專利名稱：電鍍銅方法、用于電鍍銅方法的含磷銅陽(yáng)極、及用所述方法和陽(yáng)極電鍍的粒子附著少的半 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電鍍銅方法和用于這一電鍍銅方法的含磷銅陽(yáng)極，該方法可抑制粒子的產(chǎn)生，如電鍍?cè)≈嘘?yáng)極一側(cè)所產(chǎn)生的淤渣(sludge)，且特別地可防止粒子附著于半導(dǎo)體晶片，并涉及用前述方法和陽(yáng)極電鍍的粒子附著少的半導(dǎo)體晶片。
背景技術(shù)：
通常，盡管電鍍銅已用于形成PWB(印刷電路板)等中的銅布線，近年來(lái)，其也用于制造半導(dǎo)體的銅布線。電鍍銅歷史長(zhǎng)，且其在積累了大量技術(shù)上的改進(jìn)后才達(dá)到目前的形式。但是，當(dāng)將這一電鍍銅用于制造半導(dǎo)體的銅布線時(shí)，產(chǎn)生了在PWB中未遇到的新問(wèn)題。
通常，當(dāng)進(jìn)行電鍍銅時(shí)，用含磷銅作為陽(yáng)極。這是因?yàn)槭褂勉K，鈦，或氧化銥等形成的不溶性陽(yáng)極時(shí)，電鍍液中的添加劑將因?yàn)槭艿疥?yáng)極氧化的影響而分解，并因而形成劣質(zhì)的電鍍。而且，當(dāng)用可溶性陽(yáng)極的電解銅或無(wú)氧銅時(shí)，溶解中一價(jià)銅的歧化反應(yīng)會(huì)大量產(chǎn)生金屬銅或氧化銅組成的淤渣等粒子，并因此污染被鍍物。
另一方面，使用含磷銅陽(yáng)極時(shí)，由于電解在陽(yáng)極表面形成由磷化銅和氯化銅組成的黑膜，從而可能抑制因一價(jià)銅的歧化反應(yīng)產(chǎn)生金屬銅或氧化銅，并可控制粒子的產(chǎn)生。
但是，即使使用如上所述的含磷銅作為陽(yáng)極，也不可能完全控制粒子的產(chǎn)生，這是因?yàn)樵诤谀っ撀涮幓蚝谀ぽ^薄處仍會(huì)產(chǎn)生金屬銅或氧化銅。
有鑒于此，通常使用被稱作陽(yáng)極袋的濾布包裹陽(yáng)極以防止粒子進(jìn)入電解液。
但是，當(dāng)使用這種方法時(shí)，特別是對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行電解時(shí)，存在的問(wèn)題是在形成PWB等的銅布線時(shí)不是問(wèn)題的粒子會(huì)到達(dá)半導(dǎo)體晶片，這樣的粒子附著于半導(dǎo)體上，從而形成劣質(zhì)的電鍍。
發(fā)明公開(kāi)本發(fā)明目的在于提供一種電鍍銅的方法及用于這樣的電鍍銅方法的含磷銅陽(yáng)極，該方法可抑制粒子的產(chǎn)生，如電鍍?cè)≈嘘?yáng)極一側(cè)所產(chǎn)生的淤渣，且特別地可防止粒子附著于半導(dǎo)體晶片，并涉及用前述方法和陽(yáng)極電鍍的具有低粒子附著的半導(dǎo)體晶片。
為了達(dá)到上述目的，經(jīng)過(guò)細(xì)致的研究，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)可通過(guò)改進(jìn)電極材料并抑制在陽(yáng)極上生成粒子，穩(wěn)定地生產(chǎn)出粒子附著少的半導(dǎo)體晶片等。
基于以上發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明提供1.一種電鍍銅方法，其特征在于，進(jìn)行電鍍銅時(shí)使用含磷銅作為陽(yáng)極，且使用下面的陽(yáng)極進(jìn)行電鍍銅當(dāng)電解時(shí)的陽(yáng)極電流密度為3A/dm2或更高時(shí)，使所述的含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為10至1500μm，當(dāng)電解時(shí)的陽(yáng)極電流密度低于3A/dm2時(shí)，使所述的含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為5至1500μm。
2.一種電鍍銅方法，其特征在于，進(jìn)行電鍍銅時(shí)使用含磷銅作為陽(yáng)極，且使用下面的陽(yáng)極進(jìn)行電鍍銅當(dāng)電解時(shí)的陽(yáng)極電流密度為3A/dm2或更高時(shí)，使所述的含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為20至700μm，當(dāng)電解時(shí)的陽(yáng)極電流密度低于3A/dm2時(shí)，使所述的含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為10至700μm。
3.根據(jù)上述1或2的電鍍銅方法，其中含磷銅陽(yáng)極中磷的含量為50至2000重量ppm。
4.一種電鍍銅方法，其特征在于，進(jìn)行電鍍銅時(shí)使用含磷銅作為陽(yáng)極，且預(yù)先在含磷銅陽(yáng)極表面上形成一層結(jié)晶粒徑為1至100μm的微細(xì)結(jié)晶層。
5.根據(jù)上述1至3各項(xiàng)的電鍍銅方法，其特征在于，進(jìn)行電鍍銅時(shí)使用含磷銅作為陽(yáng)極，且預(yù)先在含磷銅陽(yáng)極表面上形成一層結(jié)晶粒徑為1至100μm的微細(xì)結(jié)晶層。
6.根據(jù)上述1至3及5中各項(xiàng)的電鍍銅方法，其特征在于，含磷銅陽(yáng)極表面具有一層黑膜，其厚度為1000μm或更低，且其主成分為磷化銅或氯化銅。
7.一種用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，含磷銅被用作進(jìn)行電鍍銅的陽(yáng)極，且含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為5至1500μm。
8.一種用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，含磷銅被用作進(jìn)行電鍍銅的陽(yáng)極，且含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為10至700μm。
9.根據(jù)上述7或8的用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其中含磷銅陽(yáng)極中磷含量為50至2000重量ppm。
10.一種用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，含磷銅被用作進(jìn)行電鍍銅的陽(yáng)極，且預(yù)先在含磷銅陽(yáng)極表面上形成一層結(jié)晶粒徑為1至100μm的微細(xì)結(jié)晶層。
11.根據(jù)上述7至9各項(xiàng)的用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，含磷銅被用作進(jìn)行電鍍銅的陽(yáng)極，且預(yù)先在含磷銅陽(yáng)極表面上形成一層結(jié)晶粒徑為1至100μm的微細(xì)結(jié)晶層。
12.根據(jù)上述7至9及11中各項(xiàng)的用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，含磷銅陽(yáng)極表面具有一層黑膜，其厚度為1000μm或更低，且其主成分為磷化銅或氯化銅。
13.根據(jù)上述1至12各項(xiàng)的電鍍銅方法和用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，電鍍銅被用于半導(dǎo)體晶片。
14.粒子附著少的半導(dǎo)體晶片，其中使用上述1至13各項(xiàng)電鍍銅方法及用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極對(duì)其進(jìn)行了電鍍。
附圖簡(jiǎn)述

圖1為在本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的電鍍銅方法中使用的裝置的概念圖。
實(shí)施本發(fā)明的最佳方式圖1示出了用于半導(dǎo)體晶片電鍍銅方法的裝置的例子。這一銅電鍍裝置包含槽1，其中裝有硫酸銅電解液2。使用由含磷銅陽(yáng)極構(gòu)成的陽(yáng)極4作為陽(yáng)極，且，作為陰極，例如是，用作被電鍍物的半導(dǎo)體晶片。
如上所述，當(dāng)進(jìn)行電鍍時(shí)使用含磷銅作為陽(yáng)極時(shí)，在表面上形成一層由磷化銅和氯化銅構(gòu)成的黑膜，其功能是抑制該陽(yáng)極溶解時(shí)因一價(jià)銅的歧化反應(yīng)引起的由金屬銅和氧化銅構(gòu)成的淤渣等粒子的生成。
但是，黑膜的產(chǎn)生速度受到陽(yáng)極電流密度，結(jié)晶粒徑，磷含量等的強(qiáng)烈影響，且電流密度越高，結(jié)晶粒徑越小，磷含量越高，上述產(chǎn)生速度越快，結(jié)果是黑膜傾向于變厚。
相反，電流密度越低，結(jié)晶粒徑越大，磷含量越低，上述產(chǎn)生速度越慢，結(jié)果是黑膜變得更薄。
如上所述，盡管黑膜具有抑制金屬銅或氧化銅等的粒子生成的功能，但當(dāng)黑膜太厚時(shí)膜會(huì)脫落，帶來(lái)一個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題是這種脫落本身會(huì)產(chǎn)生粒子。相反，當(dāng)黑膜太薄時(shí)，帶來(lái)的問(wèn)題是抑制金屬銅或氧化銅產(chǎn)生的效果變差。
因此，為抑制從陽(yáng)極產(chǎn)生粒子，極為重要的一點(diǎn)是分別最優(yōu)化電流密度，結(jié)晶粒徑，和磷含量，形成具有適當(dāng)厚度的穩(wěn)定的黑膜。
本發(fā)明提出了一種含磷銅陽(yáng)極，其體現(xiàn)了上述最優(yōu)值。本發(fā)明的含磷銅陽(yáng)極，當(dāng)電解時(shí)的陽(yáng)極電流密度為3A/dm2或更高時(shí)，含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為10至1500μm，優(yōu)選20至700μm，當(dāng)電解時(shí)的陽(yáng)極電流密度低于3A/dm2時(shí)，含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為5至1500μm，優(yōu)選10至700μm。
而且，優(yōu)選含磷銅陽(yáng)極的磷含量設(shè)定在50至2000重量ppm之間，作為抑制粒子產(chǎn)生的適當(dāng)?shù)慕M成比。
使用前述含磷銅電極的結(jié)果是，進(jìn)行電鍍銅時(shí)可在含磷銅陽(yáng)極表面形成主成分為磷化銅或氯化銅、厚度為1000μm或更薄的黑膜層。
盡管進(jìn)行電鍍銅時(shí)的電流密度通常為1至5A/dm2，但當(dāng)物體為一其上尚未形成黑膜的新陽(yáng)極時(shí)，如果在電解初始階段即以高電流密度進(jìn)行電解，則無(wú)法得到附著力好的黑膜。因此，有必要在以大約0.5A/dm2的低電流密度進(jìn)行幾個(gè)小時(shí)至近一天的電解后再進(jìn)行實(shí)際的電解。
但是，由于這種過(guò)程效率低下，如果進(jìn)行鍍銅時(shí)預(yù)先在含磷銅陽(yáng)極表面形成一層結(jié)晶粒徑為1至100μm的微細(xì)結(jié)晶層，之后再進(jìn)行電解，其結(jié)果是上述的長(zhǎng)時(shí)間弱電解的時(shí)間可以縮短，由此提高了生產(chǎn)效率。
毋需贅言，如果使用的是預(yù)先形成了預(yù)定厚度的黑膜的含磷銅陽(yáng)極，則不需要進(jìn)行上述弱電解預(yù)備處理。
使用如上所述本發(fā)明的含磷銅陽(yáng)極進(jìn)行電鍍銅的結(jié)果是淤渣等的產(chǎn)生可被顯著降低，且可進(jìn)一步防止粒子到達(dá)半導(dǎo)體晶片及由于這類粒子附著于半導(dǎo)體晶片上導(dǎo)致劣質(zhì)的電鍍。
使用本發(fā)明的含磷銅陽(yáng)極進(jìn)行電鍍對(duì)于半導(dǎo)體晶片的電鍍特別有效，但其對(duì)于細(xì)線化有進(jìn)展的其他領(lǐng)域的鍍銅也同樣有效，而且可作為降低由于粒子造成的次品率的有效方法。
如上所述，本發(fā)明的含磷銅陽(yáng)極具有抑制由金屬銅或氧化銅構(gòu)成的淤渣等的粒子的大量產(chǎn)生，且有效地降低了對(duì)電鍍對(duì)象的污染，但不會(huì)造成過(guò)去使用不溶性電極時(shí)出現(xiàn)的電鍍液體中添加劑的分解或由此造成的劣質(zhì)電鍍。
作為電鍍液體，可適量使用硫酸銅10-70g/L(Cu)，硫酸10-300g/L，氯離子20-100mg/L，添加劑(Nikko Metal Plating生產(chǎn)的CC-12201mL/L等)。而且，優(yōu)選硫酸銅的純度為99.9％或更高。
另外，優(yōu)選電鍍?cè)囟葹?5-35℃，陰極電流密度為0.5-5.5A/dm2，陽(yáng)極電流密度為0.5-5.5A/dm2，電鍍時(shí)間為0.5-100小時(shí)。盡管以上示出了電鍍條件的適合的例子，其不必要受限于上述條件。
實(shí)施例及比較例以下，解釋本發(fā)明的實(shí)施例。另外，這些實(shí)施例只是說(shuō)明性的，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。換言之，本發(fā)明除這些實(shí)施例外還應(yīng)包括在本發(fā)明技術(shù)思想內(nèi)的所有其他形式或變形。
(實(shí)施例1-4)如表1所示，磷含量為300至600重量ppm的含磷銅被用作陽(yáng)極，半導(dǎo)體被用作陰極。含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為10-200μm。
作為電鍍液體，使用硫酸銅20-55g/L(Cu)，硫酸10-200g/L，氯離子60mg/L，添加劑[光澤劑，表面活性劑](產(chǎn)品名CC-1220，Nikko Metal Plating生產(chǎn))1mL/L。電鍍液中硫酸銅的純度為99.9％。
電鍍條件為電鍍?cè)囟?0℃，陰極電流密度為1.0-5.0A/dm2，陽(yáng)極電流密度為1.0-5.0A/dm2，電鍍時(shí)間為19-96小時(shí)。前述條件列于表1。
電鍍后，觀察粒子產(chǎn)生量及鍍外觀。結(jié)果同樣列于表1。
對(duì)于粒子量的測(cè)量是在采用上述電解條件進(jìn)行電解后，用0.2μm的過(guò)濾器過(guò)濾電鍍液體，然后測(cè)量濾過(guò)物的重量。
對(duì)于鍍外觀，采用上述電解條件進(jìn)行電解后交換被電鍍物，進(jìn)行電鍍3分鐘，然后目測(cè)觀察其是否存在灼燒色(burn)，模糊，隆起，異常沉積，異物附著等。
從前述實(shí)驗(yàn)的結(jié)果可以看出，實(shí)施例1-4中粒子量少于1mg，鍍外觀良好。
表1

對(duì)于粒子量的測(cè)量是在采用上述電解條件進(jìn)行電解后，用0.2μm的過(guò)濾器過(guò)濾電鍍液體，然后測(cè)量濾過(guò)物的重量。
對(duì)于鍍外觀，采用上述電解條件進(jìn)行電解后交換被電鍍物，進(jìn)行電鍍3分鐘，然后目測(cè)觀察其是否存在灼燒色，模糊，隆起，異常沉積，異物附著等。
(實(shí)施例5-8)如表2所示，磷含量為500重量ppm的含磷銅被用作陽(yáng)極，半導(dǎo)體被用作陰極。含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為200μm。
作為電鍍液體，使用硫酸銅55g/L(Cu)，硫酸10g/L，氯離子60mg/L，添加劑[光澤劑，表面活性劑](產(chǎn)品名CC-1220，Nikko MetalPlating生產(chǎn))1mL/L。電鍍液中硫酸銅的純度為99.9％。
電鍍條件為電鍍?cè)囟?0℃，陰極電流密度為1.0-5.0A/dm2，陽(yáng)極電流密度為1.0-5.0A/dm2，電鍍時(shí)間為24-48小時(shí)。
特別說(shuō)明，前述實(shí)施例5-8中陽(yáng)極表面已預(yù)先形成了厚度為100μm、結(jié)晶粒徑為5μm和10μm的微晶粒層，且在其上還形成了厚度為100μm-200μm的黑膜。
前述條件列于表2。
電鍍后，觀察粒子產(chǎn)生量及鍍外觀。結(jié)果同樣列于表2。且對(duì)粒子量和鍍外觀的觀察方法依照與實(shí)施例1-4相同的方法進(jìn)行。
從前述實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，實(shí)施例5-8中粒子量少于1mg，且鍍外觀良好。
另外，如表2所示，與實(shí)施例1-4相比，即使是較低的電流密度，也可在短時(shí)間得到預(yù)定的鍍。這可認(rèn)為是由于陽(yáng)極表面已預(yù)先形成了厚度為100μm、結(jié)晶粒徑為5μm和10μm的微晶粒層，而且在其上還形成了厚度為100μm-200μm的黑膜。
由此可明顯看出在含磷銅陽(yáng)極表面預(yù)先形成結(jié)晶粒徑為1-100μm的微晶粒層或黑膜層對(duì)于在短時(shí)間內(nèi)形成無(wú)粒子的穩(wěn)定的鍍膜是有效的。
表2

對(duì)于粒子量的測(cè)量是在采用上述電解條件進(jìn)行電解后，用0.2μm的過(guò)濾器過(guò)濾電鍍液體，然后測(cè)量濾過(guò)物的重量。
對(duì)于鍍外觀，采用上述電解條件進(jìn)行電解后交換電鍍物，進(jìn)行電鍍3分鐘，然后目測(cè)觀察其是否存在灼燒色，模糊，隆起，異常沉積，異物附著等。
(比較例1-4)如表3所示，磷含量為500重量ppm的含磷銅被用作陽(yáng)極，半導(dǎo)體被用作陰極。含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為3μm和2000μm，兩者均在本發(fā)明范圍之外。
作為電鍍液體，使用硫酸銅55g/L(Cu)，硫酸10g/L，氯離子60mg/L，添加劑[光澤劑，表面活性劑](產(chǎn)品名CC-1220，NikkoMetal Plating生產(chǎn))1mL/L。電鍍液中硫酸銅的純度為99.9％。
電鍍條件為電鍍?cè)囟?0℃，陰極電流密度為1.0-5.0A/dm2，陽(yáng)極電流密度為1.0-5.0A/dm2，電鍍時(shí)間為19-96小時(shí)。前述條件列于表3。
電鍍后，觀察粒子產(chǎn)生量及鍍外觀。結(jié)果同樣列于表3。
另外，對(duì)粒子量和鍍外觀的觀察方法依照與前述實(shí)施例相同的方法進(jìn)行。從前述實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，比較例1-3中粒子量達(dá)到425-2633mg，且鍍外觀不好。
由此可確定如果含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑過(guò)大或過(guò)小，粒子的生成會(huì)增加。因此，顯然含磷銅陽(yáng)極的最優(yōu)化是重要的。
表3

對(duì)于粒子量的測(cè)量是在采用上述電解條件進(jìn)行電解后，用0.2μm的過(guò)濾器過(guò)濾電鍍液體，然后測(cè)量濾過(guò)物的重量。
對(duì)于鍍外觀，采用上述電解條件進(jìn)行電解后交換電鍍物，進(jìn)行電鍍3分鐘，然后目測(cè)觀察其是否存在灼燒色，模糊，隆起，異常沉積，異物附著等。
發(fā)明效果本發(fā)明產(chǎn)生的優(yōu)良效果在于，其可抑制粒子的產(chǎn)生，如電鍍?cè)≈嘘?yáng)極一側(cè)所產(chǎn)生的淤渣，且可明顯防止半導(dǎo)體晶片上粒子的附著。
權(quán)利要求
1.一種電鍍銅方法，其特征在于，進(jìn)行電鍍銅時(shí)使用含磷銅作為陽(yáng)極，且使用下面的陽(yáng)極進(jìn)行電鍍銅當(dāng)電解時(shí)的陽(yáng)極電流密度為3A/dm2或更高時(shí)，使所述的含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為10至1500μm，當(dāng)電解時(shí)的陽(yáng)極電流密度低于3A/dm2時(shí)，使所述的含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為5至1500μm。
2.一種電鍍銅方法，其特征在于，進(jìn)行電鍍銅時(shí)使用含磷銅作為陽(yáng)極，且使用下面的陽(yáng)極進(jìn)行電鍍銅當(dāng)電解時(shí)的陽(yáng)極電流密度為3A/dm2或更高時(shí)，使所述的含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為20至700μm，當(dāng)電解時(shí)的陽(yáng)極電流密度低于3A/dm2時(shí)，使所述的含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為10至700μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的電鍍銅方法，其中含磷銅陽(yáng)極中磷的含量為50至2000重量ppm。
4.一種電鍍銅方法，其特征在于，進(jìn)行電鍍銅時(shí)使用含磷銅作為陽(yáng)極，且預(yù)先在含磷銅陽(yáng)極表面上形成一層結(jié)晶粒徑為1至100μm的微細(xì)結(jié)晶層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3各項(xiàng)的電鍍銅方法，其特征在于，進(jìn)行電鍍銅時(shí)使用含磷銅作為陽(yáng)極，且預(yù)先在含磷銅陽(yáng)極表面上形成一層結(jié)晶粒徑為1至100μm的微細(xì)結(jié)晶層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3及5中各項(xiàng)的電鍍銅方法，其特征在于，含磷銅陽(yáng)極表面具有一層黑膜，其厚度為1000μm或更低，且其主成分為磷化銅或氯化銅。
7.一種用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，含磷銅被用作進(jìn)行電鍍銅的陽(yáng)極，且含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為5至1500μm。
8.一種用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，含磷銅被用作進(jìn)行電鍍銅的陽(yáng)極，且含磷銅陽(yáng)極的結(jié)晶粒徑為10至700μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8的用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其中含磷銅陽(yáng)極中磷含量為50至2000重量ppm。
10.一種用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，含磷銅被用作進(jìn)行電鍍銅的陽(yáng)極，且預(yù)先在含磷銅陽(yáng)極表面上形成一層結(jié)晶粒徑為1至100μm的微細(xì)結(jié)晶層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至9各項(xiàng)的用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，含磷銅被用作進(jìn)行電鍍銅的陽(yáng)極，且預(yù)先在含磷銅陽(yáng)極表面上形成一層結(jié)晶粒徑為1至100μm的微細(xì)結(jié)晶層。
12.根據(jù)權(quán)利要求7-9及11中各項(xiàng)的用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，含磷銅陽(yáng)極表面具有一層黑膜，其厚度為1000μm或更低，且其主成分為磷化銅或氯化銅。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-12各項(xiàng)的電鍍銅方法和用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極，其特征在于，電鍍銅被用于半導(dǎo)體晶片。
14.粒子附著少的半導(dǎo)體晶片，其中使用上述權(quán)利要求1-13各項(xiàng)的電鍍銅方法及用于電鍍銅的含磷銅陽(yáng)極對(duì)其進(jìn)行了電鍍。
全文摘要
本發(fā)明涉及電鍍銅方法，其特征在于，進(jìn)行電鍍銅時(shí)使用含磷銅作為陽(yáng)極，且使用下面的陽(yáng)極進(jìn)行電鍍銅當(dāng)電解時(shí)的陽(yáng)極電流密度為3A/dm
文檔編號(hào)C25D21/12GK1529774SQ0280152
公開(kāi)日2004年9月15日 申請(qǐng)日期2002年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月22日
發(fā)明者岡部岳夫, 相場(chǎng)玲宏, 關(guān)口淳之輔, 宮下博仁, 澤村一郎, 之輔, 仁, 宏, 郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日礦材料