專利名稱：：包含氧化鈰、頁(yè)硅酸鹽和氨基酸的分散體的制作方法包含氧化鈰、頁(yè)硅酸鹽和氨基酸的分散體本發(fā)明涉及包含氧化鈰、頁(yè)硅酸鹽(sheetsilicate)和氨基酸的分散體，及其制備和使用。眾所周知，氧化鈰分散體可以用于拋光玻璃表面、金屬表面和電介質(zhì)表面，既用于粗拋光(高材料去除率(highmaterialremoval),不規(guī)則外形，劃痕)，也用于精拋光(低材料去除率，光滑表面，若有的話，少量劃痕)。經(jīng)常發(fā)現(xiàn)的缺點(diǎn)是氧化鈰顆粒和待拋光表面帶有不同電荷，因此互相吸引。因此，難以再次從拋光表面去除氧化鈰顆粒。US7112123公開了用于拋光玻璃表面、金屬表面和電介質(zhì)表面的分散體，作為研磨劑其包含0.1至50重量°/。的氧化鈰顆粒和0.1至10重量％的粘土磨粒，90°/。的粘土磨粒的粒徑為10nm至10iim，90%的氧化鈰顆粒的粒徑為100nm至10nm。氧化鈰顆粒、粘土磨粒和作為待拋光表面的玻璃帶有負(fù)表面電荷。與僅基于氧化鈰顆粒的分散體相比，這種分散體能夠得到明顯較高的材料去除率。然而，這樣的分散體引起高缺陷率。US5891205公開了包含二氧化硅和氧化鈰的堿性分散體。氧化鈰顆粒的粒徑小于或等于二氧化硅顆粒的粒徑。在來(lái)源于氣相過程的分散體中存在的氧化鈰顆粒不聚集，并且粒徑小于或等于100nm。根據(jù)US5891205，由于存在氧化鈰顆粒和二氧化硅顆粒，材料去除率能明顯提高。為實(shí)現(xiàn)此目的，二氧化硅/氧化鈰的重量比應(yīng)當(dāng)為7.5:1至1:1。二氧化硅的粒徑優(yōu)選小于50nm，氧化鈰的粒徑小于40nm。總之，a)二氧化硅的比例大于氧化鈰的比例，b)二氧化硅顆粒大于氧化鈰顆粒。與僅基于氧化鈰顆粒的分散體相比，US5891205中公開的分散體能夠得到明顯更高的材料去除率。與僅基于氧化鈰顆粒的分散體相比，這樣的分散體能夠提供明顯更高的材料去除率。然而，這樣的分散體引起高缺陷率。WO2004/69947公開了拋光含硅介電層的方法，其中，分散體可以包含磨粒、二氧化硅、氧化鈰或二者的組合，并且使用氨基酸。為了獲得滿意的拋光結(jié)果，分散體的pH必須為7或更小。US6491843公開了含水分散體，據(jù)說其對(duì)Si02和Si3N4的材料去除率有高選擇性。該分散體包含磨粒和具有羧基和含氯化物或含胺的第二官能團(tuán)的有機(jī)化合物。提到的合適有機(jī)化合物包括氨基酸。原則上，所有磨粒據(jù)說都是合適的，但是特別地優(yōu)選氧化鋁、氧化鈰、氧化銅、氧化鐵、氧化鎳、氧化錳、二氧化硅、碳化硅、氮化硅、氧化錫、二氧化鈦、碳化鈦、氧化鴇、氧化釔、氧化鋯或上述化合物的混合物。然而在實(shí)施例中，僅提及氧化鈰作為磨粒。所期望的是提供高材料去除率，并具有低缺陷率和高選擇性的分散體。在拋光和清洗晶片后，即使有，也僅允許有少量的沉積物存在于表面上?，F(xiàn)在已經(jīng)出人意料地發(fā)現(xiàn)，用一種分散體實(shí)現(xiàn)了該目標(biāo)，該分散體包含氧化鈰和頁(yè)硅酸鹽的顆粒，以及一種或多種氨基羧酸和/或其鹽，其中-頁(yè)硅酸鹽顆粒的zeta電勢(shì)為負(fù)的，氧化鈰顆粒的zeta電勢(shì)為正的或等于零，并且分散體的zeta電勢(shì)總體為負(fù)的，-平均粒徑氧化鈰顆粒的平均粒徑不大于200nm，頁(yè)硅酸鹽顆粒的平均粒徑小于100nm，-在各種情況下，基于所述分散體的總量，氧化鈰顆粒的含量為0.01至50重量％，頁(yè)硅酸鹽顆粒的含量為0.01至10重量％，且氨基羧酸或其鹽的含量為0.01至5重量％，并且-分散體的pH為7.5至10.5。zeta電勢(shì)是顆粒的表面電荷的量度。zeta電勢(shì)理解為表示分散體中顆粒池解質(zhì)的電化學(xué)雙層內(nèi)剪切水平的電勢(shì)。與zeta電勢(shì)相關(guān)的重要參數(shù)是顆粒的等電點(diǎn)(IEP)。IEP指定了電勢(shì)為零的pH。zeta電勢(shì)越大，分散體越穩(wěn)定。表面電荷密度可通過改變周圍電解質(zhì)中決定電勢(shì)的離子的濃度來(lái)影響。相同材料的顆粒帶有相同符號(hào)的表面電荷，因而相互排斥。當(dāng)zeta電勢(shì)太小時(shí)，排斥力不能抵消顆粒的范德華吸引力，存在顆粒的絮凝以及可能的沉淀。舉例來(lái)說，可以通過測(cè)量分散體的膠體振動(dòng)電流(CVI)或測(cè)定電泳遷移率來(lái)確定zeta電勢(shì)。此夕卜，可通過電動(dòng)聲振幅法(electrokineticsoundamplitude)(ESA)來(lái)確定zeta電勢(shì)。本發(fā)明的分散體的zeta電勢(shì)優(yōu)選為-20至-100mV，更優(yōu)選為-25至-50mV。本發(fā)明的分散體進(jìn)一步的特征是pH為7.5至10.5。舉例來(lái)說，這使得可以在堿性范圍內(nèi)拋光電介質(zhì)表面。特別優(yōu)選pH為9至10的分散體?；谒龇稚Ⅲw，本發(fā)明的分散體中氧化鈰的比例可以在0.01至50重量％的范圍內(nèi)變化。舉例來(lái)說，當(dāng)目的是使運(yùn)輸成本最小化時(shí)，需要高氧化鈰含量。在作為拋光劑使用時(shí)，基于所述分散體，氧化鈰的含量?jī)?yōu)選為0.1至5重量％，更優(yōu)選為0.2至1重量％。本發(fā)明的分散體中的氧化鈰/頁(yè)硅酸鹽重量比優(yōu)選為1.1:1至100:1。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)氧化鈰/頁(yè)硅酸鹽重量比為1.25:1至5:1時(shí)，這在拋光過程中是有利的。另外，可以優(yōu)選本發(fā)明的分散體中除氧化鈰顆粒和頁(yè)硅酸鹽顆粒外，不存在其他顆粒。本發(fā)明的分散體中氧化鈰顆粒的平均粒徑不大于200nm。優(yōu)選范圍為40至90nm。在此范圍內(nèi)，就材料去除率、選擇性和缺陷率而言，拋光過程得到最好的結(jié)果。氧化鈰顆?？梢砸怨铝⒌膯蝹€(gè)顆粒、或者以聚集的初級(jí)顆粒形式存在。本發(fā)明的分散體優(yōu)選包含聚集的氧化鈰顆粒，或氧化鈰顆粒主要或完全地以聚集的形式存在。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)特別合適的氧化鈰顆粒是那些在它們的表面上和接近表面的層中含有碳酸根的顆粒，特別是那些DE-A-102005038136中公開的顆粒。這樣的氧化鈰顆粒-BET表面積為25至150m2/g，-初級(jí)顆粒的平均直徑為5至50nm，-初級(jí)顆粒接近表面的層的深度為約5nm，-在接近表面的層中，碳酸根濃度從濃度最高的表面向內(nèi)部減少，-來(lái)源于碳酸根的表面上的碳含量為5至50面積百分率，在接近表面的層中，在約5nm的深度所述含量為為0至30面積百分率，-以Ce02計(jì)并基于粉末，氧化鈰的含量至少為99.5重量％，以及-基于粉末，包含有機(jī)和無(wú)機(jī)碳的碳含量為0.01至0.3重量％。在氧化鈽顆粒的表面和最大至約5nm的深度都能檢測(cè)到碳酸根。碳酸根化學(xué)鍵合，舉例來(lái)說，可以形成結(jié)構(gòu)a-c。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>舉例來(lái)說，可以通過XPS/ESCA分析檢測(cè)碳酸根。為了檢測(cè)接近表面的層中的碳酸根，可以通過氬離子轟擊的方法融蝕一些表面，并且同樣可以通過XPS/ESCA(XPS=X射線光電子能譜法；ESCA=化學(xué)分析用電子能譜法)分析新出現(xiàn)的表面。鈉含量一般不多于5ppm，且氯含量不多于20ppm。在化學(xué)-機(jī)械拋光中，所提及的元素一般只允許存在少量。所用的氧化鈰顆粒的BET表面積優(yōu)選為30至100m2/g，更有選地為40-80m2/g.在頁(yè)硅酸鹽中，每個(gè)四面體通過三個(gè)角與三個(gè)相鄰的四面體鍵合。產(chǎn)生鍵合從而形成二維無(wú)限的西面體網(wǎng)絡(luò)，其間存在以八面體的方式由cr和(OH)—包圍的陽(yáng)離子層，如K+、Li+、Mg2+、Zn2+、Fe2+、Fe3，Mn2+。在四面體層中，所有自由四面體的頂點(diǎn)指向一個(gè)方向。當(dāng)結(jié)合一層的四面體以形成六元環(huán)的單一或雙重網(wǎng)絡(luò)時(shí)，六方晶型或假六方晶型礦物出現(xiàn)，如云母族(白云母和黑云母)、綠泥石系(斜綠泥石)和高嶺石-蛇紋巖族(纖蛇紋石和高嶺石)。相比而言，當(dāng)層由四元環(huán)組成時(shí)，礦物為四方晶型或假四方晶型的(例如魚眼石)。所述頁(yè)硅酸鹽包括滑石、云母族(綠鱗石、鈉云母、白云母、金云母、、！、—c9羥鐵云母/黑云母、鋰白云母/鋰云母、珍珠云母)、粘土礦物(蒙脫石族、綠泥石族、高嶺石族、蛇紋石族、海泡石、白鈣沸石、水硅釩鈣石、五角石(pentagonite))。優(yōu)選地，本發(fā)明的分散體包含合成的頁(yè)硅酸鹽。其優(yōu)選選自天然和合成的蒙脫石、膨潤(rùn)土、鋰蒙脫石、蒙皂石(smectites)和滑石。本發(fā)明的分散體中存在的頁(yè)硅酸鹽顆粒的平均直徑優(yōu)選范圍為5至100nm。頁(yè)硅酸鹽的平均粒徑應(yīng)理解為表示長(zhǎng)度方向(即顆粒膨脹最大的方向)上的直徑。此外，頁(yè)硅酸鹽顆粒的長(zhǎng)徑比，即縱向尺寸與厚度的比值，優(yōu)選地大于5，更優(yōu)選地大于20。特別優(yōu)選本發(fā)明的分散體，其中頁(yè)硅酸鹽為合成的硅酸鋰鎂，其組成為，59±2重量％的Si02、27土2重量o/o的MgO、0.7±0.2重量％的Li20、3.0±0.5重量％的Na20和<10重量％的H20。進(jìn)一步特別優(yōu)選本發(fā)明的分散體，其中頁(yè)硅酸鹽基于粒徑為10至200nm，厚度為1至10nm的蒙脫石。該頁(yè)硅酸鹽的長(zhǎng)徑比優(yōu)選地為>100。在本發(fā)明的分散體中，氧化鈰顆粒的平均粒徑優(yōu)選地大于頁(yè)硅酸鹽顆粒的平均粒徑。其中，本發(fā)明的分散體特征為氧化鈰顆粒的平均粒徑和頁(yè)硅酸鹽顆粒的平均粒徑不大于200nm。氧化鈰顆粒的平均粒徑優(yōu)選地大于頁(yè)硅酸鹽顆粒的平均粒徑。特別地，優(yōu)選本發(fā)明的分散體的實(shí)施方案，其中氧化鈰顆粒的平均粒徑為40至卯nm，且頁(yè)硅酸鹽顆粒平均粒徑為5至15nm。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)特別有利的是，氧化鈰顆粒在其表面上和接近表面的層中包含碳酸根，并且分散體的pH為9至10。本發(fā)明的分散體的另一重要成分為氨基羧酸。其優(yōu)選地選自丙氨酸、4-氨基丁垸羧酸(4-aminobutanecarboxylicacid)、6-氨基己垸羧酸(6-aminohexanecarboxylicacid)、12-氨基月桂酸、精氨酸、天門冬氨酸、谷氨酸、甘氨酸、雙甘氨肽、賴氨酸和脯氨酸。特別優(yōu)選谷氨酸和脯氨酸。所述分散體中氨基酸或其鹽的含量?jī)?yōu)選為0.1至0.6重量％。本發(fā)明的分散體的液相包含水、有機(jī)溶劑以及水和有機(jī)溶劑的混合物。通常，液相含量>90重量％的主要組分為水。此外，本發(fā)明的分散體也可以包含酸、堿、鹽?？梢酝ㄟ^酸和堿調(diào)整pH。酸可以是無(wú)機(jī)酸、有機(jī)酸或上述酸的混合物。所用的無(wú)機(jī)酸可以特別為磷酸、亞磷酸、硝酸、硫酸、其混合物、及其酸式鹽。所用的有機(jī)酸優(yōu)選為通式為CnH2n+1C02H的羧酸，其中11=0-6或11=8、10、12、14、16，或通式為H02C(CH2)nC02H的二元羧酸，其中n=0-4,或通式為RiR2C(OH)C02H的羥基羧酸，其中R尸H、R2-CH3、CH2C02H、CH(OH)C02H，或鄰苯二甲酸或水楊酸，或前述酸的酸式鹽或前述酸及其鹽的混合物?？梢酝ㄟ^加入氨、堿金屬氫氧化物或胺來(lái)增大pH。在特別的應(yīng)用中，本發(fā)明的分散體含有0.3-20重量％的氧化劑可能是有利的。為此目的，可以使用過氧化氫、過氧化氫加合物、例如尿素加合物、有機(jī)過酸、無(wú)機(jī)過酸、亞氨基過酸、過硫酸鹽、過硼酸鹽、過碳酸鹽、氧化性金屬鹽類和/或以上的混合物。更優(yōu)選地，可以使用過氧化氫。由于一些氧化劑對(duì)于本發(fā)明分散體的其他成分具有降低穩(wěn)定性的作用，建議在利用分散體前即刻才加入氧化劑。本發(fā)明的分散體還可以包含氧化活化劑。合適的氧化活化劑可以為Ag、Co、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Ni、Os、Pd、Ru、Sn、Ti、V的金屬鹽及其混合物。羧酸、腈、脲、酰胺和酯也是合適的。特別優(yōu)選硝酸鐵(II)。取決于氧化劑和拋光工作，氧化催化劑的濃度可以在0.001至2重量％的范圍內(nèi)變化。更優(yōu)選地，所述范圍可以為0.01至0.05重量％。在本發(fā)明的分散體中濃度通常為0.001至2重量％的腐蝕抑制劑可以是含氮雜環(huán)，如苯并三唑、取代的苯并咪唑、取代的吡嗪、取代的吡唑及其混合物。本發(fā)明還提供制備本發(fā)明的分散體的方法，其中-引入粉末形式的氧化鈰顆粒，并隨后分散入包含頁(yè)硅酸鹽顆粒的預(yù)分散體中，或-組合包含氧化鈰顆粒的預(yù)分散體和包含頁(yè)硅酸鹽顆粒的預(yù)分散體，并隨后分散，然后-以固態(tài)、液態(tài)或溶解態(tài)加入一種或多種氨基酸，然后-任選地加入氧化劑、氧化催化劑和/或腐蝕抑制劑。合適的分散裝置特別是那些引起至少為200kJ/m3的能量輸入的裝置。這些裝置包括通過轉(zhuǎn)子-定子原理運(yùn)行的系統(tǒng)，例如ultra-turrax分散機(jī)，或攪拌球磨機(jī)。較高的能量輸入對(duì)于行星捏合機(jī)/混合器是可能的。然而，將該系統(tǒng)的效力與足夠高粘度的處理混合物相結(jié)合，從而引入所需高剪切能量以分開顆粒。通過噴嘴，在高壓下使用高壓均化器來(lái)解壓兩股預(yù)分散的懸浮物流。兩股分散體射流恰好相互碰上，并且顆粒相互研磨。在另一實(shí)施方式中，同樣將預(yù)分散體置于高壓下，但是顆粒碰撞鎧裝壁區(qū)域。為了得到較小的粒徑，可以根據(jù)需要重復(fù)該操作。此外，也可以通過超聲進(jìn)行能量輸入。也可以組合使用分散和研磨設(shè)備?？梢栽诓煌瑫r(shí)間將氧化劑和添加劑加入分散體中。例如，可以有利地，直到分散的最后才以較低的能量輸入(如果合適)加入氧化劑和氧化活化劑。在pH為7.5至10.5下，所用頁(yè)硅酸鹽顆粒的zeta電勢(shì)優(yōu)選為-20至-100mV。在pH為7.5至10.5下，所用氧化鈰顆粒的zeta電勢(shì)優(yōu)選為0至40mV。本發(fā)明進(jìn)一步提供本發(fā)明的分散體用于拋光電介質(zhì)表面的用途。實(shí)施例分析根據(jù)DIN66131測(cè)定比表面積。通過大面積(lcm2)XPS/ESCA分析(XPS=X射線光電子能譜法;ESCA=化學(xué)分析用電子能譜法)測(cè)定表面性質(zhì)。評(píng)價(jià)是基于DINTechnicalReportNo.39,DMA(A)97oftheNationalPhysicsLaboratory,Teddington，U.K.的一般性建議，以及目前關(guān)于"SurfaceandMicroRangeAnalyses"workingcommitteeNMP816(DIN)的伴隨發(fā)展標(biāo)準(zhǔn)化的發(fā)現(xiàn)。另外，考慮來(lái)自技術(shù)文獻(xiàn)的各種情況中可用的比較光譜。通過考慮各種情況中報(bào)道的電子能級(jí)的相對(duì)靈敏度因子的背景減除來(lái)計(jì)算這些數(shù)值。數(shù)據(jù)以面積百分?jǐn)?shù)記。精確度估計(jì)為相對(duì)+/-5%。通過電動(dòng)聲振幅法(ESA)在pH范圍為3-12下測(cè)定zeta電勢(shì)。為此，制備包含1%氧化鈰的懸浮體。用超聲波探頭(400W)產(chǎn)生分散體。用磁力攪拌器攪拌所述懸浮體，并通過MatecESA-8000儀器的PPL-80傳感器用蠕動(dòng)泵泵送。使用5MNaOH的電勢(shì)滴定法從起始pH開始，最高滴定至pH為12。用5MHN03反滴定至pH為4。借助儀器軟件版本pcava5.94進(jìn)行評(píng)價(jià)。履."其中f為zeta電勢(shì)^為體積分?jǐn)?shù)Jp為顆粒與液體的密度差c為懸浮體中的聲速77為液體粘度s為懸浮體的介電常數(shù)|G(a)|為慣量修正用HoribaLB-500粒徑分析儀測(cè)定平均聚集體直徑。原料用于制備分散體的原料為DE-A-102005038136實(shí)施例2中描述的熱解氧化鈰。此外，合成頁(yè)硅酸鹽顆粒OptigelSH來(lái)自Siid-Chemie，Laponite⑧D來(lái)自SouthernClayProducts。這些物質(zhì)的重要物化參數(shù)列于表1中。表1:原料<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>a)由HoribaLB-500粒徑分析儀測(cè)定晶片/襯墊二氧化硅(200mm，層厚度1000nm，熱氧化物，來(lái)自SiMat)和氮化硅(200mm,層厚度160nm，LPCVD，來(lái)自SiMat)。RodelIC1000-A3襯墊。分散體的制備通過將氧化鈰粉末加入水中，并通過用超聲波指(ultmsoundfinger)(來(lái)自BandelinUW2200/DH13G，8級(jí)，100%;5分鐘)的超聲波處理分散獲得分散體。隨后，用氨水將pH調(diào)整至7.5。D2和D3:通過將由氧化鈰和水組成的預(yù)分散體與由頁(yè)硅酸鹽和水組成的預(yù)分散體混合，通過用超聲波指(來(lái)自BandelinUW2200/DH13G，8級(jí)，100%;5分鐘)的超聲波處理分散獲得分散體，隨后在分散體D2和D3的中加入谷氨酸，并用氨水將pH調(diào)整至9.5。表2顯示所得分散體的重要參數(shù)。每項(xiàng)中的下標(biāo)c代表沒有谷氨酸的比較例。表3顯示制備分散體后和14天后使用D2的拋光過程中的材料去除率以及選擇性。與沒有氨基酸的分散體相比，本發(fā)明的分散體22_顯示明顯較高的二氧化硅的材料去除率，而氮化硅的材料去除率沒有明顯變化。與只包含氧化鈰的分散體Dle相比，本發(fā)明的分散體對(duì)二氧化硅和氮化硅的材料去除率相當(dāng)，但是表面劃痕數(shù)量明顯較低。拋光晶片和襯墊上殘余物的評(píng)價(jià)用肉眼評(píng)價(jià)拋光殘余物(也通過放大倍數(shù)最高為64倍的光學(xué)顯微鏡評(píng)價(jià))。為此，在拋光后直接分析分散體Dl(比較例)以及D2和D3(本發(fā)明)的粒徑-Dl不穩(wěn)定，而且在幾分鐘后就沉淀。測(cè)得的粒徑明顯大于一微米。-相比而言，本發(fā)明的分散體在拋光后仍然穩(wěn)定。這意味著在這些分散體中，沒有形成大的團(tuán)聚體。拋光后的晶片也顯示相當(dāng)?shù)退降臍堄辔铩Ｔ诎被岬拇嬖谙聨ж?fù)電的頁(yè)硅酸鹽顆粒的加入，通過減少拋光殘余物的比例正面影響包含氧化鈰的分散體的拋光質(zhì)量。一種可能的機(jī)制包括由帶負(fù)電的頁(yè)硅酸鹽顆粒對(duì)帶正電的氧化鈰顆粒進(jìn)行向外屏蔽(outwardscreening),保證氧化鈰顆粒電荷的有效反轉(zhuǎn)。由于電荷反轉(zhuǎn)，特別地，本發(fā)明的分散體提供在接近純氧化鈰正P的pH值下拋光的可能性。由于相互作用為靜電相互作用，可以在拋光操作中修平頁(yè)硅酸鹽顆粒，從而保持氧化鈰的拋光作用。由于在整個(gè)拋光操作中所有顆?？偸潜砻嫦蛲鈳ж?fù)電，因此顯著減少團(tuán)聚的形成。長(zhǎng)期分析顯示甚至長(zhǎng)期保持穩(wěn)定性和拋光性質(zhì)。表2:分散體<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>權(quán)利要求1.分散體，其包含氧化鈰和頁(yè)硅酸鹽顆粒以及在各種情況下包含一種或多種氨基羧酸和/或其鹽，其中-頁(yè)硅酸鹽顆粒的zeta電勢(shì)為負(fù)的，氧化鈰顆粒的zeta電勢(shì)為正的或等于零，并且所述分散體的zeta電勢(shì)總體為負(fù)的，-平均直徑·氧化鈰顆粒的平均直徑不大于200nm，·頁(yè)硅酸鹽顆粒的平均直徑小于100nm，-在各種情況下，基于所述分散體的總量，·氧化鈰顆粒的含量為0.1至5重量％，頁(yè)硅酸鹽顆粒的含量為0.01至10重量％，·氨基羧酸或其鹽的含量為0.01至5重量％，并且-所述分散體的pH為7.5至10.5。2.權(quán)利要求1所述的分散體，其中所述分散體的zeta電勢(shì)為-20至-100mV。3.權(quán)利要求1或2所述的分散體，其中所述pH為9至10。4.權(quán)利要求1至3所述的分散體，其中基于所述分散體，氧化鈰的含量為0.1至5重量％。5.權(quán)利要求1至4所述的分散體，其中氧化鈰/頁(yè)硅酸鹽的重量比為1.1:1至100:1。6.權(quán)利要求1至5所述的分散體，其中氧化鈰顆粒和頁(yè)硅酸鹽顆粒是所述分散體中僅有的顆粒。7.權(quán)利要求1至6所述的分散體，其中所述氧化鈰顆粒的平均粒徑為40至90nm。8.權(quán)利要求1至7所述的分散體，其中所述氧化鈰顆粒以聚集的初級(jí)顆粒的形式存在。9.權(quán)利要求1至8所述的分散體，其中所述氧化鈰顆粒在其表面上和接近表面的層中含有碳酸根。10.權(quán)利要求1至9所述的分散體，其中所述頁(yè)硅酸鹽顆粒的平均直徑在5至100nm的范圍內(nèi)。11.權(quán)利要求1至10所述的分散體，其中所述頁(yè)硅酸鹽顆粒的長(zhǎng)徑比大于5，并且更優(yōu)選地大于20。12.權(quán)利要求1至11所述的分散體，其中所述頁(yè)硅酸鹽是合成的頁(yè)硅酸鹽。13.權(quán)利要求1至12所述的分散體，其中所述頁(yè)硅酸鹽選自天然和合成的蒙脫石、膨潤(rùn)土、鋰蒙脫石、蒙皂石和滑石。14.權(quán)利要求1至13所述的分散體，其中所述頁(yè)硅酸鹽為合成的硅酸鋰鎂，其組成為，59土2重量o/o的Si02、27士2重量。/o的MgO、0.7±0.2重量％的Li20、3.0±0.5重量％的Na20和<10重量％的H20。15.權(quán)利要求1至14所述的分散體，其中所述頁(yè)硅酸鹽基于粒徑為10至200nm，厚度為1至10nm的蒙脫石。16.權(quán)利要求1至15所述的分散體，其中所述氧化鈽顆粒的平均粒徑大于所述頁(yè)硅酸鹽顆粒的平均粒徑。17.權(quán)利要求1至16所述的分散體，其中所述氧化鈰顆粒的平均粒徑為40至90nm，所述頁(yè)硅酸鹽顆粒的平均粒徑為5至15nm。18.權(quán)利要求1至17所述的分散體，其中所述氨基酸選自丙氨酸、4-氨基丁烷羧酸、6-氨基己烷羧酸、12-氨基月桂酸、精氨酸、天門冬氨酸、谷氨酸、甘氨酸、雙甘氨肽、賴氨酸和脯氨酸。19.權(quán)利要求1至18所述的分散體，其中所述氨基酸或其鹽在所述分散體中的含量為0.1至0.6重量％。20.權(quán)利要求1至19所述的分散體，其中水是所述分散體的液相的主要組分。21.權(quán)利要求1至20所述的分散體，其包含酸、堿、鹽、氧化劑、氧化催化劑和/或腐蝕抑制劑。22.制備權(quán)利要求1至21所述的分散體的方法，其包括-將粉末形式的氧化鈰顆粒引入并隨后分散入包含頁(yè)硅酸鹽顆粒的預(yù)分散體中，或-組合并隨后分散包含氧化鈰顆粒的預(yù)分散體和包含頁(yè)硅酸鹽顆粒的預(yù)分散體，然后-以固態(tài)、液態(tài)或溶解態(tài)加入一種或多種氨基酸，然后-任選地加入氧化劑、氧化催化劑和/或腐蝕抑制劑。23.權(quán)利要求22所述的方法，其中所述頁(yè)硅酸鹽顆粒的zeta電勢(shì)在pH為7.5至10.5下為-20至-100mV。24.權(quán)利要求22或23所述的方法，其中所述氧化鈰顆粒的zeta電勢(shì)在pH為7.5至10.5下為0至40mV。25.權(quán)利要求1至21所述的分散體用于拋光電介質(zhì)表面的用途<全文摘要本發(fā)明提供了一種分散體，其包含氧化鈰和頁(yè)硅酸鹽顆粒以及一種或多種氨基羧酸和/或其鹽，其中頁(yè)硅酸鹽顆粒的zeta電勢(shì)為負(fù)的，氧化鈰顆粒的zeta電勢(shì)為正的或等于零，并且所述分散體的zeta電勢(shì)整體為負(fù)的；平均直徑氧化鈰顆粒的平均直徑不大于200nm，頁(yè)硅酸鹽顆粒的平均直徑小于100nm；在各種情況下，基于所述分散體的總量氧化鈰顆粒的含量為0.1至5重量％，頁(yè)硅酸鹽顆粒的含量為0.01至10重量％，氨基羧酸或其鹽的含量為0.01至5重量％，并且所述分散體的pH為7.5至10.5。文檔編號(hào)C09K3/14GK101679808SQ200880016651公開日2010年3月24日申請(qǐng)日期2008年5月5日優(yōu)先權(quán)日2007年5月25日發(fā)明者K·道特,M·克勒爾,S·黑貝雷爾申請(qǐng)人:贏創(chuàng)德固賽有限責(zé)任公司