專利名稱：光學系統(tǒng)中的、尤其是微光刻投射曝光設備中的光學布置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光學系統(tǒng)中的光學布置，尤其是微光刻投射曝光設備中的光學布置。
背景技術：
微光刻用于產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)組件，例如集成電路或液晶顯示器(IXD)。微光刻工藝在具有照明裝置及投射物鏡的所謂投射曝光設備中執(zhí)行。在此情況下，為了將掩模結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基板上的光敏涂層，通過投射物鏡將利用照明裝置照明的掩模(=掩模母版)成像到基板 (例如硅晶片)上，基板涂有光敏層(光刻膠)并設置在投射物鏡的像平面上。在光學系統(tǒng)(例如上述的投射曝光設備)操作期間，尤其是在全局或局部高熱負載的情況下，發(fā)生如下問題溫度敏感組件(例如反射鏡、透鏡、或支架組件)或其他(子) 系統(tǒng)的溫度上升(所述溫度上升與高熱負載及其吸收關聯(lián))會造成光學系統(tǒng)的成像質(zhì)量的破壞。這樣的一個示例為光學系統(tǒng)中出現(xiàn)的溫度敏感元件(例如位置傳感器)的損壞， 或上述投射曝光設備的成像光束路徑中的溫度敏感子系統(tǒng)的損壞。因此，例如，在針對EUV范圍(即波長小于15nm，例如約13. 5nm)設計的投射物鏡中，因為缺乏合適的透光折射材料，所以使用反射鏡作為成像過程的光學組件，已知除了承載反射鏡及反射鏡致動器的承載結(jié)構(gòu)之外，還提供測量結(jié)構(gòu)，其典型地設置在承載結(jié)構(gòu)之外，且意在確保熱及機械穩(wěn)定地固定位置傳感器或用于確定反射鏡位置的其他測量系統(tǒng)。 所述測量結(jié)構(gòu)的不期望發(fā)熱問題更嚴重，這是因為在投射曝光設備操作期間加熱的反射鏡與位置傳感器之間的距離相對較小，此距離可以在約I-IOOmm的范圍中。US 2005/0018154A1公開了在微光刻投射曝光設備中提供至少一個熱屏蔽，該熱屏蔽意在吸收反射鏡和/或其承載結(jié)構(gòu)所發(fā)射的熱，該熱通過與熱屏蔽機械接觸的熱轉(zhuǎn)移回路散掉。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供光學系統(tǒng)中的光學布置，尤其是微光刻投射曝光設備中的光學布置，其可以對抗不期望的熱輸入而有效地保護溫度敏感組件。根據(jù)獨立權利要求1的特征實現(xiàn)此目的。 光學系統(tǒng)中的根據(jù)本發(fā)明的一種光學布置，尤其是微光刻投射曝光設備中的光學布置，包括 至少一個發(fā)熱子系統(tǒng)，在光學系統(tǒng)操作期間發(fā)射熱；
第一熱屏蔽，設置成至少部分吸收發(fā)熱子系統(tǒng)所發(fā)射的熱；第一冷卻裝置，與第一熱屏蔽機械接觸，并被設計成將來自第一熱屏蔽的熱散掉； 以及第二熱屏蔽，至少部分吸收第一熱屏蔽所發(fā)射的熱，同樣地，所述第二熱屏蔽與將來自第二熱屏蔽的熱散掉的冷卻裝置機械接觸。發(fā)熱子系統(tǒng)可為例如單獨(individual)組件，如光學元件，尤其是反射鏡，或支架元件。在此情況中，“光學元件”一詞在本申請的意義中包括任何光學元件，尤其也包括折射元件(例如透鏡或棱鏡)、分束器、或光柵。然而，本發(fā)明不限于此，并從而還可包括其它任何熱源。此外，子系統(tǒng)也可具有多個光學元件，其從而被整體上視為熱源，例如上述投射曝光設備的照明系統(tǒng)，或任何其他子系統(tǒng)。尤其是，利用根據(jù)本發(fā)明的布置，可保護投射曝光設備的投射物鏡不受入射在發(fā)熱照明裝置的部分上的熱的影響到如下程度可以保持投射物鏡中的成像光束路徑盡可能地不受溫度波動的影響，以及至少可基本避免成像質(zhì)量的破壞。特別地，本發(fā)明基于除了提供第一熱屏蔽之外還提供第二熱屏蔽的構(gòu)思。以此方式，屏蔽要保護的溫度敏感組件(例如位置傳感器)或其它要保護的溫度敏感子系統(tǒng)(例如上述投射曝光設備的成像光束路徑)免受通常存在于第一熱屏蔽區(qū)域中的溫度不均勻的影響，至如下程度由于第一熱屏蔽的熱發(fā)射而導致的可能仍然保留在第二熱屏蔽上的任何殘熱要么可忽略，要么與存在于第一熱屏蔽上的殘熱相比大大降低。除了降低所述殘熱，在此情況下，根據(jù)本發(fā)明的布置的另一期望效果在于第二熱屏蔽上的溫度的均勻化 (在均勻分布的意義上)。由于第二熱屏蔽的部分同樣與冷卻裝置(該冷卻裝置可以是同一冷卻裝置或獨立的冷卻裝置，并將來自第二熱屏蔽的熱散掉)機械接觸的事實，可至少基本避免將仍存在于第二熱屏蔽上的可能溫度不均勻轉(zhuǎn)移到要保護的溫度敏感組件。這也考慮了第二熱屏蔽的導熱性(正如第一熱屏蔽的導熱性)通常顯著高于存在于光學系統(tǒng)中的氣體(例如空氣或合適的凈化(purge)氣體(例如氫氣))的導熱性的情形，從而在第二熱屏蔽與冷卻裝置間缺少熱接觸時，將會不期望的降低熱至溫度敏感組件的路徑中的熱阻。特別地，可利用根據(jù)本發(fā)明實施例的光學布置實現(xiàn)溫度敏感組件或系統(tǒng)對抗溫度波動的保護。例如利用本發(fā)明所實現(xiàn)的，微光刻投射曝光設備中仍“許可的”溫度敏感組件的典型溫度波動值在此情況下可為小于500 μ K/min,尤其是小于100 μ K/min,更尤其是小于40 μ K/min,以及更尤其是小于10 μ K/min。除了上述屏蔽，根據(jù)本發(fā)明的布置所執(zhí)行的另一功能可為冷卻功能，用于所接收的由發(fā)熱子系統(tǒng)發(fā)射并利用熱屏蔽吸收的熱朝外散出。舉例而言，在此方式中可避免例如投射曝光設備中的反射鏡的過熱或反射鏡上的涂層的有關損壞。利用根據(jù)本發(fā)明實施例的布置，相比于傳統(tǒng)(簡單或單級)熱屏蔽，從發(fā)熱子系統(tǒng)傳到溫度敏感元件的熱的比例可降低約1個數(shù)量級。因此，舉例而言，相比于在朝溫度敏感元件傳輸?shù)臒崤c被屏蔽遠離溫度敏感元件的熱之間的示例比例為1 10的傳統(tǒng)單級系統(tǒng)， 根據(jù)實施例，比例可以增加到1 100的數(shù)量級。根據(jù)一個實施例，第二熱屏蔽不與第一熱屏蔽機械或物理接觸，或僅在第一冷卻裝置的區(qū)域中與第一熱屏蔽機械或物理接觸。
根據(jù)一個實施例，與第二熱屏蔽機械接觸的冷卻裝置是獨立于第一冷卻裝置的第二冷卻裝置。在此情況中，第一冷卻裝置及第二冷卻裝置可連接到不同的冷卻回路，這尤其有利于第二熱屏蔽中冷卻介質(zhì)的熱穩(wěn)定性，因為所述冷卻介質(zhì)不被第一熱屏蔽直接加熱。根據(jù)另一實施例，與第二熱屏蔽機械接觸的冷卻裝置是第一冷卻裝置，即兩個熱屏蔽接連接到同一個冷卻裝置或同一個冷卻回路。作為結(jié)果，此構(gòu)造可以有利于更緊湊的設計，并因此節(jié)省結(jié)構(gòu)空間。根據(jù)一個實施例，該光學布置具有至少三個熱屏蔽，尤其是至少四個熱屏蔽。如下文所說明的，此構(gòu)造使得甚至可實現(xiàn)對源自發(fā)熱子系統(tǒng)的熱或溫度分布的更有效的吸收。根據(jù)一個實施例，這些熱屏蔽中的至少一個、尤其是所有的熱屏蔽，至少在一些區(qū)域中具有第一涂層，該第一涂層具有最多0. 5、尤其是最多0. 2，更尤其是最多0. 05的發(fā)射率(emissivity)，其適配于冷卻器溫度或針對發(fā)熱子系統(tǒng)所發(fā)射的熱的波長。第一涂層可至少設置在相關熱屏蔽背離發(fā)熱子系統(tǒng)或面對要保護的組件(例如傳感器)的那一側(cè)。以此方式，可實現(xiàn)進一步降低傳遞達到要保護的組件的、或“外部可見的(externally visible)”且源自發(fā)熱子系統(tǒng)的發(fā)熱的溫度分布。根據(jù)一個實施例，第一熱屏蔽至少在一些區(qū)域中具有第二涂層，該第二涂層針對發(fā)熱子系統(tǒng)所發(fā)射的熱的長具有至少0. 5、尤其是至少0. 8，更尤其是至少0. 95的發(fā)射率。 第二涂層尤其可以至少設置在第一熱屏蔽面對發(fā)熱子系統(tǒng)的那一側(cè)。根據(jù)一個實施例，熱屏蔽面對發(fā)熱子系統(tǒng)的那一側(cè)至少在一些區(qū)域中可具有降低針對發(fā)熱子系統(tǒng)所發(fā)射的熱的波長的發(fā)射率的涂層，尤其是最多0. 5、或最多0. 2、或尤其是最多0. 05的發(fā)射率。根據(jù)一個實施例，這些熱屏蔽可以形成至少一個部分殼體，其具有與光學布置周圍不同的氣體環(huán)境(atmosphere)。在封閉殼體或部分殼體中的介質(zhì)具有比周邊大氣環(huán)境中的介質(zhì)更差的導熱性。具有更差導熱性的介質(zhì)可為例如低壓氣體。此構(gòu)造可實現(xiàn)對源自發(fā)熱子系統(tǒng)的熱或溫度分布的更有效的吸收。根據(jù)一個實施例，第二熱屏蔽具有對應于第一熱屏蔽的幾何形狀。具體地，第一熱屏蔽可至少在一些區(qū)域中以類似盒子或罩子的方式包圍發(fā)熱子系統(tǒng)。此外，第二熱屏蔽可至少在一些區(qū)域中以類似盒子或罩子的方式包圍第一熱屏蔽。這種構(gòu)造可實現(xiàn)對發(fā)熱子系統(tǒng)所發(fā)射的熱的更有效的吸收，即進一步降低發(fā)熱子系統(tǒng)的加熱所造成的外部“可見的”的溫度分布，更準確的講，尤其是在不僅一個而是多個溫度敏感組件存在于光學系統(tǒng)中的不同位置處的情況中，用于保護對抗熱影響。根據(jù)另一個實施例，第一熱屏蔽至少在一些區(qū)域中以類似盒子或罩子的方式包圍溫度敏感子系統(tǒng)(尤其是溫度敏感元件)。這種構(gòu)造是有利的，例如，在存在多個(尤其是廣泛分散的)熱源或者一個或多個相對較大的熱源(相對于溫度敏感組件)或發(fā)熱子系統(tǒng)的情況下。根據(jù)一個實施例，以級聯(lián)形(cascade-like)的方式設置這些熱屏蔽。根據(jù)一個實施例，針對小于400nm、尤其是小于250nm、更尤其是小于200nm、更尤其是小于160nm、以及更尤其是小于15nm的工作波長設計光學布置。本發(fā)明還涉及一種微光刻投射曝光設備，其包括照明裝置和投射物鏡，其中照明裝置和/或投射物鏡具有包括上述特征的根據(jù)本發(fā)明的光學布置，并且還涉及一種用于微光刻產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)組件的方法。從說明書和從屬權利要求獲得本發(fā)明的其他構(gòu)造。


下面基于附圖中所示的示例實施例更詳細地說明本發(fā)明，其中圖la-b顯示用于闡明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光學布置的構(gòu)成的示意圖；圖加-Sb顯示用于闡明本發(fā)明的另一實施例的示意圖；圖9a_12b顯示用于說明在大氣環(huán)境中(圖9a_10b)以及在低壓氣體構(gòu)成的環(huán)境中(圖lla-12b)、根據(jù)本發(fā)明所獲得的效果的溫度增加的FEM模擬結(jié)果，更準確地講，同時針對圖1的第一實施例(圖9a_b及圖lla-b)和圖2的第二實施例(圖10a_b及圖； 以及圖13顯示根據(jù)現(xiàn)有技術的、針對EUV所設計的投射物鏡的構(gòu)成的示意圖。
具體實施例方式這里利用(第一)熱屏蔽120至少部分地吸收由熱源或發(fā)熱元件110(尤其是光學元件，諸如投射曝光設備中的反射鏡)所發(fā)射的熱(在圖Ia中以箭頭表示)，以便保護溫度敏感組件150 (例如與所述投射曝光設備中的測量結(jié)構(gòu)關聯(lián)的傳感器，例如用于反射鏡位置的位置傳感器)，溫度敏感組件150僅作為示例繪出。第一熱屏蔽120可由例如鋁或鐵或某些其他具有良好導熱性的材料制成，并與冷卻裝置130機械(或物理)接觸，冷卻裝置130包括熱沉，例如冷卻通道或冷卻管131。例如，冷卻介質(zhì)(例如具有22°C的初始溫度的水)流過冷卻管131，并且冷卻管131連接到外部冷卻裝置并經(jīng)由因此產(chǎn)生的冷卻回路將第一熱屏蔽120所吸收的熱散到外面。為了實現(xiàn)圖la、b所示意示出的布置，例如可將冷卻管131焊接到第一熱屏蔽120 上。替代地，尤其是如果由于有關結(jié)構(gòu)空間的技術原因而不能進行焊接，則冷卻管131也可軋(mill)入第一熱屏蔽120(因此其應該被設計為具有足夠的板厚)中。該布置具有至少一個第二熱屏蔽140，其至少部分吸收由第一熱屏蔽120所發(fā)射的熱，并且在例示實施例中，僅機械或物理地接觸第一冷卻裝置130，但其他部分不與第一熱屏蔽120物理接觸。第二熱屏蔽以及冷卻管的材料同樣可以是例如鋁或鐵或某些其他具有良好導熱性的材料。本發(fā)明不限于此，例如，第一熱屏蔽及第二熱屏蔽的示例厚度可在毫米的范圍 (例如l_3mm)中，并且，同樣僅為示例，冷卻管131的直徑可在5_10mm的范圍中。在此情況中，在熱輸入保持恒定的情況下，冷卻管131間的距離越小，第一熱屏蔽120及第二熱屏蔽140的厚度可被選擇得越小，因為在緊鄰管線131的情況下，即使經(jīng)由較小的截面積或板厚，仍可充分散熱。如從圖Ib的透視圖可知，在所示的示例實施例中的第二熱屏蔽140具有大致板形的幾何形狀。本發(fā)明不限于此，在此情況中，在示例實施例中，第二熱屏蔽140以固定間距 (替代地，也可以變化的間距)覆蓋第一熱屏蔽120，第二熱屏蔽140與冷卻裝置130的冷卻管131的機械連接由網(wǎng)(web) 144表示。實踐中，第二熱遮蔽140可焊接到冷卻管131上或第一熱屏蔽120的與冷卻管131直接接觸的區(qū)域上，以便產(chǎn)生良好的熱接觸，或者可以某一其他方式黍占合(cohesively connected)在一起。圖加-b顯示闡明第二實施例的示意圖，與圖la-b的實施例對應或功能上實質(zhì)相同的元件以加上“ 100 ”后的附圖標記來表示。圖加-b的布置與圖la-b的布置不同之處在于，除了第二熱屏蔽對0，還提供第三熱屏蔽對1，其部分設置為與第二熱屏蔽240相距一距離(在此示例中再次為恒定的)，且同樣僅經(jīng)由網(wǎng)與冷卻管231熱接觸。圖3以類似的示意圖顯示第三實施例，與圖加-b的實施例實質(zhì)對應或功能上相同的組件由附圖標記增加“100”依次表示。圖3的布置與圖加-b的布置不同之處在于存在第四熱屏蔽342，其部分設置為與第三熱屏蔽341相距一距離(在此示例再次為固定的)。應注意，在上述及其他的實施例中，熱屏蔽不一定要面對溫度敏感組件。特別地， 熱屏蔽也可設置成面對各個發(fā)熱子系統(tǒng)。圖9-12所示的并分別顯示溫度增加的等溫線的FEM模擬(FEM=有限元方法)用于說明分別由根據(jù)本發(fā)明的圖la-b和圖加-b的布置所獲得的效果。具體而言，圖9a針對包圍圖la、b的布置的空氣環(huán)境的情況顯示第一熱屏蔽120 中的溫度分布。圖9b以對應的較小刻度顯示第二熱屏蔽140中出現(xiàn)的溫度分布。在此情況中，以及在圖10-12的其它圖示中，發(fā)熱子系統(tǒng)(未顯示)分別位于圖的“下方”，即，以圖 9a的示例而言，在第一熱屏蔽120的與第二熱屏蔽140相對或背離的那一側(cè)上?？梢钥闯觯诙崞帘?40對熱源或發(fā)熱元件110 (例如光學元件)所發(fā)射的熱產(chǎn)生顯著更有效的吸收，在該情況中，相較于根據(jù)圖9a的第一熱屏蔽的溫度分布，根據(jù)圖9b 的第二熱屏蔽140中產(chǎn)生的溫度分布的絕對值降低，并同時具有更小的溫度波動，即就此而言也具有更均勻的分布。針對圖加-b的包括總共三個熱屏蔽220、240及241的布置，根據(jù)圖10a_b，該效果可再次增加。在此情況中，應考慮圖IOb已顯示了在最上面的熱屏蔽Ml中獲得的溫度分布，相比于圖％，以甚至更小的刻度繪示所述溫度分布。圖lla-b及圖lh-b在具有較差傳導性或低壓氣體所構(gòu)成的氣體環(huán)境中(例如， 相比于周邊具有1/10的導熱性)，針對對應的布置顯示類似于圖9a-10b的結(jié)果。利用圖9-10的空氣環(huán)境的情況中的結(jié)果對圖lla-b和圖中的溫度分布的比較，顯示通過第二熱屏蔽240和第三熱屏蔽241的熱吸收或均勻化分別有進一步的改善。 在此情況中，相比于空氣，使用適當?shù)牡蛪簝艋瘹怏w具有如下優(yōu)點板形熱屏蔽220、240和 241之間的距離可被選擇得更小，因為該氣體中的熱阻對熱屏蔽間的距離的依賴更小。圖如顯示用于闡明本發(fā)明的另一實施例的示意圖，與圖3對應或功能實質(zhì)相同的元件依次由附圖標記增加“ 100，，來表示。圖如的布置與圖3的布置不同之處在于首先第一熱屏蔽420在其面對熱源或發(fā)熱元件410(例如光學元件)的那一側(cè)具有提高發(fā)射率的涂層470，優(yōu)選具有至少0. 5、尤其是至少0. 8、更尤其是至少0. 95的發(fā)射率。其次，熱屏蔽420、440、441、及442的其余表面被提供有降低發(fā)射率的涂層460 (優(yōu)選具有小于0. 5、尤其是小于0. 2、更尤其是小于0. 05 的發(fā)射率)。根據(jù)另一替代實施例，如圖4b所示，降低發(fā)射率的涂層460也可提供在第一熱屏蔽420的面對發(fā)熱元件410的那一側(cè)。在參考圖4所述的實施例中，熱屏蔽可替代地面對相應的發(fā)熱子系統(tǒng)，在該情況中，如果適用，則應根據(jù)經(jīng)改變的布置適配各個涂層的位置。圖5顯示用于闡明另一實施例的示意圖，與圖如功能上實質(zhì)相同的元件依次以附圖標記增加“100”來表示。相對于上述實施例，根據(jù)圖5，由熱屏蔽520、M0、541和542通過創(chuàng)造具有周邊壁 M5的封閉設計形成具有自己的“真空環(huán)境”的區(qū)域或部分殼體，其中的氣體環(huán)境不同于布置周邊的環(huán)境。具體地，真空或相比于周邊環(huán)境具有較差導熱性的氣體可出現(xiàn)在由熱屏蔽與外壁545 —起界定的部分殼體或區(qū)域中。如圖6a和6b中所示，圖5的封閉設計也可分別與圖如和4b的涂層組合。在此方面，圖6a顯示熱屏蔽620、640、641和642的所有區(qū)域都具有降低發(fā)射率的涂層660的布置，而圖6b類似于圖如顯示在第一熱屏蔽620的面對發(fā)熱元件610的那一側(cè)提供提高發(fā)射率的涂層670的布置。在參考圖5和6所述的實施例中，熱屏蔽也可替代地面對相應發(fā)熱子系統(tǒng)，在該情況中，如果適用，則應該根據(jù)經(jīng)改變的布置適配涂層的位置。如圖7所示，第二熱屏蔽740也可構(gòu)造為大致以盒子或罩子的方式包圍第一熱屏蔽720，為此目的，第二熱屏蔽740由在不同空間方向上(在此示例彼此垂直)延伸的區(qū)段 740a、740b、740c及740d所構(gòu)成。在所示的示例實施例中，第一熱屏蔽720也具有類似于盒子或罩子的幾何形狀，其包圍發(fā)熱元件710的區(qū)域。圖7所示的實施例導致對發(fā)熱元件 710所發(fā)射的熱的甚至更有效的吸收，換言之，進一步降低由發(fā)熱元件710的發(fā)熱所造成的外部“可見的”溫度分布，且其尤其是在所示的情形中有利，在該情形中，不是只有一個而是有多個溫度敏感組件750、751、752、...存在于光學系統(tǒng)中的不同位置處。在另一實施例(未顯示)中，類似盒子或罩子的幾何形狀也可包圍要保護的溫度敏感組件，例如當存在多個(尤其是廣泛分散的)熱源或一個或多個相對較大(相對于溫度敏感組件)的熱源或發(fā)熱子系統(tǒng)時，這是有利的。此外，在上述具有類似盒子或罩子的幾何形狀的實施例的修改中，熱屏蔽或片體(sheet)也可設置在相應的罩狀布置內(nèi)部，即，例如根據(jù)圖7，在發(fā)熱元件710與冷卻管731的布置之間。圖和8b顯示類似圖7的布置的示意圖，其中不僅布置兩個熱屏蔽820和840， 而且還以類似的方式分別布置附加的第三熱屏蔽841 (圖8a)以及第三熱屏蔽841與第四熱屏蔽842(圖Sb)。根據(jù)其它實施例(未顯示)，也可提供任何期望的更多數(shù)量的熱屏蔽。圖13以示意圖的方式顯示針對EUV而設計的投射曝光設備的投射物鏡1的示例構(gòu)成。投射物鏡1由6個反射鏡21-26構(gòu)成，且可具有例如1 4的放大因子，根據(jù)圖7的光束路徑在物(即在掩模母版?zhèn)然蜓谀側(cè))上非遠心，但在像平面?zhèn)?即晶片W側(cè))上遠心。在所示的示例中，所有反射鏡2116全部為凹面鏡。然而，本發(fā)明不限于此構(gòu)造，而可涵蓋使用不同數(shù)量或不同構(gòu)造的反射鏡的構(gòu)造。根據(jù)圖13，來自掩模M或掩模母版的輻射束S在反射鏡2116上反射后，到達晶片W上，以產(chǎn)生掩模母版M的要成像的結(jié)構(gòu)的像。即使已經(jīng)基于具體實施例說明了本發(fā)明，但本領域的技術人員顯然可通過例如組合和/或交換單獨實施例的特征而進行許多變化及改變。因此，對本領域的技術人員而言很清楚本發(fā)明也包含這樣的變化或改變的實施例，且本發(fā)明的范圍僅由所附的權利要求及
9其等同物限制。
權利要求
1.一種光學系統(tǒng)中的光學布置，尤其是微光刻投射曝光設備中的光學布置，包括 至少一發(fā)熱子系統(tǒng)(110-810)，在所述光學系統(tǒng)操作期間發(fā)射熱；第一熱屏蔽(120-820)，設置成至少部分吸收所述發(fā)熱子系統(tǒng)(110-810)所發(fā)射的熱； 第一冷卻裝置(130-830)，與所述第一熱屏蔽機械接觸，并被設計為將來自所述第一熱屏蔽的熱散掉；以及第二熱屏蔽(140-840)，至少部分吸收所述第一熱屏蔽(120-820)所發(fā)射的熱，所述第二熱屏蔽(140-840)同樣地與將來自所述第二熱屏蔽(140-840)的熱散掉的冷卻裝置機械接觸。
2.如權利要求1所述的光學布置，其特征在于所述第二熱屏蔽(140-840)不與所述第一熱屏蔽機械接觸，或僅在所述第一冷卻裝置(130-830)的區(qū)域中與所述第一熱屏蔽機械接觸。
3.如權利要求1或2所述的光學布置，其特征在于與所述第二熱屏蔽熱接觸的冷卻裝置是獨立于所述第一冷卻裝置(130-830)的第二冷卻裝置。
4.如權利要求3所述的光學布置，其特征在于所述第一冷卻裝置和所述第二冷卻裝置連接到不同的冷卻回路。
5.如權利要求1或2所述的光學布置，其特征在于與所述第二熱屏蔽熱接觸的冷卻裝置是所述第一冷卻裝置(130-830)。
6.如前述權利要求中的任一項所述的光學布置，其特征在于其具有至少三個熱屏蔽 (220,240-241 ；320,340-342 ；420、440_442)，尤其是至少四個熱屏蔽(320,340-342 ；420、 440-442)。
7.如前述權利要求中的任一項所述的光學布置，其特征在于至少一個所述熱屏蔽、 尤其是所有的所述熱屏蔽，至少在一些區(qū)域中具有第一涂層(460、660)，所述第一涂層 (460,660)具有最多0. 5、尤其是最多0. 2，更尤其是最多0. 05的發(fā)射率，其適配于冷卻器溫度或針對所述發(fā)熱子系統(tǒng)(110-810)所發(fā)射的熱。
8.如權利要求7所述的光學布置，其特征在于所述第一涂層(460、660)至少設置在相關熱屏蔽的背離所述發(fā)熱子系統(tǒng)G10、610)的那一側(cè)上。
9.如權利要求7所述的光學布置，其特征在于所述第一涂層(460、660)至少設置在相關熱屏蔽的面對所述發(fā)熱子系統(tǒng)G50、650)的那一側(cè)上。
10.如前述權利要求中的任一項所述的光學布置，其特征在于所述第一熱屏蔽(420、 620)至少在一些區(qū)域中具有第二涂層070、670)，其針對所述發(fā)熱子系統(tǒng)(110-810)所發(fā)射的熱具有至少0. 5、尤其是至少0. 8、更尤其是至少0. 95的發(fā)射率。
11.如權利要求10所述的光學布置，其特征在于所述第二涂層(470、670)至少設置在相關熱屏蔽020、620)的面對所述發(fā)熱子系統(tǒng)010、610)的那一側(cè)。
12.如前述權利要求中的任一項所述的光學布置，其特征在于所述熱屏蔽(530、 540-542,630,640-642)形成至少一個部分殼體，其具有與所述布置的周邊不同的氣體環(huán)^Ml O
13.如權利要求12所述的光學布置，其特征在于所述部分殼體中包含的氣體的導熱性比周邊氣體環(huán)境中包含的氣體的導熱性差。
14.如前述權利要求中的任一項所述的光學布置，其特征在于所述第二熱屏蔽(140-840)具有對應于所述第一熱屏蔽(120-820)的幾何形狀。
15.如前述權利要求中的任一項所述的光學布置，其特征在于所述第一熱屏蔽(720、 820)至少在一些區(qū)域中以類似盒子或罩子的方式包圍所述發(fā)熱子系統(tǒng)(710、810)。
16.如權利要求1至14中的任一項所述的光學布置，其特征在于還存在溫度敏感子系統(tǒng)，所述第一熱屏蔽(720、820)至少在一些區(qū)域中以類似盒子或罩子的方式包圍所述溫度敏感子系統(tǒng)。
17.如前述權利要求中的任一項所述的光學布置，其特征在于所述第二熱屏蔽(740、 840)至少在一些區(qū)域中以類似盒子或罩子的方式包圍所述第一熱屏蔽(720、820)。
18.如前述權利要求中的任一項所述的光學布置，其特征在于以級聯(lián)形的方式設置所述熱屏蔽。
19.如前述權利要求中的任一項所述的光學布置，其特征在于所述發(fā)熱子系統(tǒng) (110-810)是光學子系統(tǒng)，尤其是反射鏡。
20.如前述權利要求中的任一項所述的光學布置，其特征在于針對小于400nm、尤其是小于250nm、更尤其是小于200nm、更尤其是小于160nm、以及更尤其是小于15nm的工作波長設計所述光學布置。
21.如前述權利要求中的任一項所述的光學布置，其特征在于所述發(fā)熱子系統(tǒng) (110-810)是微光刻投射曝光設備的照明裝置。
22.一種微光刻投射曝光設備，包括照明裝置及投射物鏡，其中所述照明裝置和/或所述投射物鏡具有如前述權利要求中的任一項所述的光學布置。
23.一種微光刻產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)組件的方法，包括以下步驟 提供基板，所述基板至少部分涂有由光敏材料構(gòu)成的層； 提供掩模，所述掩模具有要成像的結(jié)構(gòu)；提供如權利要求22所述的微光刻投射曝光設備；以及利用所述微光刻投射曝光設備，將所述掩模的至少一部分投射到所述光敏層的區(qū)域上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光學系統(tǒng)中的光學布置，尤其是微光刻投射曝光設備中的光學布置，該光學布置包括至少一個發(fā)熱子系統(tǒng)(110-810)，在光學系統(tǒng)操作期間發(fā)射熱；第一熱屏蔽(120-820)，設置成至少部分吸收發(fā)熱子系統(tǒng)(110-810)所發(fā)射的熱；第一冷卻裝置(130-830)，與第一熱屏蔽機械接觸，并被設計成將來自第一熱屏蔽的熱散掉；以及第二熱屏蔽(140-840)，至少部分吸收第一熱屏蔽(120-820)所發(fā)射的熱，同樣地，第二熱屏蔽(140-840)與將來自第二熱屏蔽(140-840)的熱散掉的冷卻裝置機械接觸。
文檔編號F25D19/04GK102576141SQ201080043766
公開日2012年7月11日 申請日期2010年9月22日 優(yōu)先權日2009年9月30日
發(fā)明者A.索爾霍弗, T.勞弗 申請人:卡爾蔡司Smt有限責任公司