膜1，可以由基材21、在基材21的一面形成的粘合劑 層22、在粘合劑層22上形成的半導(dǎo)體背面用薄膜40、以及在基材21的另一面形成的剝離 處理層（背面處理層）構(gòu)成。
[0134]另外，作為切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1的厚度（半導(dǎo)體背面用薄膜的厚度 與由基材21和粘合劑層22形成的切割帶的厚度的總厚度），例如可以從7ym~11300ym 的范圍選擇，優(yōu)選為17ym~1600ym(進一步優(yōu)選為28ym~1200ym)。
[0135]另外，在切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜中，通過控制倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用 薄膜的厚度與切割帶的粘合劑層的厚度之比、倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的厚度與切割 帶的厚度（基材和粘合劑層的總厚度）之比，能夠提高切割工序時的切割性、拾取工序時的 拾取性等，可以從半導(dǎo)體晶圓的切割工序至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片連接工序有效地利用切 割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜。
[0136](切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜的制造方法）
[0137] 以圖1所示的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1為例對本實施方式的切割帶一體 型半導(dǎo)體背面用薄膜的制造方法進行說明。首先，基材21可以通過現(xiàn)有公知的成膜方法成 膜。作為該成膜方法，例如可例示出：壓延成膜法、在有機溶劑中的流延法、在密閉體系中的 吹脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、干層壓法等。
[0138] 接著，在基材21上涂布粘合劑組合物，干燥（根據(jù)需要而加熱交聯(lián)）形成粘合劑 層22。作為涂布方式，可列舉出輥涂覆、絲網(wǎng)涂覆、照相凹版涂覆等。另外，可以將粘合劑層 組合物直接涂布于基材21在基材21上形成粘合劑層22,也可以在將粘合劑組合物涂布于 表面進行了剝離處理的剝離紙等而形成粘合劑層22之后將該粘合劑層22轉(zhuǎn)印至基材21。 由此制作在基材21上形成有粘合劑層22的切割帶2。
[0139] 另一方面，將用于形成半導(dǎo)體背面用薄膜40的形成材料涂布在剝離紙上使干燥 后的厚度為規(guī)定厚度，進一步在規(guī)定條件下干燥（需要熱固化時等，根據(jù)需要而實施加熱 處理進行干燥），形成涂布層。通過將該涂布層轉(zhuǎn)印至粘合劑層22上，在粘合劑層22上形 成半導(dǎo)體背面用薄膜40。需要說明的是，通過在粘合劑層22上直接涂布用于形成半導(dǎo)體背 面用薄膜40的形成材料之后，在規(guī)定條件下干燥（在需要熱固化時等，根據(jù)需要而實施加 熱處理進行干燥），也可以在粘合劑層22上形成半導(dǎo)體背面用薄膜40。由上可以得到本發(fā) 明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1。另外，在形成半導(dǎo)體背面用薄膜40時進行熱固化 的情況下，重要的是以達(dá)到部分固化的狀態(tài)的程度進行熱固化，優(yōu)選不進行熱固化。
[0140] 切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1可以在具備倒裝芯片連接工序的半導(dǎo)體裝置 的制造時適宜地使用。即，本發(fā)明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1在制造倒裝芯片安 裝的半導(dǎo)體裝置時使用，在于半導(dǎo)體芯片的背面粘貼有切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1 的半導(dǎo)體背面用薄膜40的狀態(tài)或形態(tài)下制造倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體裝置。因此，本發(fā)明的 切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1可以用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體裝置（半導(dǎo)體芯片以倒 裝芯片連接方式固定于基板等被粘物的狀態(tài)或形態(tài)的半導(dǎo)體裝置）。
[0141](半導(dǎo)體晶圓）
[0142] 作為半導(dǎo)體晶圓，如果是公知慣用的半導(dǎo)體晶圓則沒有特別限制，可以從各種素 材的半導(dǎo)體晶圓中適當(dāng)選擇并使用。本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶圓，可以適宜地使用硅晶圓。
[0143](半導(dǎo)體裝置的制造方法）
[0144] 以下邊參照圖2邊對本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。圖2是示出 使用前述切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1時的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面示意圖。
[0145] 本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法至少具備以下工序：
[0146] 工序A，在切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1的半導(dǎo)體背面用薄膜40上粘貼半導(dǎo) 體晶圓；
[0147] 工序B，在前述工序A之后，從切割帶2側(cè)對半導(dǎo)體背面用薄膜40進行激光標(biāo)記；
[0148] 工序C，對前述半導(dǎo)體晶圓進行切割從而形成半導(dǎo)體元件；
[0149] 工序D，將前述半導(dǎo)體元件與半導(dǎo)體背面用薄膜40 -起從粘合劑層22剝離；
[0150] 工序E，將前述半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接到被粘物上。
[0151][安裝工序]
[0152] 首先，如圖2的（a)所示，將任意設(shè)置在切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1的半導(dǎo) 體背面用薄膜40上的隔離體適宜地剝離，在該半導(dǎo)體背面用薄膜40上粘貼半導(dǎo)體晶圓4， 將其粘接保持進行固定（工序A)。此時，半導(dǎo)體背面用薄膜40處于未固化狀態(tài)（包括半固 化狀態(tài)）。此外，切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1粘貼在半導(dǎo)體晶圓4的背面。半導(dǎo)體晶 圓4的背面是指與電路面相反一側(cè)的面（也稱為非電路面、非電極形成面等）。對粘貼方法 沒有特別限定，優(yōu)選利用壓接的方法。壓接通常利用壓接輥等按壓單元一邊按壓一邊進行。
[0153] 接著，為了使半導(dǎo)體背面用薄膜40對半導(dǎo)體晶圓4的固定牢固，根據(jù)需要而進行 烘焙（baking、加熱）。該烘焙例如在80~150°C、0. 1~24小時的條件下進行。
[0154][激光標(biāo)記工序]
[0155] 接著，如圖2的（b)所示，從切割帶2側(cè)使用激光標(biāo)記用的激光36對半導(dǎo)體背面用 薄膜40進行激光標(biāo)記（工序B)。作為激光標(biāo)記的條件，沒有特別限定，優(yōu)選在強度：0. 3W~ 2.OW的條件下對半導(dǎo)體背面用薄膜40照射激光[波長：532nm]。并且，優(yōu)選以此時的加工 深度（深度）為2ym以上的方式進行照射。對前述加工深度的上限沒有特別限制，例如 可以從2ym~25ym的范圍選擇，優(yōu)選為3ym以上（3ym~20ym)，更優(yōu)選為5ym以上 (5ym~15ym)。通過使激光標(biāo)記的條件在前述數(shù)值范圍內(nèi)，可發(fā)揮優(yōu)異的激光標(biāo)記性。
[0156] 在本實施方式中，使極性（SP值）高的半導(dǎo)體背面用薄膜40中含有對甲苯的23°C 下的溶解度為2g/100ml以下這樣極性較高的著色劑。因此，可抑制例如由前述烘焙工序等 的加熱導(dǎo)致的前述著色劑向粘合劑層22的移動。結(jié)果，即使從切割帶2側(cè)進行激光照射， 也不容易產(chǎn)生激光被移動至切割帶2的著色劑遮蔽、激光無法到達(dá)半導(dǎo)體背面用薄膜40、 無法適宜地進行激光標(biāo)記的問題。
[0157] 需要說明的是，半導(dǎo)體背面用薄膜40的激光加工性可以通過構(gòu)成樹脂成分的種 類、其含量，著色劑的種類、其含量，交聯(lián)劑的種類、其含量，填充材料的種類、其含量等進行 控制。
[0158][切割工序]
[0159] 接著，如圖2的（c)所示，進行半導(dǎo)體晶圓4的切割。由此，將半導(dǎo)體晶圓4切割 成規(guī)定尺寸進行單片化（小片化），制造半導(dǎo)體芯片5 (工序C)。切割例如從半導(dǎo)體晶圓4 的電路面?zhèn)劝凑粘Ｒ?guī)方法進行。此外，本工序可以采用例如切入至切割帶一體型半導(dǎo)體背 面用薄膜1的被稱為全切的切斷方式等。作為本工序中使用的切割裝置，沒有特別限定，可 以使用現(xiàn)有公知的裝置。此外，半導(dǎo)體晶圓4由于通過具有半導(dǎo)體背面用薄膜的切割帶一 體型半導(dǎo)體背面用薄膜1以優(yōu)異的密合性進行了粘接固定，因此能夠抑制芯片缺損、芯片 飛濺，并且還能夠抑制半導(dǎo)體晶圓4的破損。
[0160] 另外，進行切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1的擴晶（expand)時，該擴晶可以使 用現(xiàn)有公知的擴晶裝置進行。擴晶裝置具有可以通過切割環(huán)將切割帶一體型半導(dǎo)體背面用 薄膜1向下方壓下的甜甜圈狀的外環(huán)以及直徑比外環(huán)小、支撐切割帶一體型半導(dǎo)體背面用 薄膜的內(nèi)環(huán)。通過該擴晶工序，在后述的拾取工序中，能夠防止相鄰的半導(dǎo)體芯片之間接觸 而發(fā)生破損。
[0161][拾取工序]
[0162] 為了回收粘接固定于切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1的半導(dǎo)體芯片5,如圖2的 (d)所示，進行半導(dǎo)體芯片5的拾取，將半導(dǎo)體芯片5與半導(dǎo)體背面用薄膜40 -起從切割 帶2剝離（工序D)。作為拾取的方法，沒有特別限定，可以采用現(xiàn)有公知的各種方法。例 如可列舉出如下方法等：通過頂針從切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1的基材21側(cè)將各個 半導(dǎo)體芯片5頂起，通過拾取裝置拾取被頂起的半導(dǎo)體芯片5。另外，作為構(gòu)成粘合劑層22 的粘合劑使用輻射線固化型粘合劑（或能量射線固化型粘合劑）時，優(yōu)選照射紫外線之后 再進行拾取。由此可以容易地進行拾取。尤其，在前述激光標(biāo)記工序中，有時會在半導(dǎo)體背 面用薄膜40與粘合劑層22的界面處產(chǎn)生氣泡。因此，優(yōu)選作為構(gòu)成粘合劑層22的粘合劑 使用輻射線固化型粘合劑（或能量射線固化型粘合劑），在激光標(biāo)記工序的階段將粘合劑 層22與半導(dǎo)體背面用薄膜40牢固地粘貼，抑制氣泡的產(chǎn)生，在拾取時，照射輻射線（或能 量射線）降低粘合力，使得可以容易地進行拾取。所拾取的半導(dǎo)體芯片5的背面被半導(dǎo)體 背面用薄膜40保護。
[0163][倒裝芯片連接工序]
[0164] 所拾取的半導(dǎo)體芯片5如圖2的（e)所示，通過倒裝芯片連接方式（倒裝芯片安 裝方式）固定于基板等被粘物（工序E)。具體而言，按照常規(guī)方法將半導(dǎo)體芯片5以半導(dǎo) 體芯片5的電路面（也稱為表面、電路圖案形成面、電極形成面等）與被粘物6相對的形態(tài) 固定于被粘物6。例如，通過使在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)刃纬傻耐箟K51與被粘在被粘物 6的連接焊盤上的接合用的導(dǎo)電材料（焊錫等）61接觸邊按壓邊使導(dǎo)電材料熔融，能夠確保 半導(dǎo)體芯片5與被粘物6的電導(dǎo)通，將半導(dǎo)體芯片5固定于被粘物6 (倒裝芯片連接工序）。 此時，在半導(dǎo)體芯片5與被粘物6之間形成有空隙，其空隙間距一般為30ym~300ym左 右。需要說明的是，將半導(dǎo)體芯片5倒裝芯片連接（flip-chipbonding)到被粘物6上之 后，重要的是洗滌半導(dǎo)體芯片5與被粘物6的相對面、間隙，向該間隙中填充封裝材料（封 裝樹脂等）進行封裝。
[0165] 作為被粘物6,可以使用引線框、電路基板（布線電路基板等）等各種基板。作為 這種基板的材質(zhì)，并沒有特別限定，可列舉出陶瓷基板、塑料基板。作為塑料基板，例如可列 舉出環(huán)氧基板、雙馬來酰亞胺三嗪基板、聚酰亞胺基板等。
[0166] 在倒裝芯片連接工序中，作為凸塊、導(dǎo)電材料的材質(zhì)，沒有特別限定，例如可列舉 出錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、 錫-鋅-鉍系金屬材料等焊錫類（合金）、金系金屬材料、銅系金屬材料等。
[0167]另外，在倒裝芯片連接工序中，使導(dǎo)電材料熔融來使半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)鹊?凸塊與被粘物6的表面的導(dǎo)電材料連接，作為該導(dǎo)電材料的熔融時的溫度，通常為260°C左 右（例如250°C~300°C)。本發(fā)明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜通過由環(huán)氧樹脂等形 成半導(dǎo)體背面用薄膜，可以制成具有連該倒裝芯片連接工序中的高溫也能夠耐受的耐熱性 的薄膜。
[0168] 本工序優(yōu)選進行半導(dǎo)體芯片5與被粘物6的相對面（電極形成面）、間隙的洗滌。 作為該洗滌中使用的洗液，沒有特別限制，例如可列舉出有機類的洗液、水系的洗液。本發(fā) 明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜中的半導(dǎo)體背面用薄膜具有對洗液的耐溶劑性，對于 這些洗液實質(zhì)上不具有溶解性。因此，如前所述，作為洗液，可以使用各種洗液，不需要特別 的洗液，可以通過現(xiàn)有的方法進行洗滌。
[0169] 接著，進行將倒裝芯片連接的半導(dǎo)體芯片5與被粘物6之間的間隙封裝的封裝工 序。封裝工序使用封裝樹脂進行。作為此時的封裝條件，沒有特別限定，通常通過在175°C 下進行60秒~90秒的加熱進行封裝樹脂的熱固化（回流焊），但本發(fā)明不限于此，例如可 以在165°C~185°C下固化數(shù)分鐘。在該工序中的熱處理中，不僅僅是封裝樹脂，也可以同 時進行半導(dǎo)體背面用薄膜40的半導(dǎo)體背面用薄膜40的熱固化。該情況下，不需要新追加 使半導(dǎo)體背面用薄膜40熱固化的工序。不過，在本發(fā)明中不限于此例，也可以在封裝樹脂 的熱固化之前另行進行使半導(dǎo)體背面用薄膜40熱固化的工序。
[0170] 作為前述封裝樹脂，如果是具有絕緣性的樹脂（絕緣樹脂）則沒有特別限制，可以 從公知的封裝樹脂等封裝材料中適當(dāng)選擇并使用，更優(yōu)選具有彈性的絕緣樹脂。作為封裝 樹脂，例如可列舉出含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物等。作為環(huán)氧樹脂，可列舉出前述例示的環(huán) 氧樹脂等。此外，作為基于含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物的封裝樹脂，作為樹脂成分，除了環(huán) 氧樹脂之外，可以含有環(huán)氧樹脂以外的熱固性樹脂（酚醛樹脂等）、熱塑性樹脂等。其中，作 為酚醛樹脂，還可以作為環(huán)氧樹脂的固化劑進行利用，作為這種酚醛樹脂，可列舉出前述例 示的酚醛樹脂等。
[0171] 此外，在上述實施方式中，對用液態(tài)的封裝材料（封裝樹脂等）填充半導(dǎo)體芯片5 與被粘物6之間的空隙進行封裝的情況進行了說明，但本發(fā)明不限于此例，也可以使用片 狀樹脂組合物。對于使用片狀樹脂組合物對半導(dǎo)體芯片與被粘物之間的空隙進行封裝的方 法，例如