切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供切割帶集成晶片背面保護(hù)膜，其包括：切割帶，所述切割帶包括基材和在所述基材上形成的壓敏粘合劑層；和晶片背面保護(hù)膜，所述晶片背面保護(hù)膜形成于所述切割帶的壓敏粘合劑層上，其中所述晶片背面保護(hù)膜是有色的。優(yōu)選所述有色晶片背面保護(hù)膜具有激光標(biāo)識性能。所述切割帶集成晶片背面保護(hù)膜可適用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。
【專利說明】切割帶集成晶片背面保護(hù)膜
[0001] 本申請是申請?zhí)枮?01010106090. 4、申請日為2010年1月29日、發(fā)明名稱為"切 割帶集成晶片背面保護(hù)膜"的發(fā)明專利申請的分案申請。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及切割帶集成晶片背面保護(hù)膜（dicing tape-integrated wafer back surface protective film)。切割帶集成晶片背面保護(hù)膜用于保護(hù)芯片形工件（如半導(dǎo)體 芯片）的背面和增強強度。此外，本發(fā)明涉及使用所述切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的半導(dǎo) 體器件和生產(chǎn)所述器件的方法。

【背景技術(shù)】
[0003] 最近，日益要求半導(dǎo)體器件及其包裝的變薄和小型化。因此，作為半導(dǎo)體器件及 其包裝，已廣泛利用以半導(dǎo)體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的形式將半導(dǎo)體芯片 (芯片形工件）固定至基板的那些（通過倒裝芯片接合生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件；可將其稱為倒 裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件）。在該類半導(dǎo)體器件等中，在一些情況下半導(dǎo)體芯片（芯片形工 件）的背面用保護(hù)膜保護(hù)，以防止損害半導(dǎo)體芯片（例如，參見專利文獻(xiàn)1至10)。
[0004] 專利文獻(xiàn) 1 JP-A-2008-166451
[0005] 專利文獻(xiàn) 2 JP-A-2008-006386
[0006] 專利文獻(xiàn) 3 JP-A-2007-261035
[0007] 專利文獻(xiàn) 4 :JP-A-2〇〇7-25〇 97〇
[0008] 專利文獻(xiàn) 5 JP-A-2007-158026
[0009] 專利文獻(xiàn) 6 JP-A-2004-221169
[0010] 專利文獻(xiàn) 7 JP-A-2004-214288
[0011] 專利文獻(xiàn) 8 : JP-A-2004-142430
[0012] 專利文獻(xiàn) 9 JP-A-2004-072108
[0013] 專利文獻(xiàn) 10 JP-A-2004-063551


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 然而，為保護(hù)半導(dǎo)體芯片背面，粘貼背面保護(hù)膜至通過在切割步驟中切割半導(dǎo)體 晶片獲得的半導(dǎo)體芯片的背面導(dǎo)致增加粘貼步驟，因此步驟數(shù)量增加，成本等增加。此外， 由于變薄，在切割步驟后的半導(dǎo)體芯片的拾取步驟中，在一些情況下可能損害半導(dǎo)體芯片。 因而，期望增強半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片直至拾取步驟。
[0015] 考慮到前述問題，本發(fā)明的目的是提供從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的 倒裝芯片接合步驟均能夠利用的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜。此外，本發(fā)明的另一目的是 提供切割帶集成晶片背面保護(hù)膜，其在半導(dǎo)體芯片的切割步驟中能夠顯示優(yōu)良的保持力， 并能在半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟后顯示標(biāo)識性能和外觀性。
[0016] 作為為解決上述傳統(tǒng)問題深入研究的結(jié)果，本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，當(dāng)將有色晶片背面 保護(hù)膜層壓至具有基材和壓敏粘合劑層的切割帶的壓敏粘合劑層上，從而以集成方式形 成切割帶和晶片背面保護(hù)膜時，從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步 驟，均能夠利用以集成方式形成切割帶和晶片背面保護(hù)膜的層壓體（切割帶集成晶片背面 保護(hù)膜），以及在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中能夠顯示優(yōu)良的保持力，在半導(dǎo)體芯片的倒裝芯 片接合步驟后能夠顯示標(biāo)識性能和外觀性，由此完成本發(fā)明。
[0017] 即，本發(fā)明提供切割帶集成晶片背面保護(hù)膜，其包括：切割帶，所述切割帶包括基 材和在所述基材上形成的壓敏粘合劑層；和晶片背面保護(hù)膜，所述晶片背面保護(hù)膜形成于 所述切割帶的壓敏粘合劑層上，其中所述晶片背面保護(hù)膜是有色的。
[0018] 如上所述，由于本發(fā)明的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜以以下形式形成：晶片背面 保護(hù)膜與包括基材和壓敏粘合劑層的切割帶集成，以及晶片背面保護(hù)膜是有色的，因此工 件可通過在切割晶片（半導(dǎo)體晶片）時粘貼切割帶集成晶片背面保護(hù)膜至工件（半導(dǎo)體晶 片）來保持和有效地切割。此外，切割工件以形成芯片形工件（半導(dǎo)體芯片）后，通過與有 色晶片背面保護(hù)膜一起，從切割帶的壓敏粘合劑層剝離芯片形工件，能夠容易地獲得保護(hù) 其背面的芯片形工件，并且還能夠有效地改進(jìn)芯片形工件背面的標(biāo)識性能和外觀性等。
[0019] 此外，在本發(fā)明的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜中，由于以如上所述的集成方式形 成切割帶和有色晶片背面保護(hù)膜，因此當(dāng)在切割步驟前粘貼切割帶至半導(dǎo)體晶片背面時也 可粘貼有色晶片背面保護(hù)膜，因而僅粘貼晶片背面保護(hù)膜的步驟（晶片背面保護(hù)膜粘貼步 驟）不是必需的。此外，在隨后的切割步驟和拾取步驟中，由于粘貼有色晶片背面保護(hù)膜至 半導(dǎo)體晶片的背面或通過切割形成的半導(dǎo)體芯片的背面，因此能夠有效地保護(hù)半導(dǎo)體晶片 或半導(dǎo)體芯片，因而在切割步驟或隨后的步驟（拾取步驟等）中，能夠抑制或防止損害半導(dǎo) 體芯片。
[0020] 在本發(fā)明中，有色晶片背面保護(hù)膜優(yōu)選具有激光標(biāo)識性能。此外，切割帶集成晶片 背面保護(hù)膜可適合用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。
[0021] 本發(fā)明還提供使用切割帶集成晶片背面保護(hù)膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法 包括以下步驟：粘貼工件至上述切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的有色晶片背面保護(hù)膜上，切 割所述工件以形成芯片形工件，與所述有色晶片背面保護(hù)膜一起，從所述切割帶的壓敏粘 合劑層剝離芯片形工件，和通過倒裝芯片接合將所述芯片形工件固定至被粘物。
[0022] 此外，本發(fā)明進(jìn)一步提供倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件，其使用上述切割帶集成晶 片背面保護(hù)膜制造，其中所述半導(dǎo)體器件包括芯片形工件和粘貼至所述芯片形工件背面的 切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的晶片背面保護(hù)膜。
[0023] 由于切割帶和晶片背面保護(hù)膜以集成方式形成以及晶片背面保護(hù)膜是有色的，因 此從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟，均可利用本發(fā)明的切割帶 集成晶片背面保護(hù)膜。具體地，本發(fā)明的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜在半導(dǎo)體晶片的切割 步驟中顯示優(yōu)良的保持力，并且在半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟期間和之后能夠顯示標(biāo) 識性能和外觀性。此外，在倒裝芯片接合步驟等中，由于半導(dǎo)體芯片的背面用有色晶片背面 保護(hù)膜保護(hù)，因此能夠有效地抑制或防止半導(dǎo)體芯片的破壞、碎裂（chipping)和彎曲等。 不必說，在除了從半導(dǎo)體芯片的切割步驟至倒裝芯片接合步驟的步驟之外的步驟中，本發(fā) 明的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜能夠有效地顯示其功能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024] 圖1為示出本發(fā)明的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的一個實施方案的橫截面示意 圖。
[0025] 圖2A至2D為示出使用本發(fā)明的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方 法的一個實施方案的橫截面示意圖。
[0026] 附圖標(biāo)記說明
[0027] 1切割帶集成晶片背面保護(hù)膜
[0028] 2有色晶片背面保護(hù)膜
[0029] 3切割帶
[0030] 31 基材
[0031] 32壓敏粘合劑層
[0032] 4半導(dǎo)體晶片（工件）
[0033] 5半導(dǎo)體芯片（芯片形工件）
[0034] 51在半導(dǎo)體芯片的電路面形成的凸起（bump)
[0035] 6被粘物
[0036] 61用于結(jié)合附著至被粘物6的連接墊（connecting pad)的導(dǎo)電性材料

【具體實施方式】
[0037] 參考圖1描述本發(fā)明的實施方案，但本發(fā)明不限于該實施方案。圖1為示出本發(fā) 明的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的一個實施方案的橫截面示意圖。在圖1中，1為切割帶 集成晶片背面保護(hù)膜，2為晶片背面保護(hù)膜，其是有色的（有時簡稱為"有色晶片背面保護(hù) 膜"），3為切割帶，31為基材，32為壓敏粘合劑層。
[0038] 此外，在本說明書的圖中，沒有給出不需要描述的部分，存在通過放大、縮小等示 出的部分，從而容易描述。
[0039] 如圖1所示，切割帶集成晶片背面保護(hù)膜1具有以下構(gòu)造：有色晶片背面保護(hù)膜2 形成于切割帶3的壓敏粘合劑層32上，所述切割帶3具有基材31和形成于基材31上的壓 敏粘合劑層32。在這點上，在直至將其粘貼至晶片背面的期間，可用隔離體（separator)等 保護(hù)有色晶片背面保護(hù)膜2的表面（要粘貼至晶片背面的表面）。
[0040] 此外，切割帶集成晶片背面保護(hù)膜可具有在切割帶壓敏粘合劑層的整個表面上形 成有色晶片背面保護(hù)膜的構(gòu)造，或可具有部分地形成有色晶片背面保護(hù)膜的構(gòu)造。例如，如 圖1所示，切割帶集成晶片背面保護(hù)膜可具有以下構(gòu)造：在切割帶的壓敏粘合劑層上，僅在 要粘貼半導(dǎo)體晶片的部分上形成有色晶片背面保護(hù)膜。
[0041] (有色晶片背面保護(hù)膜）
[0042] 有色晶片背面保護(hù)膜具有膜形狀。在切割粘貼至有色晶片背面保護(hù)膜上的工件 (半導(dǎo)體晶片）的切割-加工步驟（切割步驟）中，有色晶片背面保護(hù)膜具有支承與其密切 粘合的工件的功能，在切割步驟后，具有保護(hù)芯片形工件（半導(dǎo)體芯片）背面的功能，并且 在與有色晶片背面保護(hù)膜一起，從切割帶剝離切割的芯片形工件后，顯示優(yōu)良的標(biāo)識性能 和外觀性。如上所述，由于有色晶片背面保護(hù)膜具有優(yōu)良的標(biāo)識性能，可通過有色晶片背面 保護(hù)膜，通過利用各種標(biāo)識方法如打印方法和激光標(biāo)識方法進(jìn)行標(biāo)識，從而賦予芯片形工 件的非電路面或使用芯片形工件的半導(dǎo)體器件的非電路面各種信息如文字信息和圖形信 息。此外，通過控制著色的顏色，可以觀察具有優(yōu)良可見度的通過標(biāo)識賦予的信息（文字信 息、圖形信息等）。此外，由于有色晶片背面保護(hù)膜是有色的，切割帶和有色晶片背面保護(hù)膜 可以容易地彼此區(qū)分，因而可改進(jìn)加工性等。
[0043] 此外，由于有色晶片背面保護(hù)膜具有優(yōu)良的外觀性，可以提供具有增值外觀 (value-added appearance)的半導(dǎo)體器件。例如，作為半導(dǎo)體器件，可以通過使用不同顏色 將其產(chǎn)品分類。
[0044] 此外，作為有色晶片背面保護(hù)膜，重要的是具有緊密的粘合性，以使在切割-加工 工件時切屑不飛散。
[0045] 如上所述，有色晶片背面保護(hù)膜不用于半導(dǎo)體芯片至支承構(gòu)件如基板的模片接 合，而用于保護(hù)要倒裝芯片安裝的（或已倒裝芯片安裝的）半導(dǎo)體芯片的背面（非電路 面），并因此具有最合適的功能和構(gòu)成。在這點上，要用于強烈粘附半導(dǎo)體芯片至支承構(gòu)件 如基板的應(yīng)用的模片接合膜為粘合劑層，并用封裝材料封裝，因此該膜是無色的，并且也不 具有標(biāo)識性能（特別地，激光標(biāo)識性能）。因此，有色晶片背面保護(hù)膜具有與模片接合膜不 同的功能或構(gòu)造，因而不適合使用該保護(hù)膜作為模片接合膜。
[0046] 在本發(fā)明中，有色晶片背面保護(hù)膜可由樹脂組合物形成，并優(yōu)選由包含熱塑性樹 脂和熱固性樹脂的樹脂組合物構(gòu)成。在這點上，有色晶片背面保護(hù)膜可由不使用熱固性樹 脂的熱塑性樹脂組合物構(gòu)成，或可由不使用熱塑性樹脂的熱固性樹脂組合物構(gòu)成。
[0047] 熱塑性樹脂的實例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙 酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹 月旨、熱塑性聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂如尼龍-6和尼龍_6, 6、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、 飽和聚酯樹脂如PET (聚對苯二甲酸乙二酯）和PBT (聚對苯二甲酸丁二醇酯），或氟碳樹 月旨。熱塑性樹脂可單獨，或以兩種以上組合使用。在這些熱塑性樹脂中，僅包含少量離子雜 質(zhì)、具有高耐熱性和能夠確保半導(dǎo)體元件可靠性的丙烯酸類樹脂是優(yōu)選的。
[0048] 丙烯酸類樹脂不特別限制，其實例包括含有一種或兩種以上具有30個以下碳原 子，優(yōu)選4至18個碳原子的直鏈或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作為組分的聚合 物。即，在本發(fā)明中，丙烯酸類樹脂具有也包括甲基丙烯酸類樹脂的廣泛含義。所述烷基的 實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙 基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基（月桂基）、十三烷 基、十四燒基、硬脂基和十八燒基。
[0049] 此外，形成丙烯酸類樹脂的其它單體（除具有30個以下碳原子的丙烯酸或甲基丙 烯酸的酯以外的單體）沒有特別限制，其實例包括含羧基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯 酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸；酸酐單體如馬來酸酐和衣康酸 酐；含羥基單體如（甲基）丙烯酸2-羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸 4-羥丁酯、（甲基）丙烯酸6-羥己酯、（甲基）丙烯酸8-羥辛酯、（甲基）丙烯酸10-羥 癸酯、（甲基）丙烯酸12-羥月桂酯和（4-羥甲基環(huán)己基）-甲基丙烯酸酯；含磺酸單體如 苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基）丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯酰氨基丙磺 酸、（甲基）丙烯酸磺丙酯和（甲基）丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基單體如2-羥乙基丙 烯醜憐酸酯（2-hydroethylacryloyl phosphate)。
[0050] 該樹脂可根據(jù)已知方法合成或可使用商購可得產(chǎn)品。
[0051] 此外，熱固性樹脂的實例包括環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂以及氨基樹脂、不飽和聚酯樹 月旨、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂和熱固性聚酰亞胺樹脂。熱固性樹脂可單獨，或以兩種以上組合 使用。作為熱固性樹脂，僅包含少量腐蝕半導(dǎo)體元件的離子雜質(zhì)的環(huán)氧樹脂是合適的。此 夕卜，優(yōu)選使用酚醛樹脂作為環(huán)氧樹脂的固化劑。
[0052] 環(huán)氧樹脂不特別限制，例如，可使用雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂如雙酚A 型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A型 環(huán)氧樹脂、雙酚AF型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛 清漆（phenol novolak)型環(huán)氧樹脂、鄰甲酚酚醒清漆（o-cresol novolak)型環(huán)氧樹脂、 三輕基苯甲燒型環(huán)氧樹脂和四輕苯基乙燒（tetraphenylolethane)型環(huán)氧樹脂，或環(huán)氧樹 脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹 脂。
[0053] 作為環(huán)氧樹脂，在以上示例的那些中，酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三 羥基苯甲烷型環(huán)氧樹脂和四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹脂是優(yōu)選的。這是因為這些環(huán)氧樹脂與作 為固化劑的酚醛樹脂具有高反應(yīng)性，且耐熱性等優(yōu)良。
[0054] 所述環(huán)氧樹脂可根據(jù)已知方法合成或可使用商購可得產(chǎn)品。
[0055] 此外，上述酚醛樹脂起到環(huán)氧樹脂的固化劑的作用，其實例包括酚醛清漆型酚醛 樹脂如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂 和壬基苯酚酚醒清漆樹脂；甲階型酚醒樹脂；和聚氧苯乙烯（polyoxystyrenes)如聚對氧 苯乙烯。酚醛樹脂可單獨，或兩種以上組合使用。在這些酚醛樹脂中，苯酚酚醛清漆樹脂和 苯酚芳烷基樹脂是特別優(yōu)選的。這是因為可改進(jìn)半導(dǎo)體器件的連接可靠性。
[0056] 所述酚醛樹脂可根據(jù)已知方法合成或可使用商購可得產(chǎn)品。
[0057] 環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的混合比優(yōu)選使得例如酚醛樹脂中的羥基為0. 5至2. 0當(dāng) 量，基于每當(dāng)量環(huán)氧樹脂組分中的環(huán)氧基團(tuán)。更優(yōu)選0.8至1.2當(dāng)量。即，當(dāng)混合比變?yōu)樵?該范圍之外時，固化反應(yīng)不能充分進(jìn)行，環(huán)氧樹脂固化產(chǎn)物的特性趨于劣化。
[0058] 環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的熱固化促進(jìn)催化劑不特別限制，可適當(dāng)選自已知的熱固化 促進(jìn)催化劑并使用。熱固化促進(jìn)催化劑可單獨或兩種以上組合使用。作為熱固化促進(jìn)催化 齊U，例如，可使用胺類固化促進(jìn)催化劑、磷類固化促進(jìn)催化劑、咪唑類固化促進(jìn)催化劑、硼類 固化促進(jìn)催化劑或磷-硼類固化促進(jìn)催化劑。
[0059] 在本發(fā)明中，有色晶片背面保護(hù)膜優(yōu)選由包含環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹 脂的樹脂組合物形成。由于這些樹脂僅包含少量離子雜質(zhì)并具有高的耐熱性，因此能夠確 保半導(dǎo)體元件的可靠性。在此情況下的混合比不特別限制，但是，例如，環(huán)氧樹脂與酚醛樹 脂的混合量可適當(dāng)選自10至300重量份的范圍，基于100重量份的丙烯酸類樹脂組分。
[0060] 重要的是有色晶片背面保護(hù)膜具有至半導(dǎo)體晶片的背面（非電路形成面）的緊密 粘合性。該具有緊密粘合性的有色晶片背面保護(hù)膜例如可由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形 成。為了交聯(lián)，可將能夠與在聚合物分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián) 劑添加至有色晶片背面保護(hù)膜中。由于該構(gòu)造，能夠增強在高溫下的緊密粘合性，并能夠?qū)?現(xiàn)耐熱性的改進(jìn)。
[0061] 交聯(lián)劑不特別限制，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可提及異氰 酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，還提及脲類交聯(lián) 齊?、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉 類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，異氰酸酯類交聯(lián)劑或環(huán)氧類交聯(lián) 劑是合適的。交聯(lián)劑可單獨或以兩種以上組合使用。
[0062] 異氰酸酯類交聯(lián)劑的實例包括低級脂肪族多異氰酸酯例如1，2-亞乙基二異氰酸 酯、1，4-亞丁基二異氰酸酯和1，6-六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊 基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異氟爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化 苯二甲撐二異氰酸酯；芳香族多異氰酸酯例如2, 4-甲苯二異氰酸酯、2, 6-甲苯二異氰酸 酯、4, 4'-二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。此外，也使用三羥甲基丙烷/甲 苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名"C0L0NATE L"，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名"C0L0NATE HL"，由Nippon Polyurethane Industry Co·, Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實例包 括Ν，Ν，Ν'，Ν' -四縮水甘油基-間-苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3-雙（N，N-縮水甘油 基氨甲基）環(huán)己烷、1，6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油 基醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油基醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇 多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山 梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油醚、鄰苯二甲酸二縮 水甘油酯、三縮水甘油基-三（2-羥乙基）異氰酸酯、間笨二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二 縮水甘油醚，以及在分子中具有兩個以上環(huán)氧基團(tuán)的環(huán)氧類樹脂。
[0063] 交聯(lián)劑的量不特別限制，可依賴于交聯(lián)程度適當(dāng)選擇。具體地，優(yōu)選交聯(lián)劑的量為 例如0. 05至7重量份，基于100重量份聚合物組分（特別地，在分子鏈末端具有官能團(tuán)的 聚合物）。當(dāng)交聯(lián)劑的量基于100重量份聚合物組分在〇. 05至7重量份范圍內(nèi)時，能夠高 水平地顯示緊密粘合性和內(nèi)聚性（cohesion property)。
[0064] 在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與使用交聯(lián)劑一起，也可以通過用電子束或紫外 線照射進(jìn)行交聯(lián)處理。
[0065] 在本發(fā)明中，有色晶片背面保護(hù)膜是有色的。即，有色晶片背面保護(hù)膜是有色的， 不是無色或透明的。在有色晶片背面保護(hù)膜中，通過著色顯示的顏色不特別限制，但是，例 如，優(yōu)選暗色如黑色、藍(lán)色或紅色，黑色是更優(yōu)選的。
[0066] 在本發(fā)明中，暗色主要指具有60以下（0至60)，優(yōu)選50以下（0至50)，更優(yōu)選40 以下（0至40)的在L*a*b*顏色空間中定義的L*的暗色。
[0067] 此外，黑色主要是指具有35以下（0至35)，優(yōu)選30以下（0至30)，更優(yōu)選25以下 (0至25)的在L*a*b*顏色空間中定義的L*的黑色系顏色。在這點上，在黑色中，在L*a*b* 顏色空間中定義的各a*和b*可根據(jù)L*的值適當(dāng)選擇。例如，a*和b*兩者均優(yōu)選在-10 至10,更優(yōu)選-5至5,進(jìn)一步優(yōu)選-3至3 (特別地0或約0)的范圍內(nèi)。
[0068] 在本發(fā)明中，在L*a*b*顏色空間中定義的L*、a*和b*可通過用色差計（商品 名"CR-200"，由Minolta Ltd制造；色差計）的測量來確定。L*a*b*顏色空間為在1976 年由 Commission Internationale de l'Eclairage(CIE)建議的顏色空間，是指稱為 CIE1976(L*a*b*)顏色空間的顏色空間。此外，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（Japanese Industrial Standards) JIS Z8729 中定義了 L*a*b* 顏色空間。
[0069] 在有色晶片背面保護(hù)膜著色時，根據(jù)目標(biāo)顏色，可使用著色劑（著色試劑）。作為 該著色劑，可適合使用各種暗色著色劑如黑色著色劑、藍(lán)色著色劑和紅色著色劑，黑色著色 劑是更適合的。著色劑可為任意顏料和染料。著色劑可單獨或以兩種以上組合使用。在這 點上，作為染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反應(yīng)性染料、直接染料、分散染料和 陽離子染料。此外，同樣關(guān)于顏料，其形式不特別限制，可在已知顏料中適當(dāng)選擇和使用。
[0070] 黑色著色劑不特別限制，例如，可選自無機(jī)黑色顏料和黑色染料。此外，黑色著色 劑可為青色著色劑（藍(lán)-綠著色劑）、品紅色著色劑（紅-紫著色劑）和黃色著色劑（黃著 色劑）的著色劑混合物。黑色著色劑可單獨或以兩種以上的組合使用。當(dāng)然，黑色著色劑 可與除黑色之外顏色的著色劑組合使用。
[0071] 黑色著色劑的具體實例包括炭黑（如爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂炭黑或燈黑）、石 墨、氧化銅、二氧化錳、苯胺黑、茈黑、鈦黑、花青黑、活性炭、鐵素體（如非磁性鐵素體或磁 性鐵素體）、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鑰、鉻配合物、復(fù)合氧化物型黑顏料和蒽醌型有 機(jī)黑顏料。
[0072] 作為黑色著色劑，可使用黑色染料如C. I.溶劑黑3、7、22、27、29、34、43、70， C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、 154,和C. I.分散黑1、3、10、24和黑色顏料如C. I.顏料黑1、7等。
[0073] 作為該黑色著色劑，例如，商品名"Oil Black BY"、商品名"Oil Black BS"、商 品名 "Oil Black HBB"、商品名 "Oil Black803"、商品名 "Oil Black 860"、商品名 "Oil Black 5970"、商品名"Oil Black 5906"和商品名"Oil Black 5905"（由 Orient Chemical Industries Co·, Ltd.制造）等是商購可得的。
[0074] 除了黑色著色劑之外的著色劑的實例包括青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色 劑。
[0075] 青色著色劑的實例包括青色染料如C. I.溶劑藍(lán)25、36、60、70、93、95 ;C. I.酸性 藍(lán) 6 和 45 ;青色顏料如 C. I.顏料藍(lán) 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、 17:1、18、22、25、56、60、63、65、66;C.I.甕藍(lán) 4、60;和 C.I.顏料綠 7。
[0076] 此外，在品紅色著色劑中，品紅色染料的實例包括C. I.溶劑紅1、3、8、23、24、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ;C. I.分散紅 9 ;C. I.溶劑紫 8、 13、14、21、27 ;C. I.分散紫 1 ;C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、 32、 34、35、36、37、38、39、40 ;C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。
[0077] 在品紅色著色劑中，品紅色顏料的實例包括C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、 10、 11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ;C. I.顏料紫 3、9、19、23、31、32、 33、 36、38、43、50 ;C. I.甕紅 1、2、10、13、15、23、29 和 35。
[0078] 此外，黃色著色劑的實例包括黃色染料如C. I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ;黃色顏料如 C. I.顏料橙 31、43 ;C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、 11、 12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ;C. I.甕黃 1、3 和 20。
[0079] 各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可分別單獨或以兩種以上 的組合使用。在此點上，在使用各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑的兩 種以上的情況下，這些著色劑的混合比（或共混比）不特別限制，可根據(jù)各著色劑的種類和 目標(biāo)顏色等適當(dāng)選擇。
[0080] 此外，在黑色著色劑為通過混合青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑形成的 著色劑混合物的情況下，各青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可單獨或以兩種以上 的組合使用。青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑在著色劑混合物中的混合比（或共 混比）不特別限制，只要能夠顯示黑色系顏色（例如，具有在上述范圍內(nèi)的在L*a*b*顏色 空間中定義的L*、a*和b*的黑色系顏色）即可，可根據(jù)各著色劑的類型等適當(dāng)選擇。青色 著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑在著色劑混合物中的含量例如可在相對于著色劑總量 的青色著色劑/品紅色著色劑/黃色著色劑=10-50重量％ /10-50重量％ /10-50重量％ (優(yōu)選20-40重量％ /20-40重量％ /20-40重量％ )范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。
[0081] 著色劑的含量可適當(dāng)選自在形成有色晶片背面保護(hù)膜的樹脂組合物（排除溶劑） 中0. 1至10重量％，優(yōu)選0. 5至8重量％，更優(yōu)選1至5重量％的范圍。
[0082] 在這點上，根據(jù)需要，可適當(dāng)向有色晶片背面保護(hù)膜中共混其它添加劑。除了填料 之外，其它添加劑的實例包括阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑和離子捕集劑，增量劑、防老劑、抗氧化劑 和表面活性劑。
[0083] 填料可為任意無機(jī)填料和有機(jī)填料，但無機(jī)填料是合適的。通過共混填料如無機(jī) 填料，能夠?qū)崿F(xiàn)賦予有色晶片背面保護(hù)膜導(dǎo)電性、改進(jìn)有色晶片背面保護(hù)膜的導(dǎo)熱性、控制 有色晶片背面保護(hù)膜的彈性模量等。在這點上，有色晶片背面保護(hù)膜可為導(dǎo)電性的或非導(dǎo) 電性的。無機(jī)填料的實例包括由以下組成的各種無機(jī)粉末：二氧化硅，粘土，石膏，碳酸鈣， 硫酸鋇，氧化鋁，氧化鈹，陶瓷如碳化硅和氮化硅，金屬或合金如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、 錫、鋅、鈀，和焊料及碳等。填料可以單獨或兩種以上組合使用。特別地，填料適合為二氧化 硅及更適合為熔凝硅石。無機(jī)填料的平均粒徑優(yōu)選在0.1至80 μ m的范圍。無機(jī)填料的平 均粒徑通過激光衍射型粒徑分散測量設(shè)備來測量。
[0084] 填料（例如無機(jī)填料）的共混量可為150重量份以下（0至150重量份），或可為 100重量份以下（0至100重量份），基于100重量份樹脂組分總量。在本發(fā)明中，填料的共 混量優(yōu)選80重量份以下（0至80重量份），更優(yōu)選0至70重量份，基于100重量份樹脂組 分總量。
[0085] 阻燃劑的實例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹脂。阻燃劑可單獨，或以兩種 以上的組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實例包括β_(3, 4-環(huán)氧環(huán)己基）乙基三甲氧基硅烷、γ-環(huán) 氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可單獨，或 以兩種以上的組合使用。離子捕集劑的實例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕集劑可單獨， 或以兩種以上的組合使用。
[0086] 有色晶片背面保護(hù)膜例如可通過利用包括以下步驟的常用方法形成：混合熱固性 樹脂如環(huán)氧樹脂和/或熱塑性樹脂如丙烯酸類樹脂、著色劑（著色試劑），和任選的溶劑及 其它添加劑以制備樹脂組合物，接著將其成形為膜形層。具體地，作為有色晶片背面保護(hù)膜 的膜形層例如可通過以下方法形成：包括施涂樹脂組合物至切割帶的壓敏粘合劑層上的方 法，包括施涂樹脂組合物至適當(dāng)隔離體（如隔離紙）上以形成樹脂層，然后將其轉(zhuǎn)移（轉(zhuǎn) 換）至切割帶的壓敏粘合劑層上的方法，和類似方法。
[0087] 在這點上，在有色晶片背面保護(hù)膜由包含熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形 成的情況下，有色晶片背面保護(hù)膜處于以下狀態(tài)：在該膜施涂至半導(dǎo)體晶片前的階段，熱固 性樹脂未固化或部分固化。在此情況下，將其施涂至半導(dǎo)體晶片（通常，具體地，在當(dāng)封裝 材料在倒裝芯片接合步驟中固化時）后，在有色晶片背面保護(hù)膜中的熱固性樹脂完全或基 本完全固化。
[0088] 如上所述，由于有色晶片背面保護(hù)膜處于即使當(dāng)膜包含熱固性樹脂時熱固性樹脂 也未固化或部分固化的狀態(tài)下，有色晶片背面保護(hù)膜的凝膠分?jǐn)?shù)不特別限制，但例如，適當(dāng) 選自50重量％以下（0至50重量％ )的范圍，優(yōu)選30重量％以下（0至30重量％ )，更優(yōu) 選10重量％以下（0至10重量％ )。有色晶片背面保護(hù)膜的凝膠分?jǐn)?shù)可通過以下測量方法 測量。
[0089] 〈凝膠分?jǐn)?shù)的測量方法〉
[0090] 從有色晶片背面保護(hù)膜中取樣約0. lg樣品，并精確稱重（樣品重量），將樣品在網(wǎng) 型片（mesh-type sheet)中包裹后，在室溫下浸入約50ml甲苯中1周。此后，從甲苯中取 出溶劑不溶性物質(zhì)（網(wǎng)型片中的內(nèi)容物），并在130°C下干燥約2小時，將干燥后的溶劑不 溶性物質(zhì)稱重（浸漬并干燥后的重量），然后根據(jù)以下方程（a)計算凝膠分?jǐn)?shù)（重量％ )。
[0091] 凝膠分?jǐn)?shù)（重量％)=[(浸漬并干燥后的重量V(樣品重量）]Xl〇〇 (a)
[0092] 此外，有色晶片背面保護(hù)膜的凝膠分?jǐn)?shù)可通過樹脂組分的種類和含量、交聯(lián)劑的 種類和含量及加熱溫度和加熱時間等控制。
[0093] 有色晶片背面保護(hù)膜為有色膜形制品，著色形式不特別限制。有色晶片背面保護(hù) 膜可為例如由熱塑性和/或熱固性樹脂及包含著色劑等的樹脂組合物形成的膜形制品，或 可為具有以下構(gòu)造的膜形制品：將由包含熱塑性樹脂和/或熱固性樹脂的樹脂組合物形成 的樹脂層與著色劑層層壓。著色劑層優(yōu)選由著色劑和包含熱塑性樹脂和/或熱固性樹脂的 樹脂組合物形成。
[0094] 在這點上，在有色晶片背面保護(hù)膜為樹脂層和著色劑的層壓體的情況下，為層壓 形式的有色晶片背面保護(hù)膜優(yōu)選具有一樹脂層、著色劑層和另一樹脂層以該順序?qū)訅旱男?式。在此情況下，在著色劑兩側(cè)的兩樹脂層可為具有相同組成的樹脂層或可為具有不同組 成的樹脂層。
[0095] 在本發(fā)明中，在有色晶片背面保護(hù)膜為由包含熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂的樹脂組合 物形成的膜形制品的情況下，可有效地顯示至半導(dǎo)體晶片的緊密粘合性。
[0096] 此外，由于在工件（半導(dǎo)體晶片）的切割步驟中使用切割水（cutting water)，有 色晶片背面保護(hù)膜吸收水分，從而在一些情況下具有常規(guī)狀態(tài)以上的水分含量。當(dāng)在維持 該高水分含量的情況下進(jìn)行倒裝芯片接合時，水蒸氣殘留在有色晶片背面保護(hù)膜和工件或 其加工體（芯片形工件）之間的緊密粘合界面處，并且在一些情況下產(chǎn)生漂浮。因此，作為 有色晶片背面保護(hù)膜，由具有高透濕性的芯材料組成的層的存在擴(kuò)散水蒸氣，由此可以避 免該問題。從該觀點，有色晶片背面保護(hù)膜可為將由該芯材料組成的層在其一面或兩面層 壓的膜。芯材料的實例包括膜（例如，聚酰亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二 甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等）、用玻璃纖維或塑料無紡纖維增強的樹脂基板，硅基板和玻 璃基板。
[0097] 有色晶片背面保護(hù)膜的厚度不特別限制，但例如可適當(dāng)選自5至500 μ m的范圍。 在本發(fā)明中，有色晶片背面保護(hù)膜的厚度優(yōu)選約5至150 μ m，更優(yōu)選約5至100 μ m。有色 晶片背面保護(hù)膜可具有單層或?qū)訅簩拥男问健?br> [0098] 作為本發(fā)明中的有色晶片背面保護(hù)膜，在23°C下的彈性模量（拉伸貯能彈性模量 E'）優(yōu)選lGpa以上，更優(yōu)選2GPa以上，進(jìn)一步優(yōu)選3GPa以上。當(dāng)有色晶片背面保護(hù)膜的彈 性模量為lGPa以上時，當(dāng)與有色晶片背面保護(hù)膜一起，從切割帶的壓敏粘合劑層剝離芯片 形工件，然后將有色晶片背面保護(hù)膜設(shè)置在支承體上以進(jìn)行運送等時，能夠抑制或防止有 色晶片背面保護(hù)膜至支承體的粘貼。在這點上，在有色晶片背面保護(hù)膜由包含熱固性樹脂 的樹脂組合物形成的情況下，如上所述，熱固性樹脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，因 此有色晶片背面保護(hù)膜在23°C下的彈性模量為在熱固性樹脂未固化或部分固化狀態(tài)下及 在23°C下的彈性模量。
[0099] 有色晶片背面保護(hù)膜在23°C下的彈性模量（拉伸貯能彈性模量E'）通過如下測 定：制備不層壓至切割帶上的有色晶片背面保護(hù)膜，并使用由Rheometrics Co.，Ltd.制造 的動態(tài)粘彈性測量設(shè)備"Solid Analyzer RS A2"，于規(guī)定溫度（23°C)下，在氮氣氣氛中， 在樣品寬度1〇_、樣品長度22. 5_、樣品厚度0. 2_、頻率1Hz和升溫速率10°C /分鐘的條 件下，以拉伸模式測量彈性模量，并將其作為所得拉伸貯能彈性模量E'的值。
[0100] 有色晶片背面保護(hù)膜的彈性模量可通過樹脂組分（熱塑性樹脂和/或熱固性樹 脂）的種類和含量，及填料如二氧化硅填料的種類和含量等來控制。
[0101] 此外，在有色晶片背面保護(hù)膜中可見光的透光率（可見光透射比，波長：400至 800nm)不特別限制，但是為，例如，20%以下（0至20%)，優(yōu)選10%以下（0至10%)，進(jìn)一 步優(yōu)選5%以下（0至5%)的范圍。當(dāng)有色晶片背面保護(hù)膜具有20%以下的可見光透射比 時，光的透射對半導(dǎo)體元件的影響小。
[0102] 有色晶片背面保護(hù)膜的可見光透射比（％)可基于可見光通過有色晶片背面 保護(hù)膜前后的強度變化來確定，所述確定通過如下進(jìn)行：制備具有厚度（平均厚度）為 20 μ m不層壓至切割帶上的有色晶片背面保護(hù)膜，用具有波長400至800nm的可見光以規(guī) 定強度照射該有色晶片背面保護(hù)膜（厚度：20 μ m)，并使用商品名"ABSORPTION SPECTR0 PHOTOMETER"（由Shimadzu Corporation制造）測量透過的可見光的強度。在這點上，也 可以從厚度不為20μπι的有色晶片背面保護(hù)膜的可見光透射比（％;波長：400至800nm)的 值導(dǎo)出具有厚度20μπι的有色晶片背面保護(hù)膜的可見光透射比（％ ;波長：400至800nm)。 在本發(fā)明中，在當(dāng)測定有色晶片背面保護(hù)膜的可見光透射比（％)時有色晶片背面保護(hù)膜 的厚度（平均厚度）為20ym，但有色晶片背面保護(hù)膜的厚度僅為當(dāng)測定有色晶片背面保護(hù) 膜的可見光透射比（％)時的厚度，其可與在切割帶集成晶片背面保護(hù)膜中有色晶片背面 保護(hù)膜的厚度相同或不同。
[0103] 有色晶片背面保護(hù)膜的可見光透射比（％)可通過樹脂組分的種類和含量，著色 劑（如顏料或染料）的種類和含量，及填料的種類和含量等來控制。
[0104] 在本發(fā)明中，有色晶片背面保護(hù)膜優(yōu)選具有低的吸濕度（moisture absorbance)。 具體地，作為有色晶片背面保護(hù)膜，當(dāng)使膜在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小 時時的吸濕度優(yōu)選1重量％以下，更優(yōu)選0. 8重量％以下。通過調(diào)節(jié)有色晶片背面保護(hù)膜 (在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時后）的吸濕度至1重量％以下，能夠 增強激光標(biāo)識性能。此外，例如，在回流（reflow)步驟中能夠抑制或防止產(chǎn)生空白。有色 晶片背面保護(hù)膜的吸濕度例如可通過改變要添加的無機(jī)填料的量來調(diào)節(jié)。有色晶片背面保 護(hù)膜的吸濕度（重量％ )為從當(dāng)使膜在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時時 的重量變化計算的值。在有色晶片背面保護(hù)膜由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況 下，有色晶片背面保護(hù)膜的吸濕度為當(dāng)在熱固化后使膜在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛 下靜置168小時時獲得的值。
[0105] 此外，在本發(fā)明中，有色晶片背面保護(hù)膜優(yōu)選具有小的揮發(fā)性物質(zhì)比。具體地，作 為有色晶片背面保護(hù)膜，在溫度250°c下加熱1小時后重量減少的比率（重量減少率）優(yōu)選 1重量％以下，更優(yōu)選0. 8重量％以下。通過調(diào)節(jié)有色晶片背面保護(hù)膜的重量減少率（在溫 度250°C下加熱1小時后）至1重量％以下，能夠增強激光標(biāo)識性能。此外，例如，在回流步 驟中能夠抑制或防止產(chǎn)生裂紋。有色晶片背面保護(hù)膜的重量減少率例如可通過添加在無鉛 焊料回流時能夠減少裂紋產(chǎn)生的無機(jī)物質(zhì)，例如無機(jī)填料如二氧化硅或氧化鋁來調(diào)節(jié)。有 色晶片背面保護(hù)膜的重量減少率（重量％ )為從當(dāng)將膜在250°C下加熱1小時時的重量變 化計算的值。在有色晶片背面保護(hù)膜由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，有色 晶片背面保護(hù)膜的重量減少率為當(dāng)在熱固化后將膜在250°C下加熱1小時時獲得的值。
[0106] 有色晶片背面保護(hù)膜優(yōu)選通過隔離體（可剝離襯墊，圖中未示出）來保護(hù)。隔離 體具有作為保護(hù)有色晶片背面保護(hù)膜直至其實際使用的保護(hù)材料的功能。此外，隔離體能 夠進(jìn)一步用作在當(dāng)將有色晶片背面保護(hù)膜轉(zhuǎn)移至在切割帶基材上的壓敏粘合劑層時的支 承基材。當(dāng)粘貼工件至切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的有色晶片背面保護(hù)膜上時剝離隔離 體。作為隔離體，也可以使用聚乙烯或聚丙烯的膜，以及其表面用脫模劑如氟類脫模劑或長 鏈烷基丙烯酸酯類脫模劑涂布的塑料膜（聚對苯二甲酸乙二酯）或紙。隔離體可通過常規(guī) 已知方法形成。此外，隔離體的厚度等不特別限制。
[0107] (切割帶）
[0108] 切割帶由基材和形成于基材上的壓敏粘合劑層構(gòu)成。因而，切割帶充分具有層壓 基材和壓敏粘合劑層的構(gòu)造?；模ㄖС谢模┛捎米鲏好粽澈蟿拥鹊闹С胁牧稀Ｗ?為基材，例如，可使用合適的薄材料，例如紙類基材如紙；纖維類基材如織物、無紡布、氈和 網(wǎng)；金屬類基材如金屬箔和金屬板；塑料基材如塑料膜和片；橡膠類基材如橡膠片；發(fā)泡體 (foamed body)如發(fā)泡片；及其層壓體[特別地，塑料類材料與其它基材的層壓體，塑料膜 (或片）彼此的層壓體等]。在本發(fā)明中，作為基材，可適合使用塑料基材如塑料膜和片。 該塑料材料的原料實例包括烯屬樹脂如聚乙烯（PE)、聚丙烯（PP)和乙烯-丙烯共聚物；使 用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA)、離子鍵樹脂、乙烯_(甲 基）丙烯酸共聚物，和乙烯_(甲基）丙烯酸酯（無規(guī)，交替）共聚物；聚酯如聚對苯二甲酸 乙二酯（PET)、聚萘二甲酸乙二酯（PEN)和聚對苯二甲酸丁二醇酯（PBT);丙烯酸類樹脂； 聚氯乙烯（PVC);聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚（PPS);酰胺類樹脂如聚酰胺（尼龍）和全芳 族聚酰胺（whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺）；聚醚醚酮（PEEK);聚酰亞胺；聚 醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物）；纖維素類樹脂；硅酮樹 脂；和氟化樹脂。此外，作為基材的材料，也可以使用聚合物如上述樹脂的各交聯(lián)體。這些 原料可單獨或以兩種以上的組合使用。
[0109] 在將塑料基材用作基材的情況下，變形性如伸長度（elongation degree)可通過 拉伸處理等控制。
[0110] 基材的厚度不特別限制，可依賴于強度、屈撓性及預(yù)期的使用用途等適當(dāng)選擇。 例如，厚度通常為1000 μ m以下（例如1至1000 μ m)，優(yōu)選1至500 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選3至 300 μ m，特別地約5至250 μ m，但不限于此。在這點上，基材可具有單層形式和層壓層形式 的任何形式。
[0111] 可實施常規(guī)使用的表面處理例如化學(xué)或物理處理如鉻酸鹽處理、臭氧暴露、火焰 暴露、暴露于高壓電擊或電離福射處理，或用底漆劑（undercoating agent)的涂布處理，以 改進(jìn)與鄰接層的緊密粘合性、保持性等。
[0112] 此外，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點等的范圍內(nèi)，基材可包含各種添加劑（著色劑、填 料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等）。
[0113] 壓敏粘合劑層由壓敏粘合劑形成，并具有壓敏粘合性。該壓敏粘合劑不特別限制， 可在已知壓敏粘合劑中適當(dāng)選擇。具體地，作為壓敏粘合劑，具有上述特性的壓敏粘合劑可 在例如以下的已知壓敏粘合劑中適當(dāng)選擇和使用：丙烯酸類壓敏粘合劑、橡膠類壓敏粘合 齊?、乙烯基烷基醚類壓敏粘合劑、硅酮類壓敏粘合劑、聚酯類壓敏粘合劑、聚酰胺類壓敏粘 合劑、氨基甲酸乙酯類壓敏粘合劑、氟類壓敏粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物類壓敏粘合 齊U，和蠕變特性改進(jìn)壓敏粘合劑，其中將具有約200°c以下熔點的熱熔性樹脂混合入這些壓 敏粘合劑中（例如，參見 JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040 等）。此外，作為壓敏粘合劑，也可使用照射固化型壓敏粘合劑（或能量射線固化型壓敏粘 合劑）或熱膨脹性壓敏粘合劑。壓敏粘合劑可單獨或以兩種以上的組合使用。
[0114] 在本發(fā)明中，作為壓敏粘合劑，可適合使用丙烯酸類壓敏粘合劑和橡膠類壓敏粘 合劑，特別地，丙烯酸類壓敏粘合劑是合適的。作為丙烯酸類壓敏粘合劑，可提及其中將使 用一種以上的烷基（甲基）丙烯酸酯（（甲基）丙烯酸烷基酯）作為單體組分的丙烯酸類 聚合物（均聚物或共聚物）用作基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類壓敏粘合劑。
[0115] 在上述丙烯酸類壓敏粘合劑中的（甲基）丙烯酸烷基酯的實例包括（甲基）丙 烯酸烷基酯，如（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基） 丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸仲丁酯、（甲 基）丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲 基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸壬 酯、（甲基）丙烯酸異壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸異癸酯、（甲基）丙烯酸 十一烷酯、（甲基）丙烯酸十二烷酯、（甲基）丙烯酸十三烷酯、（甲基）丙烯酸十四烷酯、 (甲基）丙烯酸十五烷酯、（甲基）丙烯酸十六烷酯、（甲基）丙烯酸十七烷酯、（甲基）丙 烯酸十八烷酯、（甲基）丙烯酸十九烷酯和（甲基）丙烯酸二十烷酯。作為（甲基）丙烯 酸烷基酯，具有4至18個碳原子的（甲基）丙烯酸烷基酯是適合的。此外，（甲基）丙烯 酸烷基酯的烷基可為線性或支化的。
[0116] 為了改善內(nèi)聚力、耐熱性及交聯(lián)性等目的，上述丙烯酸類聚合物可包含與上述 (甲基）丙烯酸烷基酯可聚合的其它單體組分（可共聚合單體組分）對應(yīng)的單元。該類可 共聚合單體組分的實例包括含羧基單體如（甲基）丙烯酸（丙烯酸或甲基丙烯酸）、丙烯酸 羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸；含酸酐基團(tuán)單體如馬來酸酐和衣 康酸酐；含羥基單體如（甲基）丙烯酸羥乙酯、（甲基）丙烯酸羥丙酯、（甲基）丙烯酸羥 丁酯、（甲基）丙烯酸羥己酯、（甲基）丙烯酸羥辛酯、（甲基）丙烯酸羥癸酯、（甲基）丙 烯酸羥月桂酯和甲基丙烯酸（4-羥甲基環(huán)己基）甲酯；含磺酸基單體如苯乙烯磺酸、烯丙基 磺酸、2_(甲基）丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯酰胺基丙磺酸、（甲基）丙烯酸 磺丙酯和（甲基）丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯；(N-取代 的）酰胺類單體如（甲基）丙烯酰胺、N，N-二甲基（甲基）丙烯酰胺、N-丁基（甲基）丙 烯酰胺、N-羥甲基（甲基）丙烯酰胺和N-羥甲基丙烷（甲基）丙烯酰胺；（甲基）丙烯酸 氨基烷基酯類單體如（甲基）丙烯酸氨基乙酯、（甲基）丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯和（甲 基）丙烯酸叔丁氨基乙酯；（甲基）丙烯酸烷氧基烷基酯類單體如（甲基）丙烯酸甲氧基 乙酯和（甲基）丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸類單體如丙烯腈和甲基丙烯腈；含環(huán)氧基 丙烯酸類單體如（甲基）丙烯酸縮水甘油酯；苯乙烯類單體如苯乙烯和α -甲基苯乙烯； 乙烯基酯類單體例如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；烯烴類單體如異戊二烯、丁二烯和異丁烯； 乙烯基醚類單體例如乙烯醚；含氮單體如Ν-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯 基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙 烯基噁唑、乙烯基嗎啉、Ν-乙烯基羧酸酰胺和Ν-乙烯基己內(nèi)酰胺；馬來酰亞胺類單體如 Ν-環(huán)己基馬來酰亞胺、Ν-異丙基馬來酰亞胺、Ν-月桂基馬來酰亞胺和Ν-苯基馬來酰亞胺； 衣康酰亞胺類單體如Ν-甲基衣康酰亞胺、Ν-乙基衣康酰亞胺、Ν- 丁基衣康酰亞胺、Ν-辛 基衣康酰亞胺、Ν-2-乙基己基衣康酰亞胺、Ν-環(huán)己基衣康酰亞胺和Ν-月桂基衣康酰亞胺； 琥珀酰亞胺類單體如Ν-(甲基）丙烯酰氧亞甲基琥珀酰亞胺、Ν-(甲基）丙烯?；?6-氧 六亞甲基琥珀酰亞胺和Ν-(甲基）丙烯?；?8-氧八亞甲基琥珀酰亞胺；二醇類丙烯酸酯 單體如聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基乙二醇（甲基）丙 烯酸酯（methoxyethylene glycol (meth) acrylate)和甲氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯 (methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate);具有雜環(huán)、齒原子或娃原子等的丙烯酸 酯類單體，如（甲基）丙烯酸四氫糠酯、含氟（甲基）丙烯酸酯（fluorine (meth) acrylate) 和含娃酮（甲基）丙烯酸酯（silicone (meth) acrylate);多官能單體如己二醇二（甲基） 丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇 二（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、 季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯 酸酯、聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二（甲基）丙烯酸丁酯和二（甲基）丙烯酸 己酯等。這些可共聚合單體組分可單獨或以兩種以上的組合使用。
[0117] 在將照射固化型壓敏粘合劑（或能量射線固化型壓敏粘合劑）用作壓敏粘合劑的 情況下，照射固化型壓敏粘合劑（組合物）的實例包括其中在聚合物側(cè)鏈或主鏈中具有自 由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的聚合物用作基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)部照射固化型壓敏粘合劑，及其中將 UV固化型單體組分或低聚物組分共混入壓敏粘合劑中的照射固化型壓敏粘合劑等。此外， 在將熱膨脹性壓敏粘合劑用作壓敏粘合劑的情況下，提及包含壓敏粘合劑和發(fā)泡劑（特別 地，熱膨脹性微球）等的熱膨脹性壓敏粘合劑作為熱膨脹性壓敏粘合劑。
[0118] 在本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明優(yōu)點的范圍內(nèi)，壓敏粘合劑層可包含各種添加劑 (例如，增粘劑、著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián) 劑等）。
[0119] 交聯(lián)劑不特別限制，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可提及異氰 酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，還提及脲類交聯(lián) 齊?、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉 類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等，異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑是合適的。 異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑的具體實例包括在關(guān)于有色晶片背面保護(hù)膜的段落中 具體示例的化合物（具體實例）。交聯(lián)劑可單獨或以兩種以上的組合使用。此外，交聯(lián)劑的 量不特別限制。
[0120] 在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與使用交聯(lián)劑一起，也可以通過用電子束或紫外 線照射進(jìn)行交聯(lián)處理。
[0121] 壓敏粘合劑層例如可通過利用包括混合壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑， 然后將該混合物成形為片狀層的通常使用的方法形成。具體地，壓敏粘合劑層例如可通過 以下方法形成：包括施涂包含壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑的混合物至基材上的 方法，包括施涂上述混合物至適當(dāng)隔離體（如隔離紙）上以形成壓敏粘合劑層，然后將其轉(zhuǎn) 移（轉(zhuǎn)換）至基材的方法，或類似方法。
[0122] 壓敏粘合劑層的厚度不特別限制，例如，為約5至300 μ m，優(yōu)選5至80 μ m，更優(yōu)選 15至50 μ m。當(dāng)壓敏粘合劑層的厚度在上述范圍內(nèi)時，能夠有效地顯示適當(dāng)?shù)膲好粽澈狭Α?壓敏粘合劑層可為單層或多層。
[0123] 根據(jù)本發(fā)明，可使切割帶集成晶片背面保護(hù)膜具有抗靜電功能。由于該構(gòu)造，能夠 防止電路由于以下原因?qū)е碌闹袛啵涸诰o密粘合（粘合）時和其剝離時靜電能的產(chǎn)生或工 件（半導(dǎo)體晶片等）通過靜電能的充電。賦予抗靜電功能可通過適當(dāng)?shù)姆绞饺缫韵路椒ㄟM(jìn) 行：添加抗靜電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)至基材、壓敏粘合劑層和有色晶片背面保護(hù)膜的方法，或在 基材上設(shè)置由電荷轉(zhuǎn)移配合物（complex)組成的導(dǎo)電層或金屬膜等的方法。作為這些方 法，優(yōu)選難以產(chǎn)生具有改變半導(dǎo)體晶片品質(zhì)風(fēng)險的雜質(zhì)離子的方法。為了賦予導(dǎo)電性和改 進(jìn)熱傳導(dǎo)性等的目的而共混的導(dǎo)電性物質(zhì)（導(dǎo)電性填料）的實例包括銀、鋁、金、銅、鎳或?qū)?電性合金等的球形、針形、片形金屬粉末；金屬氧化物如氧化鋁；無定形炭黑和石墨。然而， 從不具有漏電性的觀點，有色晶片背面保護(hù)膜優(yōu)選非導(dǎo)電性的。
[0124] 在本發(fā)明中，切割帶可如上所述制備并使用，或可使用商購可得產(chǎn)品。
[0125] 此外，切割帶集成晶片背面保護(hù)膜可以纏繞成卷形物（roll)的形式形成或可以 將片（膜）層壓的形式形成。例如，在膜具有纏繞成卷形物的形式時，根據(jù)需要，以通過隔 離體保護(hù)切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的狀態(tài)將膜纏繞成卷形物，由此可制備膜作為處于纏 繞成卷形物狀態(tài)或形式的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜。在這點上，處于纏繞成卷形物狀態(tài) 或形式的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜可由基材、在基材表面上形成的壓敏粘合劑層、在壓 敏粘合劑層上形成的晶片背面保護(hù)膜，和在基材另一表面上形成的可剝離處理層（后表面 處理層）構(gòu)成。
[0126] 此外，切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的厚度（晶片背面保護(hù)膜的厚度和由基材和壓 敏粘合劑層組成的切割帶的厚度的總厚度）可選自，例如，11至300 μ m的范圍，并優(yōu)選15 至200 μ m，更優(yōu)選20至150 μ m。
[0127] 在切割帶集成晶片背面保護(hù)膜中，晶片背面保護(hù)膜厚度與切割帶的壓敏粘合劑層 厚度的比不特別限制，但例如，可適當(dāng)選自晶片背面保護(hù)膜厚度/切割帶的壓敏粘合劑層 厚度=150/5至3/100的范圍，并優(yōu)選100/5至3/50,更優(yōu)選60/5至3/40。當(dāng)晶片背面 保護(hù)膜厚度與切割帶的壓敏粘合劑層厚度的比在上述范圍內(nèi)時，能夠顯示適當(dāng)?shù)膲好粽澈?力，并能夠顯示優(yōu)良的切割性和拾取性。
[0128] 此外，在切割帶集成晶片背面保護(hù)膜中，晶片背面保護(hù)膜厚度與切割帶厚度（基 材和壓敏粘合劑層的總厚度）的比不特別限制，但例如，可適當(dāng)選自晶片背面保護(hù)膜厚度/ 切割帶厚度=150/50至3/500的范圍，并優(yōu)選100/50至3/300,更優(yōu)選60/50至3/150。當(dāng) 晶片背面保護(hù)膜厚度與切割帶厚度的比在150/50至3/500范圍內(nèi)時，拾取性良好，并能夠 抑制或防止在切割時產(chǎn)生橫向殘渣。
[0129] 如上所述，通過控制晶片背面保護(hù)膜厚度與切割帶的壓敏粘合劑層厚度的比或晶 片背面保護(hù)膜厚度與切割帶厚度（基材和壓敏粘合劑層的總厚度）的比，能夠改進(jìn)切割步 驟時的切割性和拾取步驟時的拾取性等，并且從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒 裝芯片接合步驟均能夠有效地利用切割帶集成晶片背面保護(hù)膜。
[0130] (切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的生產(chǎn)方法）
[0131] 使用切割帶集成晶片背面保護(hù)膜1作為實例描述本發(fā)明的切割帶集成晶片背面 保護(hù)膜的生產(chǎn)方法。首先，基材31可通過常規(guī)已知的成膜方法形成。成膜方法的實例包括 壓延成膜法、在有機(jī)溶劑中的流延法、在嚴(yán)格密閉體系中的膨脹擠出法、T-模擠出法、共擠 出法和干法層壓法。
[0132] 接著，壓敏粘合劑層32通過以下形成：將壓敏粘合劑組合物施涂至基材31上， 接著干燥（根據(jù)需要，在加熱下交聯(lián)）。施涂方法的實例包括輥涂、絲網(wǎng)涂布（screen coating)和凹版涂布（gravure coating)。在這點上，壓敏粘合劑組合物的施涂可直接在 基材31上進(jìn)行，以在基材31上形成壓敏粘合劑層32,或可將壓敏粘合劑組合物施涂至其表 面已進(jìn)行剝離處理以形成壓敏層的隔離紙等上，然后將其轉(zhuǎn)移至基材31上，從而在基材31 上形成壓敏粘合劑層32。因而，切割帶3通過在基材31上形成壓敏粘合劑層32來制備。
[0133] 另一方面，涂布層可通過施涂用于形成有色晶片背面保護(hù)膜2的形成材料至隔離 紙上以在干燥并在規(guī)定條件下進(jìn)一步干燥（在需要熱固化的情況下，根據(jù)需要進(jìn)行熱處理 并干燥）后具有規(guī)定厚度來形成。有色晶片背面保護(hù)膜2通過將該涂布層轉(zhuǎn)移至壓敏粘合 劑層32上而在壓敏粘合劑層32上形成。在這點上，晶片背面保護(hù)膜2還可通過在壓敏粘 合劑層32上直接施涂用于形成有色晶片背面保護(hù)膜2的形成材料，接著在規(guī)定條件下干 燥（在需要熱固化的情況下，根據(jù)需要進(jìn)行熱處理并干燥），而在壓敏粘合劑層32上形成。 從而，獲得根據(jù)本發(fā)明的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜1。此外，在形成有色晶片背面保護(hù)膜 2時進(jìn)行熱固化的情況下，重要的是進(jìn)行熱固化至實現(xiàn)部分固化的程度，但優(yōu)選不進(jìn)行熱固 化。
[0134] 在包括倒裝芯片接合步驟生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時可適當(dāng)使用本發(fā)明的切割帶集成晶 片背面保護(hù)膜。即，在生產(chǎn)倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件時使用本發(fā)明的切割帶集成晶片背 面保護(hù)膜，因而以切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的有色晶片背面保護(hù)膜粘貼至半導(dǎo)體芯片背 面的狀態(tài)或形式生產(chǎn)倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。因此，本發(fā)明的切割帶集成晶片背面保 護(hù)膜可用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件（處于通過倒裝芯片接合法將半導(dǎo)體芯片固定至 被粘物如基板的狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體器件）。
[0135] (半導(dǎo)體晶片）
[0136] 工件（半導(dǎo)體晶片）不特別限制，只要其為已知或通常使用的半導(dǎo)體晶片即可，并 可在由各種材料制成的半導(dǎo)體晶片中適當(dāng)?shù)剡x擇和使用。在本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶片，可 適當(dāng)?shù)厥褂霉杈?br> [0137] (半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法）
[0138] 用于生產(chǎn)本發(fā)明半導(dǎo)體器件的方法不特別限制，只要其為使用切割帶集成晶片背 面保護(hù)膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法即可。例如，可提及包括以下步驟的生產(chǎn)方法等：
[0139] 粘貼工件至切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的有色晶片背面保護(hù)膜的步驟（安裝步 驟）；
[0140] 切割工件以形成芯片形工件的步驟（切割步驟）；
[0141] 與有色晶片背面保護(hù)膜一起，從切割帶的壓敏粘合劑層剝離芯片形工件的步驟 (拾取步驟）；和
[0142] 通過倒裝芯片接合將芯片形工件固定至被粘物的步驟（倒裝芯片接合步驟）。
[0143] 更具體地，作為生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，例如，半導(dǎo)體器件可使用本發(fā)明的切割帶 集成晶片背面保護(hù)膜生產(chǎn)，在有色晶片背面保護(hù)膜上任選地設(shè)置隔離體后，如下適當(dāng)?shù)貏?離。其后，參考圖2A至2D，使用切割帶集成晶片背面保護(hù)膜1作為實例描述該方法。
[0144] 圖2A至2D為示出使用本發(fā)明的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方 法的一個實施方案的橫截面示意圖。在圖2A至2D中，如上所述，4為工件（半導(dǎo)體晶片）， 5為芯片形工件（半導(dǎo)體芯片），51為在半導(dǎo)體芯片5的電路面形成的凸起，6為被粘物，61 為用于結(jié)合附著至被粘物6的連接墊的導(dǎo)電性材料，1、2、3、31和32分別為切割帶集成晶片 背面保護(hù)膜、有色晶片背面保護(hù)膜、切割帶、基材和壓敏粘合劑層。
[0145] (安裝步驟）
[0146] 首先，如圖2A所示，將半導(dǎo)體晶片（工件）4粘貼（壓接）至切割帶集成晶片背面 保護(hù)膜1中的有色晶片背面保護(hù)膜2上，以通過緊密粘合和保持來固定半導(dǎo)體晶片（安裝 步驟）。通常在用加壓裝置如加壓輥加壓的同時進(jìn)行本步驟。
[0147] (切割步驟）
[0148] 接著，如圖2B所示，切割半導(dǎo)體晶片4。從而，將半導(dǎo)體晶片4切割成規(guī)定尺寸并個 體化（形成小片），以生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片（芯片形工件）5。所述切割根據(jù)常規(guī)方法例如從半導(dǎo) 體晶片4的電路面?zhèn)冗M(jìn)行。另外，本步驟可采取例如形成達(dá)到切割帶集成晶片背面保護(hù)膜 1的切口（slit)的稱作完全切割的切割方法。在本發(fā)明中，重要的是在切割步驟中將工件 全部切割（完全切割）。在此情況下，重要的是工件與有色晶片背面保護(hù)膜一起切割，同時 完全切割有色晶片背面保護(hù)膜。即，重要的是本步驟為通過一起切割工件與有色晶片背面 保護(hù)膜來形成芯片形工件的步驟。在這點上，在一起切割工件與有色晶片背面保護(hù)膜時，以 在切割帶上不形成切口的形式或以至少部分地形成切口（優(yōu)選部分地從而不切開切割帶） 的形式進(jìn)行切割。本步驟中使用的切割設(shè)備不特別限制，可使用常規(guī)已知的設(shè)備。此外，由 于半導(dǎo)體晶片4通過切割帶集成晶片背面保護(hù)膜1粘合并固定，可抑制芯片破裂和碎屑飛 散，以及還可抑制半導(dǎo)體晶片破損。在這點上，當(dāng)有色晶片背面保護(hù)膜2由包含環(huán)氧樹脂的 樹脂組合物形成時，即使當(dāng)將其通過切割切開時，也抑制或防止在切開面上產(chǎn)生粘合劑從 有色晶片背面保護(hù)膜擠出。結(jié)果，可抑制或防止切開面自身的再附著（粘連（blocking))， 從而可更加方便地進(jìn)行以下要描述的拾取。
[0149] 在切割帶集成晶片背面保護(hù)膜擴(kuò)展（expanding)的情況下，擴(kuò)展可使用常規(guī)已知 的擴(kuò)展設(shè)備進(jìn)行。所述擴(kuò)展設(shè)備具有能夠推動切割帶集成晶片背面保護(hù)膜向下通過切割環(huán) 的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支撐切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的內(nèi)環(huán)。由于該擴(kuò)展步驟， 可以防止相鄰的半導(dǎo)體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過彼此接觸而損壞。
[0150] (拾取步驟）
[0151] 如圖2C所示進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5的拾取，以與有色晶片背面保護(hù)膜2 -起，從切割 帶3剝離半導(dǎo)體芯片5,從而收集粘合并固定至切割帶集成晶片背面保護(hù)膜1上的半導(dǎo)體芯 片5。拾取方法不特別限制，可采用常規(guī)已知的各種方法。例如，可提及包括用針狀物從切 割帶集成晶片背面保護(hù)膜1的基材31側(cè)向上推動各半導(dǎo)體芯片5,并用拾取設(shè)備拾取推出 的半導(dǎo)體芯片5的方法。在這點上，拾取的半導(dǎo)體芯片5在背面（也稱為無電路面、無電極 形成面等）用有色晶片背面保護(hù)膜2保護(hù)。
[0152] (倒裝芯片接合步驟）
[0153] 拾取的半導(dǎo)體芯片5通過倒裝芯片接合法（倒裝芯片安裝法）固定于被粘物6如 基材。具體地，以半導(dǎo)體芯片5的電路面（也稱為前面、電路圖案形成面、電極形成面等） 與被粘物6相對的形式根據(jù)常規(guī)方式將半導(dǎo)體芯片5固定于被粘物6上。例如，使在半導(dǎo) 體芯片5的電路面處形成的凸起51與粘貼至被粘物6的連接墊的導(dǎo)電性材料61 (如焊料） 接觸，并在加壓下熔融導(dǎo)電性材料，由此能夠確保半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的電連接， 并將半導(dǎo)體芯片5固定于被粘物6上。在這點上，在固定半導(dǎo)體芯片5至被粘物6時，重要 的是將半導(dǎo)體芯片5和被粘物6的相對面以及間隙預(yù)先洗滌，然后將封裝材料（如封裝樹 脂）填充入該間隙中。
[0154] 作為被粘物，可使用各種基板如引線框和電路板（如布線電路板）?；宓牟牧喜?特別限制，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的實例包括環(huán)氧基板、雙馬來酰亞胺三嗪 基板和聚酰亞胺基板。
[0155] 在倒裝芯片接合中，凸起的材料和導(dǎo)電性材料不特別限制，其實例包括焊料（合 金）如錫-鉛類金屬材料、錫-銀類金屬材料、錫-銀-銅類金屬材料、錫-鋅類金屬材料、 錫-鋅-鉍類金屬材料和金類金屬材料及銅類金屬材料。
[0156] 此外，在本步驟中，將導(dǎo)電性材料熔融以連接半導(dǎo)體芯片5的電路面處的凸起和 在被粘物6表面上的導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料熔融時的溫度通常為約260°C (例如，250°C 至300°C )。通過形成具有環(huán)氧樹脂等的晶片背面保護(hù)膜，可使本發(fā)明的切割帶集成晶片背 面保護(hù)膜具有能夠忍耐在倒裝芯片接合步驟中的高溫的耐熱性。
[0157] 此外，在洗滌在倒裝芯片接合中半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的相對面（電極形 成面）以及間隙時使用的洗滌液不特別限制，該液體可為有機(jī)洗滌液或可為水性洗滌液。 在本發(fā)明的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜中的有色晶片背面保護(hù)膜具有對洗滌液的耐溶劑 型，并且對這些洗滌液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各種洗滌液作為該洗滌 液，并可通過任何常規(guī)方法無需任何特別的洗滌液實現(xiàn)該洗滌。
[0158] 在本發(fā)明中，在封裝半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的間隙時使用的封裝材料不特 別限制，只要該材料為具有絕緣性的樹脂（絕緣樹脂）即可，可在已知封裝材料如封裝樹脂 中適當(dāng)選擇和使用。封裝樹脂優(yōu)選具有彈性的絕緣樹脂。封裝樹脂的實例包括含環(huán)氧樹脂 的樹脂組合物。作為環(huán)氧樹脂，可提及以上示例的環(huán)氧樹脂。此外，由包含環(huán)氧樹脂的樹脂 組合物組成的封裝樹脂可包含除了環(huán)氧樹脂之外的熱固性樹脂（如酚醛樹脂）或除了環(huán)氧 樹脂之外的熱塑性樹脂。此外，可利用酚醛樹脂作為環(huán)氧樹脂用固化劑，作為該酚醛樹脂， 可提及以上示例的酚醛樹脂。
[0159] 在用封裝樹脂的封裝步驟中，封裝樹脂通常通過加熱來固化以實現(xiàn)封裝。在很多 情況下封裝樹脂的固化通常在175°C下進(jìn)行60至90秒。然而，在本發(fā)明中，不限于此，例 如，固化可在165至185°C的溫度下進(jìn)行幾分鐘。在有色晶片背面保護(hù)膜由包含熱固性樹脂 的樹脂組合物形成的情況下，在固化封裝樹脂時構(gòu)成有色晶片背面保護(hù)膜的熱固性樹脂可 完全或幾乎完全固化。
[0160] 半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間間隙的距離通常為約30至300 μ m。
[0161] 在本發(fā)明的使用切割帶集成晶片背面保護(hù)膜生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件（倒裝芯片安裝 的半導(dǎo)體器件）中，由于有色晶片背面保護(hù)膜粘貼至芯片形工件背面上，可以優(yōu)良的可見 性實施各種標(biāo)識。特別地，即使當(dāng)標(biāo)識方法為激光標(biāo)識方法時，標(biāo)識也能夠以優(yōu)良的對比率 實施，因而可以觀察通過具有良好可見性的激光標(biāo)識實施的各種信息（文字信息、圖形信 息等）。在激光標(biāo)識時，可利用已知激光標(biāo)識設(shè)備。此外，作為激光器，可以利用各種激光 器如氣體激光器、固態(tài)激光器和液體激光器。具體地，作為氣體激光器，可利用任何已知氣 體激光器而沒有特別限制，但二氧化碳激光器（C0 2激光器）和準(zhǔn)分子激光器（ArF激光器、 KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等）是合適的。作為固態(tài)激光器，可利用任何已知的 固態(tài)激光器而沒有特別限制，但YAG激光器（如Nd: YAG激光器）和YV04激光器是合適的。
[0162] 由于本發(fā)明的使用切割帶集成晶片背面保護(hù)膜生產(chǎn)的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器 件為通過倒裝芯片安裝法安裝的半導(dǎo)體器件，該器件與通過模片接合安裝法安裝的半導(dǎo)體 器件相比具有變薄和小型化的形狀。因而，可適當(dāng)采用倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件作為各 種電子器件和電子部件或其材料和構(gòu)件。具體地，作為利用本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo) 體器件的電子器件，可提及所謂的"移動電話"和"PHS"，小尺寸計算機(jī)[所謂的"PDA"（手 持終端），所謂的"筆記本尺寸的個人計算機(jī)"，所謂的"Net Book (商標(biāo)）"和所謂的"可穿 戴計算機(jī)"等]，具有"移動電話"和計算機(jī)集成形式的小尺寸電子器件，所謂的"Digital Camora (商標(biāo)）"，所謂的"數(shù)碼攝像機(jī)"，小尺寸電視機(jī)，小尺寸游戲機(jī)，小尺寸數(shù)字音頻播 放機(jī)，所謂的"電子記事本"，所謂的"電子詞典"，用于所謂的"電子書"的電子器件終端，移 動電子器件（可攜帶電子器件）如小尺寸數(shù)字型手表等。不必說，也可提及除了移動器件 之外的電子器件（固定型電子器件等），例如所謂的"桌面?zhèn)€人計算機(jī)"、薄型電視機(jī)、用于 記錄和復(fù)制的電子器件（硬盤錄像機(jī)（hard disk recorders)、DVD播放機(jī)等）、投影儀和 微型機(jī)等。此外，電子部件或用于電子器件和電子部件的材料和構(gòu)件不特別限制，其實例包 括用于所謂"CPU"的部件和用于各種記憶器件（所謂的"存儲器"、硬盤等）的構(gòu)件。
[0163] 實施例
[0164] 以下將詳細(xì)地示例性描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，在這些實施例中描述的材 料和混合量等不意于將本發(fā)明的范圍限制于此，除非另外說明，它們僅為說明性實例。此 夕卜，除非另外說明，在各實例中的份為重量標(biāo)準(zhǔn)。
[0165] 實施例1
[0166] 〈有色晶片背面保護(hù)膜的制造〉
[0167] 基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合 物（商品名 "PARACRON W-197CM"，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造），將 113份環(huán)氧樹脂（商品名"EPIC0AT1004"，由JER Co.，Ltd.制造）、121份酚醛樹脂（商 品名 "MILEX XLC-4L"，由 Mitsui Chemicals, Inc.制造）、246 份球形二氧化娃（商品 名"S0-25R"，由Admatechs Co.，Ltd.制造，平均粒徑：0. 5 μ m)、5份染料1 (商品名"OIL GREEN502"，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造）和 5 份染料 2 (商品名 "OIL BLACK BS"，由 Orient Chemical Industries Co·, Ltd.制造）溶解于甲乙酮中，以制備具 有固體濃度為23. 6重量％的樹脂組合物溶液。
[0168] 將樹脂組合物溶液施涂至由具有厚度50 μ m的聚對苯二甲酸乙二酯膜組成的作 為可剝離襯墊（隔離體）的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制造具有厚度 (平均厚度）20 μ m的有色晶片背面保護(hù)膜A，所述可剝離處理膜已進(jìn)行硅酮剝離處理。
[0169] 〈切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的制造〉
[0170] 將上述有色晶片背面保護(hù)膜A使用手動輥粘貼至切割帶（商品名"V-8-T"， 由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65 μ m，壓敏粘合劑層的平均厚度： 10 μ m)的壓敏粘合劑層上，以制造切割帶集成晶片背面保護(hù)膜。
[0171] 實施例2
[0172] 〈有色晶片背面保護(hù)膜的制造〉
[0173] 基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合 物（商品名 "PARACR0N W-197CM"，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造），將 113份環(huán)氧樹脂（商品名"EPIC0AT1004"，由JER Co.，Ltd.制造）、121份酚醛樹脂（商 品名"MILEX XLC-4L"，由Mitsui Chemicals，Inc.制造）、246份球形二氧化娃（商品名 "S0-25R"，由 Admatechs Co.，Ltd.制造，平均粒徑：0· 5μπι)、10 份染料 1(商品名 "OIL GREEN502"，由Orient Chemical Industries Co·, Ltd.制造）和 10 份染料 2(商品名"OIL BLACK BS"，由 Orient Chemical Industries Co·, Ltd.制造）溶解于甲乙酮中，以制備具 有固體濃度為23. 6重量％的樹脂組合物溶液。
[0174] 將樹脂組合物溶液施涂至由具有厚度50 μ m的聚對苯二甲酸乙二酯膜組成的作 為可剝離襯墊（隔離體）的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制造具有厚度 (平均厚度）20 μ m的有色晶片背面保護(hù)膜B，所述可剝離處理膜已進(jìn)行硅酮剝離處理。
[0175] 〈切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的制造〉
[0176] 將上述有色晶片背面保護(hù)膜B使用手動輥粘貼至切割帶（商品名"V-8-T"， 由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65 μ m，壓敏粘合劑層的平均厚度： 10 μ m)的壓敏粘合劑層上，以制造切割帶集成晶片背面保護(hù)膜。
[0177] 實施例3
[0178] 〈有色晶片背面保護(hù)膜的制造〉
[0179] 基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合 物（商品名 "PARACR0N W-197CM"，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造），將 32份環(huán)氧樹脂（商品名"EPIC0AT 1004"，由JER Co.，Ltd.制造）、35份酚醛樹脂（商品名 "MILEX XLC-4L"，由Mitsui Chemicals，Inc.制造）、90份球形二氧化硅（商品名"S0-25R"， 由 Admatechs Co.，Ltd.制造，平均粒徑：0.5 μ m)、3 份染料 1(商品名"OIL GREEN 502"，由 Orient Chemical Industries Co·, Ltd.制造）和 3 份染料 2(商品名 "OIL BLACK BS"，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造）溶解于甲乙酮中，以制備具有固體濃度為 23. 6重量％的樹脂組合物溶液。
[0180] 將樹脂組合物溶液施涂至由具有厚度50 μ m的聚對苯二甲酸乙二酯膜構(gòu)成的作 為可剝離襯墊（隔離體）的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制造具有厚度 (平均厚度）20 μ m的有色晶片背面保護(hù)膜C，所述可剝離處理膜已進(jìn)行硅酮剝離處理。
[0181] 〈切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的制造〉
[0182] 將上述有色晶片背面保護(hù)膜C使用手動輥粘貼至切割帶（商品名"V-8-T"， 由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65 μ m，壓敏粘合劑層的平均厚度： 10 μ m)的壓敏粘合劑層上，以制造切割帶集成晶片背面保護(hù)膜。
[0183] 此外，在根據(jù)實施例1至3的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜中，有色晶片背面保護(hù) 膜的厚度（平均厚度）為20 μ m。此外，關(guān)于切割帶（商品名"V-8-T"，由Nitto Denko Corporation制造），基材的厚度（平均厚度）為65 μ m，壓敏粘合劑層的厚度（平均厚度） 為10 μ m，總厚度為75 μ m。因此，在根據(jù)實施例1至3的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜中，有 色晶片背面保護(hù)膜厚度與切割帶的壓敏粘合劑層厚度的比（有色晶片背面保護(hù)膜厚度/切 割帶的壓敏粘合劑層厚度；以平均厚度計的比）為20/10,有色晶片背面保護(hù)膜厚度與切割 帶厚度（基材和壓敏粘合劑層的總厚度）的比（有色晶片背面保護(hù)膜厚度/切割帶厚度； 以平均厚度計的比）為20/75。
[0184] (評價1 :晶片背面保護(hù)膜物理性質(zhì)的測量）
[0185] 關(guān)于在實施例1至3中制造的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜中的晶片背面保護(hù)膜 (有色晶片背面保護(hù)膜），測量可見光透射比（％)、吸濕度（重量％ )和重量減少率（重 量％)。測量結(jié)果示于表1中。
[0186] 〈可見光透射比的測量方法〉
[0187] 在實施例1至3中制造的各有色晶片背面保護(hù)膜（有色晶片背面保護(hù)膜A至C) (厚度：20 μ m)使用商品名"ABSORPTION SPECTR0 PHOTOMETER"（由 Shimadzu Corporation 制造）在規(guī)定強度下用具有波長400nm至800nm的可見光照射，并測量透過的可見光的強 度。從可見光通過有色晶片背面保護(hù)膜前后的強度變化，確定可見光透射比（％)。
[0188] 〈吸濕度的測量方法〉
[0189] 使在實施例1至3中制造的各有色晶片背面保護(hù)膜（有色晶片背面保護(hù)膜A至C) 在溫度85°C和濕度85% RH的恒溫恒濕室中靜置168小時。從靜置前后的重量變化，確定 吸濕度（重量％ )。
[0190] 〈重量減少率的測量方法〉
[0191] 使在實施例1至3中制造的各有色晶片背面保護(hù)膜（有色晶片背面保護(hù)膜A至C) 在250°C的干燥機(jī)中靜置1小時。從靜置前后的重量變化（重量減少量），確定重量減少率 (重量％)。
[0192] (評價 2)
[0193] 此外，在實施例1至3中制造的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜上，通過以下評價或測 量方法來評價或測量有色晶片背面保護(hù)膜的彈性模量、切割性、拾取性、倒裝芯片接合性、 晶片背面的標(biāo)識性能和晶片背面的外觀性。評價或測量結(jié)果全部一起描述于表2中。
[0194] 〈有色晶片背面保護(hù)膜的彈性模量的測量方法〉
[0195] 有色晶片背面保護(hù)膜的彈性模量通過如下測定：制備不層壓至切割帶上的有色 晶片背面保護(hù)膜，并使用由Rheometrics Co.，Ltd.制造的動態(tài)粘彈性測量設(shè)備"Solid Analyzer RS A2"，于規(guī)定溫度（23 °C)下，在氮氣氣氛中，在樣品寬度10mm、樣品長度 22. 5_、樣品厚度0. 2_、頻率1Hz和升溫速率10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測量彈性 模量，將其作為所得的拉伸貯能彈性模量E'的值。
[0196] 〈切割性/拾取性的評價方法〉
[0197] 使用實施例1至3的各切割帶集成晶片背面保護(hù)膜，通過實際切割半導(dǎo)體晶片評 價切割性，然后評價剝離性，將各評價作為切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的切割性或拾取性 的評價。
[0198] 將半導(dǎo)體晶片（直徑：8英寸，厚度：0. 6mm ;硅鏡面晶片）進(jìn)行背面研磨處理，并使 用具有厚度〇. 2mm的鏡面晶片作為工件。從切割帶集成晶片背面保護(hù)膜剝離隔離體后，將 鏡面晶片（工件）在70°C下通過輥壓接合粘貼在有色晶片背面保護(hù)膜上，并進(jìn)一步進(jìn)行切 害I]。此處，所述切割作為完全切割進(jìn)行，以成為l〇mm見方的芯片尺寸。在這點上，半導(dǎo)體晶 片磨削條件、粘貼條件和切割條件如下。
[0199] (半導(dǎo)體晶片的磨削條件）
[0200] 磨削設(shè)備：商品名 "DFG-8560"，由 DISCO Corporation 制造
[0201] 半導(dǎo)體晶片：8英寸直徑（從厚度0. 6mm將背面磨削至厚度0. 2mm)
[0202] (粘貼條件）
[0203] 粘貼設(shè)備：商品名 "MA-3000II"，由 NUto Seiki Co.，Ltd.制造
[0204] 粘貼速度：10mm/min
[0205] 粘貼壓力：0· ISMPa
[0206] 粘貼時的階段溫度：70°C
[0207] (切割條件）
[0208] 切割設(shè)備：商品名 "DFD-6361"，由 DISCO Corporation 制造
[0209] 切割環(huán)："2-8-1 "（由 DISCO Corporation 制造）
[0210] 切割速度：30mm/sec
[0211] 切割刮刀：
[0212] Z1 ;"2030-SE27HCDD"，由 DISCO Corporation 制造
[0213] Z2 ;"2030-SE27HCBB"，由 DISCO Corporation 制造
[0214] 切割刮刀旋轉(zhuǎn)速率：
[0215] Z1 ；40, 000r/min
[0216] Z2 ；45, 000r/min
[0217] 切割方法：階梯切割（step cutting)
[0218] 晶片芯片尺寸：10. Ornffl2
[0219] 在切割中，確認(rèn)鏡面晶片（工件）是否牢固保持在切割帶集成晶片背面保護(hù)膜上 而未剝離以進(jìn)行令人滿意的切割。將良好進(jìn)行切割的情況評級為"良好"，將未良好進(jìn)行切 割的情況評級為"差"，如此評價切割性。
[0220] 接下來，通過用針狀物從切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的切割帶側(cè)向上推動工件， 將通過切割獲得的芯片形工件與有色晶片背面保護(hù)膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離， 由此拾取處于背面用有色晶片背面保護(hù)膜保護(hù)的狀態(tài)的芯片形工件。測定此時的芯片（總 計400片）的拾取率（％)，以評價拾取性。因此，當(dāng)拾取率越接近于100%時，拾取性越好。
[0221] 此處，拾取條件如下。
[0222] (半導(dǎo)體晶片的拾取條件）
[0223] 拾取設(shè)備：商品名 "SPA-300"，由 Shinkawa Co.，Ltd.制造
[0224] 拾取針狀物的數(shù)量：9個針狀物
[0225] 向上推動針狀物的速度：20mm/s
[0226] 向上推動針狀物的距離：500 μ m
[0227] 拾取運行時間：1秒
[0228] 切割帶擴(kuò)展量：3mm
[0229] 〈倒裝芯片接合性的評價方法〉
[0230] 在通過使用根據(jù)各實施例的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的上述〈切割性/拾取性 的評價方法〉獲得的根據(jù)各實施例的芯片形工件上，以芯片形工件的表面（電路面）與具 有對應(yīng)于電路面的布線的電路板表面相對的形式，使在芯片形工件的電路面處形成的凸起 與粘貼至電路板連接墊的導(dǎo)電性材料（焊料）接觸，使導(dǎo)電性材料通過升高溫度至260°C在 加壓下熔融，然后冷卻至室溫，由此將芯片形工件固定至電路板上，從而制造半導(dǎo)體器件。 根據(jù)以下評價標(biāo)準(zhǔn)評價此時的倒裝芯片接合性。
[0231] 〈倒裝芯片接合性的評價標(biāo)準(zhǔn)〉
[0232] 良好：通過倒裝芯片接合法能夠?qū)崿F(xiàn)安裝而沒有任何問題；
[0233] 差：通過倒裝芯片接合法不能實現(xiàn)安裝。
[0234] 〈晶片背面標(biāo)識性能的評價方法〉
[0235] 在通過上述〈倒裝芯片接合性的評價方法〉獲得的半導(dǎo)體器件中芯片形工件 (即，有色晶片背面保護(hù)膜的前面）的背面上實施激光標(biāo)識。關(guān)于通過激光標(biāo)識（條形碼信 息）獲得的信息，根據(jù)以下評價標(biāo)準(zhǔn)評價使用根據(jù)各實施例的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜 獲得的半導(dǎo)體器件的激光標(biāo)識性能。
[0236] (激光標(biāo)識性能的評價標(biāo)準(zhǔn)）
[0237] 良好：判斷通過激光標(biāo)識獲得的信息為滿意可見的人員數(shù)量為在隨機(jī)選擇的10 個成人中的8個人以上。
[0238] 差：判斷通過激光標(biāo)識獲得的信息為滿意可見的人員數(shù)量為在隨機(jī)選擇的10個 成人中的7個人以下。
[0239] 〈晶片背面外觀的評價方法〉
[0240] 在通過使用根據(jù)各實施例的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的上述〈切割性/拾取性 的評價方法〉獲得的根據(jù)各實施例的芯片形工件上，根據(jù)以下評價標(biāo)準(zhǔn)目視評價芯片形工 件背面的外觀性。
[0241] (外觀性的評價標(biāo)準(zhǔn)）
[0242] 良好：在晶片（硅晶片）背面和芯片形工件中的有色晶片背面保護(hù)膜之間沒有觀 察到剝離（漂?。?br> [0243] 差：在晶片（硅晶片）背面和芯片形工件中的有色晶片背面保護(hù)膜之間觀察到剝 離（漂?。?。
[0244] 表 1
[0245]

【權(quán)利要求】
1. 一種切割帶集成晶片背面保護(hù)膜，其包括： 切割帶，所述切割帶包括基材和在所述基材上形成的壓敏粘合劑層；和 晶片背面保護(hù)膜，所述晶片背面保護(hù)膜形成于所述切割帶的壓敏粘合劑層上， 其中所述晶片背面保護(hù)膜是有色的，所述晶片背面保護(hù)膜在溫度85°c和濕度85% RH 的氣氛下靜置168小時時的吸濕度為1重量％以下。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜，其中所述有色晶片背面保護(hù)膜 具有激光標(biāo)識性能。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜，其用于倒裝芯片安裝的半 導(dǎo)體器件。
4. 一種使用切割帶集成晶片背面保護(hù)膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步 驟： 粘貼工件至根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的所述有 色晶片背面保護(hù)膜上， 切割所述工件以形成芯片形工件， 與所述有色晶片背面保護(hù)膜一起，從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離芯片形工件，和 通過倒裝芯片接合將所述芯片形工件固定至被粘物。
5. -種倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件，其使用根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的切割 帶集成晶片背面保護(hù)膜制造，所述半導(dǎo)體器件包括芯片形工件和粘貼至所述芯片形工件背 面的切割帶集成晶片背面保護(hù)膜的晶片背面保護(hù)膜。
【文檔編號】C09J7/02GK104103565SQ201410351062
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2010年1月29日 優(yōu)先權(quán)日:2009年1月30日
【發(fā)明者】高本尚英, 松村健 申請人:日東電工株式會社