本發(fā)明涉及一種化工機(jī)械技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種芯片型微反應(yīng)通道及微反應(yīng)器。

背景技術(shù)：

微反應(yīng)器是一種建立在連續(xù)流動(dòng)基礎(chǔ)上的微管道式反應(yīng)器，用以替代傳統(tǒng)反應(yīng)器，如玻璃燒瓶、漏斗，以及工業(yè)有機(jī)合成中常用的反應(yīng)釜等傳統(tǒng)間歇反應(yīng)器。在微反應(yīng)器中有大量的以精密加工技術(shù)制作的微型反應(yīng)通道，它可以提供極大的比表面積，傳質(zhì)傳熱效率極高。另外，微反應(yīng)器以連續(xù)流動(dòng)代替間歇操作，使準(zhǔn)確控制反應(yīng)物的停留時(shí)間成為可能。這些特點(diǎn)使有機(jī)合成反應(yīng)在微觀尺度上得到精確控制，為提高反應(yīng)選擇性和操作安全性提供了可能。

目前所使用的大多數(shù)微反應(yīng)器反應(yīng)通道結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其混合效果一般，不能充分混合反應(yīng)，因此反應(yīng)產(chǎn)物的收率不高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種芯片型微反應(yīng)通道及微反應(yīng)器，主要目的在于提高流體的混合效果，使流體中反應(yīng)物充分混合反應(yīng)。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明主要提供如下技術(shù)方案：

一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種芯片型微反應(yīng)通道，包括：

基體和位于其上的芯片，所述芯片包括分流結(jié)構(gòu)和被所述分流結(jié)構(gòu)分隔而成的第一流體部和第二流體部，且所述第一流體部包括第一進(jìn)口，所述第二流體部包括第二進(jìn)口；

同時(shí)，所述第一流體部被所述分流結(jié)構(gòu)分隔成至少兩個(gè)第一分流通道，所述第二流體部被所述分流結(jié)構(gòu)分隔成至少兩個(gè)第二分流通道，并且在所述基體上與所述第一分流通道和所述第二分流通道分別對(duì)應(yīng)的位置相連地形成有混流通道，所述混流通道與所述第一分流通道和所述第二分流通道分別連通。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

優(yōu)選地，至少兩個(gè)所述第一分流通道以朝著所述第二流體部的方向平行延伸地設(shè)置，至少兩個(gè)所述第二分流通道以朝著所述第一流體部的方向平行延伸地設(shè)置，且至少兩個(gè)所述第一分流通道與至少兩個(gè)所述第二分流通道之間平行且彼此交替地排列設(shè)置。

優(yōu)選地，沿著與所述第一分流通道和所述第二分流通道中流體流向相垂直的方向，所述第一分流通道與相鄰的所述第二分流通道之間間隔均相等。

優(yōu)選地，至少一個(gè)所述第一分流通道至少部分地伸入與其相鄰的兩個(gè)所述第二分流通道之間圍成的部分區(qū)域；

和/或，至少一個(gè)所述第二分流通道至少部分地伸入與其相鄰的兩個(gè)所述第一分流通道之間圍成的部分區(qū)域。

優(yōu)選地，所述分流結(jié)構(gòu)為由兩個(gè)以上的U形結(jié)構(gòu)拼接或插接形成的曲線形輪廓的平面結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述第一流體部在所述第一分流通道的區(qū)域形成為第一分流部，所述第二流體部在所述第二分流通道的區(qū)域形成為第二分流部；

所述第一進(jìn)口設(shè)置在所述第一流體部上遠(yuǎn)離所述第一分流部的位置，所述第二進(jìn)口設(shè)置在所述第二流體部上遠(yuǎn)離所述第二分流部的位置，且在所述基體上與所述混流通道相連通地設(shè)置有允許流體流出的流體出口。

優(yōu)選地，所述第一流體部還包括位于第一進(jìn)口和第一分流部之間的連通二者的第一緩沖段，且沿著流體流動(dòng)方向所述第一緩沖段的通道橫截面積逐漸增大；

和/或，所述第二流體部還包括位于第二進(jìn)口和第二分流部之間的連通二者的第二緩沖段，且沿著流體流動(dòng)方向所述第二緩沖段的通道橫截面積逐漸增大。

優(yōu)選地，所述基體與所述芯片呈上下布置，在所述基體的上表面開設(shè)有與所述芯片外形形狀大致相同的能容納所述芯片的容納槽。

優(yōu)選地，所述混流通道為設(shè)置在所述容納槽的底部并與所述芯片相對(duì)的連通槽，所述連通槽與至少兩個(gè)所述第一分流通道和至少兩個(gè)所述第二分流通道均對(duì)應(yīng)連通。

另一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種微反應(yīng)器，包括至少一個(gè)上述的芯片型微反應(yīng)通道，且當(dāng)所述芯片型微反應(yīng)通道為兩個(gè)以上時(shí)，相鄰兩個(gè)芯片型微反應(yīng)通道中，其中一個(gè)微反應(yīng)通道的出口連接至另一個(gè)微反應(yīng)通道的入口。

借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明一種芯片型微反應(yīng)通道及微反應(yīng)器至少具有下列優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的技術(shù)方案是在所述基體上設(shè)置所述芯片，所述芯片的分流結(jié)構(gòu)將所述芯片分隔成第一流體部和第二流體部；同時(shí)，所述第一流體部被所述分流結(jié)構(gòu)分隔成至少兩個(gè)第一分流通道，所述第二流體部被所述分流結(jié)構(gòu)分隔成至少兩個(gè)第二分流通道。兩種流體分別從所述第一進(jìn)口和所述第二進(jìn)口進(jìn)入所述第一分流部和所述第二分流部，進(jìn)入所述第一分流部的流體被至少兩個(gè)所述第一分流通道切割分流，進(jìn)入所述第二分流部的流體被至少兩個(gè)所述第二分流通道切割分流。并且在所述基體上與所述第一分流通道和所述第二分流通道分別對(duì)應(yīng)的位置相連地形成有混流通道，所述混流通道與所述第一分流通道和所述第二分流通道分別連通。因此從至少兩個(gè)所述第一分流通道與從至少兩個(gè)所述第二分流通道分別流出到所述混流通道中的兩種不同流體相遇混合，由于分流后增大了反應(yīng)接觸面積，因此能夠使兩種流體中的兩種反應(yīng)物充分混合反應(yīng)，提高了反應(yīng)速度和反應(yīng)物生成效率。

同時(shí)，由于進(jìn)入所述反應(yīng)通道的兩種流體在流動(dòng)中進(jìn)行混合和化學(xué)反應(yīng)的特點(diǎn)，因此在反應(yīng)通道中停留的化學(xué)品數(shù)量總是很少的，即使萬(wàn)一失控，危害程度也非常有限。而且，由于反應(yīng)通道換熱效率極高，即使反應(yīng)突然釋放大量熱量，也可以被迅速導(dǎo)出，從而保證反應(yīng)溫度的穩(wěn)定，減少了發(fā)生安全事故和質(zhì)量事故的可能性。因此本發(fā)明的技術(shù)方案提升了反應(yīng)的安全可靠性。

上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的一種芯片型微反應(yīng)通道的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的一種芯片型微反應(yīng)通道的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的一種芯片型微反應(yīng)通道的一種U形結(jié)構(gòu)的分流結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的一種芯片型微反應(yīng)通道的另一種U形結(jié)構(gòu)的分流結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖5是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供的一種微反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中附圖標(biāo)記表示為：

100、基體；110、混流通道；120、通孔；130、流體出口；200、芯片；210、分流結(jié)構(gòu)；220、第一流體部；230、第二流體部；223、第一進(jìn)口；233、第二進(jìn)口；2211、第一分流通道；2311、第二分流通道；221、第一分流部；231、第二分流部；222、第一緩沖段；232、第二緩沖段；224、第一出口；234、第二出口；300、蓋體；10、芯片型微反應(yīng)通道。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明申請(qǐng)的具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。在下述說(shuō)明中，不同的“一實(shí)施例”或“實(shí)施例”指的不一定是同一實(shí)施例。此外，一或多個(gè)實(shí)施例中的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特點(diǎn)可由任何合適形式組合。

如圖1和圖2所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提出的一種芯片型微反應(yīng)通道，包括基體100和位于其上的芯片200，所述芯片200包括分流結(jié)構(gòu)210和被所述分流結(jié)構(gòu)210分隔而成的第一流體部220和第二流體部230，且所述第一流體部220包括第一進(jìn)口223，所述第二流體部230包括第二進(jìn)口233。

同時(shí)，所述第一流體部220被所述分流結(jié)構(gòu)210分隔成至少兩個(gè)第一分流通道2211，所述第二流體部230被所述分流結(jié)構(gòu)210分隔成至少兩個(gè)第二分流通道2311。并且在所述基體100上與所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311分別對(duì)應(yīng)的位置相連地形成有混流通道110，所述混流通道110與所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311分別連通。

這里需要說(shuō)明的是，所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311的數(shù)量并不局限于圖1和圖2所示的數(shù)量，圖1和圖2中所示的數(shù)量?jī)H僅是為了便于說(shuō)明本發(fā)明的原理和結(jié)構(gòu)。實(shí)際上，所述第一分流通道和所述第二分流通道的數(shù)量可以有很多，而且越多越好，但是實(shí)際的數(shù)量跟設(shè)計(jì)需要和芯片的尺寸以及所述第一分流通道和所述第二分流通道的寬度有關(guān)。因此這里不作具體限定。

本發(fā)明的技術(shù)方案是在所述基體上設(shè)置所述芯片，所述芯片的分流結(jié)構(gòu)將所述芯片分隔成第一流體部和第二流體部；同時(shí)，所述第一流體部被所述分流結(jié)構(gòu)分隔成至少兩個(gè)第一分流通道，所述第二流體部被所述分流結(jié)構(gòu)分隔成至少兩個(gè)第二分流通道。兩種流體分別從所述第一進(jìn)口和所述第二進(jìn)口進(jìn)入所述第一分流部和所述第二分流部，進(jìn)入所述第一分流部的流體被至少兩個(gè)所述第一分流通道切割分流，進(jìn)入所述第二分流部的流體被至少兩個(gè)所述第二分流通道切割分流。并且在所述基體上與所述第一分流通道和所述第二分流通道分別對(duì)應(yīng)的位置相連地形成有混流通道，所述混流通道與所述第一分流通道和所述第二分流通道分別連通。因此從至少兩個(gè)所述第一分流通道與從至少兩個(gè)所述第二分流通道分別流出到所述混流通道中的兩種不同流體相遇混合，由于分流后增大了反應(yīng)接觸面積，因此能夠使兩種流體中的兩種反應(yīng)物充分混合反應(yīng)，提高了反應(yīng)速度和反應(yīng)物生成效率。

同時(shí)，由于進(jìn)入所述反應(yīng)通道的兩種流體在流動(dòng)中進(jìn)行混合和化學(xué)反應(yīng)的特點(diǎn)，因此在反應(yīng)通道中停留的化學(xué)品數(shù)量總是很少的，即使萬(wàn)一失控，危害程度也非常有限。而且，由于反應(yīng)通道換熱效率極高，即使反應(yīng)突然釋放大量熱量，也可以被迅速導(dǎo)出，從而保證反應(yīng)溫度的穩(wěn)定，減少了發(fā)生安全事故和質(zhì)量事故的可能性。因此本發(fā)明的技術(shù)方案提升了反應(yīng)的安全可靠性。

優(yōu)選地，如圖1和圖2所示，至少兩個(gè)所述第一分流通道2211以朝著所述第二流體部230的方向平行延伸地設(shè)置；同時(shí)，至少兩個(gè)所述第二分流通道2311以朝著所述第一流體部220的方向平行延伸地設(shè)置。即所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311可以為直線形結(jié)構(gòu)。直線形結(jié)構(gòu)能夠使流體以最短距離迅速通過(guò)所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311，并且迅速流入下一個(gè)環(huán)節(jié)，從而節(jié)約了流體的流動(dòng)時(shí)間，提高了反應(yīng)效率。同時(shí)，直線形結(jié)構(gòu)可以使加工工藝簡(jiǎn)單，制作容易。

同時(shí)，至少兩個(gè)所述第一分流通道2211與至少兩個(gè)所述第二分流通道2311之間可以平行且彼此交替地排列設(shè)置。這里需要說(shuō)明的是，交替地排列設(shè)置不僅包括所述第一分流通道2211與所述第二分流通道2311間隔開來(lái)排列時(shí)，兩者沿相互延伸的方向相互重疊的情況，也包括兩者沿相互延伸的方向不相重疊的情況。

優(yōu)選地，如圖1和圖2所示，沿著與所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311中流體流向相垂直的方向，所述第一分流通道2211與相鄰的所述第二分流通道2311之間間隔均相等，使得所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311分布均勻，從而使流體分流更均勻，進(jìn)而使兩種不同流體混合更加充分，可以進(jìn)一步提高反應(yīng)效率。

當(dāng)至少兩個(gè)所述第一分流通道2211與至少兩個(gè)所述第二分流通道2311之間平行且彼此交替地排列設(shè)置時(shí)，兩者可以沿相互延伸的方向相互重疊。如圖1和圖2所示，所述第一分流通道2211中可以至少有一個(gè)第一分流通道2211的至少一部分伸入到與其相鄰的兩個(gè)所述第二分流通道2311之間。和/或，所述第二分流通道2311中至少有一個(gè)第二分流通道2311的至少一部分伸入到與其相鄰的兩個(gè)所述第一分流通道2211之間。由于相鄰的兩個(gè)所述第一分流通道或者相鄰的兩個(gè)所述第二分流通道能夠圍成一定的區(qū)域，因此，伸入相鄰兩個(gè)所述第一分流通道中的第二分流通道沿伸入方向可以抵達(dá)所圍成區(qū)域的邊緣，也可以不抵達(dá)所圍成區(qū)域的邊緣；同樣，伸入相鄰兩個(gè)所述第二分流通道中的第一分流通道可以沿伸入方向抵達(dá)所圍成區(qū)域的邊緣，也可以不抵達(dá)所圍成區(qū)域的邊緣。圖1和圖2所示均為沒(méi)有抵達(dá)所圍成區(qū)域的邊緣的情況。

優(yōu)選地，如圖3和圖4所示，所述分流結(jié)構(gòu)210可以為由兩個(gè)以上的U形結(jié)構(gòu)拼接或插接形成的曲線形輪廓的平面結(jié)構(gòu)。所述第一流體部220和所述第二流體部230可以為設(shè)置在所述芯片200上的相對(duì)于所述分流結(jié)構(gòu)210的上表面較低的凹陷區(qū)域。

例如，圖3和圖4所示的陰影區(qū)域?yàn)樗龇至鹘Y(jié)構(gòu)210的平面。其中，圖3所示為分隔所述第一流體部220的兩個(gè)U形結(jié)構(gòu)與分隔所述第二流體部230的一個(gè)U形結(jié)構(gòu)相對(duì)拼接形成的分流結(jié)構(gòu)210的一種情況；圖4所示為分隔所述第一流體部220的兩個(gè)U形結(jié)構(gòu)與分隔所述第二流體部230的一個(gè)U形結(jié)構(gòu)相對(duì)插接形成的分流結(jié)構(gòu)210的另一種情況。由圖3和圖4可以看出，拼接時(shí)所述第一分流通道和所述第二分流通道不重疊，插接時(shí)所述第一分流通道和所述第二分流通道有重疊。重疊的情況可以使得芯片占用較小空間，縮小芯片的面積。

優(yōu)選地，如圖1和圖2所示，所述第一流體部220在所述第一分流通道2211的區(qū)域形成為第一分流部221，所述第二流體部230在所述第二分流通道2311的區(qū)域形成為第二分流部231。

所述第一進(jìn)口223可以設(shè)置在所述第一流體部220上遠(yuǎn)離所述第一分流部221的位置，所述第二進(jìn)口233可以設(shè)置在所述第二流體部230上遠(yuǎn)離所述第二分流部231的位置。此時(shí)，如圖1和圖2所示，所述第一流體部220還可以包括位于第一進(jìn)口223和第一分流部221之間的連通二者的第一緩沖段222，且沿著流體流動(dòng)方向所述第一緩沖段222的通道橫截面積逐漸增大；和/或，所述第二流體部230還包括位于第二進(jìn)口233和第二分流部231之間的連通二者的第二緩沖段232，且沿著流體流動(dòng)方向所述第二緩沖段232的通道橫截面積逐漸增大。所述第一緩沖段222的作用是，暫時(shí)儲(chǔ)存從所述第一進(jìn)口223流入的流體，以使下一個(gè)環(huán)節(jié)在所述第一分流部221向各個(gè)所述第一分流通道2211進(jìn)行分流時(shí)更加均勻。沿著流體流動(dòng)方向所述第一緩沖段222的通道橫截面積逐漸增大，是遵循流體的流動(dòng)規(guī)律，可以使流體從所述第一進(jìn)口223進(jìn)入所述第一緩沖部222時(shí)，更加容易流入。同樣，所述第二緩沖段232的作用是，暫時(shí)儲(chǔ)存從所述第二進(jìn)口233流入的流體，以使下一個(gè)環(huán)節(jié)在所述第二分流部231向各個(gè)所述第二分流通道2311進(jìn)行分流時(shí)更加均勻。沿著流體流動(dòng)方向所述第二緩沖段232的通道橫截面積逐漸增大，是遵循流體的流動(dòng)規(guī)律，可以使流體從所述第二進(jìn)口233進(jìn)入所述第二緩沖部232時(shí)，更加容易流入。

另外，在所述基體100上與所述混流通道110相連通地設(shè)置有允許流體流出的流體出口130。所述流體出口130用于與外部設(shè)備的入口連接，從而使反應(yīng)生成的化學(xué)物質(zhì)流到外部設(shè)備中，進(jìn)行進(jìn)一步混合反應(yīng)或者收納儲(chǔ)存反應(yīng)所生成的化學(xué)物質(zhì)。所述流體出口130可以設(shè)置在所述混流通道110的至少一端，即所述混流通道110可以是一端設(shè)置所述流體出口130(圖1和圖2所示)，也可以是兩端均設(shè)置所述流體出口130。具體根據(jù)需要決定。這里不作具體限定。

優(yōu)選地，如圖1和圖2所示，所述基體100與所述芯片200可以呈上下布置，這里所說(shuō)的“上下”是一個(gè)相對(duì)的概念，并不是表示一定要一個(gè)在上，一個(gè)在下。也就是說(shuō)，所述基體100和所述芯片200平行設(shè)置，同時(shí)使所述芯片處于所述基體100的兩個(gè)相對(duì)的表面中的至少其中一個(gè)表面的一側(cè)。具體的，可以在所述基體100的上表面開設(shè)與所述芯片200外形形狀大致相同的能容納所述芯片200的容納槽(圖中未示出)，將所述芯片200放置在所述容納槽中。所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311分別形成于所述基體100的內(nèi)部，即在芯片上加工所述第一和第二分流通道、其余部分為實(shí)體結(jié)構(gòu)，一體加工形成為具有分流通道的芯片。

所述第一進(jìn)口和所述第二進(jìn)口的設(shè)置方式可以有兩種。

一種方式是，如圖1所示，所述第一進(jìn)口223可以設(shè)置在所述第一流體部220的側(cè)壁上，同樣，所述第二進(jìn)口233可以設(shè)置在所述第二流體部230的側(cè)壁上。相應(yīng)地，所述基體100的容納槽的側(cè)壁上可以設(shè)置與所述第一進(jìn)口223和所述第二進(jìn)口233分別對(duì)應(yīng)連通的通孔120，從而使流體可以從基體100的外部通過(guò)所述通孔120進(jìn)入所述基體100中，然后再通過(guò)所述第一進(jìn)口223和所述第二進(jìn)口233分別進(jìn)入所述第一流體部220和所述第二流體部230中。

另一種方式是，如圖2所示，所述第一進(jìn)口223和所述第二進(jìn)口233的位置也可以設(shè)置在所述芯片200的第一流體部220和第二流體部230的頂端(即所述基體和所述芯片上下設(shè)置時(shí)所述芯片所處的一端)。此時(shí)，可以在所述第一流體部220和所述第二流體部230的頂端加設(shè)蓋體300，所述蓋體300可以單獨(dú)設(shè)置，也可以與所述芯片200一體成型。然后在所述蓋體300上設(shè)置所述第一進(jìn)口223和所述第二進(jìn)口233，如圖2所示。當(dāng)不加設(shè)所述蓋體300時(shí)，所述第一流體部220和所述第二流體部230的上端可以為敞口，此時(shí)所述第一流體部220和所述第二流體部230的敞口可以分別看作是所述第一進(jìn)口223和所述第二進(jìn)口233。

優(yōu)選地，所述混流通道110可以為設(shè)置在所述容納槽的底部并與所述芯片200相對(duì)的連通槽(圖中未示出)，所述連通槽可以為設(shè)置在所述基體100的用于容納所述芯片200的所述容納槽中，并且所述連通槽的底面低于所述容納槽的底面。所述連通槽與至少兩個(gè)所述第一分流通道2211和至少兩個(gè)所述第二分流通道2311均有對(duì)應(yīng)且均連通。具體的，可以在每個(gè)所述第一分流通道2211的末端設(shè)置開口朝向所述混流通道110的第一出口224，同時(shí)在每個(gè)所述第二分流通道2311的末端設(shè)置開口朝向所述混流通道110的第二出口234。如圖1和圖2所示，所述第一出口224和所述第二出口234分別設(shè)置在所述第一分流通道2211的末端和所述第二分流通道2311的末端，且開口朝向所述基體方向。所述第一分流通道2211通過(guò)所述第一出口224與所述混流通道110連通；所述第二分流通道2311通過(guò)所述第二出口234與所述混流通道110連通。

由于所述混流通道110與所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311分別連通，因此流經(jīng)所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311的流體隨后進(jìn)入所述混流通道110中進(jìn)行兩種流體的混合。其混合過(guò)程是邊流動(dòng)邊逐漸混合的。例如，一個(gè)所述第一分流通道2211和一個(gè)與之相鄰的第二分流通道2311中的流體相遇進(jìn)行初步混合，同時(shí)，另一個(gè)所述第一分流通道2211和另一個(gè)與之相鄰的第二分流通道2311中的流體相遇進(jìn)行初步混合，以此類推。最后沒(méi)有得到混合的部分進(jìn)入混流通道110后在向所述流體出口130流動(dòng)的過(guò)程中繼續(xù)進(jìn)行進(jìn)一步混合?；蛘呖梢哉f(shuō)，在流體經(jīng)過(guò)所述第一分流通道211和所述第二分流通道2311流入所述混流通道110的過(guò)程中，相鄰的所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311中的流體在所述混流通道110中相遇后隨即進(jìn)行混合，并且流體在所述混流通道110中繼續(xù)不斷流動(dòng)的同時(shí)，再進(jìn)行進(jìn)一步的充分混合，進(jìn)而使兩種流體中的不同反應(yīng)物進(jìn)行充分化學(xué)反應(yīng)。

優(yōu)選地，所述混流通道110的深度可以為0.5毫米，所述混流通道110的寬度可以為1-3毫米，但不局限于此，也可以采用其它數(shù)值。并且上述深度和寬度的數(shù)值不需要同時(shí)滿足。

優(yōu)選地，所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311的寬度可以為0.2-0.3毫米，但不局限于此。實(shí)際上所述第一分流通道2211和所述第二分流通道2311的寬度越小越好，具體要根據(jù)制作能達(dá)到的工藝以及實(shí)際需要來(lái)定。這里不作特別限定。

如圖5所示，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種微反應(yīng)器，包括至少一個(gè)上述的芯片型微反應(yīng)通道10，且當(dāng)所述反應(yīng)通道10為兩個(gè)以上時(shí)，相鄰兩個(gè)芯片型微反應(yīng)通道中，其中一個(gè)微反應(yīng)通道的出口連接至另一個(gè)微反應(yīng)通道的入口。

其中，所述芯片型微反應(yīng)通道，包括基體和位于其上的芯片，所述芯片包括分流結(jié)構(gòu)和被所述分流結(jié)構(gòu)分隔而成的第一流體部和第二流體部，且所述第一流體部包括第一進(jìn)口，所述第二流體部包括第二進(jìn)口；

同時(shí)，所述第一流體部被所述分流結(jié)構(gòu)分隔成至少兩個(gè)第一分流通道，所述第二流體部被所述分流結(jié)構(gòu)分隔成至少兩個(gè)第二分流通道，并且在所述基體上與所述第一分流通道和所述第二分流通道分別對(duì)應(yīng)的位置相連地形成有混流通道，所述混流通道與所述第一分流通道和所述第二分流通道分別連通。

所述芯片型微反應(yīng)器的具體實(shí)施方式詳見(jiàn)上一個(gè)實(shí)施例中的具體實(shí)施方式，這里不再贅述。

本發(fā)明的技術(shù)方案是在所述基體上設(shè)置所述芯片，所述芯片的分流結(jié)構(gòu)將所述芯片分隔成第一流體部和第二流體部；同時(shí)，所述第一流體部被所述分流結(jié)構(gòu)分隔成至少兩個(gè)第一分流通道，所述第二流體部被所述分流結(jié)構(gòu)分隔成至少兩個(gè)第二分流通道。兩種流體分別從所述第一進(jìn)口和所述第二進(jìn)口進(jìn)入所述第一分流部和所述第二分流部，進(jìn)入所述第一分流部的流體被至少兩個(gè)所述第一分流通道切割分流，進(jìn)入所述第二分流部的流體被至少兩個(gè)所述第二分流通道切割分流。并且在所述基體上與所述第一分流通道和所述第二分流通道分別對(duì)應(yīng)的位置相連地形成有混流通道，所述混流通道與所述第一分流通道和所述第二分流通道分別連通。因此從至少兩個(gè)所述第一分流通道與從至少兩個(gè)所述第二分流通道分別流出到所述混流通道中的兩種不同流體相遇混合，由于分流后增大了反應(yīng)接觸面積，因此能夠使兩種流體中的兩種反應(yīng)物充分混合反應(yīng)，提高了反應(yīng)速度和反應(yīng)物生成效率。

同時(shí)，由于進(jìn)入所述反應(yīng)通道的兩種流體在流動(dòng)中進(jìn)行混合和化學(xué)反應(yīng)的特點(diǎn)，因此在反應(yīng)通道中停留的化學(xué)品數(shù)量總是很少的，即使萬(wàn)一失控，危害程度也非常有限。而且，由于反應(yīng)通道換熱效率極高，即使反應(yīng)突然釋放大量熱量，也可以被迅速導(dǎo)出，從而保證反應(yīng)溫度的穩(wěn)定，減少了發(fā)生安全事故和質(zhì)量事故的可能性。因此本發(fā)明的技術(shù)方案提升了反應(yīng)的安全可靠性。

綜上所述，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是，在不沖突的前提下，上述各有利方式可以自由地組合、疊加。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。