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      復(fù)合光催化劑的方法

      文檔序號(hào):9799203閱讀:1167來(lái)源:國(guó)知局
      復(fù)合光催化劑的方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種g_C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑制備方法,尤其涉及一種水熱法制備多層分級(jí)結(jié)構(gòu)的g_C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑的方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]由于城市的擴(kuò)建,化肥的過(guò)度使用,沒有限制的排放工業(yè)廢水,導(dǎo)致水資源狀況不斷惡化,大部分河流和湖泊受到嚴(yán)重污染。水污染物中的染料污染已引起人們的關(guān)注,它們很難在自然環(huán)境中降解,而且在生物體內(nèi)也會(huì)產(chǎn)生積累效應(yīng)。染料絕大多數(shù)都是高生物毒性和致癌性,這已經(jīng)嚴(yán)重的威脅到人類的健康和所有生物的生存。如何去除這些污染物或減少它們對(duì)環(huán)境的影響是我們的使命。過(guò)濾、沉淀、生物處理、化學(xué)氧化和電化學(xué)等方法用于處理染料廢水,但這些方法處理效果不理想。光催化氧化技術(shù)被視為一個(gè)新興的廢水處理技術(shù),由于其自身的優(yōu)點(diǎn)受到廣泛的關(guān)注。
      [0003]硫化物半導(dǎo)體納米材料具有優(yōu)異的光、電、磁等性質(zhì),一直受到科研工作者的廣泛關(guān)注。二硫化錫(SnS2)是一種η型半導(dǎo)體材料,具有層狀六方CdI2晶體結(jié)構(gòu),具有良好的光學(xué)和電學(xué)特性,在光電、太陽(yáng)能電池等實(shí)際應(yīng)用中顯示出巨大的潛力。此外,它的禁帶寬度約為1.91?2.35 eV。雖然其禁帶寬度相對(duì)較低,但仍存在電子-空穴復(fù)合速度快和比表面積小等一系列的問(wèn)題。對(duì)半導(dǎo)體光催化劑進(jìn)行改性,克服上述問(wèn)題是必不可少的。
      [0004]g-C3N4作為一種新型的光催化劑有著諸多的優(yōu)越性,原料廉價(jià),同時(shí)也容易制備,并具有類似石墨烯的結(jié)構(gòu),可以很好的傳導(dǎo)電子,有利于電子與空穴的分離,因此本發(fā)明中,我們采用水熱法法制備多層分級(jí)結(jié)構(gòu)的g_C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑,解決了SnS2比表面積小,光生電子和空穴的快速?gòu)?fù)合的問(wèn)題,光催化活性顯著提高。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]半導(dǎo)體材料SnS2的光生電子-空穴快速?gòu)?fù)合和小的比表面積,不利于光催化反應(yīng)的進(jìn)行。本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有不足,提出通過(guò)水熱法制備多層分級(jí)結(jié)構(gòu)的g_C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑。多層分級(jí)結(jié)構(gòu)的g-C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑具有較大的比表面積,而且通過(guò)g-C3N4和SnS2間較強(qiáng)的復(fù)合作用,有效實(shí)現(xiàn)了光生電子和空穴分離,顯著提高g-C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑的催化活性。
      [0006]本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的,其制備方法步驟如下:以尿素和雙氰胺為原料,在馬弗爐高溫煅燒,制備多孔g_C3N4。將可溶性錫鹽和硫化物(硫源)溶解到去離子水中,同時(shí)加入制備好的多孔g-C3N4,攪拌均勻,將溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)釜,進(jìn)行水熱反應(yīng),所得產(chǎn)物用去離子水和無(wú)水乙醇分別洗滌三次,干燥即得到最終g_C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑。
      [0007]所述可溶性錫鹽為甲烷磺酸錫、乙烷磺酸錫、丙烷磺酸錫、氯化錫。
      [0008]所述硫源為硫代乙酰胺、L-半胱氨酸、硫脲或Na2S。
      [0009]所述水熱反應(yīng)時(shí)間為是14?24 ho
      [0010]所述水熱反應(yīng)溫度為是160?240 °C。
      [0011]所述g-C3N4與SnS2的質(zhì)量比為1:20?1:5。
      [0012]所述干燥溫度為80 °C。
      [0013]本發(fā)明制備g-C3N4/SnS2納米復(fù)合光催化劑的優(yōu)點(diǎn):
      (I)本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單方便,易于制備,材料來(lái)源豐富。
      [0014](2 )本發(fā)明的水熱法制備的g-C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑的合成物,顯著的提高其催化活性,同時(shí)也解決了比表面積小,光生電子和空穴的快速?gòu)?fù)合的問(wèn)題,并具有著較高的穩(wěn)定性和再生性能。
      【附圖說(shuō)明】
      [0015]圖1為本發(fā)明的實(shí)施例1所制備的(a)純SnS2和(b)g-C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑的XRD圖譜,從圖中可以看到,主峰的位置與標(biāo)準(zhǔn)卡片的位置相一致(JCPDS-SnS2 N0.023-0677) ^-C3NVSnS2復(fù)合光催化劑主要衍射峰與四方晶相SnS2相吻合。
      [0016]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例1所制備的(a)純SnS2和(b)g-C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑的瞬態(tài)光電流響應(yīng)圖。由圖可知,在可見光照射下,光電流迅速上升,隨后保持恒定的值。當(dāng)關(guān)閉光照時(shí),電流立即接近于零。這也說(shuō)明所合成的材料在光激發(fā)下,光生電子與空穴對(duì)迅速分離。同時(shí)可以看到,在可見光照射,g-C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑光電流的瞬態(tài)響應(yīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于純SnS2,這也說(shuō)明了 g-C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑的電子-空穴對(duì)分離效率高于純SnS2。
      [0017]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例1所制備的(a)純SnS2和(b)g_C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑降解甲基橙的動(dòng)力學(xué)曲線,由圖可知,g_C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑光催化劑的催化活性遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于純SnS20
      [0018]圖4為本發(fā)明的實(shí)施例1所制備的(a)純SnS2和(b)g-C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑的氮?dú)馕?脫附等溫線,由圖可知,純SnS2和g-C3N4/SnS2的氮?dú)馕?脫附等溫線都屬IUPAC分類中的1¥型,!13滯后環(huán),但8-(:必4/31132復(fù)合光催化劑的比表面積為77.68 m2/g,純SnS2比表面積為25.56 m2/g,g_C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑的比表面積遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于純SnS2的比表面積。
      [0019]圖5為本發(fā)明的實(shí)施例1所制備的(a)純SnS2和(b) g-C3N4/Sn S2復(fù)合光催化劑的熒光譜圖,從圖中可以看出g_C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑的熒光強(qiáng)度比純SnS2的熒光強(qiáng)度低很多,說(shuō)明通過(guò)g_C3N4和SnS2復(fù)合能夠促進(jìn)電子-空穴分離效率。
      【具體實(shí)施方式】
      [0020]以下實(shí)施旨在說(shuō)明本發(fā)明而不是對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步限定。
      [0021]實(shí)施例1
      (I)將尿素和雙氰胺混合研磨至超細(xì)粉末,然后轉(zhuǎn)移到鋁坩禍中,蓋上蓋子。然后放到馬弗爐中在530 °C煅燒4小時(shí),冷卻至室溫后,用硝酸和去離子水進(jìn)行多次洗滌,真空干燥,得到 g_C3N4。
      [0022](2)將1.917 g的氯化錫和0.822 g的硫代乙酰胺,加入盛有80 mL去離子水的燒杯中,并攪拌至溶液透明后加入提前制備好的g_C3N4,g-C3N4加入量為SnS2質(zhì)量的5 wt%,然后進(jìn)行超聲30 min。
      [0023](3)將燒杯中溶液轉(zhuǎn)移到100 mL聚四氟乙烯內(nèi)襯反應(yīng)釜中,在160 °C下反應(yīng)14小時(shí),然后用去離子水和無(wú)水乙醇洗滌三次,干燥12個(gè)小時(shí)后,研磨,制備出8-(:3仏/31^2復(fù)合光催化劑。
      [0024]實(shí)施例2
      (I)將尿素和雙氰胺混合研磨至超細(xì)粉末,然后轉(zhuǎn)移到鋁坩禍中,蓋上蓋子。然后放到馬弗爐中在530 °C煅燒4小時(shí),冷卻至室溫后,用硝酸和去離子水進(jìn)行多次洗滌,真空干燥,得到 g_C3N4。
      [0025](2)將1.917 g的氯化錫和0.822 g的硫代乙酰胺,加入盛有80 mL去離子水的燒杯中,并攪拌至溶液透明后加入提前制備好的g-C3N4,g-C3N4加入量為SnS2質(zhì)量的10 wt%,然后進(jìn)行超聲30 min。
      [0026](3)將燒杯中溶液轉(zhuǎn)移到100 mL聚四氟乙烯內(nèi)襯反應(yīng)釜中,在220 °C下反應(yīng)24小時(shí),然后用去離子水和無(wú)水乙醇洗滌三次,干燥12個(gè)小時(shí)后,研磨,制備出8_(:3仏/31^2復(fù)合光催化劑。
      [0027]實(shí)施例3
      (I)將尿素和雙氰胺混合研磨至超細(xì)粉末,然后轉(zhuǎn)移到鋁坩禍中,蓋上蓋子。然后放到馬弗爐中在530 °C煅燒4小時(shí),冷卻至室溫后,用硝酸和去離子水進(jìn)行多次洗滌,真空干燥,得到 g_C3N4。
      [0028](2)將1.917 g的氯化錫和0.822 g的硫代乙酰胺,加入盛有80 mL去離子水的燒杯中,并攪拌
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