本發(fā)明涉及對試料照射微波來進(jìn)行加熱的微波加熱照射裝置。

背景技術(shù)：

在微波傳輸技術(shù)的領(lǐng)域中，進(jìn)行了各種各樣的研究開發(fā)，例如，以太陽能發(fā)電衛(wèi)星(SPS：Solar Power Satellite)的實(shí)現(xiàn)為目的，研究開發(fā)了高效率傳輸技術(shù)、使用有源相控陣天線(APAA：Active Phased Array Antenna)的射束控制技術(shù)等。

此外，也能觀察到將這些微波傳輸技術(shù)應(yīng)用到工業(yè)用應(yīng)用的動向。例如，專利文獻(xiàn)1、2公開了一種通過對原料照射微波來進(jìn)行加熱從而制造熔融生鐵的制鐵系統(tǒng)。此外，在非專利文獻(xiàn)1、2中，公開了在使用微波的制鐵系統(tǒng)中，利用相控陣天線來構(gòu)成微波輻射源的技術(shù)。并且，近年來，通過將微波應(yīng)用于化學(xué)反應(yīng)來縮短化學(xué)反應(yīng)時(shí)間的技術(shù)也受到關(guān)注。

當(dāng)前狀況下，微波傳輸技術(shù)應(yīng)用于小規(guī)模裝置的示例較多。但是，也要求進(jìn)行例如像制鐵系統(tǒng)那樣的大規(guī)模且大功率的裝置的開發(fā)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：國際公開第2010/087464號“豎型微波制鐵爐”

專利文獻(xiàn)2：日本專利特開2013-11384號公報(bào)“微波加熱爐”

非專利文獻(xiàn)

非專利文獻(xiàn)1

佐藤、永田、篠原、三谷、樫村，“フェーズドアレーアンテナを使った工業(yè)用マイクロ波アプリケーターの概念設(shè)計(jì)(使用相控陣天線的工業(yè)用微波輻射器的概念設(shè)計(jì))”，第5次日本電磁波能量應(yīng)用學(xué)會討論會，論文集2B07(2011)

非專利文獻(xiàn)2

瀧川、本間、佐佐木、稻沢、小西，“マイクロ波製鉄システムへのマイクロ波伝送技術(shù)の応用に関する一検討(關(guān)于將微波傳輸技術(shù)應(yīng)用于微波制鐵系統(tǒng)的一項(xiàng)探討)”，2013年電子信息通信學(xué)會大會，論文集B-1-13(2013)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

專利文獻(xiàn)1、2及非專利文獻(xiàn)1、2中所公開的現(xiàn)有的微波加熱系統(tǒng)中，在反應(yīng)爐的周圍將微波輻射源排列成圓周狀。因此，特定的微波輻射源(以下，稱為“第1微波輻射源”)所輻射出的微波中，沒有被加熱對象的試料吸收的微波被該試料反射，并經(jīng)由反應(yīng)爐照射到與第1微波輻射源相對設(shè)置的微波輻射源(以下，稱為“第2微波輻射源”)。由此，存在第2微波輻射源發(fā)生故障的問題。此外，由于投入的試料的狀態(tài)會根據(jù)生成物的不同而成為固體、液體、氣體、粉末狀，因此，在反應(yīng)爐沒有蓋的狀態(tài)下，存在試料會從反應(yīng)爐泄漏出的問題。

本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供一種能將微波和試料封閉在反應(yīng)爐內(nèi)的微波加熱照射裝置。

解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案

本發(fā)明所涉及的微波加熱照射裝置包括：反應(yīng)爐，該反應(yīng)爐通過照射微波來對內(nèi)部所收納的試料進(jìn)行加熱；蓋，該蓋設(shè)置于反應(yīng)爐，并具有一個(gè)孔；一個(gè)微波照射源，該一個(gè)微波照射源配置于反應(yīng)爐的外側(cè)，照射微波；以及旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡，該旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡配置在反應(yīng)爐的上方，將微波照射源照射來的微波經(jīng)由蓋的孔反射到反應(yīng)爐。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，由于具有上述結(jié)構(gòu)，因此能夠?qū)⑽⒉ê驮嚵戏忾]在反應(yīng)爐內(nèi)。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖，(a)為俯視圖，(b)為側(cè)剖視圖。

圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中蓋的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖，(a)為俯視圖，(b)為側(cè)剖視圖。

圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖，(a)為俯視圖，(b)為側(cè)剖視圖。

圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3中蓋的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。

圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。

圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式6所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。

圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式7所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。

圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式7中蓋的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式8所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。

圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施方式9所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。

實(shí)施方式1.

圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

微波加熱照射裝置如圖1所示，由反應(yīng)爐1、蓋2、微波輻射源3以及旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4構(gòu)成。

反應(yīng)爐1通過照射微波使內(nèi)部所收納的試料50反應(yīng)并對其進(jìn)行加熱，是在上方(旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4一側(cè))具有開口的殼體。另外，關(guān)于反應(yīng)爐1的形狀，根據(jù)要進(jìn)行反應(yīng)的試料50的形態(tài)、特性來適當(dāng)進(jìn)行選擇即可。此外，在圖1所示的示例中，反應(yīng)爐1的形狀呈矩形，但并不限于此，也可以是例如圓形等任意的形狀。

蓋2設(shè)置于反應(yīng)爐1，其具有孔21。在實(shí)施方式1中，如圖1、2所示，示出了在蓋2開有一個(gè)孔21的情況。圖1中，以幾何光學(xué)的方式示出了微波的輻射路徑，但由于實(shí)際的微波具有波動效果，因此即使在焦點(diǎn)附近，也具有波動的被稱為束腰的波的擴(kuò)展。由此，對于設(shè)置于蓋2的孔21的形狀、大小，由于束腰根據(jù)旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4的形狀、配置的不同而不同，因此，適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇即可。此外，在圖1所示的示例中，孔21的形狀呈圓形，但并不限于此，也可以是例如矩形等任意的形狀。

微波輻射源3配置在反應(yīng)爐1的外側(cè)，照射用于使試料50反應(yīng)的微波。圖1所示的實(shí)施方式1中，示出了具備一個(gè)微波照射源的情況。另外，對于微波輻射源3的種類、照射的微波的頻率等，適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇即可。此外，微波輻射源3的輻射方向是旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4的方向。

旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4配置在反應(yīng)爐1的上方，將微波輻射源3照射來的微波經(jīng)由蓋2的孔21反射到反應(yīng)爐1。這里，從微波輻射源3(第1焦點(diǎn)101)輻射出的微波如入射波102那樣入射到旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4。然后，被旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4反射的微波如入射波103那樣會聚到蓋2的孔21(第2焦點(diǎn)104)。即，旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4在微波輻射源3和蓋2的孔21的位置分別具有第1、第2焦點(diǎn)101、104。另外，圖1中，對旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4設(shè)為旋轉(zhuǎn)橢圓鏡的情況進(jìn)行了圖示。

另外，對于反應(yīng)爐1、蓋2及旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4的構(gòu)成材料，適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇即可。

接著，對按上述方式構(gòu)成的微波加熱照射裝置的動作進(jìn)行說明。

若從微波輻射源3照射微波，則該微波經(jīng)由旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4暫時(shí)會聚到蓋2的孔21的位置，向反應(yīng)爐1內(nèi)的試料50發(fā)散并照射。接著，照射到試料50的微波中的一部分因試料50中的反應(yīng)而變?yōu)闊岜晃?。另一方面，沒有被吸收的微波則成為反射波105，向朝向試料50的入射方向的相反方向反射。

這里，本發(fā)明中，由于蓋2配置在反應(yīng)爐1的上方，因此利用該蓋2使微波反射，從而再次照射到試料50。由此，能夠有效地對試料50進(jìn)行加熱。另外，從蓋2的孔21泄漏出的微波非常少，并且假設(shè)即使有泄漏出，但若從裝置內(nèi)的傳送損耗來考慮，則該泄漏出的量也很小，并不會損壞微波輻射源3。并且，通過將蓋2設(shè)置于反應(yīng)爐1，從而無需擔(dān)心試料50從反應(yīng)爐1泄漏到外部。

如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式1，由于使用旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4，并將開有孔21的蓋2設(shè)置于反應(yīng)爐1，因此，能夠?qū)⑽⒉ê驮嚵?0封閉在反應(yīng)爐1內(nèi)。其結(jié)果是，能夠防止微波輻射源3的故障且能夠防止試料50的泄漏。并且，由于能夠?qū)⑽⒉ǚ忾]在反應(yīng)爐1內(nèi)，從而能夠在反應(yīng)爐1內(nèi)有效地利用從試料50被反射得到的微波，能夠使其再次向試料50照射，從而獲得能量的高效化的效果。

實(shí)施方式2.

圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖3所示的實(shí)施方式2所涉及的微波加熱照射裝置具有兩個(gè)系統(tǒng)，各系統(tǒng)中設(shè)置有圖1所示的實(shí)施方式1所涉及的微波加熱照射裝置的微波輻射源3和旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4，并將各系統(tǒng)的第2焦點(diǎn)104設(shè)定在蓋2的一個(gè)孔21的位置。另外，在圖中，為了區(qū)分各系統(tǒng)，在各結(jié)構(gòu)的符號上標(biāo)注后綴標(biāo)號(a、b)來表示。其他結(jié)構(gòu)相同，標(biāo)注相同標(biāo)號并省略其說明。

這里，對微波輻射源3和旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4進(jìn)行配置，以使得第1焦點(diǎn)101設(shè)定在各系統(tǒng)的微波輻射源3的位置，第2焦點(diǎn)104設(shè)定在蓋2的一個(gè)孔21的位置。圖3所示的示例中，示出了設(shè)置兩個(gè)系統(tǒng)的微波輻射源3和旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4的情況，但也可以設(shè)置三個(gè)系統(tǒng)以上，對于其數(shù)量并無限制。

如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式2，即使構(gòu)成為設(shè)置多個(gè)系統(tǒng)的微波輻射源3和旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4，并將各系統(tǒng)的第2焦點(diǎn)104設(shè)定在蓋2的一個(gè)孔21的位置，也能夠獲得與實(shí)施方式1相同的效果。

實(shí)施方式3.

圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖5是表示蓋10的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖4、圖5所示的實(shí)施方式3所涉及的微波加熱照射裝置具有四個(gè)系統(tǒng)，各系統(tǒng)中設(shè)置有圖1所示的實(shí)施方式1所涉及的微波加熱照射裝置的微波輻射源3和旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4，在蓋2設(shè)置有4個(gè)孔21，并將各系統(tǒng)的第2焦點(diǎn)104設(shè)定在互不相同的孔21的位置。另外，在圖中，為了區(qū)分各系統(tǒng)，在各結(jié)構(gòu)的符號上標(biāo)注后綴標(biāo)號(a～d)來表示。其他結(jié)構(gòu)相同，標(biāo)注相同標(biāo)號并省略其說明。

這里，對微波輻射源3和旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4進(jìn)行配置，以使得第1焦點(diǎn)101設(shè)定在各系統(tǒng)的微波輻射源3的位置，第2焦點(diǎn)104設(shè)定在蓋2中不同的孔21的位置。圖4所示的示例中，示出了設(shè)置四個(gè)系統(tǒng)的微波輻射源3和旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4，且在蓋2設(shè)有四個(gè)孔21的情況，但至少設(shè)置兩個(gè)系統(tǒng)以上，且在蓋2設(shè)有相應(yīng)數(shù)量的孔21即可，對于其數(shù)量并無限制。

如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式3，即使構(gòu)成為設(shè)置多個(gè)系統(tǒng)的微波輻射源3和旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡4，在蓋2設(shè)置相應(yīng)數(shù)量的孔21，并將各系統(tǒng)的第2焦點(diǎn)104設(shè)定在蓋2中互不相同的孔21的位置，也能夠獲得與實(shí)施方式1、2相同的效果。

實(shí)施方式4.

圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

圖6所示的實(shí)施方式4所涉及的微波加熱照射裝置采用下述結(jié)構(gòu)，即：在圖1所示的實(shí)施方式1所涉及的微波加熱照射裝置的蓋2的背面(與反應(yīng)爐1的內(nèi)側(cè)相對的面)設(shè)有凹凸部22。其他結(jié)構(gòu)相同，標(biāo)注相同標(biāo)號并省略其說明。

凹凸部22設(shè)置于蓋2的背面，使在反應(yīng)爐1內(nèi)反射的微波進(jìn)行漫反射。對于該凹凸部22的材料、形狀、種類，適當(dāng)進(jìn)行選擇即可。通過設(shè)置該凹凸部22，與圖1所示的實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)相比，能夠獲得下述效果，即：來自試料50的微波的反射波105以更為復(fù)雜的方式在反應(yīng)爐1內(nèi)進(jìn)行多重反射，從而使從蓋2的孔21泄漏出的微波減少。

如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式4，通過在蓋2的背面設(shè)置凹凸部22，相比于實(shí)施方式1的效果，可獲得更為有效地對試料50加熱的效果，以及進(jìn)一步減少微波從孔21泄漏的效果。

另外，上述說明中，示出了對圖1所示的實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)應(yīng)用了凹凸部22的情況，然而對圖3～圖5所示的實(shí)施方式2、3的結(jié)構(gòu)也可同樣地應(yīng)用，能夠獲得相同的效果。

實(shí)施方式5.

圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

圖7所示的實(shí)施方式5所涉及的微波加熱照射裝置采用下述結(jié)構(gòu)，即：在圖1所示的實(shí)施方式1所涉及的微波加熱照射裝置的反應(yīng)爐1的內(nèi)側(cè)的側(cè)壁設(shè)有凹凸部11。其他結(jié)構(gòu)相同，標(biāo)注相同標(biāo)號并省略其說明。

凹凸部11設(shè)置于反應(yīng)爐1的內(nèi)側(cè)的側(cè)壁，使在反應(yīng)爐1內(nèi)反射的微波進(jìn)行漫反射。對于該凹凸部11的材料、形狀、種類，適當(dāng)進(jìn)行選擇即可。通過設(shè)置該凹凸部11，與圖1所示的實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)相比，能夠獲得下述效果，即：來自試料50的微波的反射波105以更為復(fù)雜的方式在反應(yīng)爐1內(nèi)進(jìn)行多重反射，從而使從蓋2的孔21泄漏出的微波減少。

如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式5，通過在反應(yīng)爐1的內(nèi)側(cè)的側(cè)壁設(shè)置凹凸部11，相比于實(shí)施方式1的效果，可獲得更為有效地對試料50加熱的效果，以及進(jìn)一步減少微波從孔21泄漏的效果。

另外，上述說明中，示出了對圖1所示的實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)應(yīng)用了凹凸部11的情況，然而對圖3～圖5所示的實(shí)施方式2、3的結(jié)構(gòu)也可同樣地應(yīng)用，能夠獲得相同的效果。

實(shí)施方式6.

圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式6所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

圖8所示的實(shí)施方式6所涉及的微波加熱照射裝置采用下述結(jié)構(gòu)，即：在圖1所示的實(shí)施方式1所涉及的微波加熱照射裝置的蓋2的背面(與反應(yīng)爐1的內(nèi)側(cè)相對的面)設(shè)有凹凸部22，在反應(yīng)爐1的內(nèi)側(cè)的側(cè)壁設(shè)有凹凸部11。其他結(jié)構(gòu)相同，標(biāo)注相同標(biāo)號并省略其說明。

凹凸部22設(shè)置于蓋2的背面，使在反應(yīng)爐1內(nèi)反射的微波進(jìn)行漫反射。此外，凹凸部11設(shè)置于反應(yīng)爐1的內(nèi)側(cè)的側(cè)壁，使在反應(yīng)爐1內(nèi)反射的微波進(jìn)行漫反射。對于該凹凸部11、22的材料、形狀、種類，適當(dāng)進(jìn)行選擇即可。通過設(shè)置該凹凸部11、22，與圖1所示的實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)相比，能夠獲得下述效果，即：來自試料50的微波的反射波105以更為復(fù)雜的方式在反應(yīng)爐1內(nèi)進(jìn)行多重反射，從而使從蓋2的孔21泄漏出的微波減少。

如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式6，通過在蓋2的背面設(shè)置凹凸部22，在反應(yīng)爐1的內(nèi)側(cè)的側(cè)壁設(shè)置凹凸部11，相比于實(shí)施方式1的效果，可獲得更為有效地對試料50加熱的效果，以及進(jìn)一步減少微波從孔21泄漏的效果。

另外，上述說明中，示出了對圖1所示的實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)應(yīng)用了凹凸部11、22的情況，然而對圖3～圖5所示的實(shí)施方式2、3的結(jié)構(gòu)也可同樣地應(yīng)用，能夠獲得相同的效果。

此外，在實(shí)施方式4～6中，凹凸部11、22例如可以是排列有三棱柱那樣的面的形狀，也可以是排列有三棱錐、四棱錐、半球那樣的面的形狀(即，只要是可獲得擴(kuò)散反射的效果的形狀即可)。

實(shí)施方式7.

圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式7所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖10是表示蓋10的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖9、10所示的實(shí)施方式7所涉及的微波加熱照射裝置采用下述結(jié)構(gòu)，即：在圖1所示的實(shí)施方式1所涉及的微波加熱照射裝置的蓋2的孔21設(shè)置有蓋板5。其他結(jié)構(gòu)相同，標(biāo)注相同標(biāo)號并省略其說明。

蓋板5設(shè)置于蓋2的孔21，使微波通過。該蓋板5只要能夠使微波通過即可，其材料的種類可適當(dāng)進(jìn)行選擇。由此，通過利用蓋板5堵住蓋2的孔21，從而能夠?qū)⒃嚵?0封閉在反應(yīng)爐1內(nèi)。

如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式7，通過在蓋2的孔21的部分設(shè)置蓋板5，從而在實(shí)施方式1的效果的基礎(chǔ)上，還可獲得進(jìn)一步減少試料50從孔21泄漏的效果。

另外，上述說明中，示出了對圖1所示的實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)應(yīng)用了蓋板5的情況，然而對圖3～圖8所示的實(shí)施方式2～6的結(jié)構(gòu)也可同樣地應(yīng)用，能夠獲得相同的效果。

實(shí)施方式8.

圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式8所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

圖11所示的實(shí)施方式8所涉及的微波加熱照射裝置采用下述結(jié)構(gòu)，即：在圖1所示的實(shí)施方式1所涉及的微波加熱照射裝置設(shè)有加熱部6。其他結(jié)構(gòu)相同，標(biāo)注相同標(biāo)號并省略其說明。

加熱部6設(shè)置于反應(yīng)爐1的外部，對該反應(yīng)爐1進(jìn)行加熱。對于該加熱部6的方法、裝置的種類，適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇即可。由此，在利用微波對試料50進(jìn)行加熱的基礎(chǔ)上，通過利用加熱部6對反應(yīng)爐1本身進(jìn)行加熱，從而反應(yīng)爐1內(nèi)的溫度上升，能夠提高試料50的反應(yīng)速度。

如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式8，通過在反應(yīng)爐1內(nèi)設(shè)置施加熱的加熱部6，從而相比于實(shí)施方式1的效果，可獲得更為有效地對試料50進(jìn)行加熱的效果。

另外，上述說明中，示出了對圖1所示的實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)應(yīng)用了加熱部6的情況，然而對圖3～圖9所示的實(shí)施方式2～7的結(jié)構(gòu)也可同樣地應(yīng)用，能夠獲得相同的效果。

實(shí)施方式9.

圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施方式9所涉及的微波加熱照射裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

圖12所示的實(shí)施方式9所涉及的微波加熱照射裝置采用下述結(jié)構(gòu)，即：將圖1所示的實(shí)施方式1所涉及的微波加熱照射裝置的微波輻射源3設(shè)為有源相控陣天線7。其他結(jié)構(gòu)相同，標(biāo)注相同標(biāo)號并省略其說明。

有源相控陣天線7中，每個(gè)天線元件、或者由多個(gè)天線元件構(gòu)成的每一個(gè)子陣天線都具備放大器和相位器。于是，通過對各個(gè)放大量和相位量進(jìn)行最優(yōu)化，從而能夠靈活地控制照射到試料50的微波的照射分布。另外，為了獲得目標(biāo)照射分布，可以適當(dāng)?shù)剡x擇放大量和相位量的調(diào)整。

如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式9，由于使用可自由調(diào)整輻射的微波的振幅和相位的有源相控陣天線7來作為微波輻射源3，因此，相比于實(shí)施方式1的效果，可獲得能夠靈活地控制對試料50進(jìn)行照射的照射分布的效果。

另外，上述說明中，示出了對圖1所示的實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)應(yīng)用了有源相控陣天線7的情況，然而對圖3～圖11所示的實(shí)施方式2～8的結(jié)構(gòu)也可同樣地應(yīng)用，能夠獲得相同的效果。

此外，在實(shí)施方式1～9中，可以不使第2焦點(diǎn)104的位置與蓋2的孔21的位置完全一致。即，即使第2焦點(diǎn)104的位置處于蓋2的孔21的上方位置或下方位置，加熱效果也不會有大幅改變。但是，若使第2焦點(diǎn)104與蓋2的孔21的位置完全一致，則(即使考慮到束腰，)能夠減小孔21的直徑(大小)，可有效抑制試料50的泄漏(該效果因試料50的量的不同而不同，但若焦點(diǎn)位于試料50的表面，則可期待獲得更好的加熱效果)。

此外，在實(shí)施方式1～9中，示出了將蓋2設(shè)為平面的情況，但并不限于此，例如也可以是曲面。

另外，本申請發(fā)明可以在其發(fā)明的范圍內(nèi)對各實(shí)施方式進(jìn)行自由組合，或?qū)Ω鲗?shí)施方式的任意構(gòu)成要素進(jìn)行變形、或省略各實(shí)施方式中的任意的構(gòu)成要素。

工業(yè)上的實(shí)用性

本發(fā)明所涉及的微波加熱照射裝置包括：反應(yīng)爐，該反應(yīng)爐通過照射微波來對內(nèi)部所收納的試料進(jìn)行加熱；蓋，該蓋設(shè)置于反應(yīng)爐，并具有一個(gè)孔；一個(gè)微波照射源，該一個(gè)微波照射源配置于反應(yīng)爐的外側(cè)，照射微波；以及旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡，該旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡配置在反應(yīng)爐的上方，將微波照射源照射來的微波經(jīng)由蓋的孔反射到反應(yīng)爐，由此，能夠?qū)⑽⒉ê驮嚵戏忾]在反應(yīng)爐內(nèi)，適用于試料的加熱。

標(biāo)號說明

1反應(yīng)爐，2蓋，3、3a～3d微波輻射源，4、4a～4d旋轉(zhuǎn)二次曲面鏡，5蓋板，6加熱部，7有源相控陣天線，11凹凸部，21、21a～21d孔，22凹凸部，50試料，101、101a、101b第1焦點(diǎn)，102、102a、102b入射波，103、103a、103b入射波，104、104a、104b第2焦點(diǎn)，105反射波。