m。
[0077] 圖4為本實(shí)施例制備的CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的X射線衍射（XRD)圖， CdTe/CdS: Cu與CdS材料（PDF#80-0019 )的XRD衍射特征峰位基本一致，這說(shuō)明整個(gè)核殼結(jié) 構(gòu)量子點(diǎn)中殼材料的比例較大，所以XRD圖只是顯示出了殼材料的衍射峰；由圖4還可以看 出，制備的CdTe核的XRD衍射峰為彌散峰，與CdTe材料（PDF#75-2086)的XRD衍射的主要 特征峰位基本吻合，這可能是因?yàn)镃dTe核的直徑只有2nm，粒徑太小導(dǎo)致衍射峰寬化漫散， 但是圖2所示的HRTEM照片中有明顯的晶格條紋，說(shuō)明CdTe核結(jié)晶性良好。
[0078] 實(shí)施例2
[0079] -種CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，所述量子點(diǎn)以CdTe為核，以CdS = Cu為殼； 所述CdS = Cu中Cu2+的摻雜摩爾分?jǐn)?shù)為0. 70% ;所述CdTe核的尺寸為2nm，所述殼的厚度為 3nm。所述量子點(diǎn)的制備方法包括以下步驟：
[0080] (1)配制Cd2+濃度為0· lmol/L的CdCl2水溶液，濃度為0· 2mol/L的3-巰基丙酸 溶液，Cu2+濃度為0. lmol/L的CuCl2水溶液，備用；
[0081] (2)新制NaHTe溶液：將摩爾比為4. 5:1的NaBH4和Te粉溶解于超純水中，室溫反 應(yīng)5小時(shí)，得到NaHTe溶液；
[0082] (3)CdTe核的制備：取5mLCdCl2溶液，4. 5mL3-巰基丙酸溶液定容至30mL，轉(zhuǎn)移到 50mL三口燒瓶中，用NaOH溶液調(diào)節(jié)pH為10. 5,向所述三口燒瓶中通入氬氣除氧lh，加入新 制NaHTe溶液100 μ L，于4°C保存17小時(shí)。加入60mL乙醇,用10000r/min離心15min，重 復(fù)離心、醇洗三次，真空干燥后得到CdTe核粉末；
[0083] (4) CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的合成：
[0084] (a)將步驟（1)制備的CdCl2溶液和3-巰基丙酸溶液以1:1的體積比均勻混合得 到混合液，備用；
[0085] (b)取0. 024g步驟（3)制備的CdTe粉末溶于IOmL超純水作為反應(yīng)基液，加入到 50ml三口燒瓶中，用NaOH溶液調(diào)節(jié)反應(yīng)基液的pH為11 ;開(kāi)啟干式金屬浴的磁力攪拌和加 熱按鈕，先往所述三口燒瓶中加入40 μ L步驟（a)所述的混合液，90°C加熱30min ;再向所述 三口燒瓶中加入200 μ L步驟（a)所述的混合液，100°C加熱4h ;之后向所述三口燒瓶中加入 400 μ L步驟（a)所述的混合液和IyL步驟（1)制備的CuCl2溶液，KKTC加熱120min，自然 冷卻至室溫后，即得所述CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)溶液，所述量子點(diǎn)溶液經(jīng)10000轉(zhuǎn) /分高速離心、乙醇洗滌數(shù)次，然后真空干燥處理后便得到所述CdTe/CdS: Cu核殼結(jié)構(gòu)量子 點(diǎn)。
[0086] 本實(shí)施例制備的CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)采用電感耦合等離子光譜發(fā)生儀 (ICP)進(jìn)行元素分析，測(cè)得Cu/Cd摩爾比為0. 70%。
[0087] 通過(guò)高分辨率透射電子顯微鏡（HRTEM)觀測(cè)本實(shí)施例制得的CdTe/CdS:Cu核殼結(jié) 構(gòu)量子點(diǎn)的尺寸為8nm。
[0088] 實(shí)施例3
[0089] 一種CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，所述量子點(diǎn)以CdTe為核，以CdS = Cu為殼； 所述CdS = Cu中Cu2+的摻雜摩爾分?jǐn)?shù)為0. 51% ;所述CdTe核的尺寸為2nm，所述殼的厚度為 4nm。所述量子點(diǎn)的制備方法包括以下步驟：
[0090] (1)配制Cd2+濃度為0· lmol/L的CdCl2水溶液，濃度為0· 2mol/L的3-巰基丙酸 溶液，Cu2+濃度為0. lmol/L的CuCl2水溶液，備用；
[0091] (2)新制NaHTe溶液：將摩爾比為4. 5:1的似8比和Te粉溶解于超純水中，室溫反 應(yīng)5小時(shí)，得到NaHTe溶液；
[0092] (3)CdTe核的制備：取5mLCdCl2溶液，4. 5mL3-巰基丙酸溶液定容至30mL，轉(zhuǎn)移到 50mL三口燒瓶中，用NaOH溶液調(diào)節(jié)pH為10. 5,向所述三口燒瓶中通入氬氣除氧lh，加入新 制NaHTe溶液100 μ L，于4°C保存17小時(shí)。加入60mL乙醇,用10000r/min離心15min，重 復(fù)離心、醇洗三次，真空干燥后得到CdTe核粉末；
[0093] (4) CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的合成：
[0094] (a)將步驟（1)制備的CdCl2溶液和3-巰基丙酸溶液以1:1的體積比均勻混合得 到混合液，備用；
[0095] (b)取0. 024g步驟（3)制備的CdTe粉末溶于IOmL超純水作為反應(yīng)基液，加入到 50ml三口燒瓶中，用NaOH溶液調(diào)節(jié)反應(yīng)基液的pH為11 ;開(kāi)啟干式金屬浴的磁力攪拌和加 熱按鈕，先往所述三口燒瓶中加入40 μ L步驟（a)所述的混合液，90°C加熱30min ;再向所述 三口燒瓶中加入200 μ L步驟（a)所述的混合液，100°C加熱4h ;之后向所述三口燒瓶中加入 400 μ L步驟（a)所述的混合液和IyL步驟（1)制備的CuCl2溶液，KKTC加熱180min，自然 冷卻至室溫后，即得所述CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)溶液，所述量子點(diǎn)溶液經(jīng)10000轉(zhuǎn) /分高速離心、乙醇洗滌數(shù)次，然后真空干燥處理后便得到所述CdTe/CdS: Cu核殼結(jié)構(gòu)量子 點(diǎn)。
[0096] 本實(shí)施例制備的CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)采用電感耦合等離子光譜發(fā)生儀 (ICP)進(jìn)行元素分析，測(cè)得Cu/Cd摩爾比為0. 51%。
[0097] 通過(guò)高分辨率透射電子顯微鏡（HRTEM)觀測(cè)本實(shí)施例制得的CdTe/CdS:Cu核殼結(jié) 構(gòu)量子點(diǎn)的尺寸為l〇nm。
[0098] 對(duì)比實(shí)施例1~3可以看出，只有加完反應(yīng)物之后最后階段的反應(yīng)時(shí)間不同，導(dǎo)致 實(shí)施例1~3得到的CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的尺寸不同，而且隨著反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng)， 產(chǎn)物量子點(diǎn)的粒徑增大，由于反應(yīng)體系中鎘離子是過(guò)量的，所以隨著反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng)，單個(gè) 量子點(diǎn)中鎘離子的摩爾量增加，而銅離子摻雜摩爾量固定不變，導(dǎo)致產(chǎn)物中銅離子的摻雜 濃度降低。
[0099] 圖5為實(shí)施例1~3制備的CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的光致發(fā)光（PL)光譜， 激發(fā)波長(zhǎng)為480nm。由圖5可知，實(shí)施例1~3制備的量子點(diǎn)的發(fā)射波長(zhǎng)在分別在760nm、 840nm和910nm附近，在近紅外區(qū)域的可調(diào)控性強(qiáng)；而且隨著反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng)，產(chǎn)物量子點(diǎn) 的發(fā)射波長(zhǎng)紅移，這是因?yàn)殡S著反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng)，量子點(diǎn)的粒徑增大，受量子限域效應(yīng)相應(yīng)減 弱，同時(shí)，銅離子摻雜位點(diǎn)在禁帶區(qū)域作為電子受體大大降低量子點(diǎn)的帶隙能，從而導(dǎo)致發(fā) 射光譜紅移。
[0100] 圖6為實(shí)施例1~3制備的CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的熒光壽命衰減曲線。 通過(guò)公式
進(jìn)行擬合，平均熒光壽命τ用公貧
進(jìn)行計(jì)算，其中，τ i為時(shí)間常數(shù)，ai表示權(quán)重，擬合結(jié)果見(jiàn)表1。由表1可知，實(shí)施例1~3 制備的CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的平均熒光壽命約1微秒，熒光衰減中的快成分來(lái)自 CdTe/CdS帶隙發(fā)射，慢成分來(lái)自于銅摻雜能級(jí)發(fā)射。說(shuō)明銅離子摻雜引入的摻雜能級(jí)對(duì)于 CdTe/CdS: Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的熒光壽命的延長(zhǎng)起著至關(guān)重要的作用。
[0101] 表1實(shí)施例1~3制備的CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的熒光衰減參數(shù)
[0102]
[0103] 實(shí)施例4
[0104] -種CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，所述量子點(diǎn)以CdTe為核，以CdS = Cu為殼； 所述CdS: Cu中Cu2+的摻雜摩爾分?jǐn)?shù)為2. 0% ;所述CdTe核的尺寸為I. 8nm，所述殼的厚度為 2nm。所述量子點(diǎn)的制備方法包括以下步驟：
[0105] (1)新制NaHTe溶液：將摩爾比為3:1的NaBH4和Te粉溶解于超純水中，室溫反應(yīng) 6. 5小時(shí)，得到NaHTe溶液；
[0106] (2)CdTe核的制備：將摩爾比為I :1. 6的Cd(CH3COO)2和巰基乙酸溶于30mL超純 水中配制成混合溶液A，所述混合溶液A中Cd2+濃度為0. 025mol/L ;然后將所述混合溶液A 轉(zhuǎn)移到50mL三口燒瓶中，用NaOH溶液調(diào)節(jié)pH為11，向所述三口燒瓶中通入氮?dú)獬鮨h，加 入新制NaHTe溶液100 μ L，于4°C保存20小時(shí)。加入60mL乙醇，用10000r/min離心15min， 重復(fù)離心、醇洗三次，真空干燥后得到CdTe核粉末；
[0107] (3) CdTe/CdS:Cu核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的合成：
[0108] (a)將摩爾比為1 :2的Cd(CH3COO)2和巰基乙酸溶于超純水中配制成混合溶液B， 備用；所述混合溶液B中Cd2+濃度為0. 75mol/L ;
[0109] (b)取0. 02g步驟（2)制備的CdTe粉末溶于IOmL超純水作