測(cè)試分選機(jī)及測(cè)試分選機(jī)中測(cè)試托盤的循環(huán)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于測(cè)試所制造的半導(dǎo)體裝置的測(cè)試分選機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]測(cè)試分選機(jī)用于對(duì)通過預(yù)定的制造工藝制造出的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行測(cè)試。
[0003]測(cè)試分選機(jī)將半導(dǎo)體裝置從對(duì)象托盤傳輸?shù)綔y(cè)試托盤,對(duì)待通過測(cè)試機(jī)同時(shí)進(jìn)行測(cè)試的、安裝在測(cè)試托盤上的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行支承,并且在根據(jù)測(cè)試結(jié)果按照程度對(duì)半導(dǎo)體裝置進(jìn)行分類的同時(shí)將半導(dǎo)體裝置從測(cè)試托盤傳輸?shù)綄?duì)象托盤。
[0004]上述測(cè)試托盤沿著從在測(cè)試托盤上裝載半導(dǎo)體裝置的位置(以下稱為裝載位置)通向?qū)⑺惭b的半導(dǎo)體裝置電連接至測(cè)試機(jī)的位置(以下稱為測(cè)試位置)以及從測(cè)試托盤卸載完成測(cè)試的半導(dǎo)體裝置的位置以下稱為卸載位置)再至裝載位置的恒定的循環(huán)路徑循環(huán)。
[0005]在一般情況下,考慮到半導(dǎo)體裝置的使用環(huán)境,對(duì)半導(dǎo)體裝置施加熱刺激(熱或冷),然后,當(dāng)測(cè)試完成時(shí),將半導(dǎo)體裝置從熱刺激釋放。此時(shí),在測(cè)試托盤的循環(huán)路徑上進(jìn)行施加和釋放熱刺激的工藝。
[0006]在上述測(cè)試分選機(jī)有兩種類型,一種類型為使測(cè)試托盤以豎直直立狀態(tài)電連接到測(cè)試機(jī)的側(cè)對(duì)接型(參照第10-1997-0077466號(hào)韓國專利公開),另一類型為使測(cè)試托盤以水平狀態(tài)電連接到測(cè)試機(jī)的頭下(under head)對(duì)接型(參照第10-2000-0068397號(hào)韓國專利公開)。在側(cè)對(duì)接型測(cè)試分選機(jī)和頭下對(duì)接型測(cè)試分選機(jī)二者中,測(cè)試托盤均沿著恒定的循環(huán)路徑循環(huán)。然而,與頭下對(duì)接型測(cè)試分選機(jī)相比,在側(cè)對(duì)接型測(cè)試分選機(jī)的情況下,需要以下工藝。即,已完成半導(dǎo)體裝置的裝載的處于水平狀態(tài)的測(cè)試托盤需要被豎直地直立,或者已完成對(duì)于已完成測(cè)試的半導(dǎo)體裝置的卸載的測(cè)試托盤需要被返回至水平狀態(tài)。另外,需要用于上述工藝的位置轉(zhuǎn)換裝置(參照第10-0714106號(hào)韓國注冊(cè)專利)。
[0007]圖1是上述測(cè)試分選機(jī)類型的側(cè)對(duì)接型測(cè)試分選機(jī)100的概念性平面圖。
[0008]測(cè)試分選機(jī)100包括測(cè)試托盤110、裝載單元120、第一位置轉(zhuǎn)換裝置130、浸泡室140、測(cè)試室150、壓力裝置160、去浸泡(desoak)室170、第二位置轉(zhuǎn)換裝置180、卸載單元190、多個(gè)溫度調(diào)節(jié)器TCl至TC6以及控制裝置⑶。
[0009]如在的第20-0389824號(hào)韓國注冊(cè)實(shí)用新型中所公開,多個(gè)半導(dǎo)體裝置可裝載在測(cè)試托盤110中,并通過多個(gè)運(yùn)輸裝置(未示出)沿著預(yù)定的循環(huán)路徑C循環(huán)。
[0010]裝載單元120將安裝在對(duì)象托盤Cd上的、待測(cè)試的半導(dǎo)體裝置裝載在位于裝載位置LP處的測(cè)試托盤110上。這種裝載單元120可如第20-2010-0012620號(hào)韓國實(shí)用新型公開中所公開那樣由抓放系統(tǒng)單獨(dú)構(gòu)成,但是還可如第20-2010-0012620號(hào)韓國專利公開中所公開的那樣由多個(gè)抓放系統(tǒng)以及可移動(dòng)裝載臺(tái)構(gòu)成。
[0011]第一位置轉(zhuǎn)換裝置130將從裝載位置LP傳輸過來的測(cè)試托盤110從水平狀態(tài)位置轉(zhuǎn)換為豎直狀態(tài)位置。
[0012]浸泡室140設(shè)置成根據(jù)測(cè)試的溫度條件在測(cè)試之前對(duì)安裝在測(cè)試托盤110上的半導(dǎo)體裝置施加熱刺激。換言之,在傳輸至測(cè)試位置TP之前,預(yù)先將半導(dǎo)體裝置同化至浸泡室的內(nèi)部的溫度。因此,整個(gè)物流流程更快,并且提高了處理能力。在這里,測(cè)試托盤被并列地傳輸在浸泡室的內(nèi)部。
[0013]作為參考,第一位置轉(zhuǎn)換裝置130可構(gòu)成在浸泡室140的內(nèi)部或外部。換言之,處于水平狀態(tài)的測(cè)試托盤I1可實(shí)施為在浸泡室140的內(nèi)部轉(zhuǎn)換為豎直狀態(tài)位置,并且可實(shí)施為能夠在轉(zhuǎn)換為豎直狀態(tài)位置之后進(jìn)入浸泡室140的內(nèi)部。
[0014]測(cè)試室150設(shè)置成對(duì)在浸泡室140中接收熱刺激之后傳輸至測(cè)試位置TP的、安裝在測(cè)試托盤I1上的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試室150的內(nèi)部始終處于與浸泡室140的內(nèi)部相似的熱狀態(tài),因而,浸泡室140的內(nèi)部與試室150的內(nèi)部二者彼此相通。作為參考,測(cè)試機(jī)朝向測(cè)試室150的窗口部聯(lián)接。
[0015]壓力裝置160朝向測(cè)試機(jī)對(duì)安裝在測(cè)試托盤110上的半導(dǎo)體裝置施壓(參照第10-2005-0055685號(hào)韓國專利公開),由此使得安裝在測(cè)試托盤110上的半導(dǎo)體裝置電連接到測(cè)試機(jī)。
[0016]去浸泡室170設(shè)置成從安裝在從測(cè)試室150傳輸過來的測(cè)試托盤110上的半導(dǎo)體裝置釋放熱刺激。如上所述配置去浸泡室170的原因在于確保當(dāng)從測(cè)試托盤110卸載完成測(cè)試的半導(dǎo)體裝置時(shí)可進(jìn)行正常的卸載操作,并且還在于防止卸載單元190的損壞或防止半導(dǎo)體裝置的適銷性的惡化。因?yàn)槿ソ菔?70的內(nèi)部的溫度與測(cè)試室150的內(nèi)部的溫度彼此不同,所以需要開合門DR在去浸泡室170與測(cè)試室150之間開合。同樣地,測(cè)試托盤110被并列地傳輸在去浸泡室170的內(nèi)部。
[0017]第二位置轉(zhuǎn)換裝置180將具有完成測(cè)試的半導(dǎo)體裝置的測(cè)試托盤110從豎直狀態(tài)位置轉(zhuǎn)換為水平狀態(tài)位置。同樣地,第二位置轉(zhuǎn)換裝置180可在去浸泡室170的內(nèi)部或外部構(gòu)成。
[0018]卸載單元190在對(duì)安裝在轉(zhuǎn)換為水平狀態(tài)位置之后處于卸載位置UP的測(cè)試托盤110上的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行卸載期間,按照測(cè)試度對(duì)半導(dǎo)體裝置進(jìn)行分類并將半導(dǎo)體裝置安裝至空的對(duì)象托盤Ce。同樣地,卸載單元190可由抓放系統(tǒng)單獨(dú)構(gòu)成,但是還可如第10-2007-0079223號(hào)韓國專利公開中所公開的那樣由多個(gè)抓放系統(tǒng)、分揀臺(tái)等構(gòu)成。
[0019]多個(gè)溫度調(diào)節(jié)器TCl至TC6控制的浸泡室140的內(nèi)部的溫度、測(cè)試室150的內(nèi)部的溫度以及去浸泡室170的內(nèi)部的溫度。在這里,因?yàn)闇y(cè)試室150的內(nèi)部的溫度與待測(cè)試的半導(dǎo)體裝置的溫度條件直接相關(guān),所以必須進(jìn)行精確的溫度控制,并且必須快速抑制測(cè)試工藝中可能發(fā)生的任何溫度變化。因此,需要多個(gè)溫度調(diào)節(jié)器TC3至TC6。
[0020]控制裝置CU對(duì)上述部件中需要被控制的部件進(jìn)行控制。
[0021]如上所述,測(cè)試托盤110沿著從裝載位置LP通向浸泡室140的內(nèi)部、測(cè)試室150內(nèi)部的測(cè)試位置TP以及去浸泡室170的內(nèi)部再至裝載位置LP的閉合循環(huán)路徑C循環(huán)。
[0022]如在第10-1998-05623號(hào)韓國專利公開以及第10-0560729號(hào)韓國注冊(cè)專利中所公開,即使使用了相同的側(cè)對(duì)接類型的分選機(jī),根據(jù)實(shí)施方式,仍然可存在著通過使裝載位置和卸載位置相同,使測(cè)試托盤的位置的轉(zhuǎn)換在一個(gè)位置轉(zhuǎn)換裝置中進(jìn)行,并且使裝載和卸載操作由相同部件進(jìn)行的方式實(shí)現(xiàn)的側(cè)對(duì)接類型的分選機(jī)。在這種情況下,測(cè)試托盤沿著從裝載/卸載位置通向浸泡室、測(cè)試室以及去浸泡室再至裝載/卸載位置的閉合循環(huán)路徑循環(huán)。
[0023]與此同時(shí),因?yàn)榘雽?dǎo)體裝置的使用環(huán)境將會(huì)變化,所以測(cè)試的溫度條件可為低溫(例如,-40°C)或高溫(例如,90°C)。因此,可能要求在低溫測(cè)試之后進(jìn)行高溫測(cè)試,或在高溫測(cè)試之后進(jìn)行低溫測(cè)試。例如,浸泡室140的內(nèi)部可以被調(diào)節(jié)為-40°C,并且去浸泡室170的內(nèi)部可以被調(diào)節(jié)為70至80°C,以使半導(dǎo)體裝置回到室溫。在以上狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試之后,必須進(jìn)行溫度條件為90°C的高溫測(cè)試。在這種情況下,必須將浸泡室140的內(nèi)部的溫度調(diào)節(jié)為90°C,并且必須降低去浸泡室170的內(nèi)部的溫度,以使半導(dǎo)體裝置回到室溫(例如,從70°C至80°C回到室溫)。在這種情況下,因?yàn)閷⒔菔?40的內(nèi)部的溫度從_40°C升高至90°C并且降低去浸泡室170的內(nèi)部的溫度需要幾個(gè)小時(shí)(例如,2小時(shí)),所以測(cè)試分選機(jī)的等待時(shí)間變長,因此操作速率和處理能力變低。即使是在以第一高溫測(cè)試和下一低溫測(cè)試的方式變化的工藝中也會(huì)發(fā)生這種問題。
[0024]作為參考,在測(cè)試室150的情況下,其內(nèi)部空間小,并且溫度調(diào)節(jié)器TC2至TC5被充分地提供,因此測(cè)試室150能夠迅速應(yīng)對(duì)任何測(cè)試的溫度條件的變化。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0025]鑒于上述情況,本發(fā)明提供了用于在測(cè)試的溫度條件變化很大時(shí)將測(cè)試分選機(jī)的等待時(shí)間最小化的技術(shù)。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,提供了測(cè)試分選機(jī),其包括:測(cè)試托盤,根據(jù)測(cè)試的溫度條件而沿著第一循環(huán)路徑或第二循環(huán)路徑循環(huán),測(cè)試托盤具有安裝在其上的半導(dǎo)體裝置;裝置傳輸部分,用于將待測(cè)試的半導(dǎo)體裝置從對(duì)象托盤傳輸至位于裝載位置處的測(cè)試托盤,或根據(jù)測(cè)試結(jié)果對(duì)半導(dǎo)體裝置進(jìn)行分類并將完成測(cè)試的半導(dǎo)體裝置從位于卸載位置處的測(cè)試托盤傳輸至對(duì)象托盤;多個(gè)運(yùn)輸裝置,通過裝置傳輸部分的操作使具有安裝在其上的待測(cè)試的半導(dǎo)體裝置的測(cè)試托盤沿著第一循環(huán)路徑或第二循環(huán)路徑循環(huán);第一室,用于容納通過多個(gè)運(yùn)輸裝置沿著第一循環(huán)路徑或第二循環(huán)路徑循環(huán)的測(cè)試托盤,第一室被提供成根據(jù)設(shè)定的第一溫度條件將安裝在測(cè)試托盤上的半導(dǎo)體裝置同化至與第一溫度條件相對(duì)應(yīng)的溫度;至少一個(gè)或多個(gè)第一溫度調(diào)節(jié)器,用于將第一室的內(nèi)部同化至第一溫度條件;第二室,用于容納通過多個(gè)運(yùn)輸裝置沿著第一循環(huán)路徑或第二循環(huán)路徑循環(huán)的測(cè)試托盤,第二室被設(shè)置成根據(jù)