的檢測(cè)裝置14包括影像擷取單元141、第一光源142以及第二光緣143。影像擷取單元141位于晶片100的上方，也就是位于承載平臺(tái)12的第二承載區(qū)122的上方，影像擷取單元141用以擷取晶片100的待測(cè)邊緣E的影像，值得一提的是，影像擷取單元141的光軸OA與晶片100的頂表面101之間具有夾角Θ 1，此夾角Θ I的范圍例如是介于30度至90度之間。第一光源142位于晶片100的上方，也就是位于承載平臺(tái)12的第二承載區(qū)122的上方，且第一光源142與影像擷取單元141例如是分別位于承載平臺(tái)12 (或是晶片100)的不同側(cè)，第一光源142的發(fā)光面1420面向晶片100的待測(cè)邊緣E。第二光源143位于晶片100的下方，具體而言，第二光源143例如是嵌設(shè)于承載平臺(tái)12，且第二光源143與影像擷取單元141例如是分別位于承載平臺(tái)12(或是晶片100)的同側(cè)，第二光源143的發(fā)光面1430面向晶片100的待測(cè)邊緣E。
[0057]在本實(shí)施例中，影像擷取單元141的光軸OA與晶片100的頂表面101之間的夾角Θ I例如是60度，但本實(shí)用新型并不以此為限，影像擷取單元141的光軸OA與晶片的頂表面101之間的夾角Θ I可視實(shí)際情況的需求而于30度至90度之間選用最適合的角度，當(dāng)影像擷取單元141的光軸OA與晶片100的頂表面101之間的夾角Θ I為60度時(shí)，影像擷取單元141能夠擷取到清晰的晶片100的待測(cè)邊緣E的影像。此外，影像擷取單元141與晶片100的頂表面101之間具有間距Gl，此間距Gl的范圍例如是介于大于O厘米且小于5厘米之間，但本實(shí)用新型并不限定影像擷取單元141與晶片100的頂表面101之間的間距Gl距離，可視實(shí)際情況的需求而于大于O厘米且小于5厘米之間選用最適合的間距距離。
[0058]在本實(shí)施例中，第一光源142的發(fā)光面1420與晶片100的表面101之間具有夾角Θ2，夾角Θ 2例如是介于20度至70度之間。此外，第一光源142與晶片100之間具有間距G2，間距G2的范圍例如是介于大于O厘米且小于20厘米之間。本實(shí)用新型并不限定第一光源142的發(fā)光面1420與晶片100的表面101之間具有夾角Θ 2角度以及第一光源142與晶片100之間的間距G2距離，可視實(shí)際情況的需求在能夠提供充足光線的前提下選用最適合的角度以及間距距離。此外，第二光源143的發(fā)光面1430例如是平行于晶片100的與頂表面101相對(duì)的底表面102，但本實(shí)用新型并不以此為限，在能夠提供充足光線的前提下，第二光源143與晶片100的底表面102之間也可視實(shí)際情況的需求而具有夾角。
[0059]在本實(shí)施例中，第一光源142與第二光源143所分別發(fā)出的光線例如是波長(zhǎng)范圍介于620納米至750納米之間的紅色光線，但本實(shí)用新型并不以此為限，在其它的實(shí)施例中，第一光源142與第二光源143所分別發(fā)出的光線例如是紅外線。
[0060]請(qǐng)參照?qǐng)D3，其為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本實(shí)施例的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備Ia與圖1所示的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備I的結(jié)構(gòu)大致類似，不同點(diǎn)在于，本實(shí)施例的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備Ia包括多個(gè)檢測(cè)裝置14、14a、14b。需特別說(shuō)明的是，為了方便說(shuō)明，圖3僅繪示出承載平臺(tái)12、晶片100與這些檢測(cè)裝置14、14a、14b等元件，此外，本實(shí)施例的檢測(cè)裝置14a、14b的架構(gòu)與檢測(cè)裝置14的架構(gòu)相同，而詳細(xì)的檢測(cè)裝置架構(gòu)請(qǐng)參照?qǐng)D2。本實(shí)施例的檢測(cè)裝置14、14a、14b沿著圓形軌跡配置，也就是沿著晶片100的圓形軌跡配置，且這些檢測(cè)裝置14、14a、14b彼此之間的間距例如是相等。具體而言，檢測(cè)裝置14的配置位置與檢測(cè)裝置14a之間具有圓心角CA Θ 1，檢測(cè)裝置14a與檢測(cè)裝置14b之間具有、圓心角CA Θ 2，檢測(cè)裝置14b與檢測(cè)裝置14之間具有圓心角CA0 3，且圓心角CA Θ 1、圓心角CA Θ 2以及圓心角CA Θ 3的角度彼此相等。在本實(shí)施例具有多個(gè)檢測(cè)裝置14、14a、14b的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)下，能夠通過(guò)這些檢測(cè)裝置14、14a、14b拍攝到晶片100不同待測(cè)邊緣的影像，根據(jù)多個(gè)不同待測(cè)邊緣的影像來(lái)判斷晶片邊緣是否產(chǎn)生清洗異常的情況，用于提升檢測(cè)的精準(zhǔn)度。
[0061 ] 需特別說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，檢測(cè)裝置的數(shù)量是以3個(gè)為例進(jìn)行說(shuō)明，但本實(shí)用新型并不加以限定檢測(cè)裝置的數(shù)量，在電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備Ia的配置空間充足的情況下，檢測(cè)裝置的配置數(shù)量可依實(shí)際情況的需求而有所增加。
[0062]請(qǐng)參照?qǐng)D4，其為本實(shí)用新型的一實(shí)施例的晶片邊緣檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，本實(shí)施例的晶片邊緣檢測(cè)系統(tǒng)2包括電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備Ib以及處理單元20。在本實(shí)施例中，電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備Ib的結(jié)構(gòu)大致與圖1所示的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備I的結(jié)構(gòu)類似，其相關(guān)元件的說(shuō)明，請(qǐng)參照?qǐng)D1，在此不另行贅述。本實(shí)施例的處理單元20電連接于電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備Ib的檢測(cè)裝置14，處理單元20用以接收影像擷取單元141所擷取晶片100的待測(cè)邊緣的影像，處理單元20根據(jù)晶片100的待測(cè)邊緣的影像而計(jì)算出晶片邊緣寬度值，將晶片邊緣寬度值與晶片邊緣寬度標(biāo)準(zhǔn)值(例如是2.2_或是2.8_)比較后而得到晶片邊緣寬度變化量，并將晶片邊緣寬度變化量與門(mén)檻值比較后而判斷晶片是否處于異常狀態(tài)，倘若晶片邊緣寬度變化量超出門(mén)檻值，則判定晶片100處于異常狀態(tài)，處理單元20因應(yīng)晶片100處于異常狀態(tài)而控制電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備Ib停止運(yùn)作。倘若晶片邊緣寬度變化量并未超出門(mén)檻值，則判定晶片100處于正常狀態(tài)，處理單元20不會(huì)停止電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備Ib的運(yùn)作，并持續(xù)進(jìn)行上述監(jiān)控晶片是否處于異常狀態(tài)的步驟。
[0063]綜上所陳，本實(shí)用新型實(shí)施例的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備以及晶片邊緣檢測(cè)系統(tǒng)，其具有用以檢測(cè)晶片的待測(cè)邊緣的檢測(cè)裝置，以達(dá)成在電化學(xué)電鍍制作工藝中即時(shí)檢測(cè)晶片的邊緣是否產(chǎn)生清洗異常的情況。本實(shí)用新型實(shí)施例的檢測(cè)裝置包括影像擷取單元、第一光源以及第二光源。通過(guò)將影像擷取單元置于晶片上方，且影像擷取單元的光軸與晶片的頂表面之間具有范圍介于30度至90度的夾角，搭配第一光源與第二光源分別置于晶片的上方與下方且發(fā)光面面向晶片的待測(cè)邊緣，用以提供充足的光線，在這樣結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)下，能夠清楚拍攝到晶片邊緣的影像，并根據(jù)此影像有效判斷晶片邊緣是否產(chǎn)生清洗異常的情況。此外，本實(shí)用新型實(shí)施例的晶片邊緣檢測(cè)系統(tǒng)能夠在晶片邊緣產(chǎn)生清洗異常時(shí)，即時(shí)的控制電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備停止運(yùn)作，以阻止晶片邊緣清洗異常的情況持續(xù)發(fā)生。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備包括: 電鍍與邊緣金屬清洗模塊，用以對(duì)一晶片進(jìn)行一電鍍制作工藝與一邊緣金屬清洗制作工藝； 承載平臺(tái)，用以承載該晶片； 第一機(jī)械手臂，位于該電鍍與邊緣金屬清洗模塊以及該承載平臺(tái)之間，用以抓取該晶片以使該晶片于該電鍍與邊緣金屬清洗模塊與該承載平臺(tái)之間移動(dòng)；以及 至少一檢測(cè)裝置，配置于該承載平臺(tái)，用以檢測(cè)置放于該承載平臺(tái)的該晶片的一待測(cè)邊緣，該檢測(cè)裝置包括: 影像擷取單元，位于該晶片的上方，用以擷取該晶片的該待測(cè)邊緣的影像，且該影像擷取單元的一光軸與該晶片的一頂表面之間具有一夾角，該夾角的范圍介于30度至90度之間； 第一光源，位于該晶片的上方，該第一光源的一第一發(fā)光面面向該待測(cè)邊緣；以及 第二光源，位于該晶片的下方，該第二光源的一第二發(fā)光面面向該待測(cè)邊緣。2.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該影像擷取單元與該晶片的該頂表面之間具有一間距，該間距大于O厘米且小于5厘米。3.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該第一光源的該第一發(fā)光面與該晶片的該頂表面之間具有一夾角，該夾角的范圍介于20度至70度之間。4.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該第一光源與該晶片的該頂表面之間具有一間距，該間距大于O厘米且小于20厘米。5.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該第二光源的該第二發(fā)光面平行于該晶片的一與該頂表面相對(duì)的底表面。6.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該影像擷取單元的該光軸與該晶片的該頂表面之間的夾角為60度。7.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該至少一檢測(cè)裝置的數(shù)量為多個(gè)，該些檢測(cè)裝置沿著一圓形軌跡配置，且該些檢測(cè)裝置彼此之間的間距相等。8.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該第一光源與該第二光源所分別發(fā)出的光線為波長(zhǎng)范圍介于620納米至750納米之間的紅色光線。9.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該第一光源與該第二光源所分別發(fā)出的光線為紅外線。10.如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備還包括: 加熱模塊，用以對(duì)一晶片進(jìn)行一熱處理制作工藝； 晶片傳送盒，用以容置該晶片；以及 第二機(jī)械手臂，位于該承載平臺(tái)、該加熱模塊以及該晶片傳送盒之間，用以抓取該晶片以使該晶片于該承載平臺(tái)、該加熱模塊以及該晶片傳送盒之間移動(dòng)。11.一種晶片邊緣檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，該晶片邊緣檢測(cè)系統(tǒng)包括: 如權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備；以及 處理單元，電連接于該檢測(cè)裝置，用以接收該影像擷取單元所擷取該晶片的該待測(cè)邊緣的影像，該處理單元根據(jù)該待測(cè)邊緣的影像而計(jì)算出一晶片邊緣寬度值，將該晶片邊緣寬度值與一晶片邊緣寬度標(biāo)準(zhǔn)值比較后而得到一晶片邊緣寬度變化量，并將該晶片邊緣寬度變化量與一門(mén)檻值比較后而判斷該晶片是否處于一異常狀態(tài)，該處理單元因應(yīng)該晶片處于該異常狀態(tài)而控制該電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備停止運(yùn)作。
【專利摘要】一種電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備以及晶片邊緣檢測(cè)系統(tǒng)。該電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備包括電鍍與邊緣金屬清洗模塊、承載平臺(tái)、機(jī)械手臂以及檢測(cè)裝置。電鍍與邊緣金屬清洗模塊對(duì)晶片進(jìn)行電鍍制作工藝與邊緣金屬清洗制作工藝。承載平臺(tái)承載晶片。機(jī)械手臂抓取晶片于電鍍與邊緣金屬清洗模塊與承載平臺(tái)之間移動(dòng)。檢測(cè)裝置配置于承載平臺(tái)，以檢測(cè)晶片的待測(cè)邊緣。檢測(cè)裝置包括影像擷取單元、第一光源以及第二光源。影像擷取單元位于晶片的上方，擷取晶片的待測(cè)邊緣的影像。影像擷取單元的光軸與晶片的頂表面之間具有介于30度至90度之間的夾角。第一光源位于晶片的上方，第一光源的發(fā)光面面向待測(cè)邊緣。第二光源位于晶片的下方，第二光源的發(fā)光面面向待測(cè)邊緣。
【IPC分類】C25D7/12, H01L21/66
【公開(kāi)號(hào)】CN204779879
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520505814
【發(fā)明人】陳俊鑫, 付鵬, 林德耀, 劉耀鴻, 林俊鴻, 梁立群, 羅志明
【申請(qǐng)人】聯(lián)華電子股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月18日
【申請(qǐng)日】2015年7月14日