專利名稱：多方向漏電流路徑的測試結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明系關(guān)于一種測試結(jié)構(gòu)，特別是指一種可測試多種方向的漏電流路徑的測試結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在電路保護的測試中，測試保護電路的漏電流是很重要的項目，若是漏電流過大，不但危及保護電路，也會導致測試的失敗。在一般的邏輯電路中，在一N型阱中，由于P型重摻雜區(qū)與N型重摻雜主動區(qū)的間距小，可能導致P型重摻雜區(qū)移動至N型重摻雜主動區(qū)。當N型重摻雜區(qū)也以相同方向移動時，N型重摻雜區(qū)很有可能接近阱邊界區(qū)域，導致漏電流的形成。然而，通常用來測試漏電流路徑的一維的測試結(jié)構(gòu)，只能用來測試單一方向的漏電流路徑，導致欲測試不同方向的漏電流時，需使用不同的測試結(jié)構(gòu)，無法有效測試與監(jiān)控漏電流路徑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種測試結(jié)構(gòu)，利用接觸與摻雜區(qū)的特別配置，可應用于多種方向的漏電流路徑測試。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種測試多種方向的漏電流路徑的測試結(jié)構(gòu)，利用接觸與摻雜區(qū)的相對偏移位置，可測試不同方向的漏電流路徑。
為達到以上所述的目的，本發(fā)明提供一種測試結(jié)構(gòu)，用以測試多方向的漏電流路徑，其中多方向包含一第一方向與一第二方向，該第一方向不同于該第二方向，該測試結(jié)構(gòu)包含具有一第一導電性的一第一阱位于一底材中；具有第一導電性的一第一摻雜區(qū)位于第一阱中，其摻雜濃度高于第一阱；一第一接觸(contact)位于第一摻雜區(qū)上，并且接觸第一摻雜區(qū)，其具有一第一部分平行于第一方向，與一第二部分平行于第二方向；具有一第二導電性的復數(shù)個第二摻雜區(qū)位于第一阱中，并且隔離于第一摻雜區(qū)，其中在第三方向上，每一第二摻雜區(qū)同時相鄰但隔離于第一部分與第二部分，其中該第二導電性不同于該第一導電性；復數(shù)個第二接觸位于復數(shù)個第二摻雜區(qū)上，并且每一第二接觸對應著每一第二摻雜區(qū)。
本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)，還可以包含一拾起(pick-up)區(qū)位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該拾起區(qū)具有該第二導電性。進一步的，本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)，還可以包含一第二阱，其位于該底材中，接觸該第一阱，并包含該拾起區(qū)，該第二阱具有該第二導電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該拾起區(qū)。
本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)，當該第一接觸與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)朝該第一方向形成相對偏移(shift)位置時，在該第三方向上，該第二部分與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測試漏電流路徑。
本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)，當該第一接觸與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)朝該第二方向上形成相對偏移位置時，在該第三方向上，該第一部分與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測試漏電流路徑。更優(yōu)的是，該第三方向同時垂直于該第一方向與該第二方向。
本發(fā)明另提供一種測試結(jié)構(gòu)，用以測試多方向的漏電流路徑，該測試結(jié)構(gòu)包含具有一第一導電性的一第一阱位于一底材中；具有第一導電性的一第一摻雜區(qū)位于第一阱中，其摻雜濃度高于第一阱；一第一接觸位于第一摻雜區(qū)上，并且接觸第一摻雜區(qū)，其具有一第一部分平行于第一方向，與一第二部分平行于第二方向；具有一第二導電性的復數(shù)個第二摻雜區(qū)位于第一阱中，并且隔離于第一摻雜區(qū)，在每一該第二摻雜區(qū)的正上方，每一第二摻雜區(qū)同時相鄰但隔離于第一部分與第二部分，該第三方向同時垂直于該第一方向與該第二方向，其中該第二導電性不同于該第一導電性；復數(shù)個第二接觸位于復數(shù)個第二摻雜區(qū)上，并且每一第二接觸對應于每一第二摻雜區(qū)，每一該第二接觸隔離但同時相鄰于該第一部分及該第二部分。
上述的測試結(jié)構(gòu)，還可以包含一拾起區(qū)，其位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該拾起區(qū)具有該第二導電性。進一步的，所述的測試結(jié)構(gòu)，還可以包含一第二阱，其位于該底材中，接觸該第一阱，并包含該拾起區(qū)，該第二阱具有該第二導電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該拾起區(qū)。
本發(fā)明提供第三種測試結(jié)構(gòu)，用以測試漏電流路徑，該測試結(jié)構(gòu)包含一第一接觸位于一底材上，該第一接觸具有一第一部分平行于一第一方向，與一第二部分平行于一第二方向，該第一方向不同于該第二方向；復數(shù)個第二接觸位于該底材上，每一該第二接觸隔離(isolated from)于該第一接觸，但同時相鄰(adjacent to)于該第一部分及該第二部分；一第一阱位于該底材中，并位于該第一接觸與該第二接觸的下方(underlay)，該第一阱具有一第一導電性；一第一摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且接觸(contacting with)該第一接觸，該第一摻雜區(qū)具有該第一導電性，并且該第一摻雜區(qū)的摻雜濃度高于該第一阱；以及復數(shù)個第二摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且隔離于該第一摻雜區(qū)，每一該第二摻雜區(qū)接觸每一該第二接觸，該復數(shù)個第二摻雜區(qū)具有一第二導電性，該第二導電性不同于該第一導電性。
上述的第三種測試結(jié)構(gòu)，還可以包含一第三摻雜區(qū)，其位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該第三摻雜區(qū)具有該第二導電性。進一步的，所述的測試結(jié)構(gòu)，還可以包含一第二阱，其位于該底材中，接觸該第一阱，并包含該第三摻雜區(qū)，該第二阱具有該第二導電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)。
本發(fā)明的第三種測試結(jié)構(gòu)還可以是，任一該第二摻雜區(qū)在一第三方向上同時相鄰但隔離于該第一部分及該第二部分，該第三方向垂直于該第一方向與該第二方向。更優(yōu)的是，當該第一接觸與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)朝該第一方向形成相對偏移(shift)位置時，在該第三方向上，該第二部分與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測試漏電流路徑。更優(yōu)的是，上述形成部分重迭情形的部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)至少包含位于平行該第二方向上的兩個該第二摻雜區(qū)。
本發(fā)明的第三種測試結(jié)構(gòu)，當任一該第二摻雜區(qū)在一第三方向上同時相鄰但隔離于該第一部分及該第二部分，該第三方向垂直于該第一方向與該第二方向，并當該第一接觸與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)朝該第二方向形成相對偏移位置時，在該第三方向上，該第一部分與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測試漏電流路徑。更優(yōu)的是，上述形成部分重迭情形的部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)至少包含位于平行該第一方向上的兩個該第二摻雜區(qū)。


圖1為本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖2為圖1的一實施例正視示意圖。
具體實施例方式
為了使本發(fā)明的上述目的、技術(shù)內(nèi)容、和特點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明。
請參閱圖1所示，圖1為本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。一第一接觸20與若干第二接觸22位于底材(圖上未標示)上，而具有一第一導電性的一第一阱10則位于底材中，并且位于第一接觸20與第二接觸22的下方(underlay)。具有第一導電性的一第一摻雜區(qū)18位于第一阱10中，并且接觸(contacting with)第一接觸20，其中第一摻雜區(qū)18的摻雜濃度高于第一阱10。具有一第二導電性的若干第二摻雜區(qū)16A、16D亦位于第一阱10中，并且以隔離組件14，例如淺溝槽隔離組件STI，與第一摻雜區(qū)18相隔離，其中每一個皆接觸一個第二接觸22。再者，第二導電性不同于第一導電性。此外，在第一阱10外的底材中，尚包含具有第二導電性的若干第二阱12，有些第二摻雜區(qū)16則位于第二阱12，可藉由第二接觸22連接至一外部電壓。
請參閱圖2所示，圖2為圖1的一實施例正視示意圖，其中沿著AA’切面即為圖1。圖2中，第一接觸20具有一第一部分平行于一第一方向，如X方向，與一第二部分平行于一第二方向，如Y方向，其中第一方向不同于第二方向。再者，要注意的是，每個第二接觸22同時相鄰于第一接觸20的第一部分及第二部分。也就是說，每個第二接觸22下方所各自對應的第二摻雜區(qū)16A、16B、16C、16D，在垂直X-Y平面的方向上，同時相鄰但隔離而不重迭于第一接觸20的第一部分及第二部分，如此可利用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，測試兩方向，即X與Y方向的漏電流路徑。此外，第一阱10與第二阱12以虛線框表示其位于以實線表示的其它結(jié)構(gòu)的下方。在此實施例中，第一接觸20所接觸的第一摻雜區(qū)18(位于第一接觸20的下方，圖上未示)為一N型重摻雜區(qū)，則第一阱10為一N型阱，且其摻雜濃度低于第一摻雜區(qū)18。而第二阱12則為一P型阱，且與第二接觸22接觸的第二摻雜區(qū)16A、16B、16C、16D為P型重摻雜區(qū)。
在應用上，位于第一阱10外側(cè)的第二摻雜區(qū)16可視為拾起(pick-up)區(qū)，透過外側(cè)的第二接觸22連接至一外部電壓。此外，也可透過第一接觸20或其它第二接觸22，對第一摻雜區(qū)18與第二摻雜區(qū)16A、16B、16C、16D施加一外部電壓。測試的方法，舉例來說，若第一接觸20朝第一方向(即X方向)偏移(shift)時，第一接觸20的第二部分(即平行Y方向的部分)會與下方的兩個第二摻雜區(qū)16A與16B(或16C與16D)在垂直方向上，即垂直X-Y平面的方向上，部分重迭。如此一來，當透過第二接觸22，施加一外部電壓(接地或不為零的電壓)于所對應的第二摻雜區(qū)16時，便可監(jiān)測到因第二部分與第二摻雜區(qū)16A與16B(或16C與16D)的部分重迭而誘發(fā)(induced)的漏電流路徑(leakage)。同理，若第一接觸20朝第二方向(即Y方向)平移產(chǎn)生偏差時，第一接觸20的第一部分(即平行X方向的部分)會與下方的兩個第二摻雜區(qū)16A與16D(或16B與16C)在垂直方向上(即垂直X-Y平面的方向上)部分重迭。如此一來，當透過第二接觸22，施加一外部電壓于所對應的第二摻雜區(qū)16時，便可監(jiān)測到因第一部分與第二摻雜區(qū)16A與16D(或16B與16C)的部分重迭而誘發(fā)的漏電流路徑。
再者，應用上也可將第二摻雜區(qū)16A、16B、16C、16D偏移，同樣也可產(chǎn)生部分重迭的情形，運用其測試漏電流路徑。同理，可將圖2中的第一導電性替換成P型，則第二導電性為N型，其應用與測試方法皆和上述相同，此外，此時第一阱10與第二阱12可同在底材的一N型阱中。
因此，本發(fā)明提供一種測試結(jié)構(gòu)，用以測試多方向的漏電流路徑。具有一第一導電性的一第一阱位于一底材中。具有第一導電性的一第一摻雜區(qū)位于第一阱中，其摻雜濃度高于第一阱。一第一接觸位于第一摻雜區(qū)上，并且接觸第一摻雜區(qū)，其具有一第一部分平行于第一方向，與一第二部分平行于第二方向。具有一第二導電性的復數(shù)個第二摻雜區(qū)位于第一阱中，并且隔離于第一摻雜區(qū)。其中在第三方向上，每一第二摻雜區(qū)同時相鄰但隔離于第一部分與第二部分，此第三方向同時垂直于第一方向與第二方向。復數(shù)個第二接觸位于復數(shù)個第二摻雜區(qū)上，每一第二接觸對應的每一第二摻雜區(qū)，并且隔離但同時相鄰于第一部分及第二部分。
應當理解，本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)可被廣泛地應用到許多半導體測試中，通過本較佳實施例，本領域的普通技術(shù)人員可以清楚地推知本較佳實施例中的許多結(jié)構(gòu)可以改變，材料也可替換，這些一般的替換并不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求所界定的的保護范圍。
其次，上述實施例中，本發(fā)明表示測試結(jié)構(gòu)的正視與剖面圖在半導體測試設計中會不依一般比例作局部放大以利說明，然而不應以此作為有限定的認知。此外，在實際的制作中，應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
以上所述的實施例僅是為說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點，其目的在于使本領域的普通技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，但不能以此來限定本發(fā)明的專利范圍，即依本發(fā)明所揭示的技術(shù)特征所作的等同變化或修飾，仍應涵蓋在本發(fā)明的專利保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種測試結(jié)構(gòu)，用以測試多方向的漏電流路徑，其中多方向包含一第一方向與一第二方向，該第一方向不同于該第二方向，其特征在于，該測試結(jié)構(gòu)包含一第一阱位于一底材中，該第一阱具有一第一導電性；一第一摻雜區(qū)位于該第一阱中，該第一摻雜區(qū)具有該第一導電性，并且該第一摻雜區(qū)的摻雜濃度高于該第一阱；一第一接觸位于該第一摻雜區(qū)上，并且接觸該第一摻雜區(qū)，該第一接觸具有一第一部份平行于該第一方向，與一第二部分平行于該第二方向；復數(shù)個第二摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且隔離于該第一摻雜區(qū)，其中在一第三方向上，每一該第二摻雜區(qū)同時相鄰但隔離于該第一部分與該第二部分，及該復數(shù)個第二摻雜區(qū)具有一第二導電性，該第二導電性不同于該第一導電性；及復數(shù)個第二接觸位于該復數(shù)個第二摻雜區(qū)上，并且每一該第二接觸對應于每一該第二摻雜區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一拾起區(qū)位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該拾起區(qū)具有該第二導電性。
3.如權(quán)利要求2所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一第二阱在該底材中，接觸該第一阱，并包含該拾起區(qū)，該第二阱具有該第二導電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該拾起區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，當該第一接觸與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)朝該第一方向形成相對偏移位置時，在該第三方向上，該第二部分與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測試漏電流路徑。
5.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，當該第一接觸與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)朝該第二方向上形成相對偏移位置時，在該第三方向上，該第一部分與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測試漏電流路徑。
6.如權(quán)利要求1項所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三方向同時垂直于該第一方向與該第二方向。
7.一種測試結(jié)構(gòu)，用以測試多方向的漏電流路徑，該測試結(jié)構(gòu)包含一第一阱位于一底材中，該第一阱具有一第一導電性；一第一摻雜區(qū)位于該第一阱中，該第一摻雜區(qū)具有該第一導電性，并且該第一摻雜區(qū)的摻雜濃度高于該第一阱；一第一接觸位于該第一摻雜區(qū)上，并且接觸該第一摻雜區(qū)，該第一接觸具有一第一部分平行于一第一方向，與一第二部分平行于一第二方向，該第一方向不同于該第二方向；復數(shù)個第二摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且隔離于該第一摻雜區(qū)，其中在每一該第二摻雜區(qū)的正上方，每一該第二摻雜區(qū)同時相鄰但隔離于該第一部分與該第二部分，該第三方向同時垂直于該第一方向與該第二方向，及該復數(shù)個第二摻雜區(qū)具有一第二導電性，該第二導電性不同于該第一導電性；及復數(shù)個第二接觸位于該復數(shù)個第二摻雜區(qū)上，并且每一該第二接觸對應于每一該第二摻雜區(qū)，每一該第二接觸隔離但同時相鄰于該第一部分及該第二部分。
8.如權(quán)利要求7所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一拾起區(qū)位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該拾起區(qū)具有該第二導電性。
9.如權(quán)利要求8所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一第二阱在該底材中，接觸該第一阱，并包含該拾起區(qū)，該第二阱具有該第二導電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該拾起區(qū)。
10.一種測試結(jié)構(gòu)，用以測試漏電流路徑，該測試結(jié)構(gòu)包含一第一接觸位于一底材上，該第一接觸具有一第一部分平行于一第一方向，與一第二部分平行于一第二方向，該第一方向不同于該第二方向；復數(shù)個第二接觸位于該底材上，每一該第二接觸隔離于該第一接觸，但同時相鄰于該第一部分及該第二部分；一第一阱位于該底材中，并位于該第一接觸與該第二接觸的下方，該第一阱具有一第一導電性；一第一摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且接觸該第一接觸，該第一摻雜區(qū)具有該第一導電性，并且該第一摻雜區(qū)的摻雜濃度高于該第一阱；及復數(shù)個第二摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且隔離于該第一摻雜區(qū)，每一該第二摻雜區(qū)接觸每一該第二接觸，該復數(shù)個第二摻雜區(qū)具有一第二導電性，該第二導電性不同于該第一導電性。
11.如權(quán)利要求10所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一第三摻雜區(qū)位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該第三摻雜區(qū)具有該第二導電性。
12.如權(quán)利要求11所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一第二阱在該底材中，接觸該第一阱，并包含該第三摻雜區(qū)，該第二阱具有該第二導電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)。
13.如權(quán)利要求10所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，任一該第二摻雜區(qū)在一第三方向上同時相鄰但隔離于該第一部分及該第二部分，該第三方向垂直于該第一方向與該第二方向。
14.如權(quán)利要求13所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，當該第一接觸與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)朝該第一方向形成相對偏移位置時，在該第三方向上，該第二部分與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測試漏電流路徑。
15.如權(quán)利要求14所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述形成部分重迭情形的部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)至少包含位于平行該第二方向上的兩個該第二摻雜區(qū)。
16.如權(quán)利要求13所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，當該第一接觸與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)朝該第二方向形成相對偏移位置時，在該第三方向上，該第一部分與部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測試漏電流路徑。
17.如權(quán)利要求16所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述形成部分重迭情形的部分該復數(shù)個第二摻雜區(qū)至少包含位于平行該第一方向上的兩個該第二摻雜區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種測試結(jié)構(gòu)，用以測試多方向的漏電流路徑，其具有一第一導電性的一第一阱位于一底材中，并且一第一摻雜區(qū)位于第一阱中，其摻雜濃度高于第一阱；一第一接觸位于第一摻雜區(qū)上并接觸第一摻雜區(qū)，其具有一第一部分平行于第一方向，與一第二部分平行于第二方向；具有一第二導電性的第二摻雜區(qū)位于第一阱中，并且隔離于第一摻雜區(qū)；其中在第三方向上，每一第二摻雜區(qū)同時相鄰但隔離于第一部分與第二部分；第二接觸位于對應第二摻雜區(qū)上，并且每一第二接觸對應的每一第二摻雜區(qū)；利用形成第一接觸與第二摻雜區(qū)的相對偏移位置，使得兩者部分重迭，即可測試多種方向的漏電流路徑。
文檔編號G01R31/00GK1548969SQ0312882
公開日2004年11月24日 申請日期2003年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月23日
發(fā)明者蔡孟錦, 蒲興華, 姜寧, 何軍 申請人:上海宏力半導體制造有限公司