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      單桿變缸體自適應(yīng)磁流變阻尼器的制造方法

      文檔序號:8940010閱讀:318來源:國知局
      單桿變缸體自適應(yīng)磁流變阻尼器的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及變阻尼緩沖減振儀器領(lǐng)域,特指一種單桿變缸體自適應(yīng)磁流變阻尼器。
      【背景技術(shù)】
      [0002]磁流變阻尼器是一種智能減振儀器,現(xiàn)有的磁流變阻尼器是在工作缸內(nèi)安裝活塞,并在缸體內(nèi)充滿磁流變液,通過電源控制來調(diào)整磁流變液的強度實現(xiàn)阻尼改變,這類磁流變液阻尼器中活塞外壁與工作缸內(nèi)壁間隙恒定,阻尼的改變完全依靠外部電源的控制?,F(xiàn)有的磁流變液阻尼器雖然實現(xiàn)了變阻尼,但是仍存在著一定的缺陷:阻尼的改變依靠外部電源,需要裝設(shè)一定的電路和電源;磁流變液的黏度改變限制了阻尼力的調(diào)節(jié)范圍。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明需解決的技術(shù)問題是:針對現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)合理、無需外部電源、僅依靠變缸體實現(xiàn)工作間隙改變自適應(yīng)調(diào)節(jié)阻尼的磁流變阻尼器。
      [0004]為了解決上述問題,本發(fā)明提出的解決方案為:單桿變缸體自適應(yīng)磁流變阻尼器,包括磁流變液缸體、左端蓋、右端蓋、活塞桿、活塞、兩組導(dǎo)向桿、密封裝置、直線軸承;所述磁流變液缸體為中部內(nèi)徑大、兩端部內(nèi)徑小的變缸體空心圓筒;所述左端蓋、所述右端蓋分別裝設(shè)于所述磁流變液缸體的左、右兩端;所述左端蓋上開設(shè)兩個定位孔;所述右端蓋的中心設(shè)有一個軸承孔,設(shè)有兩個關(guān)于所述軸承孔對稱分布的調(diào)整孔;所述活塞上下各開設(shè)一個導(dǎo)向孔。
      [0005]兩組所述導(dǎo)向桿相同,平行放置于所述磁流變液缸體的內(nèi)部;所述導(dǎo)向桿中部通過所述活塞的導(dǎo)向孔,左端通過所述密封裝置放置于所述左端蓋的定位孔中,右端通過所述密封裝置放置于所述右端蓋的調(diào)整孔中;所述活塞上裝設(shè)有平行于所述導(dǎo)向桿的活塞桿;所述活塞桿右端通過所述密封裝置和直線軸承伸到所述磁流變液缸體的外部,所述密封裝置和直線軸承裝設(shè)于所述右端蓋的軸承孔中。
      [0006]所述磁流變液缸體、所述左端蓋、所述右端蓋構(gòu)成密閉空間,里面充滿磁流變液;所述活塞把磁流變液缸體分割為第一磁流變室、第二磁流變室;所述活塞的外徑等于所述磁流變液缸體的最小內(nèi)徑。
      [0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點在于:本發(fā)明的單桿變缸體自適應(yīng)磁流變阻尼器,通過變缸體內(nèi)徑實現(xiàn)活塞與磁流變液缸體之間的工作間隙從最大值逐漸減小到零,即活塞位于中間平衡位置時,間隙最大,阻尼最??;活塞遠離中間平衡位置時,間隙逐漸變小,阻尼增加。由此可知,本發(fā)明結(jié)構(gòu)合理、無需外部電源、阻尼隨活塞位置的改變而自適應(yīng)調(diào)節(jié)磁流變液阻尼。
      【附圖說明】
      [0008]圖1是活塞位于平衡位置時本發(fā)明的單桿變缸體自適應(yīng)磁流變阻尼器結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0009]圖2是活塞位于左極限位置時本發(fā)明的單桿變缸體自適應(yīng)磁流變阻尼器結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0010]圖3是活塞位于右極限位置時本發(fā)明的單桿變缸體自適應(yīng)磁流變阻尼器結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0011]圖中,I一磁流變液缸體;2—左端蓋;3—右端蓋;4一活塞;5—活塞桿;6—導(dǎo)向桿;7—密封裝置;8—第一磁流變室;9一第二磁流變室;10—直線軸承;11 一工作間隙;21 一定位孔;31—調(diào)整孔;32—軸承孔;41 一導(dǎo)向孔。
      【具體實施方式】
      [0012]以下將結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。
      [0013]參見圖1所示,本發(fā)明的單桿變缸體自適應(yīng)磁流變阻尼器,它包括磁流變液缸體
      1、左端蓋2、右端蓋3、活塞桿5、活塞4、兩組導(dǎo)向桿6、密封裝置7、直線軸承10 ;磁流變液缸體I為中部內(nèi)徑大、兩端部內(nèi)徑小的變缸體空心圓筒;左端蓋2、右端蓋3分別裝設(shè)于磁流變液缸體I的左、右兩端;左端蓋2上開設(shè)兩個定位孔21 ;右端蓋3的中心設(shè)有一個軸承孔32,兩個關(guān)于軸承孔32對稱分布的調(diào)整孔31A、31B ;活塞4上下各開設(shè)一個導(dǎo)向孔41A、41B。
      [0014]兩組導(dǎo)向桿6A、6B完全相同,平行放置于磁流變液缸體I的內(nèi)部;導(dǎo)向桿6中部通過活塞4的導(dǎo)向孔41,左端通過密封裝置7放置于左端蓋2的定位孔21中,右端通過密封裝置7放置于右端蓋3的調(diào)整孔31中;活塞4上裝設(shè)有平行于導(dǎo)向桿6的活塞桿5 ;活塞桿5右端通過密封裝置7和直線軸承10伸到磁流變液缸體I的外部,密封裝置7和直線軸承10裝設(shè)于右端蓋3的軸承孔7中;磁流變液缸體1、左端蓋2、右端蓋3構(gòu)成密閉空間,里面充滿磁流變液;活塞4把磁流變液缸體I分割為:第一磁流變室8和第二磁流變室9。
      [0015]參見圖1、圖2、圖3所示,活塞4的外徑等于磁流變液缸體I的最小內(nèi)徑;活塞4位于磁流變液缸體I的中間位置時,第一磁流變室8與第二磁流變室9大小相等,活塞4與磁流變液缸體I之間的工作間隙11最大,阻尼最小;隨著活塞4向左或者右運動,第一磁流變室8與第二磁流變室9的體積逐漸改變,且活塞4與磁流變液缸體I之間的工作間隙11逐漸縮小,阻尼逐漸變大,直至到達極限位置圖2或圖3所示,阻尼變得異常巨大。
      [0016]變阻尼自適應(yīng)原理:活塞4從磁流變液缸體I的中心位置(即初始平衡位置)向兩端運動的過程中,工作間隙11逐漸變小,阻尼越來越大;活塞4從磁流變液缸體I的左右兩個極限位置向中心位置運動過程中,工作間隙11逐漸變大,阻尼越來越小。
      【主權(quán)項】
      1.單桿變缸體自適應(yīng)磁流變阻尼器,其特征在于:包括磁流變液缸體(I)、左端蓋(2)、右端蓋(3)、活塞桿(5)、活塞(4)、兩組導(dǎo)向桿(6)、密封裝置(7)和直線軸承(10);所述磁流變液缸體(I)為中部內(nèi)徑大、兩端部內(nèi)徑小的變缸體空心圓筒;所述左端蓋(2)、所述右端蓋(3)分別裝設(shè)于所述磁流變液缸體(I)的左、右兩端;所述左端蓋(2)上開設(shè)兩個定位孔(21);所述右端蓋(3)的中心設(shè)有一個軸承孔(32),和兩個關(guān)于所述軸承孔(32)對稱分布的調(diào)整孔(31A、31B);所述活塞(4)上下各開設(shè)一個導(dǎo)向孔(41A、41B);兩組所述導(dǎo)向桿(6A、6B)完全相同,平行放置于所述磁流變液缸體⑴的內(nèi)部;所述導(dǎo)向桿(6)中部通過所述活塞(4)的導(dǎo)向孔(41),左端通過所述密封裝置(7)放置于所述左端蓋(2)的定位孔(21)中,右端通過所述密封裝置(7)放置于所述右端蓋(3)的調(diào)整孔(31)中;所述活塞(4)上裝設(shè)有平行于所述導(dǎo)向桿¢)的活塞桿(5);所述活塞桿(5)右端通過所述密封裝置(7)和直線軸承(10)伸到所述磁流變液缸體(I)的外部,所述密封裝置(7)和直線軸承(10)裝設(shè)于所述右端蓋(3)的軸承孔(7)中;所述磁流變液缸體(I)、所述左端蓋(2)、所述右端蓋(3)構(gòu)成密閉空間,里面充滿磁流變液;所述活塞(4)把磁流變液缸體(I)分割為第一磁流變室(8)、第二磁流變室(9);所述活塞(4)的外徑等于所述磁流變液缸體(I)的最小內(nèi)徑。
      【專利摘要】本發(fā)明公開了單桿變缸體自適應(yīng)磁流變阻尼器,它包括磁流變液缸體、左端蓋、右端蓋、活塞桿、活塞、兩組導(dǎo)向桿、密封裝置、直線軸承;磁流變液缸體為中部內(nèi)徑大、兩端部內(nèi)徑小的變缸體空心圓筒;活塞的外徑等于磁流變液缸體的最小內(nèi)徑;活塞在磁流變液缸體內(nèi)部運動時,活塞與磁流變液缸體內(nèi)徑之間的間隙逐漸改變,從而導(dǎo)致阻尼改變。本發(fā)明是一種通過改變缸體內(nèi)徑與活塞之間的間隙實現(xiàn)阻尼自適應(yīng)改變的磁流變阻尼器。
      【IPC分類】F16F9/53, F16F9/48
      【公開號】CN105156558
      【申請?zhí)枴緾N201510422941
      【發(fā)明人】班書昊, 李曉艷, 龐明軍, 蔣學(xué)東, 譚鄒卿, 席仁強
      【申請人】常州大學(xué)
      【公開日】2015年12月16日
      【申請日】2015年7月18日
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