表面，還能夠防止形成微凸起物、細小凹坑和其它表面缺陷，它還能夠在甚至大于2.0的pH值得到高磨削速率。
此外，采用本發(fā)明用于制造存儲器硬盤的方法，其磨削速率很高，能得到表面粗糙度低，微凸起物、細小凹坑或其它表面缺陷少的存儲器硬盤。
磨料在本發(fā)明拋光組合物的組分中，適用的主要磨料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鈦、氮化硅、氧化鋯和二氧化錳。磨料不限于這些磨料中的任何特定一種，但較好的是二氧化硅。二氧化硅包括膠體二氧化硅、熱解法二氧化硅(fumed silica)和許多制備方法或性質不同的其它類型二氧化硅。
此外，氧化鋁包括α-氧化鋁、δ-氧化鋁、θ-氧化鋁、K-氧化鋁和其它不同形態(tài)的氧化鋁。還包括一種因其制備方法而得名的熱解法氧化鋁(fumedalumina)。
氧化鈰根據(jù)氧化數(shù)劃分，有三價氧化鈰和四價氧化鈰，根據(jù)晶系劃分，有六方晶系、等軸晶系和面心立方晶系。
氧化鋯根據(jù)晶系劃分，有單斜晶系、四方晶系和非晶態(tài)。此外，還有一種因其制備方法而得名的熱解法氧化鋯(fumed zirconia)。
氧化鈦根據(jù)晶系劃分，包括一氧化鈦、三氧化二鈦、二氧化鈦等。此外，還有一種因其制備方法而得名的熱解法二氧化鈦(fumed titania)。
氮化硅包括α-氮化硅、β-氮化硅、非晶態(tài)氮化硅和其它不同形態(tài)的氮化硅。
二氧化錳根據(jù)形態(tài)劃分，包括α-二氧化錳、β-二氧化錳、γ-二氧化錳、δ-二氧化錳、ε-二氧化錳、η-二氧化錳和其它不同形態(tài)的二氧化錳。
對于本發(fā)明的組合物，如有必要也可以任意組合使用上述這些磨料。當它們組合使用時，具體的組合方式和各磨料的比例并無特別限制。
在這些磨料中，膠體二氧化硅能較好地用作本發(fā)明的磨料。作為制備膠體二氧化硅的方法，通常采用的方法是將硅酸鈉或硅酸鉀進行離子交換，得到超細膠體二氧化硅，然后進行晶粒生長，或者采用用酸或堿水解烷氧基硅烷的方法，或者采用將有機硅化合物在濕體系中加熱和分解的方法。此外，膠體二氧化硅的市售產品可通過加入酸和/或堿或通過離子交換方法來調節(jié)其pH值，以使得即使在高濃度下仍保持膠體狀態(tài)。這類膠體二氧化硅被稱為酸性二氧化硅或堿性二氧化硅。
上述磨料是以其磨粒通過機械作用對要拋光的表面進行拋光的。其中二氧化硅的粒度通常為0.005-0.6微米，較好為0.01-0.2微米，該粒度是由BET方法測量的表面積換算得到的平均粒度。同樣地，氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦和氮化硅的粒度通常為0.01-1微米，較好為0.05-0.3微米，是用激光衍射粒度分布測量儀測得的平均粒度。此外，氧化鈰和二氧化錳的粒度通常為0.01-1微米，較好為0.05-0.3微米，是用掃描電子顯微鏡觀察得到的平均粒度。
如果這些磨料的平均粒度超過上述范圍的話，經拋光表面的表面粗糙度往往較差，或者容易形成劃痕。另一方面，如果平均粒度小于上述范圍，磨削速率會非常低，無法實際應用。
拋光組合物中磨料的含量隨所用磨料的類型而異。當磨料是二氧化硅或氧化鋁時，含量通常為0.1-40％(重量)，較好是1.0-15％(重量)，以組合物的總量計。當磨料是氧化鈦、氮化硅或二氧化錳時，含量通常為0.1-30％(重量)，較好是0.5-15％(重量)。當磨料為氧化鈰或氧化鋯時，含量通常為0.5-50％(重量)，較好是1-25％(重量)。如果磨料含量太少的話，磨削速率會很低。如果磨料含量太高，往往很難保持均勻的分散，而且組合物的粘度會過大以致難以使用。
促進劑此外，本發(fā)明拋光組合物的特點是含有高碘酸(鹽)作為拋光促進劑。
本發(fā)明拋光組合物中高碘酸(鹽)的含量隨所用具體化合物的效果而不同。然而，該含量通常為0.001-10％(重量)，較好為0.01-5％(重量)，更好為0.1-5％(重量)，以拋光組合物的總量計。如果高碘酸(鹽)含量少，化學作用就不能有效地發(fā)揮，由此拋光性能會較差，從而不經濟。另一方面，如果過量使用高碘酸(鹽)，拋光性能并不能獲得進一步的改進，因此是不經濟的。
緩沖組分此外，本發(fā)明的拋光組合物含有用來將拋光組合物的pH值調節(jié)至2-5的緩沖組分。緩沖組分可以是有機或無機的酸或堿，這些酸或堿的鹽，或者它們的混合物。較好的是有機酸或其鹽，特別好的是檸檬酸、蘋果酸、丙二酸或馬來酸，或者它們的鹽。這些有機酸的作用是將拋光組合物的pH值降低至2-5的范圍內。通過降低pH值，可以用高碘酸(鹽)組分獲得良好的拋光性能，原因是已經發(fā)現(xiàn)氧化電位在酸性溶液中會提高。
如果作為緩沖組分的酸的用量太少以致于組合物的pH值高于5，高碘酸(鹽)的作用得不到充分提高，從而拋光性能不足。另一方面，如果酸的用量太高，pH值會低于2.0，這樣拋光組合物會對使用者的皮膚存在刺激性，或者可能對拋光機產生腐蝕，使用時需要給予應有的注意。
用來降低漿液pH值的較佳酸是馬來酸，因為馬來酸被發(fā)現(xiàn)能促進高碘酸(鹽)的穩(wěn)定性。馬來酸的鹽(如馬來酸二鈉、馬來酸二鉀或馬來酸一鈉)可用來提高加入酸的總用量，同時保持恒定的pH值。較高用量的酸還可以通過用堿進行一定程度的中和而加以使用。這兩種方法都能提高緩沖劑容量和酸用量，同時保持所需的固定pH值。然而，也可以使用其它酸，但高碘酸(鹽)的長期穩(wěn)定性會降低，漿液會變成粉紅色或產生碘臭味。
當無機酸、無機酸鹽或者它們的混合物用作緩沖組分時，較好是用它們將拋光組合物的pH值調節(jié)至2-3。無機酸宜為鹽酸或硝酸。
拋光組合物此外，本發(fā)明的拋光組合物可以較高濃度儲液的形式制備、貯存或運輸，而在實際拋光操作時稀釋使用。上述較佳范圍的濃度是指實際拋光操作中用的濃度。不用說，當采用使用時稀釋的方法時，拋光組合物在貯存或運輸時是較高濃度的溶液。此外，從貯存和運輸效率的角度來看，將拋光組合物制成濃縮形式更為適宜。
此外，拋光組合物可以分成兩種或多種組合物進行貯存。具體而言，只有磨料和緩沖組分可以以較高濃度貯液的形式進行制備和貯存，這樣高碘酸(鹽)可以在即將進行拋光操作之前稀釋貯液時進行溶解。另外，高碘酸(鹽)和緩沖組分可以粉末形式按預定比例混合后而加以貯存，因此如果情況需要，該混合物和磨料可以在即將進行拋光操作之前分散/溶解在水中。通過使用上述方法，可以較高濃度進行貯存。
在制備上述拋光組合物時，還可加入各種已知添加劑，用來穩(wěn)定或保持產品的質量，加入添加劑還取決于被拋光物體的類型、拋光條件或其它加工條件方面的需求。這些添加劑的較佳例子包括(a)纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素以及其它纖維素類，(b)乙醇、丙醇、乙二醇以及其它水溶性醇類，(c)烷基苯磺酸鈉、萘磺酸的甲醛水縮合物、以及其它表面活性劑，(d)木素磺酸鹽、聚丙烯酸酯以及其它有機多陰離子物質，(e)聚乙烯醇以及其它水溶性聚合物(乳化劑)，(f)過氧化氫、高錳酸鉀、過硫酸鉀和其它氧化劑，(g)藻酸鈉、碳酸氫鉀以及其它殺菌劑。
尚不清楚本發(fā)明的拋光組合物為何能在拋光基片時具有高的磨削速率，能夠得到表面粗糙度低，微凸起物、細小凹坑或其它表面缺陷少的拋光表面的具體機理。然而，可以用Ni-P敷鍍的基片作為例子進行以下說明。
關于高速拋光Ni-P敷鍍的基片的原因，據(jù)認為是Ni-P敷鍍的表面被高碘酸(鹽)的作用而氧化，由此變脆，能容易地通過磨料的機械作用除去。或者，Ni-P通過由顆粒的機械研磨而加速的還原氧化作用而溶解。
此外，高碘酸(鹽)是易于分解成碘和多種碘酸鹽和碘化物的物質。使用諸如馬來酸的緩沖組分被認為能使高碘酸(鹽)穩(wěn)定化，防止其分解，從而保持其效果。
存儲器硬盤的制造制造本發(fā)明存儲器硬盤的方法包括用上述拋光組合物對存儲器硬盤進行拋光。
待拋光的存儲器硬盤的基片例如是Ni-P磁盤、Ni-Fe磁盤、鋁磁盤、碳化硼磁盤和碳磁盤等。其中，較好的是使用Ni-P磁盤或鋁磁盤。
本發(fā)明制造存儲器硬盤的方法可以使用任何常規(guī)的拋光存儲器硬盤的方法或拋光條件的組合，只要能夠使用上述拋光組合物。
例如，可使用單面拋光機、雙面拋光機或其它機器作為拋光機。此外，拋光墊可以是絨面型、非織造型、植絨型、起絨型等。
此外，本發(fā)明用于制造存儲器硬盤方法的拋光組合物具有高磨削速率，同時能得到平整的拋光表面。因此，拋光工藝可以一步進行，或者在不同的拋光條件下分兩步或多步進行。在兩步或多步拋光工藝的情況下，較好的是使用上述拋光組合物的拋光步驟作為最終拋光步驟，即經過初步拋光的基片用上述拋光組合物進行拋光。此外，為了更有效地用本發(fā)明的拋光組合物進行拋光，較好的是將經初步拋光的基片的表面粗糙度調節(jié)至Ra最多為30埃，該值由接觸表面粗糙度計測得。
現(xiàn)參照一些實施例對本發(fā)明的拋光組合物作進一步說明。然而應該理解，本發(fā)明不受這些具體實施例的限制。
拋光組合物的制備先將高碘酸(鹽)和緩沖劑完全溶解于水中，然后加入表1所示的膠體二氧化硅(初始顆粒的粒度35納米，經過預分散)，接著混合得到拋光組合物。以該方法制備實施例1-4和比較例1-3的試驗樣品。如表1指出，膠體二氧化硅是酸性二氧化硅或堿性二氧化硅。
拋光試驗然后，使用上述拋光組合物對經DISKLITE-1312(由Fujimi Incorporated制造)初步拋光的基片進行拋光試驗。拋光條件如下拋光條件拋光機雙面拋光機被拋光物體3.5″無電敷鍍Ni-P的基片(已經過第一步的拋光；表面粗糙度Ra=16埃)被拋光基片的數(shù)目2片/1塊載體×5塊載體×2次試驗=20片拋光墊Politex DPC 5350(由Rodel Inc.U.S.A制造)處理壓力60g/cm2工作臺旋轉速度40rpm拋光組合物的供應量100cc/min拋光時間12分鐘拋光后，繼而對基片進行清洗和干燥，然后測量由拋光造成的基片重量減少。對所有20片被拋光的基片進行這一測量，由平均值得到磨削速率。所得的結果示于表1。
表1
由表1的結果可見，本發(fā)明的拋光組合物的拋光性能優(yōu)于作為比較例的僅含高碘酸(鹽)的組合物。
此外，用接觸表面粗糙度計Tencor P12(由Tencor Instruments Co.,U.S.A.制造)測量基片的表面粗糙度。結果，實施例和比較例之間沒有顯著的差別，可見在實施例和比較例中，可得到Ra值低于4.0埃的非常光滑的表面。此外，于暗室中在聚光燈下用肉眼觀察劃痕，發(fā)現(xiàn)實施例和比較例之間的劃痕數(shù)沒有顯著區(qū)別?？梢?，在實施例和比較例中，都可得到劃痕少的良好表面。
如前所述，本發(fā)明的拋光組合物具有高的磨削速率，能夠提供表面粗糙度低的拋光表面，能夠防止形成微凸起物、細小凹坑或其它表面缺陷。該拋光組合物的特點還有即使在pH值大于2.0時也顯示高的磨削速率。
權利要求
1．一種用于存儲器硬盤的拋光組合物，該組合物至少包含以下組分(a)至(d)(a)以拋光組合物總量計的0.1-50％(重量)至少一種磨料，選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳，(b)以拋光組合物總量計的0.001-10％(重量)至少一種高碘酸(鹽)，選自高碘酸、高碘酸鉀、高碘酸鈉和高碘酸鋰，(c)用來將所述拋光組合物的pH值調節(jié)至2-5的緩沖組分，(d)水。
2．如權利要求1所述的拋光組合物，其特征在于所述緩沖組分是有機酸、有機酸的鹽或者它們的混合物。
3．如權利要求1所述的拋光組合物，其特征在于所述緩沖組分是檸檬酸、蘋果酸、丙二酸或馬來酸，或者它們的鹽。
4．如權利要求1所述的拋光組合物，其特征在于所述緩沖組分是馬來酸，馬來酸的鹽，或者它們的混合物。
5．如權利要求1所述的拋光組合物，其特征在于所述緩沖組分是馬來酸。
6．如權利要求1所述的拋光組合物，其特征在于所述緩沖組分是無機酸、無機酸的鹽或者它們的混合物。
7．如權利要求6所述的拋光組合物，其特征在于所述緩沖組分是鹽酸或硝酸。
8．如權利要求1所述的拋光組合物，其特征在于所述磨料是膠體二氧化硅。
9．一種制造存儲器硬盤的方法，該方法包括采用一種存儲器硬盤用的拋光組合物對存儲器硬盤用的基片進行拋光，所述拋光組合物至少包含以下組分(a)至(d)(a)以拋光組合物總量計的0.1-50％(重量)至少一種磨料，選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳，(b)以拋光組合物總量計的0.001-10％(重量)至少一種高碘酸(鹽)，選自高碘酸、高碘酸鉀、高碘酸鈉和高碘酸鋰，(c)用來將所述拋光組合物的pH值調節(jié)至2-5的緩沖組分，(d)水。
10．如權利要求9所述的方法，其特征在于所述緩沖組分是有機酸、有機酸的鹽或者它們的混合物。
11．如權利要求9所述的方法，其特征在于所述緩沖組分是檸檬酸、蘋果酸、丙二酸或馬來酸，或者它們的鹽。
12．如權利要求9所述的方法，其特征在于所述緩沖組分是馬來酸，馬來酸的鹽，或者它們的混合物。
13．如權利要求9所述的方法，其特征在于所述緩沖組分是無機酸、無機酸的鹽或者它們的混合物。
14．如權利要求9所述的方法，其特征在于所述基片是Ni-P磁盤或鋁磁盤。
15．如權利要求9所述的方法，其特征在于用所述拋光組合物對經過一次或多次初步拋光的Ni-P磁盤或鋁磁盤進行最終拋光。
16．如權利要求15所述的方法，其特征在于在最終拋光前Ni-P磁盤或鋁磁盤的表面粗糙度Ra最多為30埃。
17．如權利要求9所述的方法，其特征在于所述磨料是膠體二氧化硅。
全文摘要
一種用于存儲器硬盤的拋光組合物，該組合物至少包含以下組分(a)至(d)(a)以拋光組合物總量計的0.1－50%(重量)至少一種磨料，選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳，(b)以拋光組合物總量計的0.001－10%(重量)至少一種高碘酸(鹽)，選自高碘酸、高碘酸鉀、高碘酸鈉和高碘酸鋰，(c)用來將所述拋光組合物的pH值調節(jié)至2－5的緩沖組分，(d)水。
文檔編號C09G1/02GK1316477SQ0110476
公開日2001年10月10日 申請日期2001年2月23日 優(yōu)先權日2000年4月6日
發(fā)明者D·M·謝姆, W·S·雷德, 大脅壽樹 申請人:不二見美國股份有限公司