一種蒸鍍用掩模板的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種蒸鍍用掩模板的制備方法，包括芯模貼膜→曝光→顯影→一次電鑄→后處理1→二次電鑄→后處理2，其特征在于:所述一次電鑄的電鑄層厚度與芯模貼膜步驟中膜的厚度相等，二次電鑄步驟的電鑄層在一次電鑄步驟的電鑄層和曝光步驟中形成的曝光膜的基礎(chǔ)上形成。利用本發(fā)明提供的方法制作的蒸鍍用掩模板，在蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30～60°夾角，可以減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，并且蒸鍍過程中不存在蒸鍍的死角，蒸鍍層的厚度均勻，而且制作小尺寸的蒸鍍孔的掩模板時，可以將蒸鍍孔的尺寸做到更小，以提高顯示器的分辨率。
【專利說明】一種蒸鍍用掩模板的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種蒸鍍用掩模板的制備方法，具體涉及一種OLED蒸鍍用掩模板的制備方法。
【背景技術(shù)】 [0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode ；0LED)顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)，與液晶顯示器相比，OLED顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度可達(dá)到液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，OLED顯示器具有廣闊的應(yīng)用前景，逐漸成為未來20年成長最快的新型顯示技術(shù)。
[0003]OLED結(jié)構(gòu)中的有機(jī)層材料的制作需要用到蒸鍍用的掩模板，傳統(tǒng)通過雙面蝕刻工藝制作掩模板，掩模板蒸鍍孔的截面示意圖如圖1所示，I為掩模板的ITO面(即與ITO沉積基板接觸的一面)，2為掩模板的蒸鍍面(即面向蒸鍍源的一面)，11為掩模板的蒸鍍孔，蒸鍍孔11的截面為葫蘆狀，蒸鍍孔11有效沉積孔徑的尺寸L的大小不好控制，導(dǎo)致蒸鍍孔的精度不高，蒸鍍孔很難做到更小，同時利用雙面蝕刻工藝制作的掩模板在蒸鍍過程中ITO面的蒸鍍孔12 (掩模板的死角)處形成蒸鍍層的死角，導(dǎo)致蒸鍍層厚度不均，影響蒸鍍質(zhì)量，而且在制作小尺寸的蒸鍍孔時利用蝕刻工藝很難將蒸鍍孔做到所要求的小尺寸。
[0004]本發(fā)明主要是針對以上問題提出一種蒸鍍用掩模板的制備方法，較好的解決以上所述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種制作蒸鍍用掩模板的方法，利用此方法制作的蒸鍍用掩模板在蒸鍍過程中可以減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，并且蒸鍍過程中不存在蒸鍍的死角，使蒸鍍層厚度均勻，同時可以將小尺寸蒸鍍孔的尺寸做到更小。
[0006]本發(fā)明提供了一種蒸鍍用掩模板的制備方法，包括芯模貼膜一曝光一顯影一一次電鑄一后處理I —二次電鑄一后處理2，其特征在于:所述一次電鑄步驟的電鑄層厚度與所述芯模貼膜步驟中所述膜的厚度相等，所述二次電鑄步驟的電鑄層在所述一次電鑄步驟的電鑄層和所述曝光步驟中形成的曝光膜的基礎(chǔ)上形成。
[0007]進(jìn)一步地，二次電鑄步驟的電鑄層在曝光膜處形成蒸鍍孔，在蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀。
[0008]進(jìn)一步地，二次電鑄步驟的電鑄層形成掩模板的本體，蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30~60°夾角。
[0009]進(jìn)一步地，一次電鑄步驟的電鑄層厚度為3~30 μ m。
[0010]優(yōu)選地，一次電鑄步驟的電鑄層厚度為5~20 μ m。
[0011]進(jìn)一步地，二次電鑄步驟的電鑄層厚度為8~80 μ m。
[0012]進(jìn)一步地，后處理2步驟包括清洗、剝離步驟。[0013]進(jìn)一步地，剝離步驟是將二次電鑄步驟的電鑄層從一次電鑄步驟的電鑄層上剝離。
進(jìn)一步地，后處理I包括靜置或烘烤。
[0014]進(jìn)一步地，靜置的時間為5~30min，烘烤時間根據(jù)具體環(huán)境設(shè)定。
[0015]本發(fā)明的有益效果在于，利用本發(fā)明提供的方法制作的蒸鍍用掩模板，在蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀，蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30~60°夾角，可以減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，并且蒸鍍過程中不存在蒸鍍的死角，蒸鍍層的厚度均勻，同時利用本發(fā)明提供的電鑄方法制作蒸鍍用掩模板還可以將蒸鍍孔的尺寸做到更小，以達(dá)到顯示器高分辨率的要求。[0016]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示為傳統(tǒng)雙面蝕刻制作掩模板蒸鍍孔的截面示意圖；
圖2所示為芯模貼膜后的截面示意圖；
圖3所示為曝光截面示意圖；
圖4所示為顯影后的截面示意圖；
圖5所示為一次電鑄后的截面示意圖；
圖6所示為二次電鑄后的截面示意圖；
圖7所示為將二次電鑄的電鑄層剝離的截面示意圖；
圖8所示為圖7中70部分的放大示意圖；
圖9和圖10所示為掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖11所示為圖10中100部分的放大示意圖；
圖12所示為圖10中100部分的放大示意圖；
圖13所示為掩模組件平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖14所示為蒸鍍截面示意圖；
圖1中，I為ITO面，2為蒸鍍面，11為掩模板的蒸鍍孔，12為掩模板的死角；
圖2中，20為芯模，21為膜；
圖3中，30為曝光膜；
圖4中，40為顯影后露出的芯模區(qū)域；
圖5中，50為一次電鑄的電鑄層；
圖6中,60為二次電鑄的電鑄層，即掩模板本體；
圖7中，70為待放大觀測部分，71為蒸鍍孔；
圖8中，Θ為蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體板面的夾角；
圖9中，90代表掩模板整體，A-A為待解剖觀測方向；
圖10中，100為待放大觀測部分，101為掩模圖案；
圖11中，B-B為待解剖觀測方向；圖12中，C-C為待解剖觀測方向；
圖13中，130為掩?？?；
圖14中，141為沉積基板，142為支架，143為蒸鍍源；
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將參照附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖2~圖8所示，本發(fā)明提供一種蒸鍍用掩模板的制備方法，包括:芯模貼膜一曝光一顯影一一次電鑄一后處理I —二次電鑄一后處理2，所述一次電鑄步驟的電鑄層50厚度與所述芯模貼膜步驟中膜21的厚度相等，所述二次電鑄步驟的電鑄層60在所述一次電鑄步驟的電鑄層50和曝光步驟中形成的曝光膜30的基礎(chǔ)上形成。
[0020]下面詳細(xì)描述蒸鍍用掩模板的制備方法:
51、芯模貼膜步驟:圖2所示為將膜21壓貼或涂覆到芯模20—面的截面示意圖，所述芯模20在貼膜步驟前經(jīng)過噴砂、清洗等處理，去除芯模表面雜質(zhì)，使芯模貼膜的一面干凈平整；
52、曝光步驟:經(jīng)曝光步驟將預(yù)設(shè)的蒸鍍孔區(qū)域的膜曝光，如圖3所示，30為曝光后的膜(即曝光膜)；
53、顯影步驟:圖4所示為顯影截面示意圖，經(jīng)顯影步驟，顯影液與未曝光的膜反應(yīng)，除去未曝光的膜，露出 芯模區(qū)域40，曝光膜30繼續(xù)保留；
54、一次電鑄步驟:經(jīng)一次電鑄步驟后形成一層電鑄層50，如圖5所示，電鑄層50的厚度與膜的厚度相等，優(yōu)選地，電鑄層50的厚度與膜21的厚度相等；
55、后處理I步驟:一次電鑄步驟后，進(jìn)行后處理I步驟，后處理I步驟可以是靜置或烘烤，通過后處理I步驟可以使兩次電鑄的電鑄層具有一定的結(jié)合力又能夠使二次電鑄的電鑄層從一次電鑄的電鑄層上剝離下來；
56、二次電鑄步驟:圖6所示為二次電鑄步驟后的截面示意圖，二次電鑄步驟的電鑄層60即為掩模板的本體，二次電鑄過程中掩模板的蒸鍍孔在曝光膜30處形成，蒸鍍孔與曝光膜30接觸的一面的面積小于曝光膜30區(qū)域的面積，在蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀。
[0021]S7、后處理2步驟:后處理2步驟包括剝離、清洗步驟，經(jīng)剝離步驟將二次電鑄步驟的電鑄層60從一次電鑄步驟的電鑄層50上剝離下來，經(jīng)清洗步驟將電鑄層60洗干凈，圖7所示為將電鑄層60剝離后的截面示意圖，電鑄層60即為掩模板本體，71為蒸鍍孔。
[0022]圖8所示為圖7中70部分放大示意圖，蒸鍍孔的孔壁與掩模板的本體60的板面的夾角Θ范圍為30~60°。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，一次電鑄的電鑄層50厚度為3~30 μ m。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，一次電鑄的電鑄層50厚度為5~20 μ m。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，二次電鑄的電鑄層60厚度為8~80 μ m，例如二次電鑄的電鑄層60厚度為20μπι或30μπι或50μπι或60μπι或75μπι。[0026]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，后處理I步驟包括靜置或烘烤。
[0027]靜置的時間為5~30min，烘烤的時間根據(jù)具體環(huán)境進(jìn)行設(shè)置。
[0028]一次電鑄(S4)和二次電鑄(S6)步驟中電鑄液的濃度參數(shù)如下:
硫酸鎳220~260g/L
氯化鎳30~50g/L
硼酸40~50 g/L
硫酸亞鐵35~45g/L
電鑄材料為磁性鎳或鎳基合金材料。鎳基合金材料為鎳鐵合金、鎳鈷合金、鎳鐵鈷合金中的一種。
[0029]電鑄液的添加劑包括:
穩(wěn)定劑0.5~5ml/L
潤濕劑0.5~5ml/L
走位劑0.5~5ml/L
圖9所示為利用本發(fā)明提供的方法制作的蒸鍍用掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖，蒸鍍孔為大尺寸的蒸鍍用掩模板，蒸鍍用掩模板90包括掩模板本體60及形成在掩模板本體上的蒸鍍孔71，所述蒸鍍孔71貫穿掩模板本體60，在蒸鍍孔71中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀，圖9中沿A-A方向的截面示意圖如圖7所示。
[0030]圖10所示為利用本發(fā)明提供的方法制作的另一種掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖，蒸鍍孔為小尺寸的蒸鍍用掩模板，蒸鍍用掩模板90包括掩模板本體60，掩模板本體60上設(shè)有掩模圖案101，掩模圖案101內(nèi)設(shè)有以陣列方式設(shè)置的蒸鍍孔71。
[0031]圖11所示為圖10中掩模圖案100部分ITO面的一種結(jié)構(gòu)的放大示意圖，圖11中蒸鍍孔71為小開口以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體60上，圖11中沿B-B方向的截面放大示意圖如圖8所示。
[0032]圖12所示為圖10中掩模圖案100部分ITO面的另一種結(jié)構(gòu)的放大示意圖，圖12中蒸鍍孔71為長條狀的開口，沿C-C方向的截面放大示意圖如圖8所示。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，本發(fā)明還提供了一種掩模組件，如圖13所示，掩模組件包括掩?？?30和上述所述的蒸鍍用掩模板90,蒸鍍用掩模板90固定于掩模框130上。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，蒸鍍用掩模板90通過激光焊接或粘接方式固定于掩模框130 上。
[0035]圖14所示，為蒸鍍示意圖，掩模組件固定于支撐架142上，將蒸鍍用掩模板90的ITO面貼緊沉積基板141，蒸鍍源143發(fā)射的有機(jī)材料通過掩模板的蒸鍍孔沉積在沉積基板141上形成預(yù)定的有機(jī)材料層。
[0036]通過本發(fā)明所提供的蒸鍍用掩模板的制備方法制作的掩模板90，在蒸鍍孔71中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔71的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀，蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體60的板面呈30~60°夾角，可以減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，并且蒸鍍過程中不存在蒸鍍的死角，使蒸鍍層的厚度均勻，同時在制作如圖10~12所示小尺寸蒸鍍孔的蒸鍍用掩模板時，可以將蒸鍍孔71的尺寸做到更小，以提高顯示器的分辨率。
[0037]盡管參照本發(fā)明的多個示意性實(shí)施例對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出多種其他的改進(jìn)和實(shí)施例，這些改進(jìn)和實(shí)施例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進(jìn)，而不會脫離本發(fā)明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進(jìn)，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。`
【權(quán)利要求】
1.一種蒸鍍用掩模板的制備方法，包括芯模貼膜一曝光一顯影一一次電鑄一后處理I —二次電鑄一后處理2，其特征在于:所述一次電鑄步驟的電鑄層厚度與所述芯模貼膜步驟中所述膜的厚度相等，所述二次電鑄步驟的電鑄層在所述一次電鑄步驟的電鑄層和所述曝光步驟中形成的曝光膜的基礎(chǔ)上形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于，所述二次電鑄步驟的電鑄層在所述曝光膜處形成蒸鍍孔，在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于，所述二次電鑄步驟的電鑄層形成掩模板的本體，所述蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面呈30~60°夾角。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于，所述一次電鑄步驟的電鑄層厚度為3~30 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于，所述一次電鑄步驟的電鑄層厚度為5~20 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于，所述二次電鑄步驟的電鑄層厚度為8~80 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于，所述后處理2步驟包括清洗、剝離步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于，所述剝離步驟是將所述二次電 鑄步驟的電鑄層從所述一次電鑄步驟的電鑄層上剝離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于，所述后處理I包括靜置或烘烤。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于，所述靜置的時間為·5 ~30min。
【文檔編號】C25D1/00GK103589994SQ201310464801
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月9日
【發(fā)明者】魏志凌, 高小平, 潘世珎, 汪行, 楊濤 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司