一種掩模板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，其特征在于：所述蒸鍍孔在所述ITO面設(shè)有凹槽區(qū)域，在所述蒸鍍孔的中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀。利用本發(fā)明提供的掩模板，蒸鍍時可以減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，蒸鍍孔在ITO面設(shè)有凹槽區(qū)域可以防止掩模板蒸鍍孔的邊緣變形劃傷沉積基板。
【專利說明】一種掩模板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種掩模板，具體涉及一種OLED蒸鍍用的掩模板。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode ；0LED)顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)，與液晶顯示器相比，OLED顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度可達(dá)到液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，OLED顯示器具有廣闊的應(yīng)用前景，逐漸成為未來20年成長最快的新型顯示技術(shù)。
[0003]OLED結(jié)構(gòu)中的有機(jī)層材料的制作需要用到蒸鍍用的掩模板，傳統(tǒng)通過蝕刻工藝制作掩模板，蒸鍍之前需要將掩模板拉網(wǎng)固定到掩?？蛏?，拉網(wǎng)固定之后掩模板具有一定的張力。掩模板蒸鍍孔的截面示意圖如圖1所示，I為掩模板的ITO面(即與基板接觸的一面)，2為掩模板的蒸鍍面(即面向蒸鍍源的一面)，11為掩模板的蒸鍍孔，蒸鍍孔11的截面為葫蘆狀，由于蒸鍍孔11的邊緣比較薄，掩模板具有一定的張力之后蒸鍍孔的邊緣容易翹起，如圖1中的翹起部分12所示，蒸鍍孔邊緣翹起的部分12在蒸鍍過程中會劃傷沉積基板，從而影響顯示器的質(zhì)量，而且通過蝕刻工藝制作的掩模板蒸鍍孔的尺寸不好控制，尤其在制作小尺寸的蒸鍍孔時很難將蒸鍍孔的尺寸做到更小。
[0004]本發(fā)明主要是針對以上問題提出一種掩模板，較好的解決以上所述問題。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種掩模板，使在蒸鍍過程中盡量減少蒸鍍孔壁對蒸鍍材料的遮擋，并且可以防止掩模板蒸鍍孔邊緣翹起劃傷沉積基板。
[0006]本發(fā)明提供一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，其特征在于:所述蒸鍍孔在所述ITO面設(shè)有凹槽區(qū)域，在所述蒸鍍孔的中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀。
[0007]進(jìn)一步地，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30~60°夾角。
[0008]進(jìn)一步地，蒸鍍孔以陣列的方式設(shè)置在掩模板上，蒸鍍孔與沉積基板的有機(jī)膜沉積區(qū)域相適應(yīng)。
[0009]進(jìn)一步地，掩模板的厚度為8~80 μ m。
[0010]優(yōu)選地，掩模板的厚度為25~50 μ m。
[0011]進(jìn)一步優(yōu)選地，掩模板的厚度為30 μ m。
[0012]進(jìn)一步地，凹槽區(qū)域的深度為3~30 μ m。
[0013]優(yōu)選地，凹槽區(qū)域的深度為5~20 μ m。
[0014]進(jìn)一步地，掩模板的材質(zhì)為鎳基合金。
[0015]進(jìn)一步地，掩模板通過電鑄方式制備。[0016]本發(fā)明還提供了一種掩模組件，包括掩模框和上述所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板固定于所述掩模框上。
[0017]進(jìn)一步地，掩模板通過激光焊接或粘接方式固定于掩模框上。
[0018]本發(fā)明的有益效果在于，在蒸鍍孔的中心軸線所在的截面上，蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30~60°夾角，可以減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，同時蒸鍍孔ITO面的凹槽區(qū)域可以起到防止刮傷沉積基板，從而提聞顯不器的質(zhì)量。
[0019]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示為傳統(tǒng)蝕刻制作掩模板蒸鍍孔的截面示意圖；
圖2所示為掩模板ITOA面的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3所示為圖2中沿A-A方向的截面示意圖；
圖4所示為圖3中30部分放大示意`圖；
圖5所示為掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6和圖7所示為圖5中50部分放大示意圖；
圖8所示為掩模組件平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖9所示為蒸鍍截面示意圖；
圖10所示為芯模貼膜后的截面示意圖；
圖11所示為曝光截面示意圖；
圖12所示為顯影后的截面示意圖；
圖13所示為電鑄后的截面示意圖；
圖14所示為將電鑄的電鑄層剝離后的截面示意圖；
圖15所示為圖14中140部分的放大示意圖。
[0021]
圖1中，I為ITO面，2為蒸鍍面，11為掩模板的蒸鍍孔，12為蒸鍍孔邊緣翹起部分；
圖2中，20為掩模板本體,21為蒸鍍孔,22為掩模板,A-A為待解剖觀測方向；
圖3中，3為ITO面，4為蒸鍍面，30為待放大觀測部分；
圖4中，Θ為蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角，tl為掩模板的厚度，t2為掩模板ITO面凹槽區(qū)域的深度；
圖5中，50為待放大觀測部分，51為掩模圖案；
圖6中，B-B為待解剖觀測方向；
圖7中，C-C為待解剖觀測方向；
圖8中，80為掩?？颍?br> 圖9中，91為沉積基板，92為支撐架，93為蒸鍍源；
圖10中，100為芯模，101為膜；圖11中，110為曝光膜；
圖12中，120為露出的芯模區(qū)域；
圖14中，140為待放大觀測部分；
【具體實施方式】
[0022]下面將參照附圖來描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的實施例，參考圖2~圖8所示，本發(fā)明提供了一種掩模板，掩模板22包括掩模板本體20及形成在掩模板本體上的蒸鍍孔21，所述蒸鍍孔21貫穿所述掩模板本體20，所述掩模板22包括蒸鍍面和ITO面，其特征在于:所述蒸鍍孔在所述ITO面設(shè)有凹槽區(qū)域，在所述蒸鍍孔21中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀。
[0024]如圖4所示，在蒸鍍孔21中心軸線所在的截面上，蒸鍍面蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀，Θ為蒸鍍孔21的孔壁與掩模板本體20的板面的夾角，Θ角的范圍為30°~60°，tl為掩模板的厚度，t2為掩模板ITO面凹槽區(qū)域的深度，蒸鍍孔21以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體20上，與沉積基板的有機(jī)膜沉積區(qū)域相適應(yīng)。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，參考圖2~圖4所示為大尺寸蒸鍍孔的掩模板，圖2所示為掩模板ITO面的平面結(jié)構(gòu)示意圖，20為掩模板本體，21為蒸鍍孔，蒸鍍孔21以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體20上，圖3所示為圖2中沿A-A方向截面示意圖，3為ITO面，4為蒸鍍面，30部分放大示意圖如圖4所示。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，參考圖5~圖8所示為小尺寸蒸鍍孔的掩模板，圖5所示為掩膜板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖，掩模圖案51以陣列的方式設(shè)置在掩模板上，蒸鍍孔21以陣列的方式設(shè)置在掩模板22的掩模圖案51上，蒸鍍孔與沉積基板的蒸鍍區(qū)域相適應(yīng)。
[0027]圖6所不為圖5中50部分掩模圖案的一種放大不意圖，圖6中蒸鍍孔21為小開口以陣列的方式設(shè)置在掩模板上，沿B-B方向的截面放大示意圖如圖4所示。
[0028]圖7所示為圖5中掩模圖案的另一種排布方式的放大示意圖，圖7中蒸鍍孔21為長條狀的開口，沿C-C方向的截面放大示意圖如圖4所示。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，掩模板22的厚度為8~80 μ m。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，掩模板22的厚度為25~50 μ m。
[0031]優(yōu)選地，掩模板22的厚度為30 μ m。
[0032]掩模板22的厚度還可以設(shè)置為20μηι或25μηι或35μηι或40μηι或50μηι或65 μ m $ 75 μ m。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，掩模板ITO凹槽區(qū)域的深度為3~30 μ m。
[0034]優(yōu)選地，掩模板ITO面凹槽區(qū)域的深度為5~20 μ m，例如掩模板ITO面凹槽區(qū)域的深度為5μηι或8μηι或ΙΟμπι或15μηι或20μηιο
[0035]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，掩模板通過電鑄方式制備。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,掩模板的材質(zhì)為鎳基合金。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，掩模板的材質(zhì)為鎳鐵合金、鎳鈷合金、鎳鐵鈷合金。[0038]本發(fā)明還提供了一種掩模組件，如圖8所示為掩模板ITO面的平面結(jié)構(gòu)示意圖，掩模組件包括掩模框80和上述的掩模板22,掩模板22固定于掩?？?0上。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的實施例，掩模板通過激光焊接或粘接方式固定于掩模框80上。
[0040]參考圖9，為蒸鍍示意圖，掩模組件固定于支撐架92上，將掩模板的ITO面貼緊沉積基板91，蒸鍍源93發(fā)射的有機(jī)材料通過掩模板的蒸鍍孔沉積在沉積基板91的蒸鍍區(qū)域上形成有機(jī)材料層。
[0041]本發(fā)明還公開了一種掩模板的制備方法，制備步驟為:
51、芯模貼膜步驟:如圖10所示，將膜101壓貼或涂覆到芯模100的一面，在貼膜步驟之前，芯模100在貼膜的一面還需要進(jìn)行除油、酸洗、噴砂步驟，以去除芯模表面的油潰雜質(zhì)，并將表面打磨光滑；
52、曝光步驟:如圖11所示，將芯模貼膜的一面按預(yù)設(shè)的曝光圖案進(jìn)行曝光，形成曝光膜區(qū)域110和未曝光膜區(qū)域；
53、顯影步驟:如圖12所示，經(jīng)顯影步驟去除未曝光膜區(qū)域的膜，使對應(yīng)未曝光膜區(qū)域的芯模區(qū)域120露出，曝光膜區(qū)域110的膜繼續(xù)保留；
54、電鑄步驟:如圖13所示，經(jīng)電鑄步驟在所述露出的芯模區(qū)域120形成電鑄層20，在所述曝光膜區(qū)域110形成通孔，通孔包括掩模板的蒸鍍孔21 ；
55、后處理步驟:后處理步驟包括剝離步驟，經(jīng)所述剝離工序?qū)㈦婅T層20從芯模100上剝離下來，圖14所示為掩模板的截面示意圖(即掩模板22的截面示意圖，其平面結(jié)構(gòu)示意圖如圖2、圖5~圖7所示)。后處理步驟還包括清洗步驟，將電鑄層20清洗干凈。
[0042]根據(jù)本發(fā)明的實施例，電鑄步驟形成的電鑄層20的厚度大于所述貼膜步驟中膜101的厚度，如圖13所示。`
[0043]電鑄步驟(S4)中電鑄液的濃度參數(shù)如下:
硫酸鎳220~260g/L
氯化鎳30~50g/L
硼酸40~50 g/L
硫酸亞鐵35~45g/L
電鑄材料為磁性鎳或鎳基合金材料。鎳基合金材料為鎳鐵合金、鎳鈷合金、鎳鐵鈷合金中的一種。
[0044]電鑄液的添加劑包括:
穩(wěn)定劑0.5~5ml/L
潤濕劑0.5~5ml/L
走位劑0.5~5ml/L
通過本發(fā)明所提供的掩模板，蒸鍍孔21在ITO面設(shè)有凹槽區(qū)域，在蒸鍍孔的中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔21的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30~60°夾角，可以減小蒸鍍孔21的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，同時的蒸鍍孔ITO面的凹槽區(qū)域可以起到防止刮傷基板，從而提高顯示器的質(zhì)量。
[0045]盡管參照本發(fā)明的多個示意性實施例對本發(fā)明的【具體實施方式】進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計出多種其他的改進(jìn)和實施例，這些改進(jìn)和實施例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進(jìn)，而不會脫離本發(fā)明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進(jìn)，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，其特征在于:所述蒸鍍孔在所述ITO面設(shè)有凹槽區(qū)域，在所述蒸鍍孔的中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面呈30~60°夾角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模板，其特征在于，所述蒸鍍孔以陣列的方式設(shè)置在所述掩模板上，與沉積基板的有機(jī)膜沉積區(qū)域相適應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板的厚度為8~80μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板的厚度為25~50μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述凹槽區(qū)域的深度為3~30μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板的材質(zhì)為鎳基合金。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板通過電鑄方式制備。
9.一種掩模組件,包括掩?？蚝蜋?quán)利要求1~8任意一項權(quán)利要求所述的掩模板,其特征在于，所述掩模板固定于所述掩模框上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩模組件，其特征在于，所述掩模板通過激光焊接或粘接方式固定于所述掩?？蛏稀?br> 【文檔編號】C25D1/10GK103589996SQ201310464805
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月9日
【發(fā)明者】魏志凌, 高小平, 魏志浩, 潘世珎, 許鐳芳 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司