熒光體及其制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及被規(guī)定波長的光激發(fā)而發(fā)出熒光的氧化鋯系熒光體及其制造方法。這 里,"焚光體(phosphor) "是指"用于利用光致發(fā)光(photoluminescence,S卩,通過紫外線照 射發(fā)出可見光的現(xiàn)象)的用途的材料"。
【背景技術】
[0002] 通過紫外線照射發(fā)出可見光(一般而言,為波長380nm以上且低于830nm的光) 的熒光體用于照明裝置、電視或等離子體顯示器等顯示裝置、電子顯微鏡、倫琴射線拍攝、 標記、太陽能發(fā)電裝置、生物實驗等。該熒光體中,作為發(fā)光元素大多使用含有稀土元素的 物質(例如專利文獻1~3)。但是,稀土元素存在埋藏量少、產出國受限、分離精制成本高 等問題。因此,要求作為發(fā)光元素使用稀土元素以外的元素的熒光體。
[0003] 在作為發(fā)光元素使用稀土元素以外的元素的熒光體中,作為穩(wěn)定性優(yōu)異的氧化物 系材料,已知有將Mn4+作為發(fā)光元素的3. 6Mg0 · 4CaF2 ·Ge02:0.OIMn(例如專利文獻4)這 樣的紅色熒光體。另外,作為穩(wěn)定性優(yōu)異的其它氧化物系材料,已知有將Mn2+作為發(fā)光元素 的ZnGa204:Mn(例如專利文獻5)這樣的綠色熒光體。作為綠色和藍色熒光體,已知有將氧 缺陷作為發(fā)光中心的Ζη0(例如專利文獻6)。此外,也例示有將含有Ag離子的八面沸石型 沸石形成為橙色~綠色熒光體(例如專利文獻7)。
[0004] 另外,還有在高純度的氧化鋯中添加有鈦的熒光體,在紫外光的激發(fā)下得到帶有 藍色的白色熒光(非專利文獻1~3)的報告。
[0005] 但是,現(xiàn)狀是:在氧化鋯中少量添加稀土類以外的元素來賦予熒光性的研究的數(shù) 量少,沒有得到高的熒光特性。
[0006] 現(xiàn)有技術文獻
[0007] 專利文獻
[0008] 專利文獻1 :日本特表2000-516296號公報
[0009] 專利文獻2 :日本特開2005-048107號公報
[0010] 專利文獻3 :日本特開2008-069290號公報
[0011] 專利文獻4 :日本特開2008-202044號公報
[0012] 專利文獻5 :日本特開2000-080363號公報
[0013] 專利文獻6 :日本特開2006-233047號公報
[0014] 專利文獻7 :日本特開2012-052102號公報
[0015] 非專利文獻
[0016]非專利文獻1 :T.Shimizuetal./JournalofJapanSocietyofPowderand PowderMetallurgyVol.46No. 2(1999) 175-179
[0017]非專利文獻2 :M.Akiyamaetal./Appl.Phys.Lett. 81 (2002) 457
[0018]非專利文獻3 :Y.Congetal·/JournalofLuminescence126 (2007) 822-826
【發(fā)明內容】
[0019] 發(fā)明所要解決的課題
[0020] 作為如上所述的3. 6Mg0 · 4CaF2 ·Ge02:0.OIMn的主成分的GeO2和作為ZnGa204: Μη的主成分的Ga203均與稀土元素同樣,埋藏量少,作為原料極其昂貴。另外,含Ag沸石中 的Ag也是昂貴的原料。另外,3. 6MgO.4CaF2 ·6θ02:0· 01]\111、21163 204:]\111、211〇、含48沸石熒 光體和鈦添加氧化鋯與作為發(fā)光元素使用稀土元素的熒光體相比,均存在發(fā)光亮度低的問 題。因此,期望開發(fā)便宜且發(fā)光效率高的氧化物系的熒光體。
[0021] 本發(fā)明的目的在于提供一種作為發(fā)光元素使用稀土類以外的元素的熒光體,其為 原料便宜且發(fā)光效率高的氧化物系的熒光體。另外,目的還在于提供其的制造方法。
[0022] 用于解決課題的方法
[0023] 本發(fā)明的發(fā)明人為了實現(xiàn)上述目的,進行了潛心研究,結果發(fā)現(xiàn),含有稀土類以外 的特定元素的氧化物系的熒光體(熒光體材料)能夠實現(xiàn)上述目的,從而完成了本發(fā)明。
[0024] S卩,本發(fā)明涉及下述的熒光體、熒光體的制造方法、材料作為熒光體的使用、和將 材料作為熒光體使用的方法。
[0025] 1. 一種熒光體,其特征在于,含有以下的(1)~(3):
[0026] (1)氧化鋯、
[0027] (2)鈦、以及
[0028] (3)選自磷、硒、硼和硅中的至少一種元素。
[0029] 2.如上述項1所述的熒光體,其被波長為300(nm)以下的紫外光激發(fā),呈現(xiàn) 400 (nm)~600 (nm)的波長的焚光。
[0030] 3.如上述項1或2所述的熒光體,其中,上述(3)選自磷、硒、硼和硅中的至少一種 元素的含量為〇. 001~5. 0重量%。
[0031] 4.如上述項1~3中任一項所述的熒光體,其中,上述(2)鈦的含量為0.05~0.8 重量%。
[0032] 5.上述項1~4中任一項所述的熒光體的制造方法,依次包括以下的⑴~(iii) 的工序:
[0033] (i)在鋯化合物漿料中添加鈦化合物以及含有選自磷、硒、硼和硅中的至少一種元 素的化合物的工序1 ;
[0034] (ii)通過對上述工序1中得到的漿料進行中和處理,得到鋯系氫氧化物的工序2 ; 以及
[0035] (iii)在1200°C~1600°C對上述工序2中得到的鋯系氫氧化物進行熱處理的工序 3〇
[0036] 6.含有以下的(1)~(3)的材料作為熒光體的使用,
[0037] (1)氧化鋯、
[0038] (2)鈦、以及
[0039] (3)選自磷、硒、硼和硅中的至少一種元素。
[0040] 7.將含有以下的(1)~(3)的材料作為熒光體使用的方法,
[0041] (1)氧化鋯、
[0042] (2)鈦、以及
[0043] (3)選自磷、硒、硼和硅中的至少一種元素。
[0044] 發(fā)明的效果
[0045] 本發(fā)明的含有氧化鋯、鈦以及選自磷、硒、硼和硅中的至少一種元素的氧化鋯系熒 光體為不使用稀土類的材料,能夠抑制生產成本。另外,該氧化鋯系熒光體能夠高效地將紫 外區(qū)域的光進行波長轉換為可見光區(qū)域的光,因此,能夠在該領域中合適地利用。
【附圖說明】
[0046] 圖1表示實施例1~12中得到的氧化鋯系熒光體的磷含量與熒光強度的關系。
[0047] 圖2表示實施例13~19中得到的氧化鋯系熒光體的硒含量與熒光強度的關系。
[0048] 圖3表示實施例20~24中得到的氧化鋯系熒光體的硼含量與熒光強度的關系。
[0049] 圖4表示實施例25~27中得到的氧化鋯系熒光體的硅含量與熒光強度的關系。
[0050] 圖5表示比較例1~10中得到的氧化鋯系熒光體的鈦含量與熒光強度的關系。
[0051] 圖6表示實施例6中得到的氧化鋯系熒光體的熒光圖譜。
[0052] 圖7表示比較例3中得到的氧化鋯系熒光體的熒光圖譜。
[0053] 圖8表示實施例6和28~31中得到的氧化鋯系熒光體的燒制溫度與熒光強度的 關系。
【具體實施方式】
[0054] 以下,對本發(fā)明的熒光體及其制造方法進行詳細說明。
[0055] 《1.本發(fā)明的熒光體》
[0056] 本發(fā)明的熒光體是特征在于含有(1)氧化鋯、(2)鈦、以及(3)選自磷、硒、硼和硅 中的至少一種元素的氧化鋯系熒光體。具有上述特征的該氧化鋯系熒光體為不使用稀土類 的材料,能夠抑制生產成本。另外,該氧化鋯系熒光體能夠高效地將紫外區(qū)域的光進行波長 變換為可見光區(qū)域的光,因此,能夠在該領域中合適地利用。
[0057] 本發(fā)明的上述焚光體被波長為300 (nm)以下(優(yōu)選為270 (nm)~290 (nm))的紫 外光激發(fā),發(fā)出在470~490 (nm)附近具有峰的400 (nm)~600 (nm)的波長寬度的熒光。
[0058] 本發(fā)明的熒光體中的(1)氧化鋯的含量優(yōu)選為92~98. 8重量%,更優(yōu)選為97~ 98. 5重量%。
[0059] 本發(fā)明的熒光體中的(2)鈦(Ti)的含量優(yōu)選為0.05~0.8重量%,更優(yōu)選為 0. 08~0. 3重量%,更進一步優(yōu)選為0. 1~0. 2重量%。通過使鈦(鈦元素)的含量在上 述范圍內,結晶中的陰離子晶格缺陷(F心)充分形成,并且沒有濃度消光的影響。因此,能 夠得到熒光強度更優(yōu)異的熒光體。
[0060] 本發(fā)明的熒光體中的(3)選自磷(P)、硒(Se)、硼(B)和硅(Si)中的至少一種元 素(以下,也簡單稱為(3)的元素)的含量優(yōu)選為0. 001~5. 0重量%,更優(yōu)選為0. 05~ 0.7重量%。通過使(3)的元素的含量在上述范圍內,沒有濃度消光的影響,能夠得到熒光 強度更優(yōu)異的熒光體。濃度消光是指如下的現(xiàn)象:伴隨發(fā)光離子濃度增大,離子間距變短, 在發(fā)光前激發(fā)能量在離子間迀移(回遊),被雜質和晶格缺陷捕獲,熒光強度降低。(3)的 元素能夠單獨含有1種或組合含有2種以上。
[0061] 單獨含有1種(3)的元素時,磷的含量更進一步優(yōu)選為0. 2~0. 5重量%,硒的含 量更進一步優(yōu)選為0. 1~0. 3重量%,硼的含量更進一步優(yōu)選為0. 07~0. 13重量%,硅的 含量更進一步優(yōu)選為〇. 07~0. 13重量%。<