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      半導(dǎo)體制冷器驅(qū)動(dòng)電路及控制電路的制作方法

      文檔序號(hào):4763272閱讀:1809來源:國(guó)知局
      專利名稱:半導(dǎo)體制冷器驅(qū)動(dòng)電路及控制電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制冷器,具體是涉及半導(dǎo)體制冷器驅(qū)動(dòng)電路及控制電路。
      背景技術(shù)
      目前所推出的由繼電器控制的半導(dǎo)體冰箱,其制冷器驅(qū)動(dòng)電路一般都采用微處理器的I/O輸出直接控制制冷器供電回路通斷的形式,這種電路只適用于傳統(tǒng)的Pang-Pang控制算法,箱內(nèi)溫度波動(dòng)較大,不能達(dá)到較好的控制效果,對(duì)食物的保鮮很不利。

      發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提出一種能以低成本、簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)而適用復(fù)雜控制算法(例如PWM(Pulse-Width Modulation脈寬調(diào)制)算法)的半導(dǎo)體制冷器驅(qū)動(dòng)電路及控制電路。
      實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是一種半導(dǎo)體制冷器驅(qū)動(dòng)電路,包括微處理器、放大電路和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),微處理器的第一控制信號(hào)輸入放大電路,放大電路的輸出接MOSFET的柵極,放大電路的輸出信號(hào)控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,MOSFET將開關(guān)信號(hào)輸出外接的半導(dǎo)體制冷器供電電路。
      所述放大電路優(yōu)選采用三極管的兩極上拉推挽式驅(qū)動(dòng)電路。
      本實(shí)用新型并提出一種半導(dǎo)體制冷器控制電路,包括驅(qū)動(dòng)電路和流向控制電路,所述驅(qū)動(dòng)電路采用上述結(jié)構(gòu)形式;所述微處理器將第二控制信號(hào)輸出流向控制電路,所述流向控制電路用于控制半導(dǎo)體制冷器供電回路的正向或反向?qū)ā?br> 所述流向控制電路可優(yōu)選這樣的結(jié)構(gòu)包括開關(guān)電路和流向控制器,開關(guān)電路控制流向控制器的導(dǎo)通和關(guān)斷,流向控制器用于正向或反向?qū)ò雽?dǎo)體制冷器供電回路,所述微處理器輸出第二控制信號(hào)控制開關(guān)電路的導(dǎo)通和關(guān)斷。
      所述開關(guān)電路可優(yōu)選三極管,微處理器將第二控制信號(hào)輸入其基極,其發(fā)射極與集電極串聯(lián)流向控制器,所述流向控制器是雙刀雙擲繼電器。
      本實(shí)用新型采用上述技術(shù)方案,有益的技術(shù)效果在于1)通過MOSFET來驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體制冷器,可以實(shí)現(xiàn)較為復(fù)雜的控制算法(例如PWM算法);2)采用將微處理器的控制信號(hào)放大后輸入MOSFET,降低了對(duì)MOSFET的要求,采用普通的MOSFET即可實(shí)現(xiàn),大大降低了成本;3)采用流向控制電路來控制半導(dǎo)體制冷器的正向或反向?qū)?,即可方便的進(jìn)行制冷與制熱的轉(zhuǎn)換,有利于對(duì)溫度的靈活控制和調(diào)節(jié)。

      下面通過實(shí)施例并結(jié)合附圖,對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明圖1是一種半導(dǎo)體制冷器驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
      圖2是一種半導(dǎo)體制冷器控制電路的電路圖。
      具體實(shí)施方式實(shí)施例一、一種半導(dǎo)體制冷器驅(qū)動(dòng)電路,結(jié)合圖1,包括微處理器、放大電路和MOSFET,所述放大電路是包括三極管TR2、TR3、TR4的兩極上拉推挽式驅(qū)動(dòng)電路。微處理器的I/O1口接放大電路的輸入端,放大電路的輸出端接MOSFET的柵極,放大電路的輸出信號(hào)控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,MOSFET的源極和漏極用于串聯(lián)半導(dǎo)體制冷器供電電路,構(gòu)成半導(dǎo)體制冷器供電回路。
      具體工作過程為微處理器的I/O1口輸出脈沖電壓,經(jīng)放大電路放大后輸入MOSFET柵極,MOSFET工作在飽和狀態(tài),半導(dǎo)體制冷器的工作電流從MOSFET的漏極D和源極S兩端通過。當(dāng)I/O1端口輸出低電平時(shí),MOSFET的柵極G和源極S兩端壓降接近12V,這樣的電壓能夠滿足半導(dǎo)體制冷器的電流要求;反之,當(dāng)I/O1端口輸出高電平時(shí),MOSFET的GS兩端壓降接近0V,此時(shí)MOSFET被關(guān)斷。
      從理論上講,直接用I/O1口輸出的TTL電平來控制MOSFET也是可以的,但對(duì)MOSFET要求較高,這樣的MOSFET價(jià)格高,從成本的角度考慮,不宜采用。本發(fā)明采用放大電路對(duì)I/O1口的輸出脈沖進(jìn)行放大后再輸入MOSFET,使MOSFET充分導(dǎo)通和關(guān)斷。此電路驅(qū)動(dòng)方式簡(jiǎn)單,并且由于采用了普通的MOSFET,從而大大降低了整個(gè)電路的設(shè)計(jì)成本。微處理器的控制端口可以采用PWM(Pulse-Width Modulation脈寬調(diào)制)方式,通過調(diào)節(jié)占空比來改變半導(dǎo)體制冷器兩端的平均電壓值,以調(diào)節(jié)輸出功率,進(jìn)行溫度的控制。
      實(shí)施例二、一種半導(dǎo)體制冷器控制電路,結(jié)合圖2,包括驅(qū)動(dòng)電路和流向控制電路,所述驅(qū)動(dòng)電路采用實(shí)施例一中的結(jié)構(gòu),所述流向控制電路包括開關(guān)電路和流向控制器,所述開關(guān)電路包括三極管TR1,其基極與微處理器的第二I/O口電連接,發(fā)射極與集電極串聯(lián)流向控制器的。所述流向控制器是雙刀雙擲繼電器RY1。雙刀雙擲繼電器RY1兩端并聯(lián)二極管D1。所述二極管D1用于在關(guān)斷繼電器時(shí)作為反向放電回路,消除繼電器線圈存在反向電動(dòng)勢(shì)。
      驅(qū)動(dòng)電路的工作過程同實(shí)施例一。流向控制電路的具體工作過程為流向控制電路的具體工作過程為當(dāng)I/O2口為高電平輸出時(shí),三極管TR1導(dǎo)通,雙刀雙擲繼電器RY1兩個(gè)觸點(diǎn)分別和b1和b2接觸,半導(dǎo)體制冷器中的電流由N流向P,半導(dǎo)體制冷器反向?qū)?,此時(shí)N、P節(jié)的接觸面吸收外部熱量,開始制冷;當(dāng)I/O2口為低電平輸出時(shí),三極管TR1截止,雙刀雙擲繼電器RY1兩個(gè)觸點(diǎn)分別和a1和a2接觸,半導(dǎo)體制冷器中的電流由P流向N,半導(dǎo)體制冷器正向?qū)ǎ藭r(shí)N、P節(jié)的接觸面向外釋放熱量,開始制熱。
      權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體制冷器驅(qū)動(dòng)電路,包括微處理器、放大電路和MOSFET,微處理器的第一控制信號(hào)輸入放大電路,放大電路的輸出接MOSFET的柵極,放大電路的輸出信號(hào)控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,MOSFET將開關(guān)信號(hào)輸出外接的半導(dǎo)體制冷器供電電路。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制冷器驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于所述放大電路是采用三極管的兩極上拉推挽式驅(qū)動(dòng)電路。
      3.一種半導(dǎo)體制冷器控制電路,包括驅(qū)動(dòng)電路和流向控制電路,其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電路包括微處理器、放大電路和MOSFET,微處理器的第一控制信號(hào)輸入放大電路,放大電路的輸出接MOSFET的柵極,放大電路的輸出信號(hào)控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,MOSFET將開關(guān)信號(hào)輸出外接的半導(dǎo)體制冷器供電電路;所述微處理器將第二控制信號(hào)輸出流向控制電路,所述流向控制電路用于控制半導(dǎo)體制冷器供電回路的正向或反向?qū)ā?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制冷器控制電路,其特征在于所述放大電路是采用三極管的兩極上拉推挽式驅(qū)動(dòng)電路。
      5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體制冷器控制電路,其特征在于所述流向控制電路包括開關(guān)電路和流向控制器,開關(guān)電路控制流向控制器的導(dǎo)通和關(guān)斷,流向控制器用于正向或反向?qū)ò雽?dǎo)體制冷器供電回路,所述微處理器輸出第二控制信號(hào)控制開關(guān)電路的導(dǎo)通和關(guān)斷。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制冷器控制電路,其特征在于所述開關(guān)電路包括三極管,微處理器將第二控制信號(hào)輸入其基極,其發(fā)射極與集電極串聯(lián)流向控制器,所述流向控制器是雙刀雙擲繼電器。
      專利摘要本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體制冷器驅(qū)動(dòng)電路及控制電路。所述半導(dǎo)體制冷器驅(qū)動(dòng)電路包括微處理器、放大電路和MOSFET,微處理器的第一控制信號(hào)輸入放大電路,放大電路的輸出接MOSFET的柵極,放大電路的輸出信號(hào)控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,MOSFET將開關(guān)信號(hào)輸出外接的半導(dǎo)體制冷器供電電路。所述半導(dǎo)體制冷器控制電路,包括驅(qū)動(dòng)電路和流向控制電路,該驅(qū)動(dòng)電路具有前述結(jié)構(gòu),所述微處理器將第二控制信號(hào)輸出流向控制電路,流向控制電路用于控制半導(dǎo)體制冷器供電回路的正向或反向?qū)?。本?shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于可通過MOSFET對(duì)制冷器實(shí)現(xiàn)較為復(fù)雜的控制;控制信號(hào)經(jīng)放大后輸入MOSFET,采用普通的MOSFET即可實(shí)現(xiàn),大大降低了成本。
      文檔編號(hào)F25B21/02GK2733266SQ200420061658
      公開日2005年10月12日 申請(qǐng)日期2004年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月10日
      發(fā)明者徐天麒, 劉建偉 申請(qǐng)人:深圳市和而泰電子科技有限公司
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