超薄硅膠膜的制備工藝及超薄硅膠膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及硅膠制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種超薄硅膠膜的制備工藝及一種由該制備工藝制備的超薄硅膠膜。該制備工藝包括將硅膠制備原料均勻混合形成的硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中進(jìn)行烘烤得到成型的超薄硅膠膜的步驟，所述超薄硅膠膜的厚度為10μm～500μm，所述烘干通道中熱空氣形成氣墊層。本發(fā)明的超薄硅膠膜的制備工藝采用狹縫擠出再懸浮烘干的方式，制備的硅膠膜厚度范圍廣，厚度易調(diào)節(jié)，硅膠膜無氣孔，并且大大提高了生產(chǎn)效率，能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)；封閉式狹縫擠出成型，污染問題少；熱空氣墊懸浮烘烤，使薄膜均勻受熱。
【專利說明】
超薄硅膠膜的制備工藝及超薄硅膠膜
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及硅膠制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種超薄硅膠膜的制備工藝及一種由該制備工藝制備的超薄硅膠膜。
【背景技術(shù)】
[0002]硅膠，具有極好的耐熱與耐寒性能，可在-60?250°(:長期使用，優(yōu)良的電氣性能，是一種無毒材料，現(xiàn)廣泛用于汽車、航天、電子、機(jī)器、生活用品、醫(yī)用等方面。目前硅膠使用注塑或點膠方式，用于電子行業(yè)，芯片絕緣保護(hù)封裝、導(dǎo)熱防震等，厚度均在Imm左右，且效率低，應(yīng)用受限。
[0003]鑒于此，克服以上現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，提供一種新的超薄硅膠膜的制備工藝成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種新的超薄硅膠膜的制備工
-H-
O
[0005]本發(fā)明的目的可通過以下的技術(shù)措施來實現(xiàn):
[0006]—種超薄硅膠膜的制備工藝，與現(xiàn)有技術(shù)相比，其不同之處在于，該制備工藝包括將硅膠制備原料均勻混合形成的硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中進(jìn)行烘干得到成型的超薄硅膠膜的步驟，所述超薄硅膠膜的厚度為ΙΟμπι?500μπι，所述烘干通道中熱空氣形成氣墊層。
[0007]優(yōu)選地，所述硅膠混合物由10?95%的乙烯基硅油、O?95%的含氫硅油，O?60%的填料以及催化劑均勻混合形成，其中，催化劑的濃度為I?lOOppm。
[0008]優(yōu)選地，所述填料選自二氧化硅、二氧化鈦、三氧化鋁或氧化鋯。
[0009]優(yōu)選地，所述催化劑選自2，4-二氯過氧化苯甲酰(DCBP)、2，5_二甲基_2，5-雙(過氧化叔丁基)己燒、過氧化二異丙苯(BP)、過氧化苯甲酰(DCP)、雙叔丁基過氧化異丙基苯(BIPB)、或鉑金。
[0010]優(yōu)選地，硅膠混合物從擠出成型機(jī)的狹縫中擠出時擠出速度為I?50米/分鐘。
[0011]優(yōu)選地，擠出后的硅膠混合物在烘干通道中烘干溫度為50°C?250 °C。
[0012]優(yōu)選地，該制備工藝還包括如下步驟:
[0013]在所得超薄硅膠膜的前后兩個表面分別貼合一層保護(hù)膜。
[0014]優(yōu)選地，所述保護(hù)膜為PE膜、PET膜、PP膜、PEEK膜、PC膜、PI膜、PVC膜、BOPP膜、PS膜、CPP膜、格拉辛或牛皮紙。
[0015]本發(fā)明還提供了一種超薄硅膠膜，該超薄硅膠膜包括依次接合的第一保護(hù)膜、超薄硅膠膜和第二保護(hù)膜，其中，所述超薄硅膠膜的厚度為ΙΟμπι?500μπι，所述超薄硅膠膜由硅膠制備原料均勻混合形成的硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中烘干形成。
[0016]優(yōu)選地，所述硅膠混合物由10?95%的乙烯基硅油、O?95%的含氫硅油，O?60%的填料以及催化劑均勻混合形成，其中，催化劑的濃度為I?lOOppm。
[0017]本發(fā)明的超薄硅膠膜的制備工藝采用狹縫擠出再懸浮烘干的方式，制備的硅膠膜厚度范圍廣，厚度易調(diào)節(jié)，硅膠膜無氣孔，并且大大提高了生產(chǎn)效率，能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)；封閉式狹縫擠出成型，污染問題少;熱空氣墊懸浮烘烤，使薄膜均勻受熱。
【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明的超薄硅膠膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0019]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0020]本實施例提供了一種超薄硅膠膜的制備工藝，其包括將硅膠制備原料均勻混合形成的硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中進(jìn)行烘干得到成型的超薄硅膠膜的步驟，所述超薄硅膠膜的厚度為ΙΟμπι?500μπι，所述烘干通道中熱空氣形成氣墊層。
[0021]具體地，上述制備工藝采用狹縫擠出再懸浮烘干的方式，制備的硅膠膜厚度范圍廣(ΙΟμπι?500μπι)，厚度易調(diào)節(jié)，硅膠膜無氣孔，并且大大提高了生產(chǎn)效率，能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn);封閉式狹縫擠出成型，污染問題少;熱空氣墊懸浮烘烤，使薄膜均勻受熱。
[0022]在一個優(yōu)選實施方式中，為了進(jìn)一步提高超薄硅膠膜的成型性能，使得制備出的超薄硅膠模適合用于制備彈性器件，例如，應(yīng)用于醫(yī)療產(chǎn)品或體育用品中，對硅膠制備原料及其配比進(jìn)行了調(diào)整，所述硅膠混合物由10?95%的乙烯基硅油、O?95%的含氫硅油，O?60 %的填料以及催化劑均勾混合形成，其中，催化劑的濃度為I?10ppm。
[0023]在更進(jìn)一步地優(yōu)選方案中，填料選自二氧化硅、二氧化鈦、三氧化鋁或氧化鋯；催化劑選2，4-二氯過氧化苯甲酰(DCBP)、2，5-二甲基-2，5-雙(過氧化叔丁基)己烷、過氧化二異丙苯(BP)、過氧化苯甲酰(DCP)、雙叔丁基過氧化異丙基苯(BIPB)、鉑金。
[0024]硅膠混合物從擠出成型機(jī)的狹縫中擠出時擠出速度、以及擠出后的硅膠混合物在烘干通道中烘干溫度與硅膠膜的厚度有關(guān)，具體參見下述實施例1至實施例7的數(shù)據(jù)。
[0025]在一個優(yōu)選實施方式中，硅膠混合物從擠出成型機(jī)的狹縫中擠出時擠出速度為I?50米/分鐘;擠出后的硅膠混合物在烘干通道中烘干溫度為500C?2500C。
[0026]在所得超薄硅膠膜的前后兩個表面分別貼合一層保護(hù)膜，得到圖1所示的超薄硅膠膜，該超薄硅膠膜10包括依次接合的第一保護(hù)膜101、超薄硅膠膜102和第二保護(hù)膜103，其中，所述超薄娃膠膜102的厚度為ΙΟμπι?500μηι，所述超薄娃膠膜102由娃膠制備原料均勾混合形成的硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中烘干形成。所述第一保護(hù)膜101、第二保護(hù)膜103為PE膜、PET膜、PP膜、PEEK膜、PC膜、PI膜、PVC膜、BOPP膜、PS膜、CPP膜、格拉辛或牛皮紙。
[0027]實施例1:
[0028]本實施例提供了一種超薄硅膠膜的制備工藝，依次包括如下步驟:
[0029]步驟I:將100份的乙烯基含量0.15且分子量60000的硅油，3份含氫量0.2的硅油，20份的氣相白炭黑以及催化劑均勻混合，得到硅膠混合物，其中，催化劑為鉑金，催化劑的濃度為I Oppm。
[0030]步驟2:將硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅膠膜。
[0031]步驟I中的填料和催化劑參見以上內(nèi)容。步驟2中硅膠混合物從擠出成型機(jī)的狹縫中擠出時擠出速度為I米/分鐘，擠出后的硅膠混合物在烘干通道中烘干溫度為50 0C。
[0032]制成硅膠膜厚度為1ym，制成硅膠膜拉伸形變率為100%。
[0033]實施例2:
[0034]本實施例提供了一種超薄硅膠膜的制備工藝，依次包括如下步驟:
[0035]步驟I:將200份的乙烯基含量0.15且分子量50000的硅油、I份含氫量0.2的硅油，35份的氣相白炭黑以及鉑金催化劑均勻混合，得到硅膠混合物，其中，催化劑的濃度為12ppm。
[0036]步驟2:將硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅膠膜。
[0037]步驟I中的填料和催化劑參見以上內(nèi)容。步驟2中硅膠混合物從擠出成型機(jī)的狹縫中擠出時擠出速度為7米/分鐘，擠出后的硅膠混合物在烘干通道中烘干溫度為120 0C。
[0038]制成硅膠膜厚度為35μπι，制成硅膠膜拉伸形變率為240%。
[0039]實施例3:
[0040]本實施例提供了一種超薄硅膠膜的制備工藝，依次包括如下步驟:
[0041 ] 步驟1:將300份的乙烯基含量0.15且分子量70000的硅油，40份的沉淀白炭黑以及催化劑均勻混合，得到硅膠混合物，其中，催化劑為2，4_二氯過氧化苯甲酰，催化劑的濃度為20ppm。
[0042]步驟2:將硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅膠膜。
[0043]步驟I中的填料和催化劑參見以上內(nèi)容。步驟2中硅膠混合物從擠出成型機(jī)的狹縫中擠出時擠出速度為8米/分鐘，擠出后的硅膠混合物在烘干通道中烘干溫度為110 °C。
[0044]制成硅膠膜厚度為40μπι，制成硅膠膜拉伸形變率為250%。
[0045]實施例4:
[0046]本實施例提供了一種超薄硅膠膜的制備工藝，依次包括如下步驟:
[0047]步驟I:將100份的乙烯基含量0.15且分子量70000的硅油，3份含氫量0.2的硅油，20份的氣相白炭黑以及催化劑均勻混合，得到硅膠混合物，其中，催化劑為鉑金，催化劑的濃度為I Oppm。
[0048]步驟2:將硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅膠膜。
[0049]步驟I中的填料和催化劑參見以上內(nèi)容。步驟2中硅膠混合物從擠出成型機(jī)的狹縫中擠出時擠出速度為1米/分鐘，擠出后的硅膠混合物在烘干通道中烘干溫度為120 0C。
[0050]制成硅膠膜厚度為50μπι，制成硅膠膜拉伸形變率為300%。
[0051 ] 實施例5:
[0052]本實施例提供了一種超薄硅膠膜的制備工藝，依次包括如下步驟:
[0053]步驟1:將300份的乙烯基含量0.15的硅油，40份的沉淀白炭黑以及催化劑均勻混合，得到硅膠混合物，其中，催化劑為過氧化苯甲酰，催化劑的濃度為20ppm。
[0054]步驟2:將硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅膠膜。
[0055]步驟I中的填料和催化劑參見以上內(nèi)容。步驟2中硅膠混合物從擠出成型機(jī)的狹縫中擠出時擠出速度為12米/分鐘，擠出后的硅膠混合物在烘干通道中烘干溫度為125 °C。
[0056]制成硅膠膜厚度為60μπι，制成硅膠膜拉伸形變率為350%。
[0057]實施例6:
[0058]本實施例提供了一種超薄硅膠膜的制備工藝，依次包括如下步驟:
[0059]步驟1:將300份的乙烯基含量0.15且分子量80000的硅油、9份含氫量0.2的硅油，40份的沉淀白炭黑以及催化劑均勻混合，得到硅膠混合物，其中，催化劑為鉑金，催化劑的濃度為I Oppm。
[0060]步驟2:將硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅膠膜。
[0061]步驟I中的填料和催化劑參見以上內(nèi)容。步驟2中硅膠混合物從擠出成型機(jī)的狹縫中擠出時擠出速度為15米/分鐘，擠出后的硅膠混合物在烘干通道中烘干溫度為130 0C。
[0062]制成硅膠膜厚度為75μπι，制成硅膠膜拉伸形變率為400%。
[0063]實施例7:
[0064]本實施例提供了一種超薄硅膠膜的制備工藝，依次包括如下步驟:
[0065]步驟1:將200份的乙烯基含量0.15且分子量60000的硅油，35份的氣相白炭黑以及過氧化苯甲酰催化劑均勻混合，得到硅膠混合物，其中，催化劑的濃度為22ppm。
[0066]步驟2:將硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅膠膜。
[0067]步驟I中的填料和催化劑參見以上內(nèi)容。步驟2中硅膠混合物從擠出成型機(jī)的狹縫中擠出時擠出速度為50米/分鐘，擠出后的硅膠混合物在烘干通道中烘干溫度為150 0C。
[0068]制成硅膠膜厚度為ΙΟΟμπι，制成硅膠膜拉伸形變率為500%。
[0069]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種超薄硅膠膜的制備工藝，其特征在于，該制備工藝包括將硅膠制備原料均勻混合形成的硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘烤通道中進(jìn)行烘烤得到成型的超薄硅膠膜的步驟，所述超薄硅膠膜的厚度為ΙΟμπι?500μπι，所述烘干通道中熱空氣形成氣墊層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄硅膠膜的制備工藝，其特征在于，所述硅膠混合物由10?95%的乙烯基硅油、O?95%的含氫硅油，O?60 %的填料以及催化劑均勻混合形成，其中，催化劑的濃度為I?I OOppm。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超薄硅膠膜的制備工藝，其特征在于，所述填料選自二氧化娃、二氧化鈦、三氧化鋁或氧化錯。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超薄硅膠膜的制備工藝，其特征在于，所述催化劑選自2，4-二氯過氧化苯甲酰、2，5-二甲基-2，5-雙(過氧化叔丁基)己烷、過氧化二異丙苯、過氧化苯甲酰、雙叔丁基過氧化異丙基苯或鉑金。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄硅膠膜的制備工藝，其特征在于，硅膠混合物從擠出成型機(jī)的狹縫中擠出時擠出速度為I?50米/分鐘。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄硅膠膜的制備工藝，其特征在于，擠出后的硅膠混合物在烘干通道中烘干溫度為50 °C?250 °C。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述的超薄娃膠膜的制備工藝，其特征在于，該制備工藝還包括如下步驟: 在所得超薄硅膠膜的前后兩個表面分別貼合一層保護(hù)膜。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超薄硅膠膜的制備工藝，其特征在于，所述保護(hù)膜為PE膜、PET膜、PP膜、PEEK膜、PC膜、PI膜、PVC膜、BOPP膜、PS膜、CPP膜、格拉辛或牛皮紙。9.一種超薄硅膠膜，其特征在于，該超薄硅膠膜包括依次接合的第一保護(hù)膜、超薄硅膠膜和第二保護(hù)膜，其中，所述超薄硅膠膜的厚度為ΙΟμπι?500μπι，所述超薄硅膠膜由硅膠制備原料均勻混合形成的硅膠混合物通過擠出成型機(jī)的狹縫擠出至氣墊懸浮式烘干通道中烘干形成。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的超薄硅膠膜，其特征在于，所述硅膠混合物由10?95%的乙烯基硅油、O?95 %的含氫硅油、O?60 %的填料以及催化劑均勻混合形成，其中，催化劑的濃度為I?lOOppm。
【文檔編號】B65B33/00GK106003641SQ201610304324
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月10日
【發(fā)明人】許彩霞, 陳春元, 孫金永
【申請人】深圳市摩碼克來沃化學(xué)科技有限公司