專利名稱：快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系關(guān)于一種檢測DRAM的漏電流的方法，特別有關(guān)于一種能快速地檢測DRAM字元線的微小漏電流的方法。
傳統(tǒng)上要得知導(dǎo)致漏電的缺陷的種類，需要先進行電性分析以得知那些字元線是不正常的，于此之后，再透過物性分析，即透過化學(xué)溶劑將DRAM從表層一層一層剝除并透過電子顯微鏡觀看，才能得知可能是那一種缺陷造成的漏電，可是這樣的動作常常花費相當(dāng)長的時間，有時甚至于還看不出來，若能快速地判斷出導(dǎo)致漏電的缺陷的種類，便能盡速發(fā)現(xiàn)制程的問題。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明系提供一種快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，適用于一記憶體中產(chǎn)生微漏電的一缺陷的字元線，本方法包括首先，建構(gòu)一電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表。接著，啟動上述缺陷字元線。然后，施加一第一電壓于上述缺陷字元線上，并同時量測上述缺陷字元線上的對應(yīng)電特性。最后，根據(jù)上述所量測的電特性與上述電特性與缺陷型態(tài)的關(guān)系表比對，以判斷上述陷缺字元線的缺陷型態(tài)。
本發(fā)明的另一目的，更提供另一種快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，包括首先，步驟(a)建構(gòu)一電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表。接著，步驟(b)啟動一半導(dǎo)體裝置中的一字元線。然后，步驟(c)施加一第二電壓于上述字元線上，并同時量測上述字元線上的電流。接下來，步驟(d)根據(jù)所量測到的電流的大小，決定上述字元線是否具有缺陷，若上述字元線具有缺陷，則進行下一步驟。接著，進行步聚(e)施加一第三電壓于上述字元線上，并同時量測上述字元線上的對應(yīng)電特性。接下來，步驟(f)根據(jù)上述所量測的電特性與上述電特性與缺陷型態(tài)的關(guān)系表比對，以判斷上述字元線的缺陷型態(tài)。然后，步驟(g)關(guān)閉上述字元線。接著，步驟(h)啟動上述半導(dǎo)體裝置中的下一條字元線，并重新執(zhí)行上述步驟(c)。
透過本發(fā)明所提供的判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，即籍由對宇元線的電性分析，快速地判別導(dǎo)致字元線泄漏的缺陷型態(tài)，以提供制程人員作立即的處理，以增加制程的良率，是故達(dá)到產(chǎn)能的提升。
符號說明S1-控制信號；MOS1-PMOS電晶體；MOS2-NMOS電晶體；10-記憶胞；12-加壓墊；14-電流計；16-參數(shù)量測單元；BL1-位元線；WL1-字元線；T1-第一缺陷型態(tài)；T2-第二缺陷型態(tài)；T3-第三缺陷型態(tài)。
本發(fā)明的判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，適用于一記億體中產(chǎn)生微漏電的一缺陷的導(dǎo)元線，本方法包括下列步驟首先，進行步驟S10，建構(gòu)一電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表；接著，進行步驟S12，啟動上述缺陷字元線；然后，進行步驟S14，施加一第一電壓于上述缺陷字元線上，并同時量測上述缺陷字元線上的對應(yīng)電特性；最后進行步驟S16，根據(jù)上述所量測的電特性與上述電特性與缺陷型態(tài)的關(guān)系表比對，以判斷上述陷缺字元線的缺陷型態(tài)。
參考

圖1的本發(fā)明的架構(gòu)圖，以說明本發(fā)明的判別字元線的缺陷型態(tài)的方法。傳統(tǒng)的測試機臺可以測得一個半導(dǎo)體裝置中哪些字元線具有缺陷，并記錄下來，在本例中，假設(shè)已知字元線WL1為一個具有缺陷的字元線。
請參照圖2，圖2為本發(fā)明的第一實施例的方法流程圖，首先，進行步驟S10，透過預(yù)先量測不同缺陷型態(tài)的缺陷字元線，與電特性之間的關(guān)系，以建構(gòu)一電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表。舉例來說，缺陷型態(tài)可包括字元線和位元線的大區(qū)域短路、字元線與位元線的小區(qū)域短路以及字元線與基板的微量短路，即閘極氧化層中有微孔洞，另外，上述電特性可為一電壓值、電流值、電阻值。
如圖3中所示，電流-電壓曲線T1、T2及T3，分別對應(yīng)為一字元線和位元線的大區(qū)域短路、字元線與位元線的小區(qū)域短路，以及字元線與基板的微量短路三種缺陷，在本例中，系透過上述三種缺陷型態(tài)的字元線與電流-電壓曲線的關(guān)系，以建構(gòu)一電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表。
接著，進行步驟S12，如圖1中所示，籍由一外部電路，例如一測試機臺的控制電路，輸入一致能信號S1至第一、第二電晶體MOS1、MOS2，以啟動上述缺陷字元線WL1。
然后，進行步驟S14，透過一測試機臺的一參數(shù)量測單元16經(jīng)由一電壓墊12，施加一第一電壓于上述缺陷字元線WL1上。其中上述一第一電壓為一個時變電壓，電壓值由小變大，舉例來說，可由0.01伏特增加至7伏特。同時使用一電特性量測裝置，以量測上述缺陷字元線WL1上的對應(yīng)電特性，在本例中，系使用一電流計14以量測上述缺陷字元線WL1的對應(yīng)電流。
最后，進行步驟S16，根據(jù)上述電流計14所量測到的上述缺陷字元線的電特性，與上述電特性與缺陷型態(tài)的關(guān)系表比對，以判斷上述陷缺字元線的缺陷型態(tài)。在本例中，系根據(jù)上述電流計14所量測到的上述缺陷字元線的電流及所施加的上述第一電壓，來判斷上述缺陷字元線WL1的缺陷型態(tài)。例如，當(dāng)施加于上述缺陷字元線WL1為6伏特時，且所量測到的電流為1單位電流時，則上述缺陷字元線WL1為字元線和位元線的大短路(T1)。再者，當(dāng)施加于上述缺陷字元線WL1為6伏特時，且所量測到的電流為0.2單位電流時，則上述缺陷字元線WL1為字元線與位元線的小短路(T2)，若是當(dāng)施加于上述缺陷字元線WL1為6伏特時，且所量測到的電流為0.12單位電流時，則上述缺陷字元線WL1字元線與基板的微量短路(T3)。
實施例2本發(fā)明的另一種快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，包括首先，步驟(a)建構(gòu)一電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表。接著，步驟(b)啟動一半導(dǎo)體裝置中的一字元線。然后，步驟(C)施加一第二電壓于上述字元線上，并同時量測上述字元線上的電流。接下來，步驟(d)根據(jù)所量測到的電流的大小，決定上述字元線是否具有缺陷，若上述字元線不具有缺陷，則進行步驟(g)；若上述字元線具有缺陷，則進行下一步驟。接著，進行步驟(e)施加一第三電壓于上述字元線上，并同時量測上述字元線上的對應(yīng)電特性。接下來，步驟(f)根據(jù)上述所量測的電特性與上述電特性與缺陷型態(tài)的關(guān)系表比對，以判斷上述字元線的缺陷型態(tài)。然后，步驟(g)關(guān)閉上述字元線。接著，步驟(h)啟動上述半導(dǎo)體裝置中的下一條字元線，并重新執(zhí)行上述步驟(c)。
如圖4中所示，首先，進行步驟S20，透過預(yù)先量測不同缺陷型態(tài)與電特性間的關(guān)系，以建構(gòu)一電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表。舉例來說，缺陷型態(tài)可包括字元線和位元線的大區(qū)域短路、字元線與位元線的小區(qū)域短路，以及字元線與基板的微量短路，即閘極氧化層中有微孔洞，另外，上述電特性可為一電壓值、電流值、電阻值。如圖3中所示，電流-電壓曲線T1、T2及T3，分別對應(yīng)為一字元線和位元線的大區(qū)域短路、字元線與位元線的小區(qū)域短路，以及字元線與基板的微量短路三種缺陷，在本例中，系透過上述三種缺陷型態(tài)的字元線與電流-電壓曲線的關(guān)系，以建構(gòu)一電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表。
接著，進行步驟S22，如圖1中所示，籍由一外部電路，例如一測試機臺的控制電路，輸入一致能信號S1至第一、第二電晶體MOS1、MOS2，以啟動一字元線。
然后，進行步驟S24，透過一測試機臺的一參數(shù)量測單元16經(jīng)由一電壓墊12，施加一第二電壓于上述字元線上。其中上述一第二電壓為一個固定電壓，舉例來說，可由0.01伏特至5伏特之間。同時使用一電特性量測裝置，以量測上述字元線上的對應(yīng)電特性，在本例中，系使用一電流計14以量測上述字元線的對應(yīng)電流。
接下來，進行步驟S26，根據(jù)上述電流計14所量測到的電流的大小，決定上述字元線是否具有缺陷，其中若量測到的電流大于一既定電流值，舉例來說為1.0微安培時，則上述字元線具有缺陷，反之亦反。其中，若上述字元線不具有缺陷時，則進行步驟S32。
若上述字元線具有缺陷，則進行步驟S28，透過一測試機臺之上述參數(shù)量測單元16經(jīng)由一電壓墊12，施加一第三電壓于上述字元線上。其中上述一第三電壓為一個時變電壓，電壓值由小變大，舉例來說，可由0.01伏特增加至7伏特。同時使用一電特性量測裝置，以量測上述字元線上的對應(yīng)電特性，在本例中，系使用一電流計14以量測上述字元線的對應(yīng)電流。
接下來，進行步驟S30，根據(jù)上述電流計14所量測到的上述缺陷字元線的電特性，與上述電特性與缺陷型態(tài)的關(guān)系表比對，以判斷上述缺陷字元線的缺陷型態(tài)。舉例來說，系根據(jù)上述電流計14所量測到的上述缺陷字元線的電流及所施加的上述第三電壓，來判斷上述字元線的缺陷型態(tài)。例如，當(dāng)施加于上述字元線為6伏特時，且所量測到的電流為1單位電流時，則上述字元線為字元線和位元線的大短路(T1)。再者，當(dāng)施加于上述字元線為6伏特時，且所量測到的電流為0.2單位電流時，則上述字元線為字元線與位元線的小短路(T2)，若是當(dāng)施加于上述字元線為6伏特時，且所量測到的電流為0.12單位電流時，則上述字元線為字元線與基板的微量短路(T3)。
接著，進行步驟S32，關(guān)閉上述字元線，然后，進行步驟S34，啟動上述半導(dǎo)體裝置中的下一條字元線，并重新執(zhí)行上述步驟S22。
透過本發(fā)明所提供的判別字元線的缺陷型態(tài)的方法即籍由對字元線的電性分析，快速地判別導(dǎo)致字元線泄漏的缺陷型態(tài)，以提供制程人員作立即的處理，以增加制程的良率，是故達(dá)到產(chǎn)能的提升。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，適用于一記憶體中產(chǎn)生微泄漏的一缺陷的字元線，本方法包括建構(gòu)一電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表；啟動上述缺陷字元線；施加一第一電壓于上述缺陷字元線上，并同時量測上述陷缺字元線上的對應(yīng)電特性；以及根據(jù)上述所量測的電特性與上述電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表比對，以判斷上述缺陷字元線的缺陷型態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，其特征在于上述電特性為電流。
3.如權(quán)利要求1所述的快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，其特征在于上述第一電壓為一時變電壓，電壓值由小變大。
4.如權(quán)利要求3所述的快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，其特征在于上述時變電壓的電壓值大抵上由0.01伏特增加至7伏特。
5.一種快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，包括(a)建構(gòu)一電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表；(b)啟動一半導(dǎo)體裝置中的一字元線；(c)施加一第二電壓于上述字元線上，并同時量測上述字元線上的電流；(d)根據(jù)所量測到的電流的大小，決定上述字元線是否具有缺陷，若上述字元線具有缺陷，則進行下一步驟；(e)施加一第三電壓于上述字元線上，并同時量測上述字元線上的對應(yīng)電特性；(f)根據(jù)上述所量測的電特性與上述電特性與缺陷型態(tài)的關(guān)系表比對，以判斷上述字元線的缺陷型態(tài)；(g)關(guān)閉上述字元線；以及(h)啟動上述半導(dǎo)體裝置中的下一條字元線，并重新執(zhí)行上述步驟(C)。
6.如權(quán)利要求5所述的快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，其特征在于上述步驟(d)更包括若上述字元線不具有缺陷時，進行步驟(g)。
7.如權(quán)利要求5所述的快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，其特征在于上述第三電壓為一時變電壓，電壓值由小變大。
8.如權(quán)利要求5所述的快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，其特征在于上述第二電壓為具有一既定電壓值。
9.如權(quán)利要求5所述的快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，其特征在于上述電特性為電流。
10.如權(quán)利要求7所述的快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，其特征在于上述時變電壓的電壓值大抵上由0伏特增加至7伏特。
11.如權(quán)利要求5所述的快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，其特征在于上述半導(dǎo)體裝置為動態(tài)存取記憶體(DRAM)。
全文摘要
一種快速判別字元線的缺陷型態(tài)的方法，適用于一記憶體中產(chǎn)生微泄漏之一缺陷的字元線，本方法包括首先，建構(gòu)一電特性與缺陷型態(tài)的對應(yīng)關(guān)系表；接著，啟動上述缺陷字元線；然后，施加一第一電壓于上述缺陷字元線上并同時量測上述缺陷字元線上的對應(yīng)電特性；最后，根據(jù)上述所量測的電特性與上述電特性與缺陷型態(tài)的關(guān)系表比對，以判斷上述陷缺字元線的缺陷型態(tài)。
文檔編號G01R31/26GK1450566SQ02106278
公開日2003年10月22日 申請日期2002年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月8日
發(fā)明者楊吳德 申請人:南亞科技股份有限公司