專利名稱：氰系電解鍍金浴及使用其的鍍敷方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在BGA((球柵陣列)Ball Grid Array)布線基板等印刷布線基板及IC封裝、硅或化合物晶片等電子工業(yè)部件上形成鍍金膜時(shí)適于使用的氰系電解鍍金浴及使用其的鍍敷方法。
背景技術(shù)：
使用氰系電解鍍金浴形成的鍍金膜被廣泛用于印刷布線基板，以及IC封裝及LSI封裝、LC驅(qū)動(dòng)IC等精密電子設(shè)備部件。對(duì)于這些精密電子設(shè)備部件中使用的鍍金膜，要求高的引線結(jié)合性、釬焊性、耐熱性。鍍金膜的平滑性和金純度是控制這些特性的重要因素。為了形成這些特性得到改善的鍍金膜，使用鉈和鉛等結(jié)晶調(diào)節(jié)劑(專利文獻(xiàn)1-3)。
氰系電解鍍金浴中的金濃度通常為8 10g/L。如果金濃度在該范圍內(nèi)，則得到95%左右的陰極電流效率。但是，鍍?cè)≈械慕饾舛冉档偷?g/L以下時(shí)，陰極電流效率顯著降低，生產(chǎn)率惡化。另外，由于陰極電流效率的降低，發(fā)生伴隨有氫氣產(chǎn)生的副反應(yīng)。由于該影響，產(chǎn)生燒焦鍍敷(^ >辦-務(wù))，或產(chǎn)生以保護(hù)膜剝落為主要原因的鍍金膜的異常析出。其結(jié)果，發(fā)生電路圖案的短路、鍍膜的剝落、后工序中的接合不良等。降低鍍?cè)≈械慕饾舛瓤梢杂行Ы档湾兎蟮牟僮鞒杀?。但是，鍍?cè)≈械慕饾舛冗^(guò)低時(shí)，陰極電流效率降低而產(chǎn)生上述的問(wèn)題?，F(xiàn)有的氰系電解鍍金浴在陰極電流密度0. I 0. 3A/dm2的范圍內(nèi)使用時(shí)，均勻電鍍性變高。由于該原因，實(shí)際操作中，在陰極電流密度0. I 0. 3A/dm2的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)?shù)腻兎蟆５?，在鍍?cè)≈械慕饾舛鹊陀?g/L的情況下，陰極電流密度在0. I 0. 5A/dm2的范圍內(nèi)、特別是在0. I 0. 3A/dm2的范圍內(nèi)，不能以超過(guò)90%的陰極電流效率進(jìn)行鍍敷?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :特開(kāi)平2-247397號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :特許第3139213號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :特開(kāi)平21-280867號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明所要解決的課題在于，提供一種氰系電解鍍金浴及使用其的鍍敷方法，該氰系電解鍍金浴即使鍍?cè)≈械慕饾舛葹榈陀?g/L以下的金濃度，在陰極電流密度為0. 01 I. 5A/dm2的范圍內(nèi)，也能夠以高的陰極電流效率形成平滑的鍍金膜。本發(fā)明要解決的另一課題在于，提供一種氰系電解鍍金浴及使用其的鍍敷方法，該氰系電解鍍金浴能夠形成均勻電鍍性高、且具有高的引線結(jié)合性及焊球接合性的鍍金膜。用于解決課題的手段本發(fā)明人進(jìn)行反復(fù)研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)在含有二氰合金(I)酸的堿鹽或二氰合金(I)酸的銨鹽、微量的結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、導(dǎo)電鹽，和緩沖劑，且PH為3.5 8.5的鍍金浴中配
合(I)含有亞硫酸的堿鹽、亞硫酸的銨鹽的任一種以上的析出促進(jìn)劑，或(2)所述析出促進(jìn)劑和乙二胺四乙酸鹽，可解決上述課題。而且發(fā)現(xiàn)，在陰極電流密度為0. 01 I. 5A/dm2的范圍內(nèi)，該鍍金浴的陰極電流效率及均勻電鍍性高、且形成膜表面平滑的鍍金膜。發(fā)現(xiàn)該鍍金膜具有與使用現(xiàn)有的氰系電解鍍金浴形成的鍍金膜同等的引線結(jié)合性、焊球接合性。本發(fā)明人根據(jù)以上發(fā)現(xiàn)，從而完成了本發(fā)明。解決上述課題的本發(fā)明是下面記載的發(fā)明?！睮〕、一種氰系電解鍍金浴，其特征在于，含有
·
以金濃度計(jì)為I. 0 5. Og/L的二氰合金(I)酸的堿鹽或二氰合金(I)酸的銨鹽、結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、導(dǎo)電鹽、緩沖劑、和以亞硫酸根離子計(jì)為0. lmg/L 18g/L的含有亞硫酸的堿鹽及亞硫酸的銨鹽的任一種以上的析出促進(jìn)劑。本鍍金浴中所含有的亞硫酸的堿鹽及亞硫酸的銨鹽吸附在陰極的鍍敷面，作為增加金配位離子的還原析出反應(yīng)的活性點(diǎn)的析出促進(jìn)劑發(fā)揮作用。其結(jié)果，可認(rèn)為即使在陰極極限電流密度上升，且鍍?cè)≈械慕饾舛鹊偷那闆r下，也可維持高的陰極電流效率。另一方面，認(rèn)為配合超過(guò)18g/L的亞硫酸的堿鹽或亞硫酸的銨鹽時(shí)，自身授受質(zhì)子，作為析出抑制劑發(fā)揮作用，因此，需要注意?！?〕、一種氰系電解鍍金浴，其特征在于，含有以金濃度計(jì)為I. 0 5. Og/L的二氰合金(I)酸的堿鹽或二氰合金(I)酸的銨鹽、結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、導(dǎo)電鹽、緩沖劑、以亞硫酸根離子計(jì)為0. lmg/L 18g/L的含有亞硫酸的堿鹽及亞硫酸的銨鹽的任一種以上的析出促進(jìn)劑、和乙二胺四乙酸?！?〕、如〔2〕所述的氰系電解鍍金浴，乙二胺四乙酸的濃度為0. lmg/L 20g/L?！?〕、如〔I〕或〔2〕所述的氰系電解鍍金浴，導(dǎo)電鹽包含選自檸檬酸鹽、甲酸鹽的一種以上，所述導(dǎo)電鹽的濃度為100 250g/L。〔5〕、如〔I〕或〔2〕所述的電解鍍金浴，結(jié)晶調(diào)節(jié)劑包含鉈化合物或鉛化合物，以鉈或鉛計(jì)，所述結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的濃度為0. I 20mg/L。〔6〕、如〔I〕或〔2〕所述的電解鍍金浴，緩沖劑包含選自磷酸、硼酸、檸檬酸及它們的鹽的一種以上，所述緩沖劑的濃度為I 300g/L?！?〕、一種印刷布線基板的鍍敷方法，其特征在于，使用〔I〕或〔2〕所述的氰系電解鍍金浴，以陰極電流密度為0. 05 0. 5A/dm2、鍍?cè)〉膒H為3. 5 8. 5、鍍?cè)〉臏囟葹?5 70°C進(jìn)行鍍敷。
發(fā)明效果本發(fā)明的氰系電解鍍金浴(下面，均稱為“本鍍金浴”。)即使為較低的金濃度，陰極電流效率也高。另外，本鍍金浴對(duì)于被鍍敷物能夠形成具有均勻且致密、良好的外觀的鍍金膜。另外，本鍍金浴具有優(yōu)異的液穩(wěn)定性和液壽命。本鍍金浴即使金濃度為3g/L以下，也不會(huì)引起陰極電流效率的降低。因此，不會(huì)發(fā)生伴隨有氫氣產(chǎn)生的副反應(yīng)。其結(jié)果，不會(huì)產(chǎn)生燒焦鍍敷或以保護(hù)膜剝落為主要原因的鍍金膜的異常析出。在電流密度為0. 05 0. 5A/dm2的整個(gè)區(qū)域，本鍍金浴能夠形成具有良好外觀的鍍膜。即使在由于基板或鍍敷裝置的制約，陰極電流密度減小的情況下，本鍍金浴也可使用。在以高的電流密度使用本鍍金浴的情況下，可縮短鍍敷時(shí)間，生產(chǎn)率提高。利用本鍍金浴形成的鍍金膜的均勻電鍍性高，具有與使用現(xiàn)有的氰系電解鍍金浴形成的鍍金膜同等的引線結(jié)合性、焊球接合性。使用本鍍金浴形成的鍍金膜為低應(yīng)力且低硬度，因此，不會(huì)侵蝕光致抗蝕劑及基底層。


圖I是表示實(shí)施例中，在評(píng)價(jià)均勻電鍍性(CV)時(shí)測(cè)定的金膜厚度的測(cè)定部位的說(shuō)明圖，圖I (a)表示芯片側(cè)的測(cè)定部位，圖I (b)表示球側(cè)的測(cè)定部位；圖2是表示實(shí)施例中，進(jìn)行焊料剪切試驗(yàn)時(shí)的焊球的推動(dòng)位置的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式下面，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本鍍金浴的特征在于，在以二氰合金(I)酸的堿鹽或二氰合金(I)酸的銨鹽為金源，且含有微量的結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、導(dǎo)電鹽、和緩沖劑而構(gòu)成的pH為3. 5 8. 5的鍍金浴中，(I)配合含有亞硫酸的堿鹽及亞硫酸的銨鹽的任一種以上的析出促進(jìn)劑，或(2)在所述析出促進(jìn)劑的基礎(chǔ)上配合乙二胺四乙酸鹽。作為在本鍍金浴中配合的金源，可列舉二氰合金(I)酸的堿鹽或銨鹽。作為堿鹽，可列舉Na、K等堿金屬鹽、Ca等堿土金屬鹽。在本鍍金浴中配合的二氰合金(I)酸的鹽的量沒(méi)有特別限制，但以金量計(jì)，為I. 0 5. Og/L,優(yōu)選為2. 0 4. Og/L。2. 0 4. Og/L的金濃度在操作時(shí)的經(jīng)濟(jì)性最佳，因此優(yōu)選。金量不足I. Og/L時(shí)，在以高的陰極電流密度進(jìn)行鍍敷的情況下，產(chǎn)生燒焦鍍敷，鍍層表面的平滑性易惡化。作為在本鍍金浴中配合的結(jié)晶調(diào)節(jié)劑，可列舉鉈、鉛、鉍等的水溶性鹽(例如，硫酸鹽、硝酸鹽、有機(jī)酸鹽)等。在本鍍金浴中配合的結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的量以各金屬計(jì)為0.1 20mg/L。特別是在鍍?cè)≈械慕饾舛葹?g/L以下的情況下，為了得到高的陰極電流效率，結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的配合量以各金屬計(jì)優(yōu)選為0. I 5mg/L。作為在本鍍金浴中配合的導(dǎo)電鹽，可列舉磷酸鹽、硫酸鹽、硼酸鹽、檸檬酸鹽、草酸鹽、甲酸鹽等無(wú)機(jī)酸鹽和有機(jī)酸鹽。它們也可以并用兩種以上。在本鍍金浴中配合的導(dǎo)電鹽的量在鍍?cè)≈械娜苜|(zhì)于過(guò)飽和的狀態(tài)下不會(huì)引起鹽析出的范圍適宜設(shè)定。通常，導(dǎo)電鹽、的配合量為50 250g/L，優(yōu)選為100 150g/L。導(dǎo)電鹽的配合量不足50g/L時(shí)，有時(shí)鍍?cè)〉膶?dǎo)電性低，使覆蓋能力惡化，或構(gòu)成鍍?cè)〉某煞址纸?。?dǎo)電鹽的配合量超過(guò)250g/L時(shí)，有時(shí)在室溫下引起鹽析出，或極限電流密度降低而成為燒焦鍍敷。作為在本鍍金浴中配合的緩沖劑，可列舉磷酸、硼酸、檸檬酸、甲酸、苯二甲酸、酒石酸等無(wú)機(jī)酸和有機(jī)酸及它們的鹽。在本鍍金浴中配合的緩沖劑的量可在鍍?cè)≈械娜苜|(zhì)于過(guò)飽和的狀態(tài)下不會(huì)引起鹽析出的范圍適宜設(shè)定。例如，作為緩沖劑，在配合磷酸鹽、硼酸、檸檬酸、酒石酸、及它們的鹽的情況下，該配合量?jī)?yōu)選為I 300g/L。緩沖劑的配合量不足lg/L時(shí)，緩沖作用弱，且隨著PH的降低，浴穩(wěn)定性易于惡化。其結(jié)果是，有時(shí)存在構(gòu)成鍍?cè)〉某煞址纸獾那闆r。緩沖劑的配合量超過(guò)300g/L時(shí)，有時(shí)在室溫下引起鹽析出，或極限電流密度降低，產(chǎn)生燒焦鍍敷的情況。導(dǎo)電鹽和緩沖劑也有時(shí)為同一化合物。此時(shí)，任一方也具有另一方的作用。本鍍金浴必須配合含有亞硫酸的堿鹽或亞硫酸的銨鹽而成的析出促進(jìn)劑。亞硫酸的堿鹽、亞硫酸的銨鹽只要配合任一種以上即可。在本鍍金浴中配合的析出促進(jìn)劑的量以 亞硫酸根離子計(jì)為0. lmg/L 18g/L,優(yōu)選為10mg/L 10g/L,特別優(yōu)選為0. I 5g/L。析出促進(jìn)劑的配合量以亞硫酸根離子計(jì)超過(guò)10g/L時(shí)，特別是在陰極電流密度為0. 2A/dm2以上的條件下，有時(shí)陰極電流效率降低并產(chǎn)生燒焦鍍敷的情況。析出促進(jìn)劑的配合量以亞硫酸根離子計(jì)超過(guò)18g/L時(shí)，在寬范圍的陰極電流密度的條件下，有時(shí)產(chǎn)生上述不良情況。本鍍金浴優(yōu)選在上述析出促進(jìn)劑的基礎(chǔ)上配合乙二胺四乙酸鹽。上述析出促進(jìn)劑和乙二胺四乙酸鹽的并用可提高特別是陰極電流密度為0. I 0. 5A/dm2的條件下的陰極電流效率，因此，非常適合。在本鍍金浴中配合的乙二胺四乙酸鹽的量為0. I 20g/L，優(yōu)選為0. 5 5g/L。在乙二胺四乙酸鹽的配合量超過(guò)20g/L的情況下，上述析出促進(jìn)劑和乙二胺四乙酸鹽的協(xié)同效應(yīng)達(dá)到極限，因此不經(jīng)濟(jì)。在乙二胺四乙酸鹽的配合量超過(guò)30g/L的情況下，有時(shí)極限電流密度降低而成為燒焦鍍敷。本鍍金浴的pH通常為3. 0 10. 0，優(yōu)選為3. 5 8. 5。在pH不足3. 0的情況下，鍍?cè)★@著不穩(wěn)定。其結(jié)果是，有時(shí)構(gòu)成鍍?cè)〉某煞址纸?，生成金化合物的沉淀。在PH超過(guò)10. 0的情況下，有時(shí)極限電流密度降低而成為燒焦鍍敷。另外，為在印刷基板上形成布線圖案而使用的遮蔽材料溶解，其結(jié)果，有時(shí)不能形成想要的布線圖案。作為pH調(diào)節(jié)劑，可例示硫酸和磷酸等無(wú)機(jī)酸、檸檬酸和各種羧酸、羥基羧酸等有機(jī)酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀、氨水等堿。使用本鍍金浴進(jìn)行電鍍時(shí)的液溫優(yōu)選為40 80°C，更優(yōu)選為55 70°C。使用本鍍金浴進(jìn)行電鍍時(shí)的電流密度為0. 01 I. 5A/dm2。特別是在本鍍金浴的金濃度為2 4g/L的情況下，電流密度優(yōu)選為0. 05 0. 5A/dm2。通過(guò)使用本鍍?cè)∵M(jìn)行鍍敷，金源和構(gòu)成鍍?cè)〉钠渌煞直幌?。本鍍金浴通過(guò)補(bǔ)充金源和構(gòu)成鍍?cè)〉钠渌煞?，能夠進(jìn)行3輪次(將鍍?cè)≈械慕鹪慈肯牡那闆r設(shè)為I輪次。)以上的使用。對(duì)于本鍍金浴而言，如果基底材料是觸擊電鍍金的或是通過(guò)濺射金而被金屬化的等可導(dǎo)通的基底材料，則不選擇被鍍敷物。本鍍金浴用于在例如印刷布線基板、IC封裝、硅晶片、化合物晶片等電子工業(yè)部件上形成鍍金膜的場(chǎng)合。特別是適用于在印刷布線基板上形成鍍金膜的場(chǎng)合。
實(shí)施例下面，利用實(shí)施例及比較例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更具體地說(shuō)明。本發(fā)明不限定于下述的實(shí)施例?！苍嚇拥闹谱鳌硨⒁阅ず? U m形成光澤鎳膜的0. Idm2的黃銅板依次進(jìn)行堿性脫脂、電解脫脂之后，用純水清洗。將該黃銅板浸潰于10%硫酸中之后，用純水清洗。接著，使用下面所示配合的氰系電解觸擊電鍍金浴，在該黃銅板上形成鍍金膜。鍍敷條件為PH為5. 5，鍍敷溫度為50°C，電流密度為2A/dm2，鍍敷時(shí)間為30秒。將形成有該鍍金膜的黃銅板用純水清洗后，使其干燥并作為試樣。該試樣用于金膜厚度的測(cè)定、引線拉力試驗(yàn) 及焊球剪切試驗(yàn)以外的評(píng)價(jià)?！睬柘惦娊庥|擊電鍍金浴〕
二氰合金⑴酸鉀(以金濃度計(jì)) lg/L 磚酸氫鉀80g/L
檸檬酸2 Og/L
檸檬酸鉀40g/L〔氰系電解鍍金的工序〕使用各實(shí)施例中所示的鍍敷液，在BGA面板及上述試樣(下面，也將它們稱為“被鍍敷物”)上形成鍍金膜。鍍敷工序如下。首先，測(cè)定被鍍敷物的質(zhì)量，依次進(jìn)行堿性脫脂、電解脫脂后，用純水清洗。然后，在10%的硫酸中浸潰后用純水清洗。接著，使用各實(shí)施例、比較例所示的各氰系電解鍍金液，通過(guò)各實(shí)施例、比較例所示的鍍敷條件，在被鍍敷物上形成鍍金膜。然后，用純水清洗、干燥、測(cè)定被鍍敷物的質(zhì)量。鍍敷均在IOOOmL的燒杯內(nèi)進(jìn)行。另外，氰系電解鍍金液的陰極電流密度和鍍敷時(shí)間如表I所示。(表 I)
陰極電流密度(A/dm2)0.05 0. I0.20. 30.4~
鍍敷時(shí)間(分鐘)189Tl32.25〔陰極電流效率(CE)〕通過(guò)測(cè)定鍍敷前后的試樣的質(zhì)量，求得試樣上析出的金的質(zhì)量。用理論析出質(zhì)量除析出的金的質(zhì)量，以百分率表示。金的理論析出質(zhì)量由電量計(jì)算。〔通過(guò)引線拉力試驗(yàn)的評(píng)價(jià)〕使用形成有通過(guò)上述鍍敷工序得到的鍍金膜的各BGA面板，進(jìn)行引線拉力試驗(yàn)。在BGA面板上形成多個(gè)圖案，并將其中相鄰的兩個(gè)圖案作為試驗(yàn)用圖案使用。在該兩個(gè)試驗(yàn)用圖案內(nèi)、在任意18個(gè)部位，進(jìn)行如下的引線拉力試驗(yàn)。首先，對(duì)直徑I密耳(0.001英寸)的金線的第一點(diǎn)(一端)施加50gf的荷重，通過(guò)0. 05瓦的輸出功率，以150°C的溫度保持0.05秒，對(duì)BGA面板的第一圖案進(jìn)行壓接。另一方面，對(duì)金線的第二點(diǎn)(另一端)施加IOOgf的荷重，通過(guò)0. I瓦的輸出功率，以150°C的溫度保持0. I秒，對(duì)BGA面板的第二圖案(與第一圖案相鄰的圖案)進(jìn)行壓接。然后，使用K & S制1488PLUS測(cè)定壓接的引線的拉伸強(qiáng)度。標(biāo)準(zhǔn)荷重使用序列NO. 926-L-LAB-102?！餐ㄟ^(guò)焊球剪切試驗(yàn)的評(píng)價(jià)〕使用形成有通過(guò)上述鍍敷工序得到的鍍金膜的BGA面板，進(jìn)行焊球剪切試驗(yàn)。在BGA面板上形成多個(gè)圖案，并將其中任意兩個(gè)圖案作為試驗(yàn)用圖案使用。在該試驗(yàn)用圖案內(nèi)、在任意10個(gè)部位按如下進(jìn)行焊球剪切試驗(yàn)。首先，在形成于BGA面板上的鍍金膜上涂敷焊劑。在其上附著直徑0. 45mm的焊球(焊球合金規(guī)格SAC305)。在空氣中，將該BGA面板以150°C (60秒) 180°C (30秒) 245°C (63秒) 100°C (60秒)進(jìn)行回流處理，使焊球與BGA面板接合。對(duì)從接合的焊球與BGA面板的界面到焊球頂點(diǎn)為止的高度的1/4高度的位置進(jìn)行推力(引c+ )測(cè)試(參照?qǐng)D2)。推動(dòng)速度設(shè)為lOOym/sec。在測(cè)定中使用Techno Alpha社制XYZTEC系列型式C0ND0R70-3。結(jié)果以強(qiáng)度(N)和斷裂模式(良或不良)表示?！簿鶆螂婂冃?CV)的評(píng)價(jià)〕使用形成有通過(guò)上述鍍敷工序得到的鍍金膜的BGA面板，進(jìn)行金膜厚度的測(cè)定。在BGA面板上形成多個(gè)圖案,并將其中任意兩個(gè)圖案作為試驗(yàn)用圖案使用。對(duì)于各試驗(yàn)用圖案，在表側(cè)(芯片側(cè))、背側(cè)(球側(cè))的各4個(gè)部位測(cè)定金膜厚度(參照?qǐng)DI)。利用下式(I)算出CV值(％ )，并將該CV值作為均勻電鍍性的指標(biāo)。[數(shù)I]CV 值(％ )=100X O/E... (I)( O…標(biāo)準(zhǔn)偏差E…鍍金膜的膜厚度的平均值)〔金膜厚度的測(cè)定〕使用熒光X射線膜厚計(jì)SFT-9200 (精工電子)進(jìn)行測(cè)定。[實(shí)施例I] 利用表2所示的鍍敷條件，使用下述組成的鍍?cè)?，在試樣及BGA面板上分別形成鍍金膜。
二氣合金(I)酸鉀(以金濃度計(jì))3g/L
檸檬酸15g/L
杵檬酸鉀125g/L
曱酸鉀100g/L
亞硫酸鈉2g/L
硫酸乾(以乾濃度計(jì))0. 5mg/L得到的鍍金膜的膜厚為0. 70 0. 75 y m,為均勻的半光澤狀。如表2所示，在陰極電流密度為0. 05 0. 4A/dm2的范圍內(nèi)，陰極電流效率、膜厚偏差、引線拉力試驗(yàn)及焊球剪切試驗(yàn)的結(jié)果良好。(表2)
權(quán)利要求
1.一種氰系電解鍍金浴，其特征在于，含有 以金濃度計(jì)為I. O 5. Og/L的二氰合金(I)酸的堿鹽或二氰合金(I)酸的銨鹽、 結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、 導(dǎo)電鹽、 緩沖劑、和 以亞硫酸根離子計(jì)為0. lmg/L 18g/L的含有亞硫酸的堿鹽及亞硫酸的銨鹽的任一種以上的析出促進(jìn)劑。
2.一種氰系電解鍍金浴，其特征在于，含有 以金濃度計(jì)為I. 0 5. Og/L的二氰合金(I)酸的堿鹽或二氰合金(I)酸的銨鹽、 結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、 導(dǎo)電鹽、 緩沖劑、 以亞硫酸根離子計(jì)為0. lmg/L 18g/L的含有亞硫酸的堿鹽及亞硫酸的銨鹽的任一種以上的析出促進(jìn)劑、和 乙二胺四乙酸。
3.權(quán)利要求2所述的氰系電解鍍金浴，乙二胺四乙酸的濃度為0.lmg/L 20g/L。
4.權(quán)利要求I或2所述的氰系電解鍍金浴，導(dǎo)電鹽包含選自檸檬酸鹽、甲酸鹽的一種以上，所述導(dǎo)電鹽的濃度為100 250g/L。
5.權(quán)利要求I或2所述的電解鍍金浴，結(jié)晶調(diào)節(jié)劑包含鉈化合物或鉛化合物，所述結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的濃度以鉈或鉛計(jì)為0. I 20mg/L。
6.權(quán)利要求I或2所述的電解鍍金浴，緩沖劑包含選自磷酸、硼酸、檸檬酸及它們的鹽的一種以上，所述緩沖劑的濃度為I 300g/L。
7.—種印刷布線基板的鍍敷方法，其特征在于，使用權(quán)利要求I或2所述的氰系電解鍍金浴，以鍍敷電流密度為0. 05 0. 5A/dm2、鍍?cè)〉膒H為3. 5 8. 5、鍍?cè)〉臏囟葹?5 70°C進(jìn)行鍍敷。
全文摘要
本發(fā)明提供一種氰系電解鍍金浴，其特征在于，含有以金濃度計(jì)為1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的堿鹽或二氰合金(I)酸的銨鹽、結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、導(dǎo)電鹽、緩沖劑、和以亞硫酸根離子計(jì)為0.1mg/L～18g/L的含有亞硫酸的堿鹽及亞硫酸的銨鹽的任一種以上的析出促進(jìn)劑。
文檔編號(hào)C25D3/48GK102753732SQ20118000951
公開(kāi)日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者中村宏 申請(qǐng)人:美泰樂(lè)科技(日本)股份有限公司