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      一種半導(dǎo)體制冷器tec驅(qū)動(dòng)電路的制作方法

      文檔序號(hào):4777639閱讀:3944來源:國知局
      專利名稱:一種半導(dǎo)體制冷器tec驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制冷領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體制冷器TEC驅(qū)動(dòng)電路。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體制冷器(TEC,Thermoelectric Cooler)驅(qū)動(dòng)電路利用雙通道 DC-DC轉(zhuǎn)換芯片做為TEC的驅(qū)動(dòng),如圖1所示,TEC的正負(fù)兩端分別連接在圖1中的TEC+和 TEC-,通過控制兩路數(shù)模轉(zhuǎn)換DACO和DACl輸出電壓的大小,分別控制雙通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片兩個(gè)通道輸出端SWl和SW2的輸出電壓的大小,從而可控制流過TEC的電流方向和電流大小,達(dá)到控制TEC切換制冷和制熱工作狀態(tài)和控制制冷制熱功率的目的。當(dāng)SWl輸出電壓大于SW2輸出電壓時(shí)(SWl工作在輸出電流狀態(tài),SW2工作在吸收電流狀態(tài)),電流從TEC+ 流向TEC-,此時(shí)TEC工作在制冷狀態(tài);當(dāng)SWl輸出電壓小于SWl輸出電壓時(shí)(SWl工作在吸收電流狀態(tài),SW2工作在輸出電流狀態(tài)),電流從TEC-流向TEC+,此時(shí)TEC工作在制熱狀態(tài)。但由于DC-DC轉(zhuǎn)換芯片吸收電流的能力只有輸出電流能力的一半,當(dāng)DC-DC轉(zhuǎn)換芯片U401的電壓輸出端SWl和SW2工作在輸出電流狀態(tài)時(shí),可輸出800mA的電流;當(dāng)工作在吸收電流狀態(tài)時(shí),只能吸收400mA的電流。而DC-DC轉(zhuǎn)換芯片在驅(qū)動(dòng)TEC時(shí),TEC工作在制熱和制冷狀態(tài),該驅(qū)動(dòng)電路的DC-DC轉(zhuǎn)換芯片均有一個(gè)通道工作在吸收電流狀態(tài),另一個(gè)通道工作在輸出電流狀態(tài),受到工作在吸收電流狀態(tài)的通道的吸收電流能力的限制,DC-DC 轉(zhuǎn)換芯片最多只能給TEC提供400mA的驅(qū)動(dòng)電流,因此其驅(qū)動(dòng)能力只能發(fā)揮一半。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體制冷器TEC驅(qū)動(dòng)電路,利用單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片結(jié)合橋式電路切換工作狀態(tài),避免了在使用雙通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片時(shí)電流吸收能力的限制,提高了對(duì)TEC的驅(qū)動(dòng)能力。為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體制冷器TEC驅(qū)動(dòng)電路,包括單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片與橋式電路,所述單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片輸出端連接橋式電路,所述橋式電路的兩輸出端分別接TEC的兩輸入端,所述橋式電路由兩路驅(qū)動(dòng)電壓控制。優(yōu)選的,所述橋式電路包括四個(gè)開關(guān)管。優(yōu)選的,所述開關(guān)管為N溝道MOSFET或P溝道M0SFET。優(yōu)選的,所述開關(guān)管包括兩個(gè)N溝道MOSFET和兩個(gè)P溝道MOSFET。優(yōu)選的,所述TEC驅(qū)動(dòng)電路通過控制所述兩路驅(qū)動(dòng)電壓的電平高低來控制流過 TEC的電流方向,從而控制TEC的工作狀態(tài)。優(yōu)選的,當(dāng)控制所述兩路驅(qū)動(dòng)電壓使得流過TEC的電流方向?yàn)閺恼斎攵肆飨蜇?fù)輸入端時(shí),TEC工作在制冷狀態(tài);當(dāng)控制所述兩路驅(qū)動(dòng)電壓使得流過TEC的電流方向?yàn)閺呢?fù)輸入端流向正輸入端時(shí)TEC工作在制熱狀態(tài)。優(yōu)選的,所述單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片與一數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出端相連,通過控制所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出電壓值的大小來控制單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片輸出端所輸出的電壓值大小。
      3
      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果
      1)、由于該電路采用單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片,用橋式電路來切換流過TEC的電流的方向,單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片的輸出端始終工作在輸出電流狀態(tài),避免了在使用雙通道DC-DC 轉(zhuǎn)換芯片時(shí)受到的吸收電流能力的限制,從而提高了 DC-DC轉(zhuǎn)換芯片驅(qū)動(dòng)TEC的能力。2)、通過控制數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出電壓值的大小,控制單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片輸出端的輸出電壓的大小,從而可控制流過TEC的電流的大小,達(dá)到控制TEC制冷制熱功率的目的。


      為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖
      圖1為本發(fā)明現(xiàn)有技術(shù)TEC驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2為本發(fā)明實(shí)施例中TEC驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。參見圖2,為本發(fā)明實(shí)施例中TEC驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖,所述TEC驅(qū)動(dòng)電路,包括單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片U401A,及與所述單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片輸出端SW相連橋式電路,所述橋式電路包括四個(gè)開關(guān)管,這四個(gè)開關(guān)管可以全為N溝道MOSFET (金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管 MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),也可以全為P溝道M0SFET,或者由兩個(gè)N溝道MOSFET和兩個(gè)P溝道MOSFET組成,控制橋式電路的開關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)斷的兩路控制電壓,需要保證橋式電路在同一時(shí)刻只能是不相鄰的兩個(gè)開關(guān)管同時(shí)導(dǎo)通。在控制電流方向的切換時(shí),必須先關(guān)斷當(dāng)前導(dǎo)通的兩個(gè)開關(guān)管,才能開通另外兩個(gè)開關(guān)管切換電流方向,否則會(huì)導(dǎo)致電源短路。在實(shí)際實(shí)施時(shí), 橋式電路用四個(gè)N溝道MOSFET時(shí)該驅(qū)動(dòng)電路的工作效率最高,效果最佳。圖2實(shí)施例中橋式電路以四個(gè)N溝道MOSFET為例,如圖2,四個(gè)N溝道MOSFET分別為Q401A、Q401B、Q402A 和Q402B,所述橋式電路的兩輸出端分別接TEC的正輸入端TEC+和負(fù)輸入端TEC-,所述橋式電路中的四個(gè)N溝道MOS管MOSFET由兩路驅(qū)動(dòng)電壓控制,其中不相鄰的兩個(gè)N溝道MOS 管MOSFET由同一路驅(qū)動(dòng)電壓控制,控制所述兩路驅(qū)動(dòng)電壓的電平高低,可控制流過TEC的電流方向,從而控制TEC的工作狀態(tài)。如圖2中,D1、D2分別為兩路驅(qū)動(dòng)電壓的電壓輸出接口,Q401A和Q402B的柵極接Dl,Q401B和Q402A的柵極接D2,N溝道MOS管MOSFET在驅(qū)動(dòng)電壓為高電平時(shí)導(dǎo)通,在驅(qū)動(dòng)電壓為低電平時(shí)截止。因此當(dāng)Dl輸出高電平,D2輸出低電平時(shí),Q401A和Q402B兩個(gè)MOS管MOSFET導(dǎo)通,Q401B和Q402A兩個(gè)MOS管MOSFET截止, 電流從TEC+流向TEC-,此時(shí)TEC工作在制冷狀態(tài);而當(dāng)Dl輸出低電平,D2輸出高電平時(shí),Q401B和Q402A兩個(gè)MOS管MOSFET導(dǎo)通,Q401A和Q402B兩個(gè)MOS管MOSFET截止,電流從 TEC-流向TEC+,此時(shí)TEC工作在制熱狀態(tài)。需要說明的是,如果實(shí)施本發(fā)明時(shí),橋式電路采用的是四個(gè)P溝道M0SFET,則需要用低電平驅(qū)動(dòng)其導(dǎo)通,用高電平使其截止,這些都是由 MOSFET的特性所決定的,再此不做贅述。本發(fā)明實(shí)施例中,所述單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片的第3腳FB還可以連接一數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC0,通過控制所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器DACO輸出電壓值的大小可控制單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片輸出端SW所輸出的電壓值大小,從而控制所述橋式電路兩輸出端得電壓值大小,進(jìn)而控制流過TEC的電流大小,達(dá)到控制TEC制冷制熱功率的目的。由于本發(fā)明實(shí)施例中的單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片采用的是TPS62290芯片,由于結(jié)合橋式電路來切換流過TEC的電流的方向,該芯片的輸出端SW始終工作在輸出電流狀態(tài),最大可給TEC提供IOOOmA的驅(qū)動(dòng)電流,由于沒有吸收電流能力的限制,能將驅(qū)動(dòng)能力完全發(fā)揮出來,其驅(qū)動(dòng)能力比現(xiàn)有技術(shù)中使用雙通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片TPS6M10增強(qiáng)一倍。在本發(fā)明實(shí)際實(shí)施過程中,單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片可以為其他型號(hào)的芯片,使用不同的芯片其能提供的最大驅(qū)動(dòng)電流會(huì)不同,提高的驅(qū)動(dòng)能力也依賴于具體使用的芯片。將本發(fā)明實(shí)施例中的TEC驅(qū)動(dòng)電路運(yùn)用于電吸收調(diào)制激光器EML TOSA(電吸收調(diào)制激光器EML英文全稱為Electro Absorption Modulated Laser,而光反射次模塊TOSA英文全稱為Transmitter Optical Subassembly)上時(shí),可提高EML TOSA上的TEC的制冷和制熱的能力,可使EML TOSA工作在更寬的溫度范圍內(nèi)。本說明書中公開的所有特征,或公開的所有方法或過程中的步驟,除了互相排斥的特征和/或步驟以外,均可以以任何方式組合。本說明書(包括任何附加權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開的任一特征,除非特別敘述,均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換。即,除非特別敘述,每個(gè)特征只是一系列等效或類似特征中的一個(gè)例子而已。本發(fā)明并不局限于前述的具體實(shí)施方式
      。本發(fā)明擴(kuò)展到任何在本說明書中披露的新特征或任何新的組合,以及披露的任一新的方法或過程的步驟或任何新的組合。
      權(quán)利要求
      1.一種半導(dǎo)體制冷器TEC驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,包括單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片與橋式電路,所述單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片輸出端連接橋式電路,所述橋式電路的兩輸出端分別接 TEC的兩輸入端,所述橋式電路由兩路驅(qū)動(dòng)電壓控制。
      2.如權(quán)利要求1所述的TEC驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述橋式電路包括四個(gè)開關(guān)管。
      3.如權(quán)利要求2所述的TEC驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述開關(guān)管為N溝道MOSFET或P 溝道 MOSFET。
      4.如權(quán)利要求2所述的TEC驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述開關(guān)管包括兩個(gè)N溝道MOSFET 和兩個(gè)P溝道MOSFET。
      5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的TEC驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述TEC驅(qū)動(dòng)電路通過控制所述兩路驅(qū)動(dòng)電壓的電平高低來控制流過TEC的電流方向,從而控制TEC的工作狀態(tài)。
      6.如權(quán)利要求5所述的TEC驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,當(dāng)控制所述兩路驅(qū)動(dòng)電壓使得流過 TEC的電流方向?yàn)閺恼斎攵肆飨蜇?fù)輸入端時(shí),TEC工作在制冷狀態(tài);當(dāng)控制所述兩路驅(qū)動(dòng)電壓使得流過TEC的電流方向?yàn)閺呢?fù)輸入端流向正輸入端時(shí)TEC工作在制熱狀態(tài)。
      7.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的TEC驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片與一數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出端相連,通過控制所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出電壓值的大小來控制單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片輸出端所輸出的電壓值大小。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體制冷器TEC驅(qū)動(dòng)電路,包括單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片,及與所述單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片輸出端相連的橋式電路,所述橋式電路的兩輸出端分別接TEC的兩輸入端,所述橋式電路由兩路驅(qū)動(dòng)電壓控制,控制所述兩路驅(qū)動(dòng)電壓的電平高低,可控制流過TEC的電流方向,從而控制TEC的工作狀態(tài),由于使用橋式電路來切換流過TEC的電流的方向,單通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片的輸出端始終工作在輸出電流狀態(tài),避免了在使用雙通道DC-DC轉(zhuǎn)換芯片時(shí)受到的吸收電流能力的限制,從而提高了DC-DC轉(zhuǎn)換芯片驅(qū)動(dòng)TEC的能力。
      文檔編號(hào)F25B49/00GK102494433SQ20111041657
      公開日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月14日
      發(fā)明者劉正華, 李殿清, 楊洪, 魯妹玲 申請(qǐng)人:索爾思光電(成都)有限公司