本發(fā)明屬于發(fā)光材料領(lǐng)域，涉及一種余輝時(shí)間可控的長(zhǎng)余輝發(fā)光材料及其制備方法，特別涉及一種余輝時(shí)間可控的、能夠被可見(jiàn)光有效激發(fā)的石榴石基黃/綠光熒光粉，該發(fā)光材料尤其可應(yīng)用于交流LED照明器件。

背景技術(shù)：

長(zhǎng)余輝發(fā)光材料具有“存儲(chǔ)”光的功能。在激發(fā)光源的照射下，長(zhǎng)余輝發(fā)光材料可以將光能存儲(chǔ)在材料內(nèi)部；當(dāng)去掉激發(fā)光后，該種材料將光能釋放出來(lái)，繼續(xù)發(fā)光。長(zhǎng)余輝材料廣泛應(yīng)用于工藝品、夜間指示等領(lǐng)域。目前，長(zhǎng)余輝熒光粉在交流LED照明器件中具有重要的使用價(jià)值。LED(Light Emitting Diodes,發(fā)光二極管)照明器件具有體積小、壽命長(zhǎng)、全固態(tài)、無(wú)污染、易更換、低能耗等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此被公認(rèn)為下一代照明光源。主流LED照明的技術(shù)方案為藍(lán)光LED芯片與不同色光熒光粉封裝而成發(fā)光器件，利用芯片發(fā)出的藍(lán)光與熒光粉吸收藍(lán)光發(fā)出的多種色光混合而成白光。由于傳統(tǒng)LED芯片為直流驅(qū)動(dòng)，而我國(guó)的照明供電一般為220V、50Hz的工頻交流電，因此，LED照明器件大多附有將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的整流變壓器，但這會(huì)帶來(lái)高達(dá)30％的電力耗損，同時(shí)縮短了LED照明器件的使用壽命，提高了成本，不利于LED照明的進(jìn)一步推廣應(yīng)用。

為了解決這一問(wèn)題，可以采用能夠被交流電驅(qū)動(dòng)的LED芯片。然而，在交流電工作周期內(nèi)，交流LED芯片有半個(gè)周期處于斷電狀態(tài)。如果直接與傳統(tǒng)的LED熒光粉復(fù)合封裝成發(fā)光器件，該器件的發(fā)光會(huì)不斷地閃爍，即出現(xiàn)“頻閃”問(wèn)題，無(wú)法滿(mǎn)足應(yīng)用的要求。如果采用長(zhǎng)余輝發(fā)光材料作為與交流LED芯片相匹配的熒光粉，利用余輝來(lái)彌補(bǔ)交流電重復(fù)周期內(nèi)芯片斷電時(shí)的亮度，則可以解決交流供電下的頻閃問(wèn)題，使交流LED照明器件在全周期內(nèi)保持較為穩(wěn)定的光輸出。CN102074644A、CN102468413A、CN101705095A和CN104300077A等專(zhuān)利公開(kāi)了交流LED芯片復(fù)合長(zhǎng)余輝熒光粉的技術(shù)方案。目前，交流LED芯片的制造技術(shù)較為成熟，選擇適用于交流LED的長(zhǎng)余輝熒光粉具有重要的意義。

CN102585825A和CN1594498A提供了Dy³⁺Eu²⁺或Eu²⁺Tb³⁺Bi³⁺共摻雜的Y₃Ga₅O₁₂熒光粉，但由于該材料中Eu為二價(jià)，與三價(jià)的Y電荷不匹配，很難進(jìn)入基質(zhì)晶格中，進(jìn)而影響了發(fā)光及余輝性能。另外，上述兩項(xiàng)專(zhuān)利均未采用Ce作為發(fā)光離子。CN102074644A、CN104300077A和CN102468413A提供了二十種以上的可用作交流LED熒光粉的長(zhǎng)余輝發(fā)光材料，然而，這些材料的發(fā)射波長(zhǎng)往往是相對(duì)固定的，很難根據(jù)實(shí)際的LED封裝要求調(diào)節(jié)波長(zhǎng)；另外，上述專(zhuān)利采用Tb³⁺作為Y₃(Al,Ga)₅O₁₂的發(fā)光離子。CN101705095A采用Ce作為激活劑離子，但基質(zhì)成分中并不含Ga。基于此，本專(zhuān)利發(fā)明人基于稀土Ce離子摻雜的鋁/鎵石榴石體系開(kāi)發(fā)出了一系列新型長(zhǎng)余輝發(fā)光材料，并能夠調(diào)節(jié)發(fā)光波長(zhǎng)和余輝時(shí)間，兼具新穎性和先進(jìn)性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種通過(guò)能帶調(diào)制實(shí)現(xiàn)余輝時(shí)間可控的石榴石基黃/綠光長(zhǎng)余輝發(fā)光材料，為長(zhǎng)余輝材料領(lǐng)域尤其是交流LED領(lǐng)域提供了一種極具潛力的材料選擇。

本發(fā)明提供的余輝時(shí)間可控的石榴石基黃/綠光長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的化學(xué)組成是：

Ln_a(Ga,Y,Al)_b(O,F)₁₂:(Ce³⁺,M³⁺)_c

其中，Ln為Y、Gd和Lu中至少一種，M為L(zhǎng)a，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm、Yb和Cr中至少一種，且

2.7≤a≤3.3，4.6≤b≤5.4，0.0005≤c≤0.3。

本發(fā)明提供的余輝時(shí)間可控的黃/綠光長(zhǎng)余輝發(fā)光材料以三價(jià)Ce離子為發(fā)光離子，Y、Gd、Lu、Al、Ga、O和F構(gòu)成基質(zhì)晶格，通過(guò)不同配比來(lái)調(diào)制能帶的寬度，氧缺陷作為缺陷中心俘獲電子，La，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Cr作為氧缺陷穩(wěn)定劑。

本發(fā)明提供的長(zhǎng)余輝材料可被紫外光及可見(jiàn)光有效激發(fā)，激發(fā)波長(zhǎng)范圍為250nm～500nm；通過(guò)成分調(diào)控，可以發(fā)射綠光、黃綠光、黃光，發(fā)射波長(zhǎng)范圍為520nm～600nm；通過(guò)能帶調(diào)制，可以得到微秒(μs)到小時(shí)(h)量級(jí)的余輝時(shí)間。

本發(fā)明提供了上述材料的制備方法，包括以下步驟：將原料按化學(xué)摩爾配比稱(chēng)量并混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1000～1800℃，時(shí)間為1～20h，可一次或多次燒結(jié)。優(yōu)選1500～1600℃燒結(jié)2～6h。

本發(fā)明的有益效果在于：用本發(fā)明方法制造的長(zhǎng)余輝發(fā)光材料具有波長(zhǎng)可調(diào)節(jié)、余輝時(shí)間可調(diào)節(jié)等優(yōu)點(diǎn)；利用三價(jià)Ce離子5d到4f的電偶極允許躍遷可以得到較高的發(fā)光亮度；通過(guò)調(diào)制能帶寬度可以有效地控制余輝時(shí)間。

附圖說(shuō)明

圖1為長(zhǎng)余輝材料發(fā)光機(jī)理圖。

a：三價(jià)鈰離子吸收一個(gè)光子，從基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)；b：激發(fā)態(tài)電子在熱擾動(dòng)作用下進(jìn)入導(dǎo)帶；c：電子通過(guò)導(dǎo)帶輸運(yùn)至缺陷附近；d：缺陷俘獲電子；e：缺陷釋放電子至導(dǎo)帶；f：電子通過(guò)導(dǎo)帶輸運(yùn)至三價(jià)鈰離子附近；g：導(dǎo)帶電子回到三價(jià)鈰離子的激發(fā)態(tài)；h：激發(fā)態(tài)電子躍遷至基態(tài)，并放出一個(gè)光子

圖2為利用密度泛函理論計(jì)算得到的Y3Al5O12和Y3Ga5O12的能帶圖。

圖3為Y3Ga5O12中的氧空位能夠在禁帶中創(chuàng)造缺陷能級(jí)

圖4為部分樣品發(fā)射光譜。

圖5為部分樣品的激發(fā)光譜。

圖6為部分樣品余輝曲線(xiàn)。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例，進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。但不應(yīng)將此理解為本發(fā)明主題的范圍僅限于以下的實(shí)例，凡基于本發(fā)明上述內(nèi)容所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)均屬于本發(fā)明的范圍。

比較例1

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g和氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例1

稱(chēng)取氧化釔64.447g，氧化鈰2.005g和氧化鋁32.333g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例2

稱(chēng)取氧化镥76.443g，氧化鈰1.349g和氧化鋁22.207g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例3

稱(chēng)取氧化釔27.090g，氧化釓43.488g，氧化鈰1.686g和氧化鋁27.737g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例4

稱(chēng)取氧化釔58.318g，氧化鈰1.814g，氧化鋁17.913g和氧化鎵21.954g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例5

稱(chēng)取氧化釔55.538g，氧化鈰1.728g，氧化鋁11.373g和氧化鎵31.362g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例6

稱(chēng)取氧化釔53.010g，氧化鈰1.649g，氧化鋁5.428g和氧化鎵39.913g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例7

稱(chēng)取氧化釔25.985g，氧化镥45.792g，氧化鈰1.617g和氧化鋁26.606g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例8

稱(chēng)取氧化釔23.857g，氧化镥42.041g，氧化鈰1.484g，氧化鋁14.654g和氧化鎵17.962g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例9

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例10

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例11

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例12

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例13

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例14

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例15

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例16

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例17

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例18

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例19

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例20

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例21

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例22

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例23

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例24

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

實(shí)施例25

稱(chēng)取氧化釔64.806g，氧化鈰2.016g，氧化鋁33.177g作為原料，氟化鋁3g作為助熔劑。將上述物料混合均勻，置于還原氣氛下煅燒，溫度為1600℃，時(shí)間為4h。將燒成樣品研磨粉碎，測(cè)量發(fā)射光譜、激發(fā)光譜及余輝衰減曲線(xiàn)。

本發(fā)明通過(guò)改變成分來(lái)調(diào)節(jié)長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的能帶寬度，能夠?qū)崿F(xiàn)余輝時(shí)間的可控調(diào)節(jié)。與此同時(shí)，還能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)余輝發(fā)光材料發(fā)射波長(zhǎng)的可控調(diào)節(jié)。因此，本發(fā)明提供的長(zhǎng)余輝熒光粉特別適用于交流LED照明器件。另外，上述長(zhǎng)余輝熒光粉能夠被可見(jiàn)光有效激發(fā)，這進(jìn)一步擴(kuò)展了其應(yīng)用范圍。

為了證明本發(fā)明的效果，測(cè)試所有樣品的余輝衰減時(shí)間，數(shù)據(jù)列于表1中。該表說(shuō)明本發(fā)明所提供的長(zhǎng)余輝發(fā)光材料具有余輝時(shí)間可調(diào)的特點(diǎn)。其中，余輝時(shí)間位于ms量級(jí)的樣品(如實(shí)施例1、實(shí)施例2和實(shí)施例3)尤其適用于交流LED照明器件。這是因?yàn)楫?dāng)工頻交流電頻率為50Hz時(shí)，對(duì)應(yīng)的芯片導(dǎo)通周期為20ms。上述長(zhǎng)余輝發(fā)光材料能夠在芯片斷電的時(shí)間內(nèi)繼續(xù)發(fā)光，從而可以有效地解決交流供電帶來(lái)的頻閃問(wèn)題。

表1長(zhǎng)余輝發(fā)光材料余輝性能比較

圖1所示為長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的發(fā)光機(jī)理圖，其包含以下發(fā)光過(guò)程：

a：三價(jià)鈰離子吸收一個(gè)光子，從基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)；

b：激發(fā)態(tài)電子在熱擾動(dòng)作用下進(jìn)入導(dǎo)帶；

c：電子通過(guò)導(dǎo)帶輸運(yùn)至缺陷附近；

d：缺陷俘獲電子；

e：缺陷釋放電子至導(dǎo)帶；

f：電子通過(guò)導(dǎo)帶輸運(yùn)至三價(jià)鈰離子附近；

g：導(dǎo)帶電子回到三價(jià)鈰離子的激發(fā)態(tài)；

h：激發(fā)態(tài)電子躍遷至基態(tài)，并放出一個(gè)光子。

由此可知，決定余輝時(shí)間長(zhǎng)短的是上述bgde過(guò)程，即電子從發(fā)光中心的激發(fā)態(tài)進(jìn)出導(dǎo)帶及缺陷俘獲、釋放電子的過(guò)程。通過(guò)調(diào)制能帶寬度，導(dǎo)帶降低，則電子容易從發(fā)光中心的激發(fā)態(tài)進(jìn)入導(dǎo)帶，同時(shí)缺陷較易俘獲、釋放電子，則余輝時(shí)間增加；導(dǎo)帶升高，則電子較難從發(fā)光中心的激發(fā)態(tài)進(jìn)入導(dǎo)帶，同時(shí)缺陷較難俘獲、釋放電子，則余輝時(shí)間減少。

圖2所示為根據(jù)密度泛函理論計(jì)算得到的能帶圖。Y₃Al₅O₁₂與Y₃Ga₅O₁₂具有相同的結(jié)構(gòu)。由圖可知，組分中的Ga替代Al會(huì)造成帶隙減小，這有助于提高余輝性能。對(duì)比表1中的實(shí)施例1和實(shí)施例4-6可知，隨著Ga含量的提高，發(fā)光材料的禁帶寬度變窄，從而有利于激發(fā)態(tài)電子進(jìn)出導(dǎo)帶以及缺陷能級(jí)俘獲、釋放電子，余輝時(shí)間隨之變長(zhǎng)。實(shí)施例7-10以及實(shí)施例11-13都表現(xiàn)出了相同的趨勢(shì)，這說(shuō)明本發(fā)明所提出的能帶調(diào)制方法可以有效地調(diào)控余輝時(shí)間。

根據(jù)密度泛函理論計(jì)算，Y₃Ga₅O₁₂中的氧空位能夠在禁帶中創(chuàng)造缺陷能級(jí)，如圖3所示。因此，氧空位的濃度決定了余輝發(fā)光的強(qiáng)弱與余輝時(shí)間的長(zhǎng)短。已有文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)，其他三價(jià)稀土離子可以起到穩(wěn)定空位的作用(Chem.Mater.,27,6,2195,2015)。因此，含有其他三價(jià)稀土離子摻雜的實(shí)施例14-24的余輝時(shí)間都有所提高，其中Dy摻雜的實(shí)施例20效果最為明顯。

圖4表明，通過(guò)組分變化，可以連續(xù)調(diào)節(jié)長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的發(fā)射波長(zhǎng)，以滿(mǎn)足不同的應(yīng)用要求。圖5表明，長(zhǎng)余輝發(fā)光材料能夠被可見(jiàn)光有效激發(fā)，這進(jìn)一步擴(kuò)展了其應(yīng)用。

圖6所示為部分樣品的余輝衰減曲線(xiàn)，說(shuō)明通過(guò)組分調(diào)控確實(shí)可以有效地改變長(zhǎng)余輝發(fā)光樣品的余輝時(shí)間。