專利名稱：電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能發(fā)射不同顏色光線的電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
電流經(jīng)過時(shí)能發(fā)光的材料是公知的，并廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域。液 晶器件和基于無機(jī)半導(dǎo)體系統(tǒng)的器件被廣泛應(yīng)用，然而它們遭受高能 耗、高制造成本、量子效率低和不能制造平板顯示器的缺點(diǎn)。
專利申請WO98/58037披露了 一系列可用于電致發(fā)光器件的鑭系 絡(luò)合物，其具有改良的性能并給出較好的結(jié)果。專利申請 PCT/GB98/01773、 PCT/GB99/03619、 PCT/GB99/04030 、 PCT/GB99/04028、 PCT/GB00/00268披露了使用稀土元素螯合物的電致 發(fā)光的絡(luò)合物、結(jié)構(gòu)和器件。
通常提到的作為光學(xué)發(fā)光二極管(OLEDS )的典型電致發(fā)光器件包 括陽極和金屬陰極，其中陽極通常有電學(xué)透光材料、空穴傳輸材料層、 電致發(fā)光材料層、電子傳輸材料層。
美國專利5128587公開了一種電致發(fā)光器件，其由稀土元素的有 機(jī)金屬絡(luò)合物和空穴傳導(dǎo)層以及導(dǎo)電層組成，該有機(jī)金屬絡(luò)合物是將 鑭系元素夾在一個(gè)透明的高功函數(shù)電極和另一個(gè)低功函數(shù)電極之間， 該空穴傳導(dǎo)層則介于電致發(fā)光層和透明的高功函數(shù)電極之間，該導(dǎo)電 層介于電致發(fā)光層和電子注入低功函數(shù)陽極之間。空穴傳導(dǎo)層和導(dǎo)電 層對于提高器件的工況和性能是必需的?？昭▊鲗?dǎo)或傳輸層起到傳輸 空穴和阻隔電子的作用，這樣就能防止電子不和空穴重組地移動(dòng)到電 極里。導(dǎo)電或傳電層起到傳輸電子和阻隔空穴的作用，這樣就能防止 空穴不和空穴重組地移動(dòng)到電極里。因此，載體的重組主要或完全發(fā) 生在發(fā)射層中。如美國專利6333521所述，該機(jī)理是基于陷阱電荷的輻射重組。 具體地，0LED包括至少兩層位于陽極和陰極之間的薄有機(jī)層。其中一 層的材料根據(jù)材料的傳輸空穴的能力進(jìn)行特定地選擇，即"空穴傳輸 層"(HTL)，其它層的材料根據(jù)它們傳輸電子的能力進(jìn)行特定地選擇， 即"電子傳輸層"(ETL)。具有這樣的結(jié)構(gòu)，器件能作為二極管在施 于陽極的電位高于施于陰極的電位時(shí)以正向偏壓觀測到。在這些偏壓 條件下，陽極將空穴(正電荷栽體)注入HTL，而陰極將電子注入ETL。 部分發(fā)光介質(zhì)和陽極相鄰以形成空穴的注入和傳輸區(qū)，同時(shí)部分發(fā)光 介質(zhì)和陰極相鄰形成電子的注入和傳輸區(qū)。注入的空穴和電子各自遷 移到相反的充電電極。當(dāng)電子和空穴集中在相同的分子上，富蘭克耳 (Frenkel )激子就形成了 。在具有最低能量的材料中這些激子被俘獲。 短壽命的激子的重組可想象作為一種電子，其在特定情況下，優(yōu)選通 過光電發(fā)射機(jī)理，從它的導(dǎo)電電位降至價(jià)帶并發(fā)生弛豫(relaxation )。
0LED的起ETL或HTL功能的材料還起到媒介的作用，在該媒介上 形成激子并電致發(fā)光。該OLED稱為具有"單異質(zhì)結(jié)構(gòu)"(SH)?；蛘?， 電致發(fā)光材料可以存在于介于HTL和ETL之間的分開的發(fā)射層中，其 被稱為"雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)"(DH)。
在單異質(zhì)結(jié)構(gòu)的OLED中，不是將空穴從HTL注入到ETL中且其中 它們和電子結(jié)合形成激子，就是將電子從ETL注入到HTL中且其中它 們和空穴形成激子。因?yàn)樵诰哂凶畹湍芟兜牟牧现屑ぷ颖环@，且常 用的ETL材料通常具有比常用的HTL材料更小的能隙，所以單異質(zhì)結(jié) 構(gòu)器件的發(fā)射層通常是ETL。在這樣的OLED中，ETL和HTL所用材料 的選擇需要使得空穴能有效地從HTL注入到ETL中。同樣地，人們相 信最好的OLED在HTL和ETL材料的最高占據(jù)分子軌道(HOMO )層級之 間具有良好的能級隊(duì)列(alignment)。
在雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的OLED中，空穴和電子分別從HTL和ETL注入到分 開的發(fā)射層中，空穴和電子在該層結(jié)合形成激子。
已經(jīng)有眾多化合物被用作HTL材料或ETL材料。HTL材料主要由 各種形式的三芳基胺組成，其顯示出高空穴遷移性(~l(T3cmVVs)。
9ETL在0LED中的使用稍顯多樣些。三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)是最常用的ETL材料，其它的包括喁二唑、三唑和三溱。
發(fā)明概述
我們現(xiàn)已發(fā)明了一種改良的電致發(fā)光器件，其使用了至今未被用于該目的的ETL。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種電致發(fā)光器件，其包括
(i) 笫一電極；
(ii) 有機(jī)電致發(fā)光材料層；
(iii) 選自四價(jià)或五價(jià)態(tài)的過渡金屬的喹啉酚鹽的電子傳輸材料和摻雜劑的層；和
(iv) 第二電極。
專利申請WO2002/058913已經(jīng)公開了摻雜的喹啉酚鋯，該申請的內(nèi)容引入作為參考，但是至今該物質(zhì)沒有被用作電子傳輸材料。
發(fā)明詳述第一和第二電極器件特征
第一電極充當(dāng)陽極，優(yōu)選是透明的基片，例如導(dǎo)電玻璃或塑料材料；優(yōu)選的基片是導(dǎo)電玻璃，例如氧化銦錫涂覆的玻璃，但是任何導(dǎo)電或具有導(dǎo)電層，例如金屬或?qū)щ娋酆衔锏牟ＡФ伎梢允褂?。?dǎo)電聚合物和導(dǎo)電聚合物涂覆的玻璃或塑料材料也可以用作該基片。
本發(fā)明的器件可以用作視頻顯示、移動(dòng)電話、移動(dòng)式電腦和其它任何使用電子控制成像技術(shù)的應(yīng)用中的顯示器。本發(fā)明的器件既可以用于這類顯示器的主動(dòng)應(yīng)用也可以用于被動(dòng)應(yīng)用中。
已知的電致發(fā)光器件中，無論是一個(gè)還是兩個(gè)電極都可以由硅形成，而電致發(fā)光材料與空穴傳輸和電子傳輸材料的居間層可以在硅基片上形成作為像素。優(yōu)選每個(gè)像素包括至少一層電致發(fā)光材料和(至少半)透明的電極，該電極在遠(yuǎn)離基片的有機(jī)層的一側(cè)和有機(jī)層接觸。
優(yōu)選地，該基片是晶體硅，基片表面經(jīng)過拋光或平滑處理以在沉積電極或電致發(fā)光化合物前生成一個(gè)平整的表面?；蛘?，未作平面處理
(non-planarised)的硅基片可以用導(dǎo)電聚合物層涂覆以在沉積其它物質(zhì)時(shí)提供光滑、平整的表面。
在一個(gè)實(shí)施方案中，每個(gè)像素包括和基片接觸的金屬電極。取決于金屬和透明電極的相對功函數(shù)，任何一個(gè)都可以作為陽極而其它的構(gòu)成陰極。
當(dāng)硅基片是陰極時(shí)，氧化銦錫涂覆的玻璃可以充當(dāng)陽極，光線發(fā)射穿過陽極。當(dāng)硅基片充當(dāng)陰極時(shí)，陰極可以由具有合適功函數(shù)的透明電極形成；例如由氧化銦鋅涂覆的玻璃，其中氧化銦鋅具有低功函數(shù)。陽極可以有金屬形成于其上的透明涂層以提供合適的功函數(shù)。這些器件有時(shí)稱為頂發(fā)射器件，有時(shí)稱為背發(fā)射器件。
優(yōu)選地，電極還充當(dāng)每一個(gè)像素后的鏡面，其沉積在基片的經(jīng)平面處理的表面上或陷入基片的經(jīng)平面處理的表面內(nèi)。然而，還可選擇地有一和基片相鄰的吸光黑層。
在另一個(gè)實(shí)施方案中，將底部導(dǎo)電聚合物層上選取的一些區(qū)域通過暴露在合適的水溶液下使其不導(dǎo)電，并允許形成作為像素電極底部接觸的導(dǎo)電像素墊(pixel pad)的陣列。
任選的空穴傳輸層
在一些實(shí)施方案中，第一電極可以作為陽極，第二電極可以作為陰極，優(yōu)選在陽極和電致發(fā)光化合物層之間有一空穴傳輸材料層。
空穴傳輸層的厚度優(yōu)選20nm至200認(rèn)?？昭▊鬏敳牧峡梢允侨魏斡糜陔娭掳l(fā)光器件的空穴傳輸材料。
空穴傳輸材料可以是胺絡(luò)合物，例如聚(乙烯基咔唑)、N， N'-二苯基-N, N'-雙(3-甲基苯基)-1， l'-聯(lián)苯基-4， 4'-二胺(TPD)、經(jīng)氨基取代的芳族化合物的未取代或取代的聚合物、聚苯胺、取代的聚苯胺、聚噻吩、取代的聚噻吩、聚硅烷等。聚苯胺的例子是下式的物質(zhì)與該下式I的至少一個(gè)其它的單體的聚合物
ii(XXXI)
其中R是在鄰-或間-位，并且是氫、Cl-18烷基、Cl-6烷氧基.氨基、氯、溴、羥基或下式的基團(tuán)
R'
其中R是烷基或芳基，R'是氫、Cl-6烷基或芳基?；蛘呖昭▊鬏敳牧峡梢允蔷郾桨?；本發(fā)明可用的聚苯胺具有以下
通式
<formula>formula see original document page 12</formula>
(XXXII)
其中p是l至10, n是l至20， R如上所定義，X是陰離子，優(yōu)選自Cl、 Br、 S04、 BF4、 PF" H2P03、 H2P04、芳基磺酸根、芳烴二羧酸根、聚苯乙烯磺酸根、聚丙烯酸根、烷基磺酸根、乙烯基磺酸根、乙烯基苯磺酸根、纖維素磺酸根、樟腦磺酸根、纖維素硫酸根或全氟化聚陰離子。
芳基磺酸根的例子是對甲苯磺酸根、苯磺酸根、9， 10-蒽醌磺酸
根和蒽磺酸根；芳烴二羧酸根的例子是鄰苯二甲酸根，芳烴羧酸根的例子是苯甲酸根。
聚合物，例如聚苯胺，難以蒸發(fā)或不能蒸發(fā)，然而，我們驚奇地發(fā)現(xiàn)
就能很容i蒸發(fā),、即 該聚合物是可蒸i的。'
優(yōu)選使用氨基取代的芳族化合物的未取代或取代的聚合物的可蒸發(fā)去質(zhì)子化的聚合物。所述氨基取代的芳族化合物的去質(zhì)子化的未取代或取代的聚合物可以通過使用堿例如氫氧化銨，或者堿金屬氫氧化物例如氫氧化鈉或氫氧化鉀作處理使聚合物去質(zhì)子化來制備。
質(zhì)子化度可以通過形成質(zhì)子化的聚苯胺并去質(zhì)子化來控制。
A. G. MacDiarmid和A. F. Epstein, Faraday Discussions, Chem Soc. 88
第319頁，1989的文章中描述了制備聚苯胺的方法。
聚苯胺的傳導(dǎo)性取決于質(zhì)子化度，且有當(dāng)質(zhì)子化度介于40至60%，
例如大約50%時(shí)，傳導(dǎo)性最大
優(yōu)選的聚合物基本上是完全質(zhì)子化的。聚苯胺可以由八聚物單元形成，即，p是4，例如
聚苯胺可具有1 x 1(TSiemen cnf1級或更高的傳導(dǎo)率。芳香環(huán)可以未取代或被例如CI至20的烷基例如乙基取代。聚苯胺可以是苯胺的共聚物，優(yōu)選的共聚物是苯胺與鄰茴香胺、
間氨基苯磺酸(m-sulphanilic acid )或鄰氨基苯酚的共聚物，或者
鄰甲苯胺與鄰氨基苯酚、鄰乙基苯胺、鄰苯二胺或與氨基蒽的共聚物?？捎玫陌被〈姆甲寤衔锏钠渌酆衔锇ㄈ〈蛭慈〈?br> 聚氨基萘、聚氨基蒽、聚氨基菲等，以及其它任何稠合的聚芳族化合
物。美國專利6，153， 726公開了聚氨基蒽及其制備方法。芳香環(huán)可以
未取代或被例如上文定義的R基團(tuán)取代。
其它的空穴傳輸材料是共軛聚合物，可用的共軛聚合物可以是
US5807627、 PCT/WO90/13148和PCT/WO92/03490中公開或涉及的任何
共軛聚合物。
優(yōu)選的共軛聚合物是聚(對亞苯基亞乙烯基)-PPV和包含PPV的共聚物。其它優(yōu)選的聚合物是聚(2， 5 二烷氧基亞苯基亞乙烯基)，例如聚(2-甲氧基-5-(2-甲氧基戊氧基-1， 4_亞苯基亞乙烯基)、聚(2-甲氧基戊氧基)-1， 4-亞苯基亞乙烯基)、聚(2-甲氧基-5-(2-十二烷氧基-1， 4-亞苯基亞乙烯基)和其它的聚(2， 5 二烷氧基亞苯基亞乙烯基)，且其中至少一個(gè)烷氧基為長鏈增溶(Solubilising)烷氧基、聚芴和低聚芴、聚亞苯基和低聚亞苯基、聚蒽和低聚蒽、聚嚷吩和低聚噻吩。
PPV中，亞苯基環(huán)可任選帶有一個(gè)或多個(gè)取代基，例如，各自獨(dú)
立地選自烷基，優(yōu)選曱基，烷氧基，優(yōu)選曱氧基或乙氧基。
可以使用任何聚(亞芳基亞乙烯基)，包括其取代衍生物，并且聚(對亞苯基亞乙烯基)中的亞苯基環(huán)可以被稠合環(huán)系代替，例如蒽或萘環(huán)，并且每個(gè)聚亞苯基亞乙烯基部分中的亞乙烯基的數(shù)目可以增加，
例如高至7或更高。
可以用US5807627、 PCT/W090/13148和PCT/W092/03490中公開的方法制備共軛聚合物。
氨基取代的芳族化合物的聚合物，例如上述的聚苯胺還可以和其它空穴傳輸材料一起或結(jié)合地用作緩沖層。
其它一些空穴傳輸材料的結(jié)構(gòu)式如

圖10至14所示，其中l(wèi)、 R2
和R3可以相同或不同并選自氫，取代和未取代的烴基例如取代和未取代的脂族基團(tuán)、取代和未取代的芳族的、雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)，氟代經(jīng)基(fluorocarbons)例如三氟曱基，閨素例如氟或噻吩基；K、 R2和R3還可以形成取代和未取代的稠合的芳族、雜環(huán)的和多環(huán)環(huán)結(jié)構(gòu)并可以和單體例如苯乙烯共聚。X是Se、 S或0， Y可以是氫、取代或未取代的烴基，例如取代和未取代的芳族、雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)、氟、氟代烴基例如三氟曱基、卣素例如氟或噻吩基或腈基。
K和/或R2和/或R3的例子包括脂肪族的、芳族的和雜環(huán)的烷氧基、芳氧基和羧基、取代和取代的苯基、氟代苯基、聯(lián)苯基、菲基、蒽基、萘基和芴基、烷基例如叔丁基、雜環(huán)基例如咔唑基。
有機(jī)電致發(fā)光材料
本發(fā)明可用的電致發(fā)光化合物具有通式(La)il，其中M是稀土元素、鑭系或鈰系元素，Lot是有機(jī)絡(luò)合物且n是M的價(jià)態(tài)。本發(fā)明可用的其它有機(jī)電致發(fā)光化合物具有通式其中Loc和Lp是有機(jī)配體，M是稀土元素、過渡金屬、鑭系或^ 系元素且n是金屬M(fèi)的價(jià)態(tài)。配體La可以相同或不同并可以有多個(gè) 可以相同或不同的Lp配體。
例如(U ( L2) ( L3) ( L..)M(Lp)，其中M是稀土元素、過渡金屬、 鑭系或錒系元素且(L) ( L2) ( L3) ( L..)是相同或不同的有機(jī)絡(luò)合物且 (Lp)是中性配體。配體(U ( L2) ( L3) ( L..)的總電荷等于金屬M(fèi)的價(jià) 態(tài)。當(dāng)有對應(yīng)于金屬M(fèi)的m價(jià)態(tài)的3個(gè)基團(tuán)Lot時(shí)，絡(luò)合物具有通式 (L》(L2) ( UM(Lp)且不同基團(tuán)( L2) ( W可以相同或不同。
Lp可以是單齒、雙齒或多齒的并且可以有一個(gè)或多個(gè)配體Lp。
優(yōu)選的M是具有未滿內(nèi)電子層(inner shell)的金屬離子，優(yōu)選的 金屬選自Sm(III)、 Eu(II)、 Eu(III)、 Tb(III)、 Dy(III)、 Yb(III)、 Lu(III)、 Gd(ffl)、 U(III)、 Tm(III)、 Ce(III)、 Pr(ffl)、 Nd(IU)、 Pra(III)、 Ho (III)、 Er(III)、 Yb(ffl)且更優(yōu)選Eu(III)、 Tb(III)、 Dy(III)、 Gd(ffl)、 Er(m)、
Yt(m)。
本發(fā)明可用的其它有機(jī)電致發(fā)光化合物具有通式(LcthM美，其中 M!和上述的M相同，M2是非稀土金屬，Loc如上所述且n是M!和M2的 價(jià)態(tài)之和。該絡(luò)合物還可以包括一個(gè)或多個(gè)中性配體Lp，因此該絡(luò)合 物具有通式(Loc)iI晶(Lp)，其中Lp如上所述。金屬M(fèi)2可以是任何非 稀土元素、過渡金屬、鑭系或錒系元素的金屬。可用的金屬的例子包 括鋰、鈉、鉀、*、銫、鈹、鎂、釣、鍶、鋇、銅(I )、銅(n )、 銀、金、鋅、鎘、硼、鋁、鎵、錮、鍺、錫(II )、錫(IV )、銻(II )、 銻(IV )、鉛(II )、鉛(IV )和過渡金屬的第一、第二和笫三族中
不同價(jià)態(tài)的金屬例如錳、鐵、釕、鋨、鈷、鎳、把(n )、把(iv)、
柏(II )、鈾(IV)、鎘、鉻、鈦、釩、鋯、鉭、鉬、銠、銥、鈦、
鈮、鈧、釔。
例如，(L)(L2) ( L3) ( L. )M(Lp)，其中M是稀土元素、過渡金屬、 鑭系或婀系元素并且(L》(L2) ( L3) ( L..)和(Lp)是相同或不同的有機(jī) 絡(luò)合物。
15本發(fā)明可用的其它有機(jī)金屬絡(luò)合物是雙核、三核和更多核的有機(jī)
金屬絡(luò)合物，例如通式(Lm)篇—M2 (Ln)"例如
(Lm )0(Ln)y
其中L是橋連配體并且M!是稀土金屬并且M2是Mi或非稀土金屬， Lm和Ln是相同或不同的如上所定義的有機(jī)配體Lot，x是Nd的價(jià)態(tài)并 且y是M,的價(jià)態(tài)。
在這些絡(luò)合物中可以有金屬-金屬鍵或者一個(gè)或多個(gè)介于Mi和M2 之間的橋連配體并且基團(tuán)Lm和Ln可以相同或不同。
三核表示通過金屬-金屬鍵相連的三個(gè)稀土金屬，例如通式 (Lm)xM ， 一 M3(Ln )「M2(Lp )z 或
(LmXM ， 一 M3(Ln)y (LP)Z
其中M!、 M2和M3是相同或不同的稀土金屬并且Lm、 Ln和Lp是有 機(jī)配體Loc并且x是Mi的價(jià)態(tài)，y是M2的價(jià)態(tài)并且z是M3的價(jià)態(tài)。Lp 可以和Lm以及Ln相同或不同。
稀土金屬和非稀土金屬可以通過金屬-金屬鍵和/或通過中介的橋 連原子、配體或分子團(tuán)連接在一起。
例如金屬可以通過下例所示的橋連配體連接 八、
(Lm)xlVh M3(Ln)y M2(Lp)z 、L乂 、"
或
<formula>formula see original document page 16</formula>
其中L是橋連配體,更多核表示有通過金屬-金屬鍵和/或通過中介的配體連接的多于 三個(gè)的金屬
Mi一M2——M3— M4 或
M，-M2——M4——M3
或
M"j;—— ,z ^ ( 、 1
M3---、M4
或
<L、 ,L"s M， M2 M4 M3
乂L乂 乂L乂 、L乂 其中M!、 M2、 M3和M4是稀土金屬并且L是橋連配體。 優(yōu)選的Lot選自P二酮，例如以下通式的那些
(i) (") (ni)
其中Ri、 R2和R3可以相同或不同并選自氫，取代和未取代的烴基
例如取代和未取代的脂族基團(tuán)、取代和未取代的芳族、雜環(huán)的和多環(huán) 的環(huán)結(jié)構(gòu)、氟代烴基例如三氟甲基，鹵素例如氟或苯硫基；l和 R3還可以形成取代和未取代的稠合的芳族，雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)并 可以和單體例如苯乙烯共聚。X是Se、 S或O， Y可以是氫，取代或未
取代的烴基，例如取代和未取代的芳族、雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)，氟， 氟代烴基例如三氟曱基，鹵素例如氟或苯硫基或腈基。
P二酮可以是聚合物取代的P二酮，并且在聚合物、低聚物或樹
枝狀化合物取代的P二酮中，取代基可以直接連接在二酮上或可以通 過一個(gè)或多個(gè)-CH2基團(tuán)連接，例如(IIIc) (llld) 或通過苯基連接，例如
聚合物
(me) (nif) 其中"聚合物，，可以是聚合物、低聚物或樹枝狀化合物，(可以
有一個(gè)或兩個(gè)取代的苯基以及三個(gè)，如(inc)所示)并且R選自氫， 取代和未取代的烴基例如取代和未取代的脂族基團(tuán)、取代和未取代的
芳族、雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)，氟代烴基例如三氟(trifluoryl)曱 基、囟素例如氟或苯硫基。
R!和/或R2和/或R3的例子包括脂肪族、芳族和雜環(huán)的烷氧基、芳 氧基和羧基、取代和取代的苯基、氟代苯基、聯(lián)苯基、菲基、蒽基、 萘基和芴基、烷基例如叔丁基、雜環(huán)基例如咔唑基。
一些不同的基團(tuán)Lot還可以是相同或不同的帶電基團(tuán)例如羧酸根 基團(tuán)，從而基團(tuán)L!可以如上所定義并且L2、 U…可以是帶電基團(tuán)例如
18<formula>formula see original document page 19</formula>(IV)
其中R是如上定義的R"或者基團(tuán)L!、L2可以如上所定義并且L3… 等是其它的帶電基團(tuán)。 R,、 R2和Rs還可以是<formula>formula see original document page 19</formula>(V)
其中X是0、 S、 Se或NH。
優(yōu)選的R!部分是三氟甲基CF3且這些二酮的例子是，苯甲酰三氟 丙酮、對-氯苯甲酰三氟丙酮、對-溴三氟丙酮、對-苯基三氟丙酮、1-萘甲酰三氟丙酮、2-萘?xí)貂Ｈ?-菲曱酰三氟丙酮、3-菲甲酰 三氟丙酮、9-蒽甲酰三氟丙酮三氧丙酮、肉桂酰三氟丙酮和2-噻吩曱 酰三氟丙酮。
不同的La基團(tuán)可以是相同或不同的以下通式的配體
其中X是0、 S、或Se并且IU R2和R3如上定義。 不同的La基團(tuán)可以是相同或不同的會(huì)啉酚鹽(quinolate) 4汙生 物例:i口<formula>formula see original document page 20</formula>其中R是烴基、脂肪族的、芳族的或雜環(huán)的羧基、芳氧基、羥
基或烷氧基例如8羥基喹啉酚鹽衍生物或
<formula>formula see original document page 20</formula>(IX) (X)
其中R、 R!和R:如上所定義或者是H或F，例如R!和l是烷基 或烷氧基
或
如上所述'
例如
<formula>formula see original document page 20</formula>
或
(XI) 卿
不同的Loi基團(tuán)還可以是相同或不同的羧酸鹽基團(tuán)，
<formula>formula see original document page 20</formula>
(xm)
其中Rs是取代或未取代的芳族的、多環(huán)的或雜環(huán)的環(huán)、聚吡啶基， Rs還可以是2-乙基己基，如此則L是2-乙基己酸根或者Rs可以是椅 狀結(jié)構(gòu)，從而L是2-乙酰基環(huán)己酸根或Lct可以是(XIV)
其中R如上定義，例如烷基、鏈烯基，
多環(huán)的環(huán)。
不同的Loc基團(tuán)還可以是
' R， I
R2一N、
R2—N
R，
(XV)
或
R2
氨基或稠合環(huán)例如環(huán)狀或
R2
或
(XVI)
M
或
21其中R、 Id和R2如上定義。 基團(tuán)Lp可選自
Ph Ph
I I 0 = P —N = P——Ph
I I Ph Ph
(XVIII)
其中每個(gè)Ph可以相同或不同并可以是苯基(OPNP)或取代的苯 基、其它取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基或多環(huán)基、取 代或未取代的稠合芳基例如萘基、蒽基、菲基或芘基。取代基可以是 例如烷基、芳烷基、烷氧基、芳基、雜環(huán)基、多環(huán)基、卣素例如氟、 氰基、氨基。取代的氨基等。圖1和2給出了一些例子，其中R、 R2、 R3和^可以相同或不同并選自氫、烴基、取代和未取代的芳族的、 雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)、氟代烴基例如三氟曱基、鹵素例如氟或噻吩 基；R、 Id、 R2、 l和R4還可以形成取代和未取代的稠合的芳族的、雜 環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)并可以和單體例如苯乙烯共聚。R、 1、 R2、 Rs和 R4還可以是不飽和的鏈烯基例如乙烯基或基團(tuán)
-C CH之—CH之 R
其中R如上定義。 Lp還可以是以下通式的化合物
(XDQ (XX) (XXI)
22其中R:、R2和R3如上定義，例如圖3所示的二氮雜菲(bathophen ), 其中R如上定義或
R，
R，
lX3
R， R,
、N 、N' (XXII)
其中R、112和l如上定義。 Lp還可以是
Ph Ph
I - I S =P — N——P=S
Ph Ph
I- I 0=P — N——P= O
Ph
或
Ph Ph
(XXV)
Ph
(XXIV)
其中Ph如上定義。
其它Lp螯合物的例子是如圖4所示的和如圖5所示的芴以及芴衍 生物和如圖6至8所示的通式的化合物。
Lct和Lp的特定的例子是三吡啶基和TMHD和TMHD絡(luò)合物，ct ， a'， oc〃三吡咬基、冠醚、環(huán)烷爛(cyclans ) 、 cryptans 酞胥 (phthalocya,s )、外啉(porphoryins)，乙二胺四胺(EDTA )、 DCTA、 DTPA和TTHA，其中TMHD是2， 2， 6， 6-四曱基-3， 5-庚二酮根， OPNP是二苯基膦酰亞胺三苯基正膦。聚胺的通式如圖9所示。
其它可用的有機(jī)電致發(fā)光材料包括
(1) 金屬喹啉酚鹽例如喹啉酚鋰，和非稀土金屬絡(luò)合物例如鋁、鎂、 鋅和鈧絡(luò)合物，例如p-二酮絡(luò)合物例如三-(1， 3-二苯基-1-3-丙二 酮)(DBM),合適的金屬絡(luò)合物是Al (DBM)3、 Zn(DBM)2、和Mg(DBM) 2、 Sc(DBM)3等。
(2) 下式的金屬絡(luò)合物r2
一 」n
(xxvi)
其中M是除稀土元素、過渡金屬、鑭系或錒系元素之外的金屬；n 是M的化合價(jià)；I、 112和R3可以相同或不同并選自氫、烴基、取代和 未取代的脂族基團(tuán)、取代和未取代的芳族、雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)、 氟代烴基例如三氟曱基、鹵素例如氟或噻吩基或腈基；R!和R3還可以 形成環(huán)結(jié)構(gòu)且R!、 K和R3可以和單體例如苯乙烯共聚。優(yōu)選M是鋁， R3是苯基或取代的苯基。
(3)下式的二銥化合物
r3 r4 (xxvii)
其中R2、 113和R,可以相同或不同并選自氫、取代和未取代的烴基。
(4)下式的硼化合物
r3
、y-z r，
(XXV1I1)
其中Ar:表示選自以下的基團(tuán)未取代和取代的單環(huán)或多環(huán)的雜 芳基，其具有一個(gè)所示的用以和硼形成配位鍵的環(huán)氮原子并任選還有 一個(gè)或多個(gè)另外的環(huán)氮原子，前提是氮原子不出現(xiàn)在相鄰位置，X和Z
24選自碳和氮并且Y是碳或在X和Z都不為氮時(shí)任選為氮，所述取代基 如果存在則選自取代和未取代的烴基、取代和未取代的烴氧基、氟碳 基、卣素、腈基、氨基烷基氨基、二烷基氨基或苯硫基；
Ar2表示選自以下的基團(tuán)單環(huán)或多環(huán)的芳基和雜芳基，其任選被 一個(gè)或多個(gè)選自以下的基團(tuán)取代取代和未取代的烴基、取代和未取 代的烴氧基、氟代烴基、面素、腈基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基 和噢吩基；
K表示氫或選自取代和未取代的烴基、鹵代烴基和鹵素的基團(tuán)；
和
R2和Rs各自獨(dú)立地表示選自以下的部分烷基、環(huán)烷基、環(huán)烷基 烷基、卣代烷基、鹵素和單環(huán)的、多環(huán)的、芳基、雜芳基、芳烷基和 雜芳烷基，所述基團(tuán)任選被一個(gè)或多個(gè)選自以下的部分取代烷基、 環(huán)烷基、環(huán)烷基烷基、卣代垸基、芳基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、 卣素、硝酸根(nitric)、氨基、烷基氨基和二烷基氨基。
(5)下式的化合物
其中Ri、 R2、 R3、 R4、 Rs和R6可以相同或不同并選自氫、取代和未
25取代的烴基例如取代和未取代的脂族基團(tuán)、取代和未取代的芳族的、 雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)、氟代烴基例如三氟甲基、卣素例如氟或苯硫
基；R!、 112和R3還可以形成取代和未取代的稠合的芳族的、雜環(huán)的和 多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)并可以和單體例如苯乙烯共聚，并且其中R4和Rs可以相 同或不同并選自氫、和取代和未取代的烴基例如取代和未取代的脂族 基團(tuán)、取代和未取代的芳族的、雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)、氟代烴基例 如三氟曱基、卣素例如氟或苯疏基；Ri、 112和R3也可以形成取代和未 取代的稠合的芳族的、雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)并可以和單體共聚，M 是釕、銠、把、鋨、銥或鉑并且n+2是M的化合價(jià)。 (6)以下通式的電致發(fā)光化合物
其中M是金屬，n是該金屬的價(jià)態(tài)并且其中在2、 3、 4、 5、 6和7 位上取代基是相同或不同的并優(yōu)選自氫、和取代和未取代的烴基例如 取代和未取代的脂族基團(tuán)、取代和未取代的芳族的、雜環(huán)的和多環(huán)的
環(huán)結(jié)構(gòu)、氟代烴基例如三氟甲基、鹵素例如氟；噻吩基；氰基；取代 和未取代的烴基例如取代和未取代的脂族基團(tuán)、取代和未取代的脂族 基團(tuán)。.
優(yōu)選的M是四價(jià)態(tài)的鈦、鋯、鉿或五價(jià)態(tài)的釩、鈮或鉭。優(yōu)選的 喹啉酚鹽是2-甲基和5-甲基喹啉酚鹽。
可以根據(jù)熟知的方法用金屬化合物例如鹽、乙氧基化物或烷基8-羥基喹啉的反應(yīng)合成金屬喹啉酚鹽。對于電致發(fā)光材料，反應(yīng)優(yōu)選在 腈溶劑中進(jìn)行，例如乙腈、苯腈、甲苯腈等。
(7)下式的電致發(fā)光化合物
26其中M是金屬，n是M的價(jià)態(tài)，R和l可以相同或不同并選自氫、 和取代和未取代的烴基例如取代和未取代的脂族基團(tuán)、取代和未取代 的芳族的、雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)、氟代烴基例如三氟甲基、卣素例 如氟；噻吩基；氰基；取代和未取代的烴基例如取代和未取代的脂族 基團(tuán)、取代和未取代的脂族基團(tuán)。
M是四價(jià)態(tài)的鈦、鋯、鉿或者五價(jià)態(tài)的釩、鈮或鉭，并且(U、 (L2)、 (L3)、 (L4)和(L5)可以相同或不同并可形成稠合的環(huán)狀的、雜環(huán)的、芳 族的環(huán)或取代的芳族的環(huán)。
電子傳輸材料
摻雜的金屬喹啉酚鹽的ETL層的厚度優(yōu)選為2至100nm，更優(yōu)選 10至50 nm。
此處所用的嗇啉酚鹽中，優(yōu)選金屬是過渡金屬，例如四價(jià)態(tài)的鈦、 鋯或鉿或者五價(jià)態(tài)的釩、鈮或鉭，具有通式
其中M是金屬，n是該金屬的價(jià)態(tài)并且其中在2、 3、 4、 5、 6和7
位上取代基是相同或不同的并優(yōu)選自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、 磺酸、酯、羧酸、氨基和酰胺基或是芳基、多環(huán)基或雜環(huán)基。優(yōu)選的 喹啉酚鹽是2-甲基和5-甲基喹啉酚鹽。
可以根據(jù)熟知的方法用金屬化合物例如鹽、乙氧基化物或烷基8-羥基喹啉的反應(yīng)合成金屬喹啉酚鹽。對于電致發(fā)光材料，反應(yīng)優(yōu)選在 腈溶劑中進(jìn)行，例如乙腈、苯腈、甲苯腈等。
用少量的熒光材料作為摻雜劑摻雜電致發(fā)光化合物，優(yōu)選以摻雜
混合物的5至15%的量。
可用的熒光材料是能和有機(jī)金屬絡(luò)合物配混并能被加工成滿足上 述的厚度范圍的薄膜并形成本發(fā)明EL器件的發(fā)光區(qū)域的那些。當(dāng)晶體 有機(jī)金屬絡(luò)合物自身不適于形成薄膜時(shí)，存在于有機(jī)金屬絡(luò)合物材料 中的有限量的熒光材料允許使用單獨(dú)不能形成薄膜的熒光材料。優(yōu)選 的熒光材料是和有機(jī)金屬絡(luò)合物材料形成普通相的那些。熒光染料構(gòu) 成一類優(yōu)選的熒光材料，因?yàn)樵擃惾玖夏茉谟袡C(jī)金屬絡(luò)合物中達(dá)到分 子級別的分散。盡管可以采用任何常規(guī)的將熒光染料分散到有機(jī)金屬 絡(luò)合物中的技術(shù)，但是優(yōu)選的熒光染料是能和有機(jī)金屬絡(luò)合物材料一 起被真空氣相沉積的那些。假定滿足上述其它的準(zhǔn)則，熒光激光染料 被認(rèn)為是用于本發(fā)明有機(jī)EL器件中的特別有用的熒光材料?？捎玫膿?雜劑包括二苯基吖啶、香豆素、二萘嵌苯和它們的衍生物。
US4769292公開了有用的熒光摻雜劑，其內(nèi)容在此引入作為參考。
優(yōu)選的摻雜劑是香豆素，例如以下式的那些
(A) (B)
其中H選自氫、羧基、鏈烷?；?alkanoyl)、烷氧基羰基、氰 基、芳基和雜環(huán)芳基，R2選自氫、烷基、卣代烷基、羧基、鏈烷?；?和烷氧基羰基，R;選自氫和烷基，R^是氨基，Rs是氫，或者R,或R2 — 起形成稠合碳環(huán)，和/或形成W的氨基和至少W和116的至少一個(gè)構(gòu)成 稠合環(huán)。
每個(gè)例子中的烷基部分包含1至5個(gè)碳原子，優(yōu)選1至3個(gè)碳原 子。芳基部分優(yōu)選是苯基。稠合碳環(huán)優(yōu)選是五元、六元或七元環(huán)。雜
28環(huán)芳基包括5元或6元雜環(huán)且其包含碳原子和一個(gè)或兩個(gè)選自氧、硫 和氮的雜原子。氨基可以是伯、仲或叔氨基。當(dāng)氨基氮和相鄰取代基 形成稠合環(huán)時(shí)，該環(huán)優(yōu)選是五元或六元環(huán)。例如，當(dāng)?shù)雍鸵粋€(gè)相 鄰的取代基(W或R5)形成單環(huán)時(shí)，R'可以取吡喃環(huán)的形式，或者當(dāng) 氮原子和兩個(gè)相鄰的取代基113和Rs—起成環(huán)時(shí)，t可以取久洛里定 (julolidine)環(huán)的形式(包括香豆素的苯并稠合環(huán))。
以下舉例說明已知的用作激光染料的熒光香豆素染料FD-1 7-
二乙基氨基-4-甲基香豆素、FD-2 4，6-二甲基-7-乙基氨基香豆素、 FD-3 4-甲基傘形酮、FD-4 3- ( 2'-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香 豆素、FD-5 3-(2'-苯并咪唑基)-7-N， N-二乙基氨基香豆素、FD-6 7-氨基-3-苯基香豆素、FD-7 3- ( 2'-N-曱基苯并咪唑基)-7-N， N-二乙基氨基香豆素、FD-8 7-二乙基氨基-4-三氟甲基香豆素、FD-9 2， 3， 5， 6-lH， 4H—四氫-8-甲基唾"秦并(methylquinolazino ) [9， 9a， 1-gh]香豆素、FD-IO 環(huán)五[c]久洛里定并[9， 10-3]-llH-吡喃 -ll-酮、FD-ll 7-氨基-4-曱基香豆素、FD-12 7-二甲基氨基環(huán)五 [c]香豆素、FD-13 7-氨基-4-三氟甲基香豆素、FD-14 7-二甲基氨 基-4-三氟曱基香豆素、FD-15 1，2，4，5，3H，6H，10H-四氫-8-三氟甲 基[l]苯并吡喃并[9，9a，l-gh]喹嗪-10-酮、FD-16 4-甲基-7-(硫代 甲基氨基)香豆素鈉鹽、FD-17 7-乙基氨基-6-曱基-4-三氟曱基香 豆素、FD-18 7- 二曱基氨基-4-曱基香豆素、FD-19 1， 2， 4， 5， 3H， 6H， lOH-四氫-乙氧曱?；鵞1]苯并吡喃并[9， 9a， l-gh]奮 漆-10-酮、FD-20 9-乙?；?l， 2， 4， 5， 3H， 6H， 10H-四氫[1]苯并吡喃 并[9， 9a， l-gh]會(huì)噪-10-酮、FD-21 9-氰基-l， 2， 4， 5， 3H， 6H， IOH-四 氫[l]苯并吡喃并[9，9a，1-gh]喹嗪-10-酮、FD-22 9-(叔丁氧基羰 基)-1， 2， 4， 5， 3H， 6H， 10H-四氫[1]苯并吡喃并[9， 9a， l-gh]奮溱-IO-酮、FD-23 4-甲基哌啶并[3， 2-g]香豆素、FD-24 4-三氟曱基哌啶 并[3， 2-g]香豆素、FD-25 9-羧基-1，2，4，5，3H，6H，10H-四氫[l]苯 并吡喃并[9，9a，1-gh]喹嗪-10-酮、FD-26 N-乙基-4-三氟甲基哌啶 并[3，2-g]。其它香豆素的例子如圖15所示。 其它摻雜劑包括二苯磺酸的鹽例如
(c)
和二萘嵌苯與二萘嵌苯的衍生物，以及圖16至18通式所示的摻 雜劑其中Ri、 R2、 R3和R4是R、 R2、 R3和R4可以相同或不同，并選 自氫、烽基、取代和未取代的芳族的、雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)、氟代 烴基例如三氟曱基、鹵素例如氟或噻吩基；R、 R!、 R2、 R3和l還可以 形成取代和未取代的稠合的芳族的、雜環(huán)的和多環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)并可以和 單體例如苯乙烯共聚。R、 Ri、 R2、 113和R4還可以是不飽和烯基例如乙 烯基或基團(tuán)——C——CH2=CH2—R ，其中R如上定義。
其它摻雜劑是例如熒光的4-二氰基亞甲基-4H-吡喃類和4-二氰 基亞甲基-4H-噻喃類的染料，例如熒光的二氰基亞曱基吡喃和噻喃染 料。
有用的熒光染料還可以選自已知的聚曱炔染料，包括胥、部花青、 絡(luò)合的菁和部花青(例如三-、四-和多-核的菁和部花青)、oxonols、 hemioxonols、 苯乙烯、merostyryls和streptocyanines。
胥染料包括由次甲基連接鍵連結(jié)地，兩個(gè)基本雜環(huán)核，例如吡咯 錯(cuò)(azolium)或吖嚷錯(cuò)(azinium)核，例如衍生自下述的那些吡 啶銀、喹啉錯(cuò)、異喹啉錯(cuò)、喁唑銀、噻唑鏘、竭唑錯(cuò)、吲唑銀、吡唑 鎮(zhèn)、吡咯銪、吲哚銀、3H-吲哚銪、咪唑銀、喁二唑錯(cuò)、噻二喁唑銀 (thiadioxazolium)、苯并噶唑錯(cuò)、苯并漆哇錯(cuò)、苯并竭喳銪、苯并 碲唑銀(benzotellurazolium)、苯并咪唑銀、3H-或1H-苯并巧1哚錯(cuò)、 萘并p惡唑錯(cuò)、萘并噻唑錯(cuò)、萘并竭唑錯(cuò)、萘并碲唑銀 (naphthotellurazolium)、呻喳銀、處咯并p比咬錯(cuò)、菲并參峻錯(cuò)和 苊并噻唑銀季鹽。
其它有用類型的熒光染料是4-氧代-4H-苯并-[d， e]蒽和吡喃銀、
30蓉喃鏘、硒喃銀(selenapyrylium)和碲喃銪(tel luropyryl ium)染 料。
另一個(gè)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)中，電致發(fā)光層由兩種電致發(fā)光有機(jī)絡(luò)合物 的層形成，其中第二電致發(fā)光金屬絡(luò)合物或有機(jī)金屬絡(luò)合物例如釓或 鈰絡(luò)合物的帶隙大于第 一 電致發(fā)光金屬絡(luò)合物或有機(jī)金屬絡(luò)合物例如 銪或鋱絡(luò)合物的帶隙。
參考下述非限制性的實(shí)施例，將僅僅通過舉例的方式描述本發(fā)明 如何實(shí)施。
實(shí)施例1
器件結(jié)構(gòu)
使用預(yù)先蝕刻的涂覆有IT0的玻璃片(10x10 cm2)。隨后使用 ULVAC Ltd. ，Chigacki， Japan的Solciet機(jī)器通過真空蒸發(fā)通過在 ITO上連續(xù)地形成層而制作該器件。每個(gè)像素的有效區(qū)域(active area )是3mm乘3mm。
將經(jīng)涂覆的電極儲(chǔ)存在真空干燥器中置于分子篩和磷的五氧化物 上直到它們被載入到真空鍍膜機(jī)中(Edwards, l(T6托)并形成鋁頂 電極(top contacts)。隨后將該器件保持于真空干燥器中直到進(jìn)行 電致發(fā)光研究。
ITO電極總是連接到正極端。電流對電壓的研究在電腦控制的 Keithly 2400 source meter上進(jìn)行。
實(shí)施例2
通過實(shí)施例1的方法用氟化鋰和喹啉酚鋰作為陰極層制得兩個(gè)器 件；所述器件由以下組成
(i) ITO(100)/oc-NPB(50)/Zrq4: DCJTi (60: 0. 6) / Zrq4 (30)/LiF (0. 3) /Al
(ii) ITO (100)/oc-NPB(50)/Zrq4: DCJTi (60: 0.6)/ Zrq4:化合物 L(30: 0. l)/LiF(0, 5)/Al
(iii) ITO(100)/cc-NPB(50)/Zrq"DCJTi(60:0. 6)/ Zrq4:化合 物L(fēng)(30: l)/LiF(0. 3)/Al。其中ot-NPB如圖16所示；化合物DCJTi和L如圖19和20所示 (如下所示)；Zrq4是喹啉酚鋯；LiF是氟化鋰；Liq是喹啉酚鋰。測 試所述器件的性能，結(jié)果如圖21至24所示。
DCJTi
化合物-L
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光器件，其包括(i)第一電極；(ii)有機(jī)電致發(fā)光材料層；(iii)選自四價(jià)或五價(jià)態(tài)的過渡金屬的喹啉酚鹽的電子傳輸材料和摻雜劑的層；和(iv)第二電極。
2. 如權(quán)利要求l所述的器件，其中所述金屬喹啉酚鹽具有通式其中M是金屬，n是該金屬的價(jià)態(tài)并且在2、 3、 4、 5、 6和7位上取代基相同或不同，或者是下式的氧代喹啉酚鹽q2M〗v=0或q3Mv=0 其中q2和q3表示壹啉酚鹽配體。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的器件，其中所述金屬M(fèi)是四價(jià)態(tài)的 鈦、鋯或鉿或者五價(jià)態(tài)的釩、鈮或鉭。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的器件，其中所述取代基選自烷基、 烷氧基、芳基、芳氧基、磺酸、S旨、羧酸、氨基和酰胺基或者是芳族 的、多環(huán)的或雜環(huán)的基團(tuán)。
5. 如權(quán)利要求2所述的器件，其中所述絡(luò)合物是2-曱基或5-甲基金屬喹啉酚鹽。
6. 前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件，其中所述摻雜劑選自二苯 基吖啶、香豆素、二萘嵌苯、喹啉酚鹽、卟啉、卟吩、吡唑啉酮(pyrazalones )和它們的衍生物。
7. 如權(quán)利要求6所述的器件，其中基于有機(jī)金屬絡(luò)合物的摩爾 數(shù)最多有10摩爾％的熒光材料。
8. 如權(quán)利要求6所述的器件，其中基于有機(jī)金屬絡(luò)合物的摩爾數(shù)最多有1摩爾％的熒光材料。
9. 如權(quán)利要求6所述的器件，其中基于有機(jī)金屬絡(luò)合物的摩爾數(shù)有少于10—3摩爾y。的熒光材料。
10. 前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件，其中所述的摻雜劑選自式 (A) 、 (B)和(C)的化合物和附圖中圖15至18的化合物。
11. 前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件，其中所述電致發(fā)光材料是 以下通式的有機(jī)金屬絡(luò)合物其中Loc和Lp是有機(jī)配體，M是稀土元素、過渡金屬、鑭系或錒 系元素且n是金屬M(fèi)的價(jià)態(tài)并且其中配體Loc相同或不同。
12. 如權(quán)利要求11所述的器件，其中有多個(gè)可以相同或不同的
13. 如權(quán)利要求l-10任一項(xiàng)所述的器件，其中所述電致發(fā)光材料 是式(L上M美或(L丄M晶(Lp)的有機(jī)金屬絡(luò)合物，其中Ln是Loc， U是中 性配體，Mi是稀土元素、過渡金屬、鑭系或僻系元素，M2是非稀土金 屬且n是Mi和M2的價(jià)態(tài)之和。
14. 如權(quán)利要求l-10任一項(xiàng)所述的器件，其中所述電致發(fā)光材料是如下式的雙核、三核或更多核的有機(jī)金屬絡(luò)合物(Lm)x Mi — M2(Ln)y或(Lm )xM《)M2(Ln)y其中L是橋連配體并且Mi是稀土金屬并且M2是M,或非稀土金屬， Lm和Ln是相同或不同的如上所定義的有機(jī)配體L a ， x是的價(jià)態(tài)并 且y是M2的價(jià)態(tài)，或者是<formula>formula see original document page 4</formula>其中Mi、 M2和M3是相同或不同的稀土金屬并且Lm、 Ln和Lp是有機(jī)配體L oc并且x是的價(jià)態(tài)，y是M2的價(jià)態(tài)并且z是M3的價(jià)態(tài)并且Lp可以和Lm以及Ln相同或不同，或者是 ,L、 ,L、 (Lm)! M3(Ln)y M2(Lp)z、l/ 、l/或或M1—M2— M3——M'或M，——M2——M4——M或或<formula>formula see original document page 4</formula>乂lX 乂L乂 、Ly 其中M4是Mi并且L是橋連配體并且其中稀土金屬和非稀土金屬可 通過金屬-金屬鍵和/或通過中介的橋連原子、配體或分子基團(tuán)連在一起，或者其中有多于三個(gè)金屬通過金屬-金屬鍵和/或通過中介的配體 相連。
15. 如權(quán)利要求13或14所述的器件，其中所述非稀土金屬M(fèi)2選 自鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、釣、鍶、鋇、銅、銀、金、鋅、鎘、 硼、鋁、鎵、銦、鍺、錫、銻、鉛和過渡金屬的第一、第二和第三族 中的金屬例如錳、鐵、釕、鋨、鈷、鎳、鈀、鉑、鎘、鉻、鈦、釩、 鋯、鉭、鉬、銠、銥、鈦、鈮、鈧和釔。
16. 如權(quán)利要求13-15所述的器件，其中Loc具有本文中的通式 (I )至(XVIIa)中的任一個(gè)。
17. 前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件，其中Lp具有附圖的圖1 至8中任一個(gè)的通式或通式(XVIII)至(XXV)的任一個(gè)的通式。
18. 前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件，其中所述稀土元素、過渡 金屬、鑭系或錒系元素選自Sm (III) 、 Eu (II) 、 Eu (III) 、 Tb (III) 、 Dy (III)、 Yb(m)、 Lu(III)、 Gd(IU)、 Gd(in)U(III)、 Tm(III)、 Ce(III)、 Pr(m)、 Nd(m)、 Pm(m)、 Dy(III)、 Ho (III)和Er (III)。
19. 如權(quán)利要求l-10任一項(xiàng)所述的器件，其中所述電致發(fā)光材料是金屬喹啉酚鹽。
20. 如權(quán)利要求19所述的器件，其中所述金屬喹啉酚鹽是喹啉酚 鋁、奮啉酚鋰或會(huì)啉酚鋯。
21. 如權(quán)利要求l-10任一項(xiàng)所述的器件，其中所述電致發(fā)光材料 是電致發(fā)光的非稀土金屬絡(luò)合物。
22. 如權(quán)利要求21所述的器件，其中所述電致發(fā)光材料是鋁、鎂、 鋅或鈧的絡(luò)合物。
23. 如權(quán)利要求22所述的器件，其中所述電致發(fā)光材料是P-二 酮絡(luò)合物。
24. 如權(quán)利要求23所述的器件，其中所述電致發(fā)光材料是 A1(DBM)3、 Zn(DBM)2和Mg(DBM)2、 Sc(國)"其中(DBM)是三-(1， 3-二苯基-l-3-丙二酮)。
25. 如權(quán)利要求1-IO所述的器件，其中所述電致發(fā)光材料選自此處的式(XXVI)至(XXX)的化合物。
26. 前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件，其中在第一電極和電致發(fā) 光層之間有空穴傳輸材料層。
27. 如權(quán)利要求26所述的器件，其中所述空穴傳輸材料是芳族胺 絡(luò)合物。
28. 如權(quán)利要求27所述的器件，其中所述空穴傳輸材料是聚芳族 胺絡(luò)合物。
29. 如權(quán)利要求26所述的器件，其中所述空穴傳輸材料是聚合物 膜，所述聚合物選自聚(乙烯基啼唑)、N, N'-二苯基-N， N'-二 (3-曱基苯基)-1， l'-聯(lián)苯基-4， 4'-二胺(TPD)、聚苯胺、取代的聚苯 胺、聚噻吩、取代的聚噻吩、聚硅烷和取代的聚硅烷。
30. 如權(quán)利要求26所述的器件，其中所述空穴傳輸材料是此處的 式(XXXI)或(XXXII)的或者如附圖的圖10至14中的化合物膜。
31. 如權(quán)利要求26所述的器件，其中所述空穴傳輸材料是苯胺的 共聚物、苯胺與鄰茴香胺、間氨基苯磺酸或鄰氨基苯酚的共聚物，或 者鄰甲苯胺與鄰氨基苯酚、鄰乙基苯胺、鄰苯二胺或與氨基蒽的共聚 物。
32. 如權(quán)利要求26所述的器件，其中所述空穴傳輸材料是共軛聚 合物。
33. 如權(quán)利要求32所述的器件，其中所述共軛聚合物選自聚(對 亞苯基亞乙烯基)-PPV和包含PPV的共聚物、聚(2， 5 二烷氧基亞 苯基亞乙烯基)，聚(2-甲氧基-5-(2-曱氧基戊氧基-1， 4-亞苯基亞 乙烯基)、聚(2-甲氧基戊氧基)-1， 4-亞苯基亞乙烯基)、聚(2-甲氧基-5-(2-十二烷氧基-1， 4-亞苯基亞乙烯基)和其它的聚(2， 5 二烷氧基亞苯基亞乙烯基)，其中至少一個(gè)烷氧基為長鏈增溶烷氧基、 聚藥和低聚藥、聚亞苯基和低聚亞苯基、聚蒽和低聚蒽、聚噻吩和低 聚噻吩。
34. 如權(quán)利要求26-33任一項(xiàng)所述的器件，其中所述電致發(fā)光化 合物和空穴傳輸材料混合。
35. 前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件，其中所述笫一電極是透明 導(dǎo)電玻璃電極。
36. 前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件，其中所述第二電極選自鋁、 鈣、鋰、鎂和它們的合金以及銀/鎂合金。
37. 前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的器件，其中電子傳輸層的厚度是 2至100 nm。
38. 如權(quán)利要求37所述的器件，其中電子傳輸層的厚度是10至 50 nm。
39. 如權(quán)利要求37或38所述的器件，其中電子傳輸層包括摻雜劑。
全文摘要
帶有供體的OLED，其中供體是摻雜的金屬喹啉酚鹽，所述金屬是四或五價(jià)態(tài)的過渡金屬。
文檔編號C09K11/06GK101495596SQ200780028154
公開日2009年7月29日 申請日期2007年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月26日
發(fā)明者M·庫馬拉甫爾, P·凱瑟加馬納森, S·加內(nèi)沙姆魯根, S·拉維錢德蘭, S·蘇蘭德拉庫瑪 申請人:默克專利股份有限公司