一種led單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法，包括如下步驟，將CaCO3、BaCO3、H3BO3、Eu2O3、MnCO3混合研磨均勻；將研磨好的原料放在剛玉方舟中，在弱還原氣氛H2/N2中退火；將退火之后的樣品冷卻到室溫并進(jìn)行研磨，得到LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉Ba1.97Ca1-x(B3O6)2:Eu2+0.03,Mn2+x（0<x<0.15）。本發(fā)明制備方法所制得的LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉具有單相晶體結(jié)構(gòu)，可用于紫外激發(fā)的白光LED。
【專利說明】ー種LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光材料領(lǐng)域，尤其涉及ー種LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]白光LED是ー種新型的固態(tài)照明光源.與傳統(tǒng)照明光源相比具自.壽命長、體積小、響應(yīng)快、節(jié)能和環(huán)保等許多優(yōu)點(diǎn)。目前應(yīng)用最廣的白光LED方案是用藍(lán)光LED芯片激發(fā)黃光熒光粉YAG:Ce3+，芯片剩余的藍(lán)光與黃色熒光復(fù)合形成白光。這種方案具有結(jié)構(gòu)簡単，發(fā)光效率高和亮度好等優(yōu)點(diǎn)，エ藝條件相對成熟。但是由于缺乏紅光發(fā)射，這種白光顯色指數(shù)較低，色溫高，對于需求量極大的普通照明來說并不理想。紫外芯片/熒光粉組合是獲得高顯色指數(shù)、低色溫白光的一條潛在的途徑。這種組合有幾個(gè)方面的優(yōu)勢:首先，紫外光不可見，光色參數(shù)只由熒光粉決定，因此通過多種基色的熒光粉組合可以獲得高顯色指數(shù)、低色溫的白光；其次，由于芯片上熒光粉的涂層厚度不會(huì)影響白光的光色特性，可使熒光粉涂覆エ藝大大筒化。因此，研究人員正在積極開發(fā)各種可用紫外芯片激發(fā)的、能發(fā)射可見光的熒光粉，特別是單一基質(zhì)的能發(fā)射白光的熒光粉。其中，Eu2+/Mn2+共激活的熒光粉的研究尤為活躍。最近又報(bào)道了多種這類熒光粉，如Li4SrCa(SiO4)2 =Eu2+,Mn2+，T_phase (Ba, Ca)2Si04:Eu2+，Mn2+，Sr2Mg3P4O15:Eu2+，Mn2+，Ca9Y(PO4)7:Eu2+，Mn2+，Ca7K(PO4)7:Eu2+，Mn2+ 等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供ー種LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法。
[0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:ー種LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法，包括如下步驟:
[0005]將CaC03、BaC03、H3B03、Eu2O3、MnCO3 混合研磨均勻，其中 CaCO3、BaCO3、H3BO3、Eu2O3、MnCO3按照質(zhì)量比為0.85~1:1.97:6:1:0.03~0.15進(jìn)行混合；
[0006]將研磨好的原料放在剛玉方舟中，在弱還原氣氛H2/N2中退火；
[0007]將退火之后的樣品冷卻到室溫并進(jìn)行研磨，得到LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉Ba,97CaH(B3O6)^Eu2Y03, Mn2+X (0<x<0.15)。
[0008]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。
[0009]進(jìn)一步,所述將CaC03、BaCO3> H3B03> Eu203、MnCO3混合研磨均勻步驟中，所述原料CaCO3> BaCO3> H3B03> Eu203、MnCO3 的純度均為分析純。
[0010]進(jìn)ー步，所述將研磨好的原料放在剛玉方舟中，在弱還原氣MH2/N2中退火步驟中，所述弱還原氣氛H2/N2按照體積比H2:N2=3~5:95~97進(jìn)行混合，退火溫度為800~10000Co
[0011]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明制備方法所制得的LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉具有單相晶體結(jié)構(gòu)，可用于紫 外激發(fā)的白光LED。
【專利附圖】

【附圖說明】[0012]圖1為本發(fā)明ー種LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0014]如圖1所示，ー種LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法，包括如下步驟:
[0015]將CaC03、BaC03、H3B03、Eu2O3、MnCO3 混合研磨均勻，其中 CaCO3、BaCO3、H3BO3、Eu2O3、MnCO3按照質(zhì)量比為I~0.85:1.97:6:1:0.03~0.15進(jìn)行混合；
[0016]將研磨好的原料放在剛玉方舟中，在弱還原氣氛H2/N2中退火；
[0017]將退火之后的樣品冷卻到室溫并進(jìn)行研磨，得到LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉Ba,97CaH(B3O6)^Eu2Y03, Mn2+X (0<x<0.15)。
[0018]實(shí)施例1:
[0019]以制備IOg LED 單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉 Ba1.D7Cah(B3O6)2:Eu2+Q.Q3，Mn2+X (0<x<0.15)為例:將 0.85g CaC03、l.97g BaCO3 >6g H3BO3Ug Eu2O3、0.03gMnC03 混合研磨均勻;將研磨好的原料放在剛玉方舟中，在弱還原氣MH2/N2+ (體積比H2:N2=3:97)中800°C退火；將退火之后的樣品冷卻到室溫并進(jìn)行研磨，得到LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉Ba^Cah(B3O6)2 = Eu2+
0.03，Mn2+X (0〈x〈0.15)。
[0020]實(shí)施例2:
[0021]以制備IOg LED 單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉 Ba1.MCa1-X(B3O6)2:Eu2+Q.Q3，Mn2+X (0<x<0.15)為例:將 0.95g CaC03、l.97g BaCO3>6g H3BO3Ug Eu2O3>0.1gMnCO3 混合研磨均勻;將研磨好的原料放在剛玉方舟中，在弱還原氣MH2/N2+ (體積比H2:N2=4:96)中900°C退火；將退火之后的樣品冷卻到室溫并進(jìn)行研磨，得到LED単相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉Ba1.97Cai_x (B3O6) 2: Eu2+。.Q3，Mn2+X (0〈x〈0.15)。
[0022]實(shí)施例3:
[0023]以制備IOg LED 單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉 Ba1.Wah(B3O6)2:Eu2+Q.Q3，Mn2+X (0<x<0.15)為例:將 Ig CaCO3 > 1.97g BaCO3 >6g H3BO3Ug Eu203、0.15g MnCO3 混合研磨均勻;將研磨好的原料放在剛玉方舟中，在弱還原氣MH2/N2+ (體積比H2:N2=5:95)中800°C退火；將退火之后的樣品冷卻到室溫并進(jìn)行研磨，得到LED単相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉Ba1.97Cai_x (B3O6) 2: Eu2+。.Q3，Mn2+X (0〈x〈0.15)。
[0024]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.ー種LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法，其特征在于，包括如下步驟:
將 CaC03、BaC03、H3BO3、Eu2O3、MnCO3 混合研磨均勻，其中 CaC03、BaC03、H3B03、Eu2O3、MnCO3按照質(zhì)量比為0.85 ~ 1:1.97:6:1:0.03 - 0.15進(jìn)行混合； 將研磨好的原料放在剛玉方舟中，在弱還原氣氛H2/N2中退火； 將退火之后的樣品冷卻到室溫并進(jìn)行研磨，得到LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉Ba,97Cai_x(B306) 2:Eu2+Q tl3, Mn2+X (0〈x〈0.15)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述ー種LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法，其特征在于，所述將CaCO3> BaCO3> H3B03> Eu203、MnCO3 混合研磨均勻步驟中，所述原料 CaC03、BaCO3> H3B03、Eu2O3>MnCO3的純度均為分析純。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述ー種LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法，其特征在于，所述將研磨好的原料放在剛玉方舟中，在弱還原氣氛h2/n2中退火步驟中，所述弱還原氣氛h2/n2按照體積比H2:N2=3~5:95~97進(jìn)行混合，退火溫度為800~1000°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉制備方法制得的LED單相晶體結(jié)構(gòu)熒光粉。`
【文檔編號(hào)】C09K11/63GK103571466SQ201310548293
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月7日
【發(fā)明者】韋勝國 申請人:韋勝國