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      芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法

      文檔序號:8293461閱讀:2351來源:國知局
      芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及廢水處理的技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在半導(dǎo)體制造技術(shù)中,通過一系列的光刻、刻蝕、沉積、離子注入、研磨、清洗等工藝形成具有各種功能的半導(dǎo)體芯片,然后將所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行封裝和電性測試,并最終形成終端產(chǎn)品。目前,在半導(dǎo)體芯片的制造過程中,會產(chǎn)生大量的工業(yè)廢水。
      [0003]在現(xiàn)有的廢水處理過程中,通常單獨使用序列間歇式活性污泥法(SBR)或生物接觸氧化法或曝氣生物濾池(BAF),均只能對廢水進(jìn)行單一的處理,例如為過濾或微生物反應(yīng)或去除毒性等,由于處理方式過于單一,這常常導(dǎo)致過濾物質(zhì)很快堵塞的問題。因此,廢水處理仍有改善的空間。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明的主要目的在于提供一種芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的處理方式過于單一,這常常導(dǎo)致過濾物質(zhì)很快堵塞的問題。
      [0005]為解決上述問題,本發(fā)明實施例提供一種芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法,包括如下步驟:接收來自于芯片生產(chǎn)線的廢水,所述廢水中包含納米級懸浮顆粒物;在廢水中加入懸浮物污泥物質(zhì),以吸附廢水中的納米級顆粒物,形成微米級以上的懸浮顆粒物;對所述廢水進(jìn)行膜生物反應(yīng)器處理,以去除廢水中的懸浮顆粒物。
      [0006]其中,所述懸浮物污泥物質(zhì)的濃度為500-1200PPM。
      [0007]其中,所述廢水中加入懸浮物污泥物質(zhì)的步驟之后進(jìn)一步包括:檢測所述懸浮物污泥物質(zhì)的濃度;若所述懸浮物污泥物質(zhì)的濃度超過預(yù)設(shè)濃度,對所述懸浮物污泥物質(zhì)進(jìn)行排放。
      [0008]其中,所述膜生物反應(yīng)器包括中空纖維膜。
      [0009]其中,所述廢水中加入懸浮物污泥物質(zhì)的步驟之前進(jìn)一步包括:在廢水中加入PH值調(diào)節(jié)物質(zhì),以使得所述廢水的PH值呈弱酸性、中性或弱堿性;對廢水進(jìn)行過濾,以濾除廢水中的顆粒物體。
      [0010]其中,所述廢水的PH值的范圍為6.5-8.5。
      [0011]其中,所述對廢水進(jìn)行過濾采用過濾器,其中所述過濾器的目數(shù)為60-100目。
      [0012]其中,所述對所述廢水進(jìn)行膜生物反應(yīng)器處理的步驟之后進(jìn)一步包括:在通過膜生物反應(yīng)器處理后的凈水中加入細(xì)菌抑制劑,以抑制凈水中的細(xì)菌滋生。
      [0013]其中,所述細(xì)菌抑制劑包括次氯酸鈉。
      [0014]其中,所述次氯酸鈉的余氯濃度為0.5-0.8PPM。
      [0015]其中,所述廢水處理方法進(jìn)一步包括:對所述膜生物反應(yīng)器表面進(jìn)行空氣沖刷。
      [0016]根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案,通過對所述廢水進(jìn)行膜生物反應(yīng)器處理,并于膜生物反應(yīng)器處理前,加入懸浮物污泥物質(zhì)。如此一來,可達(dá)到水資源的回收再利用的效果,并可避免膜生物反應(yīng)器堵塞的情況發(fā)生。
      【附圖說明】
      [0017]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本申請的一部分,本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
      [0018]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法的流程圖;
      [0019]圖2是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法的流程圖;
      [0020]圖3是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法的流程圖;
      [0021]圖4是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的芯片生產(chǎn)線的廢水處理系統(tǒng)的示意圖;
      [0022]圖5是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的芯片生產(chǎn)線的廢水處理系統(tǒng)的示意圖;
      [0023]圖6是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的芯片生產(chǎn)線的廢水處理系統(tǒng)的示意圖。
      【具體實施方式】
      [0024]本發(fā)明的主要思想在于,基于通過對所述廢水進(jìn)行膜生物反應(yīng)器處理,并于膜生物反應(yīng)器處理前,加入懸浮物污泥物質(zhì)。如此一來,可達(dá)到水資源的回收再利用的效果,并可避免膜生物反應(yīng)器堵塞的情況發(fā)生。
      [0025]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,以下結(jié)合附圖及具體實施例,對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明。
      [0026]根據(jù)本發(fā)明的實施例,提供了一種芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法。
      [0027]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法的流程圖。
      [0028]在步驟S102中,接收來自于芯片生產(chǎn)線的廢水,所述廢水中包含納米級懸浮顆粒物。所述納米級懸浮顆粒物例如為二氧化硅、硅粉、金屬物質(zhì)等。
      [0029]在步驟S104中,在廢水中加入懸浮物污泥物質(zhì),以吸附廢水中的納米級顆粒物,形成微米級以上的懸浮顆粒物。由于芯片生產(chǎn)線所排出的廢水的懸浮顆粒物(SS)會含有非常細(xì)小的顆粒和金屬離子(例如SS〈30),若是直接對所述廢水進(jìn)行膜生物反應(yīng)器(MBR)處理,會使得膜生物反應(yīng)器容易堵塞。因此,通過添加懸浮物污泥物質(zhì),可以讓大顆粒的懸浮物污泥物質(zhì)吸附廢水中的細(xì)小顆粒的懸浮顆粒物,使得膜生物反應(yīng)器不會堵塞。其中,懸浮物污泥物質(zhì)的濃度例如為500-1200PPM。較佳地,懸浮物污泥物質(zhì)的濃度可為800-1000PPM,以增進(jìn)懸浮物污泥物質(zhì)吸附廢水中的細(xì)小顆粒的懸浮物的效果。并且,懸浮物污泥物質(zhì)可為污水活性污泥。
      [0030]在步驟S106中,對所述廢水進(jìn)行膜生物反應(yīng)器處理,以去除廢水中的懸浮顆粒物。也就是說,對廢水中的活性污泥和大分子物質(zhì)進(jìn)行截留的處理以有效去除廢水中的化學(xué)需氧量(COD)以及懸浮顆粒物(SS)等。其中,膜生物反應(yīng)器處理可包括中空纖維膜,且中空纖維膜的材料可為聚偏氟乙烯(PVDF)、聚乙烯(PE)或其復(fù)合材料。
      [0031]芯片生產(chǎn)過程中會產(chǎn)生大量的納米級非常細(xì)微的懸浮顆粒物,例如二氧化硅、硅粉、金屬物質(zhì)等,這些納米級的懸浮顆粒物質(zhì)會全部進(jìn)入廢水中。由于這種含有大量納米級的懸浮顆粒物的廢水,若僅使用膜生物反應(yīng)器(MBR)對廢水進(jìn)行處理,納米級的微小懸浮顆粒物極容易堵塞中空纖維膜的孔徑和透過中空纖維膜,會影響產(chǎn)水水質(zhì),且一些納米級的微小顆粒會堵塞在中空纖維膜的內(nèi)部產(chǎn)水側(cè),從而使中空纖維膜徹底堵死,不能化學(xué)清洗再生利用,導(dǎo)致中空纖維膜報廢。因此,本實施例采用在膜生物反應(yīng)器處理前添加懸浮物污泥物質(zhì),以吸附前述納米級的微小懸浮顆粒物以長大成微米級以上,從而讓這些微米級以上的懸浮顆粒物不能進(jìn)入中空纖維膜的孔徑和內(nèi)部,只停留在中空纖維膜的表面,而不會透過中空纖維膜。然后,可進(jìn)一步通過對膜生物反應(yīng)器表面(即中空纖維膜的表面)進(jìn)行空氣沖刷,使前述微米級以上的懸浮顆粒物沉淀在膜生物反應(yīng)器處理的膜池底部,這樣保證了產(chǎn)水水質(zhì),且同時有效的解決中空纖維膜堵塞問題,從而保護(hù)好中空纖維膜。
      [0032]圖2是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法的流程圖。
      [0033]在步驟S202中,接收來自于芯片生產(chǎn)線的廢水,所述廢水中包含納米級懸浮顆粒物。在步驟S204中,在廢水中加入懸浮物污泥物質(zhì),以吸附廢水中的納米級顆粒物,形成微米級以上的懸浮顆粒物。在步驟S210中,對所述廢水進(jìn)行膜生物反應(yīng)器處理,以去除廢水中的懸浮顆粒物。其中,圖2的步驟S202、S204、S210與圖1的步驟S102、S104、S106相同或相似,可參考圖1的實施例的說明,故在此不再贅述。
      [0034]在步驟S206中,檢測所述懸浮物污泥物質(zhì)的濃度。由于懸浮物污泥物質(zhì)的加入可能是大量且持續(xù)性的,并且若是懸浮物污泥物質(zhì)的濃度過高,可能會影響懸浮物污泥物質(zhì)吸附小顆粒的懸浮顆粒物的效果,因此進(jìn)一步檢測懸浮物污泥物質(zhì)的濃度是否超過預(yù)設(shè)濃度。其中,由于懸浮物污泥物質(zhì)的濃度較佳為800-1000PPM,因此所述預(yù)設(shè)濃度可設(shè)定為ΙΟΟΟΡΡΜο
      [0035]在步驟S208中,若檢測懸浮物污泥物質(zhì)的濃度超過預(yù)設(shè)濃度,則對懸浮物污泥物質(zhì)進(jìn)行排放。也就是說,通過排放懸浮物污泥物質(zhì),以降低懸浮物污泥物質(zhì)的濃度。并且,在排放過程中,仍會持續(xù)檢測懸浮物污泥物質(zhì)的濃度,若是檢測懸浮物污泥物質(zhì)的濃度沒有超過預(yù)設(shè)濃度,則停止對懸浮物污泥物質(zhì)進(jìn)行排放。如此一來,使得懸浮物污泥物質(zhì)的濃度可始終保持在500 -1200PPM之間,且較佳為800-1000PPM。
      [0036]圖3是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的芯片生產(chǎn)線的廢水處理方法的流程圖。在本實施例中,步驟S302、S308、S310與圖1的步驟S102、S104、S106、相同或相似,可參考圖1的實施例的說明,故在此不再贅述。
      [0037]在步驟S302中,接收來自于芯片生產(chǎn)線的廢水,所述廢水中包含納米級懸浮顆粒物。
      [0038]在步驟S304中,在廢水中加入PH值調(diào)節(jié)物質(zhì),以使得所述廢水的PH值呈弱酸性、中性或弱堿性。也就是說,通過在廢水中加入PH值調(diào)節(jié)物質(zhì),并進(jìn)行充分的混合后,使得廢水的PH值為中性或接近中性,可利于微生物或細(xì)菌的生長。由于芯片生產(chǎn)線所排放的廢水呈酸性,因此所述PH值調(diào)節(jié)物質(zhì)可包括堿性物質(zhì),例如氫氧化鈉(NaOH),使廢水的PH值調(diào)整至6.5-8.5之間。
      [0039]在步驟S306中,對所述廢水進(jìn)行過濾,以濾除廢水中的顆粒物體。也就是說,可采用過濾器對前述加入PH調(diào)節(jié)物質(zhì)的廢水進(jìn)行過濾,且此過濾器的目數(shù)可為60-100目,用于將廢水中的大顆粒物體濾除,例如尖銳物、毛發(fā)、碎肩等,以避免大顆粒物體進(jìn)入后續(xù)的處理。
      [0040]在步驟S308中,在廢水中加入懸浮物污泥物質(zhì),以吸附廢水中的納米級顆粒物,形成微米級以上的懸浮顆粒物。在步驟S310中,對廢水進(jìn)行膜生物反應(yīng)器處理,以去除廢水中的懸浮顆粒物。
      [0041]在步驟S312中,在通過膜生物反
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