專利名稱：電氣信號連接裝置、及使用此裝置之探針組裝體及探測器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是可使用于LSI等電子裝置(device)之制造工程上，對于形成于半導(dǎo)體芯片上之?dāng)?shù)個半導(dǎo)體晶粒，進(jìn)行電路檢查，或可使用于液晶等其它電子裝置之電路檢查之電氣信號連接裝置，以及使用此裝置之探針組裝體相關(guān)者。本發(fā)明使用于例如對于排列在半導(dǎo)體晶粒上之電路端子〔焊墊(Pad)〕，在保持芯片原有狀態(tài)下，使之與垂直型探針接觸，一次全部地檢測半導(dǎo)體晶粒之電氣性導(dǎo)通，亦即是使用在所謂的探針測式(probing test)上。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，電子裝置的積體度也隨之提升，形成于半導(dǎo)體芯片上的各半導(dǎo)體晶粒，電路配線所占有的面積也不斷增加。因此，各半導(dǎo)體晶粒上的電路端子〔焊墊(Pad)〕數(shù)也增加，并因而使得焊墊面積縮小化、焊墊周距(pitch)狹小化等，使得焊墊的排列越來越細(xì)微化。同時，半導(dǎo)體晶粒也未封裝，而以裸晶的狀態(tài)搭載于電路板上，此種晶粒尺寸封裝方式已逐漸變成主流，因此，無論如何均需要在分割為半導(dǎo)體晶粒前的芯片狀態(tài)時，進(jìn)行特性確認(rèn)或良否判定。
尤其是因?yàn)楹笁|配列微小化(狹周距化)而引發(fā)的問題，即是在電子裝置之電氣特性測試或電路檢查之際，為了使探針與半導(dǎo)體晶粒之焊墊接觸而取得電氣性導(dǎo)通，此探針的構(gòu)造也必須配合焊墊配列微小化而改變，為了因應(yīng)此焊墊配列微小化改變，而出現(xiàn)了種種檢查方法。
例如，有在被檢測半導(dǎo)體晶粒之焊墊及檢查裝置之間，對于外力具有彈性地變形之彈性變形部的數(shù)個針狀探針，將之于配列于區(qū)域(Area)上，形成探針組裝體，透過此組裝體而進(jìn)行檢查的方法。將此探針組裝體及半導(dǎo)體晶粒之測試電路，做為電氣性連結(jié)的方式，使用了被稱之為探針卡(Probe Card)之印刷配線基板。透過此種探針而形成的電路檢測技術(shù)為舊有例子，例如有日本特開2002-296297號公報，及日本特開2003-075503號公報所示之發(fā)明。
一般在探針卡上，使用具有一端固定懸臂梁構(gòu)造的針狀探針時，與半導(dǎo)體晶粒焊墊接觸之探針尖端部份為狹周距，但與探針卡的焊墊接觸之根部部份，則是從探針尖端部份呈放射狀擴(kuò)散排列，因此會將周距變粗，可用焊接等方式，將探針連接固定在探針卡之電路端子上。但此懸臂梁的構(gòu)造與焊墊接觸時，會產(chǎn)生以下種種問題，例如接觸點(diǎn)的尖端會往水平方向偏離而傷害焊墊，或尖端從焊墊偏離，使檢測良品率降低等。更大的問題是，此種方式僅能一個個檢測晶粒，每根探針的處理精確度不同，難以控制一定接觸壓等。
取代此懸臂梁的垂直型探針，亦即是在探針垂直地固定在探針卡電路端子之垂直型探針方面，需要以半導(dǎo)體晶粒上之焊墊周距及探針卡上之電路端子周距，以同等之周距間隔構(gòu)成。但在印刷配線基板之探針卡上，要將電路形態(tài)細(xì)微化，在制造技術(shù)上有其極限，因此，電路端子之占有面積或配線寬幅，均難以滿足配合焊墊周距之要求，且能夠以焊藥焊接的周距間隔亦有其限度，因此隨著微小化不斷進(jìn)步，即不可能將垂直型探針配合半導(dǎo)體晶粒之焊墊周距，垂直固定在探針卡上。
如此一來，探針卡上平面區(qū)域除電路端子面積之外，依電路配線幅所占有的比率大，妨礙了電路端子之狹周距化。因此，亦有采用其它方法，例如在探針卡上使用多層印刷配線基板，將電路端子以格子狀或2列千鳥型配列，將層間的配線透過通孔(through hole)方式予以電氣性連接，以維持垂直型探針的支數(shù)。但此通孔占據(jù)的空間變大，因此通孔之存在也成為妨礙電路端子配列狹周距化的原因。如此一來，因?yàn)殡娐范俗又M周距化的困難性，再加上焊接作業(yè)等因素，使得要將垂直型探針固定在探針卡上，需要高度的技術(shù)、以及龐大的人工，形成相當(dāng)大的成本。為了解決此等問題，本發(fā)明者等提案垂直型探針組裝體，且已提案做為使用該垂直型探針組裝體之電氣信號連接裝置的探測器裝置(請參照專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2)。
圖1是本發(fā)明者等所提案，做為舊有案例之垂直型探針組裝體之斜視圖。如圖1之斜視圖所示，已提案(例如參照專利文獻(xiàn)1)之本垂直型探針組裝體200的構(gòu)造，是于平行的上下2片四角形絕緣基板(或絕緣薄膜)201及202之間，植立數(shù)支垂直型探針205。上下2片絕緣基板201、202，設(shè)置于垂直型探針205中間段部，并保持一定間隔，此外，垂直型探針205之周距配列，與被檢測半導(dǎo)體晶粒上之焊墊周距配列一致。各垂直型探針205，上下兩前端從絕緣基板201、202突出一點(diǎn)點(diǎn)，形成電氣性接觸端子203，中間部設(shè)置彎曲部204，對探針加諸于垂直方向的外力，使之具有彈力性，并吸收歪斜，同時，彎曲部204的變型變成彈性復(fù)原力，此彈性復(fù)原力成為彈力探針前端及焊墊間的接觸壓，而可能達(dá)到電氣性導(dǎo)通。此彎曲部204之設(shè)置方式，是與直交配列之垂直型探針205不相接觸，錯開位置而以上下各列設(shè)置。此外，各垂直型探針205具有角型斷面，插通于開設(shè)在上下絕緣基板201、202對向位置之角孔上，形成可上下動作、但無法回轉(zhuǎn)之止回構(gòu)造。
具有此種垂直型探針的探測器裝置(例如參照專利文獻(xiàn)2)，如構(gòu)造如圖2所示之斜視圖。亦即是，此垂直型探針組裝體200之上方，雖然圖上未顯示，但有由許多的被檢查半導(dǎo)體晶粒所形成之半導(dǎo)體芯片，晶粒焊墊向下而形成waferstage組。另一方向，垂直型探針組裝體200的下方，設(shè)有與此探針組裝體200之垂直型探針接觸之連接構(gòu)造體206。此連接構(gòu)造體206，透過軟排線(flexibleflat cable)207，與探針卡208連接。而軟排線207之連接構(gòu)造體206一側(cè)之配線，以與晶粒焊墊相同之狹間距配線，其配線端部做為配線端子，而可能與垂直型探針組裝體200之垂直型探針一次全部地接觸，此外，軟排線207之探針卡208一側(cè)的配線，其配線間距間隔寬度，大約是可在探針卡208上之電路配線端子上焊接的程度。
此外，裸晶(wafer stage)(圖上顯示)及垂直型探針組裝體200，可能以X-Y-Z-Θ方向移動。而垂直型探針組裝體200，將垂直型探針設(shè)置于連接構(gòu)造體206之軟排線配線端子上而定位，使之一次全部地予以接觸后，其芯片檢查在結(jié)束前皆不需要移動。在此，連接構(gòu)造體206，透過將軟排線207之配線端子水平朝上固定，而達(dá)到與垂直型探針連接之承口(socket)機(jī)能。另，關(guān)于此連接構(gòu)造體之詳細(xì)內(nèi)容，由于已提案完成，因此在此即省略不予說明。
在此狀態(tài)下移動裸晶(wafer stage)，將半導(dǎo)體晶粒之一，配合垂直型探針組裝體之位置，使各個晶粒焊墊與垂直型探針組裝體之上部接觸端子一次全部地接觸。透過此種方式，即可能使狹周距化之半導(dǎo)體晶粒及探針卡，達(dá)到電氣性的連接，藉由大幅提升探測器裝置的機(jī)能，對于半導(dǎo)體設(shè)備之高積體化，將有極大的貢獻(xiàn)。
如上所述，本發(fā)明者等使用了已提案之垂直型探針組裝體之探測器裝置，對于狹周距化之焊墊周距，例如45μm周距的半導(dǎo)體晶粒，亦可能進(jìn)行檢測。且亦可能于探針組裝之際，不使用焊藥焊接，而以自動組裝方式組裝，因此可能達(dá)到多量生產(chǎn)的效果，此外，由于可以一次全部地接觸晶粒焊墊，可以對所有探針控制均等的接觸壓等，可獲得極大的益處。
但此探測器裝置上，于半導(dǎo)體芯片上形成的數(shù)個半導(dǎo)體晶粒，與需一個個檢查此半導(dǎo)體晶粒的裝置一樣，需要在每次檢查時，將裸晶(wafer stage)一個晶粒一個晶粒地移動。另一方面，隨著半導(dǎo)體芯片大口徑化(例如直徑300mm等)發(fā)展，半導(dǎo)體芯片上所形成的半導(dǎo)體晶粒的個數(shù)，從數(shù)十個到數(shù)百個，越來越朝向高密度化演進(jìn)。因此，檢查一片半導(dǎo)體芯片即需要相當(dāng)長的時間，所以，越來越多的需求指向能不移動裸晶(wafer stage)，而配備能同時檢查芯片上所有半導(dǎo)體晶粒之多(multi)配列垂直型探針組裝體(以下稱此為多配列垂直型探針組裝體)之探測器裝置。然而，例如由擁有100個焊墊數(shù)的晶粒所形成的200個芯片，多配列垂直型探針組裝體即需要100×200＝20000支的信號配線，而要將這些支數(shù)的信號配線，從多配列垂直型探針組裝體，發(fā)揮效率地連接至外部檢查裝置，此極為困難。
另一方面，將多配列垂直型探針組裝體使用于燒機(jī)測試(Burn-in Test)時，由于是置于120℃左右的高溫環(huán)境里，以個別配列探針組裝體而檢查一個個晶粒時，原本不會有太大問題之熱膨漲的影響卻變大，于硅芯片(silicon wafer)所形成之焊墊周距、及植立于樹脂薄膜等之絕緣基板上的垂直型探針之周距間，即發(fā)生周距偏差的問題。尤其是越往芯片的周邊部，垂直型探針即累積越大的周距誤差，測試探針(Probing)即變得不可能。
近年來，使用者更進(jìn)一步要求高速化及大量一次全部處理。例如要求與直徑12時芯片(直徑300mm芯片)上的所有焊墊接觸，可對應(yīng)高頻率之探針封裝(probeassembly)。此高速化有以下之重點(diǎn)。
1.使電氣容量變小。因此相對于整體之探針面積也變小。
2.極力縮短測試電路及芯片上之焊墊間的距離。
3.從探針及配線發(fā)生之磁氣干涉的雜音變小。
4.對向之接觸子及配線的距離大。
此外，從探針封裝到測試電路的配線方面，也要求大量的支數(shù)連接。更甚者，由于伴隨著狹周距化，以及涵蓋大面積范圍內(nèi)，焊墊與接觸子為對向，因此使用者也要求接觸子之高配列精確度。
在此配線之多數(shù)化及狹周距化方面，例如在芯片上配置200焊墊的晶粒600個，其接觸子數(shù)即多達(dá)120000支，為解決此支數(shù)的問題，在舊有的印刷配線基板上，將特開2003-075503號公報的方法，更進(jìn)一步發(fā)展使之適用，即可能可以解決。對于此，以排線(flat cable)描繪的周距為30μm，為狹周距，但面對此狹周距化的接觸子時，測試電路的配線該如何對應(yīng)，此即成為待解決的課題。此外，在120000支的接觸子上，作用5g之接觸力時，約略將有600kg的力量作用于整個探針組裝體上，容易導(dǎo)致機(jī)構(gòu)零件變形等問題發(fā)生。
本發(fā)明是為了滿足此等要求而形成的發(fā)明，隨著電子裝置之高積體化，而越來越高密度化之半導(dǎo)體晶粒等，在檢查此半導(dǎo)體晶粒等之電路特性時，使之能一次、且同時地對應(yīng)數(shù)個晶粒，而達(dá)到測試或燒機(jī)測試，將垂直型探針組裝體以多配列構(gòu)造方式，同時解決熱膨漲問題及信號配線問題。本發(fā)明即以提供具有上述特性之電氣信號連接裝置、及使用于此之探針組裝體為目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明做為電氣信號連接裝置，具有垂直型探針、及支持上述垂直型探針的樹脂薄膜。此垂直型探針與設(shè)置于被檢查電氣機(jī)能組件之電氣連接用端子接觸，進(jìn)行電氣連接，上述垂直型探針在樹脂薄膜片上，設(shè)有可沿著該薄膜面方向彈性變形，將上述垂直型探針之一端，與被檢查電氣機(jī)能組件之端子接觸，將上述垂直型探針的另一端，與電氣機(jī)能檢查裝置之端子接觸，在被檢查電氣機(jī)能組件及電氣機(jī)能檢查裝置間收發(fā)信號。
本發(fā)明做為電氣信號連接裝置，具有數(shù)個垂直型探針，以與設(shè)于被檢查電氣機(jī)能組件之?dāng)?shù)個電氣連接用端子接觸，在進(jìn)行電氣連接之電氣機(jī)能檢查裝置上，將具有數(shù)支垂直型探針的緞帶狀樹脂薄膜，數(shù)片并設(shè)而成X方向組件、及與X方向組件交叉之Y方向組件，各具有數(shù)組，在支持此數(shù)組X方向組件及Y方向組件的支持基板上，成格子狀配設(shè)、定位而固定，將配置在X方向組件及Y方向組件各交叉位置上之上述垂直型探針，與被檢查電氣機(jī)能組件之所有端子，一次全部接觸，在被檢查電氣機(jī)能組件及電氣機(jī)能檢查裝置之間，收發(fā)信號。
本發(fā)明做為探測器裝置，與形成在半導(dǎo)體芯片之被檢查半導(dǎo)體晶粒上，接觸垂直型探針，透過此垂直型探針而在檢查裝置間進(jìn)行電氣性連接之探測器裝置上，并設(shè)數(shù)片具有數(shù)支垂直型探針之緞帶狀樹脂薄膜的X方向組件及Y方向組件，各有數(shù)組，在支持基板上，此數(shù)組X方向組件及Y方向組件成格子狀配置、定位而固定，將配置于X方向組件及Y方向組件各交叉位置上之上述垂直型探針，與形成于半導(dǎo)體芯片上之被檢查半導(dǎo)體晶粒之所有焊墊，一次全部接觸，而進(jìn)行探針測試(Probing test)。
此外，在本發(fā)明之中，前述垂直型探針?biāo)渲弥當(dāng)?shù)組X方向組件及Y方向組件的交叉位置，為一對一應(yīng)對所有位于半導(dǎo)體芯片上所形成之被檢查半導(dǎo)體晶粒，另，配置于前述X方向組件及Y方向組件各交叉位置的前述垂直型探針配置，與各被檢查半導(dǎo)體晶粒之焊墊配置一致。其次是前述X方向組件及Y方向組件之固定及定位的方式，依所要求之前述X方向組件、Y方向組件之規(guī)格，而可能存在數(shù)種、可選擇性地應(yīng)對，但本發(fā)明之實(shí)施形態(tài)的配設(shè)方式，則是為了將在支持基板上以鑄型(matrix)狀配列植立之?dāng)?shù)個支柱、X方向組件及Y方向組件，能于X、Y、Z方向定位之而配設(shè)。
另，本發(fā)明之中，將具有彈性變形可能之?dāng)?shù)個探針部、及數(shù)個電氣傳導(dǎo)方式、及彈性端子的數(shù)個配線部，在具有非電氣傳導(dǎo)材之?dāng)?shù)個孔洞的薄膜狀樹脂表面，做電氣性之物理結(jié)合，保持著前述薄膜狀樹脂、及前述探針部與前述配線部之機(jī)能，藉由相乘的作用，而增加前述探針部之力學(xué)性機(jī)能、機(jī)械性機(jī)能，同時配置于預(yù)定的位置上，將以此為特征之1組垂直型探針組裝體，做為制造上的1個單位。前述緞帶狀樹脂薄膜，是由X方向緞帶狀薄膜、及Y方向緞帶狀薄膜所組成，與各設(shè)置于銅箔積層樹脂薄膜上、具有彎曲部之垂直型探針相連結(jié)的配線型態(tài)(pattern)，以蝕刻(etching)方式而成形，此外，前述緞帶狀樹脂薄膜緊鄰著的垂直型探針之彎曲部的方向，以逆向而配置著。以往探針及配線是另行加工，但本發(fā)明則為一體成型的構(gòu)造，因此一體成型可降低加工及組裝工程的步驟。此外，由于是一體成型的構(gòu)造，在本說明之中，將探針及配線之區(qū)別，依角型部材8a、8b而被支持之型態(tài)，將從接觸壓未加諸之處以后，定義為配線。
另，在本發(fā)明之中，前述X方向緞帶狀薄膜，垂直型探針的一端從長的一方往上邊突出，另一端則經(jīng)過彎曲部而垂下，沿著下邊延伸至緞帶狀薄膜端部，形成配線，另一方面，本發(fā)明之中，具有樹脂薄膜部分被彎曲部包圍而開設(shè)的第1開口，以及沿著長的一方，以等間隔開設(shè)，為了將Y方向緞帶狀薄膜從直角方向穿過而準(zhǔn)備的第2開口。此外，前述Y方向緞帶狀薄膜，垂直型探針的一端從長的一方上邊突出，另一端則經(jīng)過彎曲部而垂下，沿著下邊延伸至緞帶狀薄膜端部，形成配線，垂直型探針突出的長度，形成以比前述X方向緞帶狀薄膜突出長度更長的長度，另一方面，樹脂薄膜部分之中，有被彎曲部包圍而開設(shè)的開口。將Y方向緞帶狀薄膜從直角方向穿過第2開口的構(gòu)造，單純地以重疊X方向組件105及Y方向組件106的配設(shè)方法，配設(shè)于下段。例如X方向組件之前端部變長，就不容易取得良好的垂直型探針之形狀。開口1是承受接觸壓之承接部材所通過的狹長孔洞，以及依垂直型探針之接觸壓而來的力量，不承受來自于樹脂薄膜之復(fù)雜的動力(vector)，而以直接之接觸力，變成與應(yīng)作用之彎曲部近側(cè)所切割的狹長孔穴而合成的形狀。于樹脂薄膜之開口，并非僅限定于開口1、開口2，而是為了獲得本發(fā)明之良好特性、及做為可能簡單制作的手段，而將數(shù)量、形狀及配設(shè)位置等適當(dāng)?shù)赜枰耘湓O(shè)。
另，在本發(fā)明之中，前述X及Y方向緞帶狀薄膜，依據(jù)前述彎曲部所包圍而開設(shè)之開口、及樹脂薄膜上邊所形成之樹脂薄膜幅狹窄部之彈性變形，于檢查時吸收垂直型探針之軸方向的變位，此外，將前述X方向組件及Y方向組件，以格子狀配設(shè)時，從X及Y方向緞帶狀薄膜各自突出之垂直型探針前端部的高度一致，再將前述X方向組件及Y方向組件以格子狀配設(shè)時，Y方向組件以貫通X方向組件的方式配設(shè)。
另，在本發(fā)明之中，于前述X及Y方向緞帶狀薄膜所形成之配線，在緞帶狀薄膜端部上方折返，前端部從緞帶狀薄膜之上邊突出，成為為了連接外部之連接腳(pin)，此外，將構(gòu)成前述X及Y方向組件之各數(shù)片X及Y方向緞帶狀薄膜，并設(shè)而形成組件之際，前述連接腳之突出位置，以順序錯移的方式形成配線。而具有前述X及Y方向組件同一機(jī)能之?dāng)?shù)個連接腳集結(jié)為一，使之能與外部檢查裝置連接。
另，本發(fā)明的構(gòu)造，是前述電氣配線連接體，在兩面是銅配線型態(tài)所形成之緞帶狀薄膜，此緞帶狀薄膜是包含銅配線型態(tài)之兩面被絕緣薄膜所被覆，于緞帶狀薄膜之兩面所形成之銅配線型態(tài)，表面?zhèn)妊刂L的一方而平行地形成之?dāng)?shù)個共通銅配線，里面?zhèn)葹榕c此共通銅配線成直交方向而形成之?dāng)?shù)個銅配線所形成，此外，緞帶狀薄膜的表里面上所形成之銅配線，在直交的位置，透過貫通孔而電氣性地連接任一配線，與長的一方直交之銅配線，其前端部向上，從緞帶狀薄膜邊僅突出一點(diǎn)點(diǎn)，與在前述個別配列探針組裝體之垂直型探針成連接端子構(gòu)造。此外，與前述長的一方直交之銅配線，將其前端部從緞帶狀薄膜上邊及下邊之兩邊僅突出一點(diǎn)點(diǎn)，將前述個別探針組裝體之垂直型探針、及接觸之連接端子，在上下兩邊形成。
另，在本發(fā)明之中，裝著前述緞帶狀薄膜之際，將具有連接端子之銅配線側(cè)之面，朝前述臺座之側(cè)面配置，同時，在此緞帶狀薄膜上所形成、具有連接端子的銅配線，將其數(shù)支做為一個群組(group)，本發(fā)明具有數(shù)個群組以等周距從共通銅配線開始分岐之構(gòu)造，此外，在緞帶狀薄膜之長的一方端部，設(shè)置共通銅配線之配線端子，具有可能插入，以與外部檢查裝置連接之承口的構(gòu)造，更具有在前述緞帶狀薄膜上所形成之連接端子的銅配線各群組，各自和在半導(dǎo)體芯片上多配列之各半導(dǎo)體晶粒對應(yīng)而配列著。此外，將2片前述緞帶狀薄膜重合，各連接端子為2列、且像千鳥一般地錯列配置，亦可能適合于晶粒焊墊之千鳥配列。
另，本發(fā)明之探測器裝置，對于在半導(dǎo)體芯片上形成之?dāng)?shù)個半導(dǎo)體晶粒焊墊，一次同時地接觸各個垂直型探針，進(jìn)行檢測檢查，接著在維持原來的狀態(tài)下，進(jìn)行燒機(jī)(Burn-in)檢查，燒機(jī)檢查之際，透過依支柱而定位之格子狀定位部材，抑制緞帶狀薄膜之熱膨漲，防止個別探針組裝體之垂直型探針、與緞帶狀薄膜之連接端子間的位置錯移，藉由控制多配列探針組裝體全體之延展構(gòu)造，可能于燒機(jī)檢查之際，測定形成于半導(dǎo)體芯片周邊部之半導(dǎo)體晶粒。
藉由本發(fā)明，在檢查隨著電子裝置之高積體化而越來越高密度化之半導(dǎo)體晶粒特性時，對于形成在1片半導(dǎo)體芯片上的數(shù)個半導(dǎo)體晶粒，可一次同時地進(jìn)行檢測測試及燒機(jī)測試。亦即是，將數(shù)片具有垂直型探針之緞帶狀樹脂薄膜并設(shè)，而形成設(shè)有數(shù)組X方向組件及Y方向組件，將此數(shù)組之X方向組件及Y方向組件，于支持基板上配置成格子狀，定位固定，將垂直型探針組裝體以多配列方式形成構(gòu)造。
如此一來，可抑制因多配列構(gòu)造全體之熱膨漲而造成之位置偏移，將前述配置于X方向組件及Y方向組件之各交叉位置的垂直型探針，與形成在半導(dǎo)體芯片上之被檢查半導(dǎo)體晶粒的所有焊墊，位置毫無偏離地一次全部接觸，使檢測測試變得容易完成。此外，亦可能使用于高溫中在電路上加諸電氣性壓力，進(jìn)行半導(dǎo)體晶粒加速試驗(yàn)的燒機(jī)測試。另，透過使用緞帶狀樹脂薄膜，可簡化配線之拉回、或連接外部裝置之連接端子構(gòu)造，藉由此，本發(fā)明成為可提供解決熱膨漲問題及信號配線問題之探測器裝置。


圖1舊有垂直型探針組裝體之斜視圖。
圖2舊有探測器裝置之斜視圖。
圖3顯示舊有電氣機(jī)能檢查裝置之系統(tǒng)構(gòu)成的區(qū)塊(block)圖。
圖4做為與本發(fā)明有關(guān)之電氣機(jī)能檢查裝置系統(tǒng)，顯示多數(shù)配線對應(yīng)及高速化對應(yīng)之系統(tǒng)構(gòu)成的區(qū)塊圖。
圖5顯示與本發(fā)明之實(shí)施形態(tài)1有關(guān)之多配列垂直型探針組裝體構(gòu)成的斜視圖。
圖6顯示同上實(shí)施形態(tài)1之內(nèi)部構(gòu)造的部分斜視圖。
圖7顯示同上實(shí)施形態(tài)2之X方向緞帶狀薄膜的斜視圖。
圖8是圖7之A部擴(kuò)大正面圖。
圖9顯示同上實(shí)施形態(tài)2之Y方向緞帶狀薄膜的正面圖。
圖10顯示同上實(shí)施形態(tài)2之Y方向組件組裝狀態(tài)的斜視圖。
圖11同上實(shí)施形態(tài)2之角型部材的斜視圖。
圖12顯示同上實(shí)施形態(tài)2之裝架臺構(gòu)成的部分斜視圖。
圖13顯示同上實(shí)施形態(tài)2之裝架臺構(gòu)成的部分斜視圖。
圖14同上實(shí)施形態(tài)2之支柱的斜視圖。
圖15顯示同上實(shí)施形態(tài)1及2之X、Y方向緞帶狀薄膜配線構(gòu)造的斜視圖。
圖16顯示與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)3有關(guān)之緞帶狀薄膜構(gòu)成的正面圖。
圖17與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4有關(guān)之被試驗(yàn)體的斜視圖。
圖18同上實(shí)施形態(tài)4之探針的側(cè)面圖。
圖19與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)5有關(guān)之被試驗(yàn)體的斜視圖。
圖20同上實(shí)施形態(tài)5之探針的側(cè)面圖。
圖21與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6有關(guān)之探針的正面圖。
圖22顯示于圖21之探針部分，從側(cè)面所見之概略構(gòu)成圖，清楚顯示接觸力之傳達(dá)經(jīng)路及電氣信號之導(dǎo)通經(jīng)路的圖。
圖23同上實(shí)施形態(tài)6之基線圖樣(ground line pattern)的正面圖。
圖24同上實(shí)施形態(tài)6之薄膜的正面圖。
圖25同上實(shí)施形態(tài)6之絶緣薄膜的正面圖。
圖26與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)7有關(guān)之探針的電氣導(dǎo)通部正面圖。
圖27同上實(shí)施形態(tài)7之探針的電氣導(dǎo)通部側(cè)面圖。
圖28與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)8有關(guān)之探針的正面圖。
圖29同上實(shí)施形態(tài)8之基線圖樣的正面圖。
圖30顯示同上實(shí)施形態(tài)8之基線圖樣輸出變形部的正面圖。
圖31顯示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)9之探針組裝體探針部分的斜視圖。
圖32顯示于圖31之探針部分，從側(cè)面所見之概略構(gòu)成圖，清楚顯示接觸力之傳達(dá)經(jīng)路及電氣信號導(dǎo)通經(jīng)路的圖。
圖33顯示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)9之探針的正面圖。
圖34基線圖樣(ground line pattern)之正面圖。
圖35本發(fā)明實(shí)施形態(tài)9之薄膜的正面圖。
圖36與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)10有關(guān)之避免探針干涉的說明圖。
圖37本發(fā)明多配列探針組裝體之電氣配線連接體的斜視圖。
圖38本發(fā)明多配列探針組裝體之X方向緞帶狀薄膜的側(cè)面圖(a)與正面圖(b)。
圖39前述實(shí)施形態(tài)10之Y方向緞帶狀薄膜的側(cè)面圖(a)與正面圖(b)。
圖40顯示前述實(shí)施形態(tài)10之X-Y方向定位部材組裝狀態(tài)的平面圖。
圖41顯示前述實(shí)施形態(tài)10之X-Y方向定位部材構(gòu)造的斜視圖。
圖42顯示前述實(shí)施形態(tài)10之X-Y方向定位部材交叉狀態(tài)的斜視圖。
圖43顯示前述實(shí)施形態(tài)10之X-Y方向定位部材及X-Y方向緞帶狀薄膜組裝狀態(tài)之平面圖。
圖44顯示前述實(shí)施形態(tài)10之X-Y方向定位部材及X-Y方向緞帶狀薄膜組裝程序的工程圖(a)、(b)、(c)、(d)。
圖45顯示前述實(shí)施形態(tài)10之緞帶狀薄膜承口構(gòu)造的斜視圖。
圖46說明連接前述實(shí)施形態(tài)10之半導(dǎo)體芯片的電氣配線圖。
圖47顯示前述實(shí)施形態(tài)10之緞帶狀薄膜應(yīng)用例的斜視圖。
圖48顯示與晶粒于2列線狀等間隔配列時之圖47相同的緞帶狀薄膜應(yīng)用例的正面圖。
圖49顯示與圖47相同之緞帶狀薄膜應(yīng)用例的斷面圖。
圖50本發(fā)明實(shí)施形態(tài)11之斜視圖。
圖51放大圖50之主要部位的斜視圖。
圖52于前述實(shí)施形態(tài)11，從2個電子裝置將連接配線連接至晶粒上焊墊的示意圖。
圖53從圖50之箭頭X方向所見的圖。
圖54從圖50之箭頭Y方向所見的圖。
圖55本發(fā)明實(shí)施形態(tài)12的斜視圖。
圖56前述實(shí)施形態(tài)12之2軸檢測電路的正面圖。
圖57從圖50之箭頭X方向所見的圖。
圖58從圖50之箭頭Y方向所見的圖。
具體實(shí)施例方式
在說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)之前，先說明與探針卡有關(guān)，即電氣機(jī)能檢查之一實(shí)施芯片檢查之現(xiàn)行系統(tǒng)。
圖3顯示的是本發(fā)明領(lǐng)域上，電氣機(jī)能檢查裝置之現(xiàn)行系統(tǒng)構(gòu)成(即舊有技術(shù)之一例)的區(qū)塊圖。圖3的70是專用測試器(tester)。一般而言，使用于現(xiàn)在系統(tǒng)上的專用測試器70，是屬于大型且高價者。專用測試器70，發(fā)出檢查晶粒72時所必要之電氣信號，經(jīng)由探針卡71，而輸入至前述之晶粒72。從對應(yīng)輸入信號的晶粒72之信號為基礎(chǔ)，進(jìn)行專用測試器檢查。從專用測試器70至探針卡71之信號線，即使是輸入于晶粒72之配線數(shù)為200左右時，也約1100支左右，亦可能對應(yīng)1100支左右配線之多數(shù)焊墊檢查。但若晶粒72之?dāng)?shù)量非常多時，例如對應(yīng)300個晶粒時，配線數(shù)則為60,000支，從專用測試器70之1100左右的配線，分配至多數(shù)的晶粒而傳送信號，此即變得非常困難。此外，例如即便配線可能符合需求，但因?yàn)楦咚贆z查的關(guān)系，使得多數(shù)配線對應(yīng)不具效果。因此，依圖3所示，僅適用于探針可同時對應(yīng)目前系統(tǒng)數(shù)量的晶粒。
圖4是與本發(fā)明有關(guān)之電氣機(jī)能檢查裝置系統(tǒng)，顯示其對應(yīng)多數(shù)配線及高速化系統(tǒng)構(gòu)成之區(qū)塊圖。在圖4之73是泛用計(jì)算機(jī)(general-purpose computer)，例如個人計(jì)算機(jī)。74是附電路探針卡。以虛線顯示。附電路探針卡74是由接口(interface)75、檢測電路76所構(gòu)成。檢測電路76設(shè)有數(shù)個，對應(yīng)各個不同目的之檢測而起動。此數(shù)個檢測電路76并不限于同一機(jī)能。72為晶粒。從泛用計(jì)算機(jī)將個別芯片的各個檢查情報，傳送至接口75。接口75將檢測內(nèi)容傳送至檢測電路76。檢測電路76持有對應(yīng)晶粒的檢查情報，檢查時將必要信號傳送至晶粒。此外，從晶粒72接收檢查結(jié)果情報，并予以評核，透過接口75，將情報傳送至泛用計(jì)算機(jī)73。另，檢測電路76和晶粒具有1對1的關(guān)系，從晶粒72所具有的焊墊數(shù)及略同數(shù)檢測電路76，而使得配線可能連接至晶粒72上之焊墊。
其次，參照圖面詳細(xì)說明本發(fā)明探測器裝置之實(shí)施形態(tài)1。本實(shí)施形態(tài)1是適于圖3之現(xiàn)行系統(tǒng)時，最具有效果的系統(tǒng)，由于配線與探針一體化，因此不需要像舊有之探針卡的高價多層基板。
圖5是顯示與本發(fā)明有關(guān)之多配列垂直型探針組裝體實(shí)施形態(tài)1的斜視圖。此實(shí)施形態(tài)1有關(guān)之多配列垂直型探針組裝體基本結(jié)構(gòu)，是依蝕刻垂直型探針3，于長的一方形成數(shù)個型態(tài)之X方向緞帶狀薄膜1，與該面往垂直方向數(shù)片并設(shè)之X方向組件5，及和此X方向組件5同樣地蝕刻垂直型探針4，于長的一方形成數(shù)個型態(tài)之Y方向緞帶狀薄膜2，與該面往垂直方向數(shù)片并設(shè)之Y方向組件6，成格子狀組合而構(gòu)成。
不論是X方向緞帶狀薄膜1或Y方向緞帶狀薄膜2，均由銅等導(dǎo)電性的箔膜所積層之緞帶狀或帶狀絶緣薄膜所構(gòu)成。此外，在此實(shí)施形態(tài)1里，X方向緞帶狀薄膜1及Y方向緞帶狀薄膜2，基本上具有相同的構(gòu)造。
X方向緞帶狀薄膜1的垂直型探針3，由在X方向緞帶狀薄膜1的面內(nèi)，往長的一方以U字形形成彎曲部31，以及在彎曲部31的開口端部，往略直角方向外方延伸之上側(cè)支持腳32及下側(cè)支持部33，以及設(shè)在上側(cè)支持腳32的前端接點(diǎn)34所組成。
此外，Y方向緞帶狀薄膜2的垂直型探針4，由在Y方向緞帶狀薄膜2的面內(nèi)，往長的一方以U字形形成彎曲部35，以及在彎曲部35的開口端部，往略直角方向外方延伸之上側(cè)支持腳36及下側(cè)支持部37，以及設(shè)在上側(cè)支持腳36前端接點(diǎn)38所組成。
而X方向組件5及Y方向組件6，則是以X方向組件5在上，Y方向組件6在下的上下位置關(guān)系配置，且從上方看，互相成交叉狀配置。在此種配置里，X方向組件5之接點(diǎn)34，與Y方向組件6之接點(diǎn)38，由于是構(gòu)成相同高度位置，因此垂直型探針3的上側(cè)支持腳36之長度，比垂直型探針4之上側(cè)支持腳32的長度設(shè)定得更長。上側(cè)支持腳36及上側(cè)支持腳32的長度差距，與X方向組件5及Y方向組件6之間的差距尺寸相等。
在此基本構(gòu)成里，X方向組件5與Y方向組件6交叉的區(qū)域(aera)(圖5中以點(diǎn)線狀虛線圍成的矩形區(qū)域)100，是代表1個半導(dǎo)體晶粒所占據(jù)的區(qū)劃。以區(qū)域100為中心來看，則X方向及Y方向上，連續(xù)配置數(shù)個半導(dǎo)體晶粒，因此以區(qū)域本身或區(qū)域100為中心來看時，X方向及Y方向上即連續(xù)配置數(shù)個。在區(qū)域100上之垂直型探針3及4的接點(diǎn)34、38的配置，與1個半導(dǎo)體晶粒上端子-晶粒焊墊相對應(yīng)而成。以下說明以此基本構(gòu)成為基礎(chǔ)之本發(fā)明探測器裝置的實(shí)施形態(tài)。另，構(gòu)成緞帶狀薄膜1及2的銅箔上，使用的是金箔、銀箔、或鈹銅等高導(dǎo)電性的材質(zhì)，此外，緞帶狀薄膜1、2本身則使用聚亞醯胺(polyimide)樹脂或氯乙烯基樹脂等之合成樹脂。
在此實(shí)施形態(tài)1，有為了從垂直型探針3及4的下側(cè)支持部33及37，讀取從接點(diǎn)34、38輸入之信號的配線(或信號線)39、40。這些配線也與垂直型探針3及4相同，依蝕刻方式而形成。配線39、40，在緞帶狀薄膜1、2的面上，從垂直型探針3及4的下側(cè)支持部33及37，往下方延伸，在接近各緞帶狀薄膜1、2之下端緣部，往略直角方向(往各緞帶狀薄膜1、2的長的一方)折曲，沿著各緞帶狀薄膜1、2展延，朝向輸出端子方向。藉由采取此種構(gòu)造，將數(shù)個垂直型探針3及4的輸出用配線，統(tǒng)整配置于靠近各緞帶狀薄膜1、2的下端緣部位置，由于可延長設(shè)置至輸出端子，因此即可使多配列垂直型探針組裝體之構(gòu)成更為簡潔。
其次再使用圖9的正面圖，來說明X方向緞帶狀薄膜1及Y方向緞帶狀薄膜2的構(gòu)造。圖9本來是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2(后述)之Y方向緞帶狀薄膜2時使用，由于此在本實(shí)施形態(tài)1，除了與X方向緞帶狀薄膜1、及Y方向緞帶狀薄膜2之構(gòu)成，有一部分的相異點(diǎn)之外，其余幾乎相同，因此即使用同樣的說明。
在X方向緞帶狀薄膜1里，一對垂直型探針3所對向的部分上，設(shè)有開口部10。如圖9所示，開口部10開在鄰接的組件a(例如a-1及a-2)之邊緣部，幾乎呈T字形狀的開口，以像是挖出垂直型探針3面向之彎曲部31的內(nèi)側(cè)部分般的形態(tài)開設(shè)。因此，施加在垂直型探針3之接點(diǎn)34的箭頭S1方向的力量，即因設(shè)置此開口部10，而不會從樹脂薄膜承受復(fù)雜的方向力，作用于垂直型探針3之彎曲部31全體，使垂直型探針3彈性變形。亦即是，從另一面來看的話，X方向緞帶狀薄膜1，其全體的基本形狀為帶狀，因此對于以垂直的方向加諸于面之外力，自由地變形，對于沿著面的方向所加諸的外力(不論是帶的長方向或?qū)挿较?不會變形。
但在本實(shí)施形態(tài)1里，在X方向緞帶狀薄膜1的面上，由于設(shè)置垂直型探針3，同時挖出此垂直型探針3彎曲部31內(nèi)側(cè)部分，設(shè)置開口部10，因此其垂直型探針3的彎曲部31之部分上，X方向緞帶狀薄膜1之面方向(面之寬幅方向)即可能變形。此外，X方向緞帶狀薄膜1，在垂直型探針3之彎曲部31以外的部分，基本上不會在面方向變形。另，開口部10之上側(cè)，X方向緞帶狀薄膜1之薄膜材質(zhì)連續(xù)連接。另，Y方向緞帶狀薄膜2，構(gòu)造方面可說是同樣。由以上之結(jié)構(gòu)，構(gòu)成探針組裝體，在探測器裝置進(jìn)行信號檢出動作。
圖6是說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2之探測器裝置構(gòu)造的部分斜視圖。本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2之特征為，接觸壓的作用點(diǎn)、以及承受此接觸壓的支持部，與多配列之配列數(shù)或配線數(shù)無關(guān)，存在于彎曲部的結(jié)束位置，可使探針獲得良好的彈力特性。另具有之特征為，配線部分存在于前述支持部的后方，難以影響探針的彈性特性，可充分確保電氣配線的利用空間，可取得充分考慮電氣特性之配線型態(tài)形狀。另，使用本實(shí)施形態(tài)2之多配列垂直型探針組裝體的探測器裝置，并非像舊有設(shè)備一樣，將個別探針組裝體以鑄型狀配列構(gòu)成，而是如圖所示，在銅箔所積層的緞帶狀絶緣薄膜上，以依蝕刻而具有之彎曲部的垂直型探針3，形成數(shù)個型態(tài)，此型態(tài)形成之緞帶狀薄膜，為X方向緞帶狀薄膜1。同樣地，緞帶狀薄膜上以垂直型探針4，形成數(shù)個型態(tài)，此型態(tài)形成之緞帶狀薄膜，為Y方向緞帶狀薄膜2。另，X、Y方向緞帶狀薄膜1、2，在1個平面上具有數(shù)個探針及配線，應(yīng)配置于同平面之位置關(guān)系，藉由各自型態(tài)形成而得以確保。另，垂直型探針3、4的接點(diǎn)配置，以對應(yīng)1晶粒上之晶粒焊墊，逆向緊鄰之垂直型探針的彎曲部方向而配置。透過逆向配置而對應(yīng)芯片之1晶粒，其投影之面內(nèi)上，由本晶粒對應(yīng)之垂直型探針3、4對應(yīng)。
并設(shè)數(shù)片此X方向緞帶狀薄膜1，做為X方向組件5，以及并設(shè)數(shù)片Y方向緞帶狀薄膜2，做為X方向組件6，以此X方向組件5及Y方向組件6，組合為格子狀，構(gòu)成多配列垂直型探針組裝體，再將此組裝體固定、植立在支持基板(圖上未顯示)上之?dāng)?shù)支支柱8上，構(gòu)成探測器裝置。
另，舊有技術(shù)之中，1個個別探針組裝體對應(yīng)芯片上的1晶粒，但本發(fā)明之中，則在組合X、Y方向組件時，在各交叉位置配置垂直型探針3及4，對應(yīng)1晶粒的焊墊周距。而組合X、Y方向組件5、6之際，使垂直型探針3、4之周距符合半導(dǎo)體晶粒之焊墊周距，事先配合樹脂薄膜的厚度、或透過間隔調(diào)整、或透過位于角型部材8a、8b外周之凸?fàn)钔黄鹩浱?index)8c、8d，來決定正確的位置。關(guān)于本發(fā)明之記號8c、8d，并設(shè)數(shù)片而定位的方法，將另行說明。
接下來具體地說明構(gòu)成上述多配列垂直型探針組裝體的各部分。圖7是形成垂直型探針3型態(tài)之X方向緞帶狀薄膜1的斜視圖。圖8是X方向緞帶狀薄膜1的部分?jǐn)U大正面圖。首先，準(zhǔn)備積層鈹銅箔等的導(dǎo)電性材質(zhì)聚亞醯胺(polyimide)樹脂、及由其它非導(dǎo)電性薄膜所形成的帶狀薄膜，依蝕刻而將垂直型探針3構(gòu)圖(patterning)，形成X方向緞帶狀薄膜1。構(gòu)成垂直型探針3的部份，有在X方向緞帶狀薄膜1之面內(nèi)于長的一方形成U字形的彎曲部31，以及在彎曲部31之開口端末部，略往直角方向外方延伸的上側(cè)支持腳部32及下側(cè)支持腳33，以及設(shè)于上側(cè)支持腳32前端的接點(diǎn)34。在X方向緞帶狀薄膜1里，將垂直型探針3與彎曲部31背對方向相對配置之2支，做為1組件a，X方向緞帶狀薄膜1之長的一方上，將數(shù)個組件a，以a-1、a-2、a-3…的方式構(gòu)圖(patterning)。組件a的個數(shù)，由配合形成在芯片上的晶粒數(shù)而定。此時，垂直型探針3的上側(cè)支持腳32的前端部分(接點(diǎn)34所設(shè)的部位)，僅從X方向緞帶狀薄膜1的上部長邊之棱(edge)邊，突出長度L1，去除樹脂薄膜的長邊部。垂直型探針3的接點(diǎn)34，于探針檢查之際，成為接觸半導(dǎo)體晶粒之晶粒焊墊的探針，因此前端成棱狀。
X方向緞帶狀薄膜1之中，更設(shè)有數(shù)個第1的開口部9。第1開口部9，是對應(yīng)各組件a，在設(shè)于垂直型探針3下方的矩形狀孔洞，如圖6所示之穿過Y方向組件6的孔洞。另，X方向緞帶狀薄膜1之中，設(shè)有數(shù)個第2開口部10。開口部10如圖8(圖7之A部擴(kuò)大正面圖)所示，在鄰接之組件a(例如a-1及a-2)的邊緣部開設(shè)，幾乎成T字形狀開口，以穿過面向垂直型探針3之彎曲部31內(nèi)側(cè)部分的形式開設(shè)。因此，加諸在垂直型探針3之接點(diǎn)34上的箭頭S1方向之力量，依設(shè)置此開口部10，而使得不從樹脂薄膜承受復(fù)雜的方向力，作用于垂直型探針3之彎曲部31全體，使垂直型探針3彈性變形。亦即是，從另一面來看的話，X方向緞帶狀薄膜1，其全體的基本形狀為帶狀，因此對于以垂直的方向加諸于面之外力，自由地變形，對于沿著面的方向所加諸的外力(不論是帶的長方向或?qū)挿较?不會變形。但在本發(fā)明之中，在X方向緞帶狀薄膜1的面上，由于設(shè)置垂直型探針3，同時挖出此垂直型探針3彎曲部31內(nèi)側(cè)部分，設(shè)置開口部10，因此其垂直型探針3的彎曲部31之部分上，X方向緞帶狀薄膜1之面方向(面之寬幅方向)即可能變形。此外，X方向緞帶狀薄膜，在垂直型探針3之彎曲部31以外的部分，不會在面方向變形。垂直型探針3于檢查之際，依加諸于接點(diǎn)34部分的接觸壓力(箭頭S..1)而變形(以點(diǎn)線所示)，依此變形而發(fā)生復(fù)原力，其復(fù)原力可能做為芯片上晶粒焊墊與垂直型探針3之接點(diǎn)34之間的電氣性導(dǎo)通的接觸力而發(fā)揮作用。此外，X方向緞帶狀薄膜1本身，與其說是對于垂直型探針3之接觸壓等力學(xué)特性有貢獻(xiàn)，不如說是在此面上，具有在長的一方上，正確保持配置數(shù)個直線垂直型探針3之位置關(guān)系的機(jī)能。另，并列數(shù)個X方向緞帶狀薄膜1，構(gòu)成X方向組件5時，完成了往垂直型探針3之薄膜面方向定位的重要角色。此外，另具有做為鄰接的探針或鄰接的配線間之絶緣工具的機(jī)能。
X方向緞帶狀薄膜1中，如圖8所示，于形成垂直型探針3的同時，也形成了配線型態(tài)39。此配線型態(tài)39，從各組件a有各2支，具體而言是包含于從1組件的2個垂直型探針3之各1支，從該垂直型探針3，穿過開口9之高度范圍再往下方延伸，在X方向緞帶狀薄膜1的下端部，往直角方向折曲，朝水平方向，于下部長邊與開口部9之間的區(qū)域形成配線，往X方向緞帶狀薄膜1之長的一方延伸。另，開口部10中央附近的角穴10a，如后述般，是于并設(shè)X方向緞帶狀薄膜1時，穿過定位用的角材之孔穴。
其次使用圖9的正面圖，來說明Y方向緞帶狀薄膜2。Y方向緞帶狀薄膜2，與上述之X方向緞帶狀薄膜1的構(gòu)造不同。這是因?yàn)閷方向緞帶狀薄膜1及Y方向緞帶狀薄膜2交叉、組裝成格子狀之際，為了使設(shè)置于垂直型探針3及4的前端部之接點(diǎn)高度位置一致之故。首先，緞帶狀薄膜2的寬度由于不需要矩形狀的開口部，因此其寬度尺寸比緞帶狀薄膜1來得狹小。此外，組裝后，為了不使Y方向緞帶狀薄膜2的垂直型探針4的彎曲部35，干涉X方向緞帶狀薄膜1之垂直型探針3的彎曲部31，而將彎曲部35降至一定距離。因此，接點(diǎn)38從Y方向緞帶狀薄膜2的上端長邊側(cè)，僅突出長度L2(＞L1)，而將其它緞帶狀薄膜2的長邊部除去。
再進(jìn)一步與X方向緞帶狀薄膜1一樣，于形成垂直型探針4的同時，配線型態(tài)43從各組件a有各2支，沿著緞帶狀薄膜2之下部長邊，形成配線。然后，藉由形成數(shù)個此組件a，來形成Y方向緞帶狀薄膜2。另，緊鄰的組件a之間形成的十字型開口部10，是與緞帶狀薄膜1形成同形狀，具有吸收垂直型探針4彎曲的效果。無論何者，包含緞帶狀薄膜2之垂直型探針4前端部42的寬幅尺寸h，需要比緞帶狀薄膜1之開口部9的孔洞尺寸H來得小。此外，在開口部1中央附近開設(shè)角穴10a，亦與X方向緞帶狀薄膜1相同。
接下來說明將上述X、Y方向組件5、6，組裝于支持基板上，形成多配列垂直型探針組裝體的構(gòu)造。圖10是說明將Y方向緞帶狀薄膜2，數(shù)片并設(shè)之Y方向組件6的組裝狀態(tài)之分解斜視圖。并設(shè)數(shù)片Y方向緞帶狀薄膜2時，為了不使Y方向緞帶狀薄膜2呈散落狀(亦即是使之整齊排列)，面對Y方向緞帶狀薄膜2之面，從直角方向?qū)D11所示之?dāng)嗝鎁型角型部材8b，g從開口部10之角穴10a貫通插入，以保持整齊排列。此外，垂直型探針4上，事先形成突起部44，而可能與角型部材8b滑動(slide)，且藉由突起部44的前端，擋在角型部材8b的側(cè)面，使之嵌合，配合各Y方向緞帶狀薄膜2之長的一方位置。此外，在角型部材8b的側(cè)面，距離一定的間隔設(shè)有數(shù)個突起部47。這些突起部47，是為了決定構(gòu)成Y方向組件6的數(shù)個Y方向緞帶狀薄膜2之配置間隔。突起部47及下一個突起部47之間，藉由等間隔配置數(shù)片(1片亦可)Y方向緞帶狀薄膜2，可決定接點(diǎn)38之X方向的周距。此外，角型部材8b的側(cè)面突起部47之下方位置上，設(shè)有比突起部47之突出面更往外突出，往角型部材8b的長的一方延伸之棚部49。此棚部49，當(dāng)將角型部材8b插通Y方向緞帶狀薄膜2之開口部10a時，與在Y方向緞帶狀薄膜2之垂直型探針4所形成之突起部44產(chǎn)生關(guān)系，達(dá)到從下方支持垂直型探針4的機(jī)能。
同樣地，對于X方向組件5亦如圖6所示，為了不使緞帶狀薄膜1呈散落狀(亦即是使之整齊排列)，從直角方向?qū)D11所示之?dāng)嗝鎁型角型部材8a，從開口部10之角穴10a貫通插入，以保持整齊排列。此外，如圖8所示，垂直型探針3上，事先形成突起部42，而可能與角型部材8a滑動(slide)，且藉由突起部42的前端，擋在角型部材8a的側(cè)面，使之嵌合，決定各X方向緞帶狀薄膜1之長的一方位置。如此一來，X、Y方向組件5、6，各形成細(xì)長塊狀。此外，支持部材8a、8b，使用非導(dǎo)電性材料、或表面經(jīng)絶緣處理之材料。另，在角型部材8a的側(cè)面，距離一定的間隔設(shè)有數(shù)個突起部46。這些突起部46，是為了決定構(gòu)成X方向組件5的數(shù)個X方向緞帶狀薄膜1之配置間隔。突起部46及下一個突起部46之間，藉由等間隔配置數(shù)片(1片亦可)X方向緞帶狀薄膜1，可決定接點(diǎn)34之Y方向周距。此外，角型部材8a的側(cè)面突起部46之下方位置上，設(shè)有比突起部46之突出面更往外突出，往角型部材8a的長的一方延伸之棚部48。此棚部48，當(dāng)將角型部材8a插通X方向緞帶狀薄膜1之開口部10a時，與在X方向緞帶狀薄膜1之垂直型探針3所形成之突起部42產(chǎn)生關(guān)系，達(dá)到從下方支持垂直型探針3的機(jī)能。
接下來說明將X、Y方向組件，組裝在支持基板上之多配列垂直型探針組裝體的構(gòu)造。圖12是顯示多配列垂直型探針組裝體的支持臺-裝架臺13(實(shí)際顯示的僅是制作中的骨架部分)的部分斜視圖。如此圖所示，裝載X、Y方向組件5、6的裝架臺13，是由支持基板(圖上未顯示。此為鋪設(shè)于支柱8下方的基板)，以及直立于此支持基板上的數(shù)支支柱8所構(gòu)成。在X方向組件5與Y方向組件6所交叉區(qū)域100的四個角，各設(shè)立1支支柱，且從支柱8的1支來看，則鄰接的交叉區(qū)域100，X方向組件5與Y方向組件6亦獲得支持地配設(shè)。此外，如圖13及圖14所示，支柱8由規(guī)定尺寸角之?dāng)嗝婢匦螤畹牟坎乃纬?，其上端部分里，如同圖14所詳細(xì)顯示般，從上端面往下方切入成形，且具有相互直交的第1溝51及第2溝52。第1溝51是切入較淺的溝，第2溝52則是比第1溝51切入更深的溝。第1溝51，本身往Y方向延伸，立設(shè)在支柱8規(guī)定的間隔上。而后在第1溝51上，設(shè)置嵌入角型部材8a(參照圖12及圖13)。此外，第2溝52，本身往X方向延伸，立設(shè)在支柱8規(guī)定的間隔上。而后在第2溝52上，設(shè)置嵌入角型部材8b(參照圖12及圖13)。支持基板及支柱8，與前述之角型部材8a、8b相同，使用非導(dǎo)電性材料、或表面經(jīng)絶緣處理之材料，尤其是支持基板最好使用可因應(yīng)燒機(jī)測試的硅(silicon)，或與硅之熱膨漲率近似的材料。
支柱8的設(shè)立方式，則是像X方向的周距是p1、Y方向的周距是p2般，以鑄型狀設(shè)立數(shù)支在支持基板上。
以上均說明構(gòu)成多配列垂直型探針組裝體之各區(qū)塊的構(gòu)造，接下來說明組裝此區(qū)塊的程序。
首先，以多配列垂直型探針組裝體全體之大小為標(biāo)準(zhǔn)，顯示各構(gòu)成部品的尺寸比例。上述之緞帶狀薄膜1及2，例如在厚約12μm的聚亞醯胺(polyimide)薄膜上，積層厚20～30μm的鈹銅，在此薄膜上，構(gòu)圖(patterning)垂直型探針3、4，及配線39、43。假設(shè)現(xiàn)在若在被檢查芯片上，以X-Y方向，配列10mm角之半導(dǎo)體晶粒的話，可知各并設(shè)緞帶狀薄膜1、2之X、Y方向組件5、6的寬幅，可能各達(dá)9mm左右。此外，對應(yīng)10mm周距之X方向緞帶狀薄膜1，支柱8若為0.6mm角(圖14所示)的話，為將配線穿過該X方向緞帶狀薄膜1之長的一方，而將縱向的寬幅(配線及配線空隙尺寸)設(shè)為0.2mm的話，開口部9之寬幅最大可能到9mm。假設(shè)X方向緞帶狀薄膜1的厚度為40μm的話，在計(jì)算上，即可能并設(shè)9mm內(nèi)的225片Y方向緞帶，使之穿過開口部9。但實(shí)際上是配合1晶粒上之1列的焊墊數(shù)來決定片數(shù)。
此外，圖12所示之裝架臺13，使支持基板的大小與被測定芯片幾乎相同，以4支形成1晶粒范圍，配合晶粒數(shù)而設(shè)立支柱8。舉例來說，周距為p1＝p2＝10mm，在裝置X、Y方向組件5、6時，支柱8的高度大約在X方向緞帶狀薄膜1的下邊不接觸支持基板的高度。
首先，事先將角型部材8a，依序插入數(shù)個X方向緞帶狀薄膜1的角穴10a上，將此組裝而成的數(shù)個X方向組件5，配合周距，使之平行并列，將角型部材8a，與兩端部于Y方向空出間隔而設(shè)立之2支支柱8的第1溝51嵌合，裝架于上述2支支柱8之間。其次從Y方向，將Y方向緞帶狀薄膜2，直角地插通于X方向組件5之各薄膜1開口部9。插通時亦可將Y方向緞帶狀薄膜2，以逐片的方式進(jìn)行，或可將相當(dāng)于1組件的片數(shù)，一次一起插通。在緞帶狀薄膜2插通完成的時點(diǎn)，依序?qū)⒔切筒坎?b，插通至緞帶狀薄膜2之角穴10a。將角型部材8b，與兩端部于X方向空出間隔而設(shè)立之2支支柱8的第2溝52嵌合，裝架于上述2支支柱8之間。支柱8方面，由于第2溝52，比第1溝51切入更深，因此角型部材8b的設(shè)置高度，要設(shè)定在比角型部材8a的設(shè)置高度來得低的位置。依此，X方向組件5及Y方向組件6之間，可產(chǎn)生段落差距(參照圖12及圖13)。如此一來，即可完成將X、Y方向組件5、6組合為格子狀的區(qū)塊。
在此階段以圖10及圖11，來說明即使積層之Y方向緞帶狀薄膜2，在積層厚度方向參差不齊時，仍將探針前端部正確地置于目標(biāo)位置的方法。組裝圖10的Y方向組件6之際，將Y方向緞帶狀薄膜2，穿過X方向緞帶狀薄膜1之開口部9，再將角型部材8b，插通Y方向緞帶狀薄膜2的開口部10a。角型部材8b上有突起部47，當(dāng)開口部10a的寬幅尺寸較小時，突起部47即做為Y方向緞帶狀薄膜2與角型部材8b之間插通動作之制動裝置(stopper)而發(fā)揮作用，變成停止位置。突起部47的位置，與探針接點(diǎn)38應(yīng)定位的位置對應(yīng)，突起部47透過于角型部材8b的數(shù)個存在，從Y方向緞帶狀薄膜2之厚度的參差不齊所產(chǎn)生累積的位置偏移(并設(shè)方向之位置偏移)，藉由突起部47之周距范圍修正，以防止大范圍偏移，可正確地對向探針前端及芯片上的焊墊。
此外，除了防止上述之位置偏移之外，由于設(shè)有延伸在角型部材8b的長的一方之棚部49，因此當(dāng)將角型部材8b，插通于Y方向緞帶狀薄膜2的開口部10a時，即與于Y方向緞帶狀薄膜2之垂直型探針4所形成的突起部44產(chǎn)生關(guān)系，發(fā)揮從下方支持垂直型探針4的機(jī)能。且藉由突起部44的前端，擋在角型部材8b的側(cè)面，使之嵌合，配合各Y方向緞帶狀薄膜2之長的一方位置。此突起部44的前端，擋在角型部材8b側(cè)面的作用，不單是配合上述長的一方的位置，同時也具有在燒機(jī)測試時，防止因Y方向緞帶狀薄膜2熱膨漲而造成垂直型探針4的位置偏移之效果。
以上各點(diǎn)，X方向緞帶狀薄膜1、及依此而構(gòu)成的X方向組件5亦為相同。
接下來，將以此X、Y方向組件5、6組合而成的區(qū)塊，裝載于支持基板上。如此一來，X、Y方向組件及支持基板之間即固定，完成多配列垂直型探針組裝體。另，X、Y方向組件5、6之上下方向的定位，由在支柱8形成之第1溝51及第2溝52所形成，因此可使垂直型探針3、4的前端部32、42的前端高度整齊。
依據(jù)此實(shí)施形態(tài)2，由于X、Y方向組件呈格子狀被固定在支柱上，因此即使因溫度差等而造成緞帶狀薄膜伸縮，也會在對應(yīng)1晶粒的組件內(nèi)被吸収，而不影響鄰接的組件，能抑制全體的伸縮。結(jié)果即形成，晶粒焊墊及垂直型探針的周距偏移消失，而可能使用多配列垂直型探針組裝體的特性測定。
圖15是顯示在X、Y方向緞帶狀薄膜2所形成的配線39、43之薄膜端部的配線構(gòu)造圖。圖15所示的配線構(gòu)造，是位在印刷基板61上之端子61a、61b、61c、61d、61e、61f，及Y方向緞帶狀薄膜2之端子，相對于Y方向緞帶狀薄膜2可用微小間隔來配置，由于印刷基板61上的端子間隔較粗大，因此將Y方向緞帶狀薄膜2，以1對1的方式，對應(yīng)印刷基板61的端子61a、61b、61c、61d、61e、61f，則避免了必須制作多種類之Y方向緞帶狀薄膜2。此種情況時，對不需要電氣性導(dǎo)通的彈性變形端子，施予絶緣處理。此外，本發(fā)明的配線構(gòu)造中，提供了印刷基板61上的端子、及Y方向緞帶狀薄膜2的端子，不以焊接處理而接觸導(dǎo)通的方法。配線43a上，有數(shù)個可能彈性變形的端子43b(圖15的例子中有3個)，此外，配線43c上，亦有數(shù)個可能變形的端子43d。印刷基板61上的端子61a、61b、61c、61d、61e、61f的間隔，即便是粗大的間隔，也因以數(shù)個微細(xì)周距來配置Y方向緞帶薄膜2的端子43b、以及43d的彈性端子，而能進(jìn)行電氣性導(dǎo)通。此外，由于是彈性端子的緣故，透過從上部壓下Y方向緞帶狀薄膜(圖未顯示)，而使彈性端子與印刷基板上的端子，能以略均一的接觸壓接觸。
接下來再參照圖面，詳細(xì)地說明本發(fā)明之實(shí)施形態(tài)。圖16的正面圖，是顯示與本發(fā)明之實(shí)施形態(tài)3有關(guān)之緞帶狀薄膜的一例。本發(fā)明之實(shí)施形態(tài)3，是大幅地將X方向緞帶狀薄膜及Y方向緞帶狀薄膜的構(gòu)成予以簡單化而成。亦即是，此實(shí)施形態(tài)3里的構(gòu)成，包括將緞帶狀薄膜65的薄膜材質(zhì)減縮至最極限，連接藉由相互對向的一對垂直型探針66a、66b，而構(gòu)成之垂直型探針對66的第1連結(jié)部材67a，以及連接位在1個垂直型探針(例如66a)后方之其它垂直型探針66c的第2連結(jié)部材67b，以及從垂直型探針66a、66b、66c，往下方延伸的配線68。配線68，在垂直型探針66A、66b、66c的下方、規(guī)定的部位彎曲，而形成開口部69，具有與位在上述之實(shí)施形態(tài)2的X方向緞帶狀薄膜1相同之全體結(jié)構(gòu)。
透過采用如此的構(gòu)成，而能實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)更加簡單之探測器裝置。
以上，根據(jù)本發(fā)明之構(gòu)造，是將X、Y方向組件以格子狀配置、定位后而固定全體，因此即便因?yàn)闇囟炔畹榷l(fā)生緞帶狀薄膜伸縮，亦能抑制全體之伸縮。結(jié)果即形成，晶粒焊墊及垂直型探針的周距偏移消失，而可能使用多配列垂直型探針組裝體的特性測定。
接下來再參照圖面，詳細(xì)說明本發(fā)明之實(shí)施形態(tài)4。圖17是與本發(fā)明之實(shí)施形態(tài)4有關(guān)之被試驗(yàn)體的斜視圖，圖18是在實(shí)施形態(tài)4中之探針的側(cè)面圖。圖17及圖18中，探測器裝置探針101的要素，是由1個電氣導(dǎo)通部102及1個薄膜部103所構(gòu)成。將此探針101的要素，配置于種種方向，藉由此種方式，對于像是內(nèi)存關(guān)系的1個晶粒，可對應(yīng)1或數(shù)個Line的焊墊。亦即是，將探針101面向紙面，旁邊以適當(dāng)?shù)闹芫嗯渲脭?shù)個積層，再藉由面向紙面，在深側(cè)方向配列數(shù)個積層配列，而能對應(yīng)數(shù)個Line的焊墊配列。此處所說的探針，是電氣性連接帶有彈性變形、提供接觸力的接點(diǎn)(contact)，并非限定于一般所謂的使用于LSI電路檢查用探測器的探針。同樣地，探測器裝置也代表電氣性接點(diǎn)的裝置。以下亦同。
圖17里，符號600代表的是芯片。601是配置在芯片內(nèi)的晶粒、602是配列在晶粒內(nèi)的焊墊。以下說明的接觸子1，對于有像配列在1個晶粒601內(nèi)之1列的焊墊602時，尤其適用于此種情況之檢查。本發(fā)明之探針101，不單是檢查半導(dǎo)體芯片，對于液晶檢查等同樣的配列檢查亦有效。
圖18顯示的是，與電氣導(dǎo)通部102及薄膜部103有關(guān)連之部品的配置關(guān)系。電氣導(dǎo)通部102由導(dǎo)電性材料所構(gòu)成，一方由接觸于被試驗(yàn)晶粒電極焊墊的輸入部501、變形部502、固定部503、輸出變形部504、輸出部505所構(gòu)成。變形部502的輪廓中包含圓弧，但在與輸入部501及固定部503分離的地方，因圓弧部之存在，而得到極大的變形量。固定部504的圓弧部上，插入表面經(jīng)絶緣處理的圓棒104，焊墊602接觸輸入部501時，固定著固定部503，因此變形部502變形，其復(fù)原力變成焊墊602及輸入部501間的接觸力。
本發(fā)明中之電氣導(dǎo)通部102的特征，是固定部502及輸出變形部504上有所特征。圓棒104插入固定部503，固定板105支持著該插入之圓棒104。配線組立106，貼附在固定板105上，配線端子106垂直地延伸的線的一端，與輸出部505接觸，而形成電氣性導(dǎo)通。輸出變形部504上亦包含圓弧，與配線端子接觸后即變形，接觸力藉由輸出變形部的復(fù)原力而發(fā)生。
輸出變形部504，在適當(dāng)量變形之狀態(tài)下，藉由配線端子106及輸出部505接觸，而達(dá)成安定之電氣性連接。本發(fā)明之實(shí)施形態(tài)4，輸出變形部504中，包含圓弧的構(gòu)造，但使彈性變形發(fā)生的方法形狀上，可不僅限于圓弧部。
補(bǔ)助型態(tài)107，由于對稱關(guān)系的力量產(chǎn)生作用，因此能使圓棒104輕易地壓入插入，同時提高固定部503的固定効果。
薄膜部103的表面上，貼附著電氣導(dǎo)通部102及補(bǔ)助型態(tài)107。為了不妨礙位在電氣導(dǎo)通部102之變形部502的變形動作，而在變形部502的內(nèi)側(cè)，開設(shè)了各孔穴510。藉由在薄膜部103開設(shè)孔穴510，當(dāng)變形部502變形時，即減少了發(fā)生在薄膜部103的皺折等。此外，在固定部503的圓棒104之插入位置上，開設(shè)與圓棒104的直徑相同程度孔徑的孔穴108。
在LSI電路檢查的過程中，焊墊602朝紙面，于下側(cè)移動，焊墊602及輸入部501之間，在適切的接觸力產(chǎn)生作用前而移動的同時，輸入部501也在下方移動。此時，變形部502變形。接觸力產(chǎn)生作用，變形部502的復(fù)原力產(chǎn)生作用時，從位在圓棒104上方部主體的固定部503，壓下圓棒104之力量產(chǎn)生作用。圓棒104的下端，由于與固定板105接觸，因此固定板105之上下方向的長度，即使承受接觸力，而以亦可忽視彎曲的長度，使圓棒104不發(fā)生彎曲。此外，當(dāng)接觸力作用時，存在有藉由固定部503之接觸力的右方向作用之力的向量(vector)，但因電氣導(dǎo)通部102貼附在薄膜部103上，因此不會發(fā)生什么問題。
因此，如以上說明，在固定部503被固定的狀態(tài)，焊墊602及輸入部501，隨著接觸力而接觸，焊墊602及配線端子106能獲得良好的電氣性導(dǎo)通。
接下來參照圖面，詳細(xì)說明本發(fā)明之實(shí)施形態(tài)5。圖19是與本發(fā)明之實(shí)施形態(tài)5有關(guān)之被試驗(yàn)體的斜視圖，圖20是實(shí)施形態(tài)5之中的探針的側(cè)面圖。本實(shí)施形態(tài)5，基本性垂直型探針101的要素，是由2個電氣導(dǎo)通部102及1個薄膜部103所構(gòu)成。將此探針101的要素，配置于種種方向，藉由此方式，能將靠近的2列配列、對向2列配列、專用集成電路(ASIC)或邏輯(logic)等、焊墊702，對應(yīng)配列在矩形形狀之晶粒601。
圖20顯示的是，將2個探針部以相對的狀態(tài)而配置時的構(gòu)造。左側(cè)的探針部，是替換于實(shí)施形態(tài)4所說明之補(bǔ)助型態(tài)107的狀態(tài)而配置，2個輸入部501、501，是與緊鄰的2個晶粒左側(cè)及右側(cè)的焊墊602對向。
藉由將此探針101要素，配置于種種方向的方式，對于像是內(nèi)存關(guān)系的1個晶粒，可對應(yīng)1或數(shù)個線列(Line)的焊墊。亦即是，將探針101面向紙面，旁邊以適當(dāng)?shù)闹芫嗯渲脭?shù)個積層，再藉由面向紙面，在深側(cè)方向配列數(shù)個積層配列，可對應(yīng)數(shù)個線列(Line)的焊墊配列。再將略同樣的配列直交配列，由于與剩下的矩形狀配列之2邊焊墊對向，因此與前述之專用集成電路或邏輯等之焊墊602對向，而能對應(yīng)配列成矩形形狀之晶粒601。
固定板105的兩側(cè)，有配線端子106，而可能達(dá)到2個探針101之電氣導(dǎo)通。
本實(shí)施形態(tài)5之電氣導(dǎo)通部102的輸入部501、變形部502、固定部503、輸出變形部504、輸出部505的機(jī)能，與實(shí)施形態(tài)4略同。
因此，與實(shí)施形態(tài)5的配列夾隔固定板105，而存在之2個配線端子106，對應(yīng)緊鄰的晶粒601，為可能達(dá)到矩形配列型焊墊配列之電氣導(dǎo)通的有效配列。
接下來再參照圖面，詳細(xì)說明本發(fā)明之實(shí)施形態(tài)6。圖21是與本實(shí)施形態(tài)6有關(guān)之探針603的正面圖，圖22是該探針603的側(cè)面圖，圖23是基線圖樣(groundline pattern)604的正面圖，圖24是薄膜605的正面圖。本實(shí)施形態(tài)6，是為了對應(yīng)高速化的構(gòu)造。另，對應(yīng)之晶粒，與實(shí)施形態(tài)4相同，藉由將此探針603的要素，配置于種種方向的方式，對于像是內(nèi)存關(guān)系的1個晶粒，可對應(yīng)1或數(shù)個Line的焊墊。此外，在本實(shí)施形態(tài)6的配線端子及固定板，由于與實(shí)施形態(tài)4所說明之配線端子106及固定板105，在略相同的原理及機(jī)能之下，而可能適用，因此本實(shí)施形態(tài)的說明即予以省略。
一般若使用長方形斷面的斷面2次力矩(moment)之大的材料形狀，來嘗試確保接觸力，則材料之寬幅(紙面的上下方向的尺寸)即變大。此在許多厚的方向(紙面垂直方向)，積層接觸子，則電氣容量就變大、高速化地逆行。另一方面，接觸子需要適當(dāng)?shù)慕佑|力。本實(shí)施的形態(tài)，在縮小電氣導(dǎo)通部的材料幅度的同時，也得到接觸力，因此，與力有關(guān)系之基線圖樣(ground line pattern)604參與，與電氣導(dǎo)通產(chǎn)生關(guān)系，是電氣導(dǎo)通部606對應(yīng)的方法。另，電氣導(dǎo)通部606及基線圖樣604，夾著薄膜605，2個部材電氣性導(dǎo)通部606及基線圖樣604，以機(jī)械性地傳達(dá)圖23的力之部分K而結(jié)合，而可能達(dá)到電氣性地絶緣狀態(tài)。
圖21之中，以實(shí)線描繪電氣導(dǎo)通部606。此電氣導(dǎo)通部606里，607為輸入部、608為變形部、609為固定部、610為輸出變形部、611為輸出部。電氣導(dǎo)通部606的主要機(jī)能，是和實(shí)施形態(tài)4中所說明的電氣導(dǎo)通部102，幾乎有著相同的構(gòu)造，且其機(jī)能也幾乎相同。但從各部的線幅、圓棒104開始的距離較小。此外，輸入部607的中間，透過薄膜605，而與基線圖樣604機(jī)械性地結(jié)合。亦即是，基線圖樣604的表面，與薄膜605機(jī)械性地結(jié)合，電氣導(dǎo)通部606，則在輸入部607及固定部609附近機(jī)械性地結(jié)合。
于焊墊(圖上未顯示)的下方移動，壓下輸入部607時，圖23所示之斜線部分K，電氣導(dǎo)通部606及薄膜605形成一體，而產(chǎn)生相同的動作。做為接觸力而作用的力，是基線圖樣604之變形部621、與電氣導(dǎo)通部606之變形部608，依各自的變形而生成之復(fù)原力的略和。但在本實(shí)施形態(tài)中，依照上述，由于斷面2次力矩，對于較小之電氣導(dǎo)通部606的變形部608，可能對應(yīng)較小的內(nèi)力，因此即使基線圖樣604的變形部621，位在電氣導(dǎo)通部606的變形部608之外側(cè)，接觸力參與斷面2次力矩的材料幅度影響大，因而略產(chǎn)生基線圖樣604的復(fù)原力。此種方式除了可使電氣導(dǎo)通部606小型化，同時亦可能獲得較大的輸入部607上下動作及最適當(dāng)?shù)慕佑|力。
僅擴(kuò)大或縮小與輸入部607之焊墊前端接觸的部分，可透過部分蝕刻技術(shù)、或部分電鍍技術(shù)來達(dá)成，因此，配合使用需求而適當(dāng)?shù)剡x擇使用，可達(dá)成技術(shù)性的目標(biāo)。
圖22是圖21的右側(cè)面圖，于電氣導(dǎo)通部606上，貼附薄膜605及絶緣薄膜612。另，基線圖樣604的一側(cè)表面，貼附于薄膜605上。如前所述，加諸于輸入部607的接觸力，有圖22上以箭頭F所示之力的傳達(dá)，藉由圓棒104而支撐該接觸力。亦即是，加諸于電氣導(dǎo)通部606的輸入部607之接觸力，是由電氣導(dǎo)通部606，傳達(dá)至薄膜605及基線圖樣604(圖22之箭頭F2)，該電氣導(dǎo)通部606之變形部608、及基線圖樣604的變形部，與薄膜605一同彈性變形而獲得支撐。關(guān)于電氣信號之導(dǎo)通，輸入至電氣導(dǎo)通部606之輸入部607的電氣信號，是經(jīng)過該電氣導(dǎo)通部606而傳送(圖22之箭頭F2)。
在圖23里，圓棒104與基線圖樣604的固定部622之圓弧部623壓入嵌合。變形部621的突出部622、與左側(cè)之突出部624，是以數(shù)個規(guī)定之周距而左右配列時，形成各個連接。因此，基線圖樣604，即使未與配線的基材(ground)連接，也可能在適當(dāng)?shù)牡胤交?ground)連接。例如，將與變形部609類似的端子，僅配置在基材連接必要的場所時，即可能基材連接。由于此范圍可從圖23簡單地推論，因此予以省略。
圖24顯示的是薄膜605。此薄膜605，具有和實(shí)施形態(tài)4的機(jī)能略為相同的機(jī)能，電氣導(dǎo)通部606及基線圖樣604，各自機(jī)械性地結(jié)合。另，薄膜605之中，設(shè)有對應(yīng)實(shí)施形態(tài)4之孔穴510的孔穴613、及貫通圓棒104的孔穴614。
圖25顯示的是貼附在電氣導(dǎo)通部606之絶緣薄膜612。此絶緣薄膜612，當(dāng)探針603配列于厚的方向時，需各自處于絶緣狀態(tài)。除了輸入部607與焊墊接觸的附近、及輸出部611與配線端子106接觸的附近以外，將此絶緣薄膜612，藉由像是包圍電氣導(dǎo)通部606般地貼附，使各個電氣導(dǎo)通部606，形成電氣性獨(dú)立的構(gòu)造。另，絶緣薄膜612之中，設(shè)有對應(yīng)薄膜605之孔穴613的孔穴615、以及貫通圓棒104的孔穴616。
圖26是顯示實(shí)施形態(tài)7之探針603的電氣導(dǎo)通部606的正面圖。圖27是上述探針603之電氣導(dǎo)通部606的側(cè)面圖。此實(shí)施形態(tài)7，是為了謀求探針603之高速對應(yīng)化，而放大電氣傳導(dǎo)部之對向距離、縮小電氣容量的構(gòu)造。此外，圖26之中，以正面圖描繪積層于厚的方向、緊鄰接觸子300的電氣導(dǎo)通部606-1及6061-2，以及顯示接觸力未作用的狀態(tài)。
電氣導(dǎo)通部606-1及電氣導(dǎo)通部606-2之各個輸入部為607-1、607-2，則此輸入部607-1垂直方向的長度L1，與輸入部607-2垂直方向的長度L2不同，變形部608-1及變形部608-2，形成略同一之形狀的話，則從正面圖來看之對向重復(fù)即變小，因此，如圖26所示，與電氣導(dǎo)通部606-1及電氣性導(dǎo)通606-2對向之面積亦變小。結(jié)果即形成，依本實(shí)施形態(tài)7的話，即可能達(dá)到小電氣容量之高速化對應(yīng)的接觸子組裝。另，本實(shí)施形態(tài)7之方法，亦可能適用于實(shí)施形態(tài)4、實(shí)施形態(tài)5、實(shí)施形態(tài)6。
圖28是顯示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)8之探針603的正面圖。圖29是該基線圖樣604的正面圖。圖28及圖29所顯示的實(shí)施形態(tài)8，是電氣導(dǎo)通部606-1及電氣導(dǎo)通部606-2，以2個左右對稱的方式配置。藉由將此要素以種種方向配置，而能使接近的2列配列、對向的2列配列、及圖19所示的專用集成電路ASIC或邏輯等之焊墊602，對應(yīng)以矩形形狀配列之晶粒601。
圖28，是將2個電氣導(dǎo)通部606，以左右對稱配置，具有共通之基線圖樣604、共通的薄膜605、及絶緣薄膜612之情況的說明圖。2個輸入部與緊鄰的2個晶粒左側(cè)、及右側(cè)之焊墊602對向。
在橫方向以適當(dāng)?shù)闹芫嗯渲?，再面向紙面，在深?cè)方向積層配列，透過此種方式，而可能對應(yīng)具有矩形焊墊型態(tài)之對向2列的復(fù)數(shù)配列晶粒。再藉由直交、配列略同樣之配列，由于與剩余之矩形狀配列2邊的焊墊對向，因此可對應(yīng)前述之專用集成電路(ASIC)或邏輯等、焊墊602對向之矩形形狀配列的晶粒601。
固定板105的兩側(cè)上，有配線端子106，而可能達(dá)到2個探針102、102之電氣導(dǎo)通。
本實(shí)施形態(tài)8之電氣導(dǎo)通部606的輸入部607、變形部608、固定部609、輸出變形部610、輸出部611的機(jī)能，與實(shí)施形態(tài)4略同。另，圖30是基線圖樣604，與配線之基線(ground line)連接時的基線圖樣604的輸出變形部604a。另，本實(shí)施形態(tài)之薄膜及絶緣薄膜，由于圖24及圖25的右側(cè)形狀與左側(cè)均相同，因可能推測，所以省略圖面以及說明。
因此，夾著本實(shí)施形態(tài)8的配列、及固定板105，而存在之2個配線端子106，對應(yīng)緊鄰的實(shí)施形態(tài)5所顯示的晶粒601，是為了達(dá)到矩形配列型焊墊配列之高速電氣導(dǎo)通可能性的有効配列。
從以上的說明，透過具有基線圖樣、薄膜及絶緣薄膜的本實(shí)施形態(tài)8，而可能達(dá)到在矩形狀配列之焊墊上，高速化之接觸子所形成的電氣性導(dǎo)通。
以圖31至圖35，來說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)9。圖31顯示的是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)9之探針組裝體的探針部分的斜視圖。圖32是從側(cè)面來看圖31上所顯示之探針部分的概略構(gòu)成圖，使電氣信號的導(dǎo)通經(jīng)路更為清楚的圖。圖33是顯示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)9之探針的正面圖。圖34是該基線圖樣的正面圖。圖35是顯示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)9的薄膜之正面圖。
實(shí)施形態(tài)9的電氣性連接方法，是采用與實(shí)施形態(tài)6、或?qū)嵤┬螒B(tài)8之電氣性連接方法所不同的方法。亦即是，在實(shí)施形態(tài)6等之中，電氣導(dǎo)通部606的前端部(圖22之607)，與焊墊接觸而承受接觸力(F)，且進(jìn)行電氣性連接(參照圖22)。相對于此，實(shí)施形態(tài)9采用的方法則是電氣導(dǎo)通部不接觸焊墊，藉由基線圖樣604-1與焊墊接觸、承受接觸力，而進(jìn)行電氣性的連接。此實(shí)施形態(tài)9的方法，當(dāng)電氣導(dǎo)通部102-1的型態(tài)厚度極薄至數(shù)μm、彈性力變小的情況時，在與焊墊連接中，接觸力的承受是來自于基線圖樣，較不會發(fā)生變形及破壞，因此性能較為優(yōu)越。
如圖31所示，本實(shí)施形態(tài)9的探針603-1，是由電氣導(dǎo)通部102-1、薄膜605-1、基線圖樣604-1所構(gòu)成?；€圖樣604-1是由金屬等導(dǎo)電性材質(zhì)所制成，具有接觸部621-1、前端部621-2、切口621-3。電氣導(dǎo)通部102-1當(dāng)然亦是以金屬等導(dǎo)電性材質(zhì)所制成，具有補(bǔ)強(qiáng)型態(tài)102-3、及前端部102-2。此電氣導(dǎo)電部102-1的前端部102-2，與基線圖樣604-1的前端部621-2金屬接合。補(bǔ)強(qiáng)型態(tài)102-3，是增加連接面積、強(qiáng)化金屬接合等之方法。
電氣導(dǎo)通部102-1、及薄膜605-1、及基線圖樣604-1的接觸部621-1之間，以蒸著方式、或電鍍方式來強(qiáng)固地接合。當(dāng)焊墊及基線圖樣604-1的前端部621-2之間連接，發(fā)生接觸力時，此接觸力在圖32里，如同箭頭A所示般地輸入，之后再如同箭頭A1、A2、A3所示般地傳達(dá)。亦即是，輸入的接觸力(箭頭A)，是從基線圖樣604-1的前端部621-2，往電氣導(dǎo)通部102-1的前端部102-2傳達(dá)(箭頭A1)，接著從電氣導(dǎo)電部102-1，往薄膜605-1傳達(dá)(箭頭A2)，再從薄膜605-1，往基線圖樣604-1傳達(dá)(箭頭A3)。透過此種方式，而使基線圖樣604-1的變形部(圖34之中的符號621-4)彈性變形。上述箭頭A3所示之接觸力傳達(dá)方向，是從基線圖樣604-1的前端部621-2來看，穿越切口621-3的基端部。因此，如上所述，相對于接觸力被傳達(dá)，而電氣信號則因切口621-3及薄膜605-1(由絶緣性材質(zhì)所構(gòu)成)，而遭到遮斷，不會穿過基線圖樣604-1。
接下來說明本實(shí)施形態(tài)9之電氣信號導(dǎo)通。如圖32所示，電氣信號如同箭頭A所示般地輸入，之后再如箭頭A1、A4所示般地傳達(dá)。亦即是，輸入的電氣信號(箭頭A)，從基線圖樣604-1的前端部621-2，往電氣導(dǎo)通部102-1的前端部102-2傳達(dá)(箭頭A1)，原原本本地穿過電氣導(dǎo)電部102-1，而傳送至輸出變形部(圖33之中的符號102-4)。既已如上所述，基線圖樣604-1之中，因?yàn)橛星锌?21-3，所以不會將電氣信號傳送至基線圖樣604-1的變形部。
依本實(shí)施形態(tài)，即可能從基線圖樣輸入來自于焊墊的電氣信號，再傳達(dá)至電氣導(dǎo)通部102-1，而進(jìn)行電氣檢查。
圖36是顯示實(shí)施形態(tài)10之探針603的避免干涉說明圖。探針是專用集成電路(ASIC)或邏輯般的焊墊配列，以矩形狀配列的狀態(tài)時，探針在本發(fā)明之中即為交叉(或直交)。此種情況的避免干涉時，于圖36的2個電氣導(dǎo)通部606之A、B、C、D，各以相同的條件達(dá)成。藉由此種方式，從固定板105至圓棒104上面之距離相等，因此可能采取同樣的裝配方法。此外，電氣性導(dǎo)通部之電氣性特性亦幾乎相同。
接下來再用圖37~圖45，說明依照上述而構(gòu)成之本發(fā)明多配列探針組裝體的電氣配線構(gòu)造。
圖37是顯示該電氣配線構(gòu)造體之一部份的斜視圖。此電氣配線構(gòu)造體，與被測定物-半導(dǎo)體晶粒、及探測器裝置本體之間連接，具有收發(fā)電氣信號的重要機(jī)能。
如圖37所示，此電氣配線構(gòu)造體，由聚亞醯胺(polyimide)樹脂等絶緣性薄膜的兩面鈹銅等之配線型態(tài)所形成的緞帶狀薄膜707、708所構(gòu)成，將此緞帶狀薄膜707、708各2片，以X-Y方向組合構(gòu)成。緞帶狀薄膜707上，有切口771，而緞帶狀薄膜708上，有切口781，各以周距P形成于數(shù)個地方。此外，切口771、781的寬幅、臺座與臺座的間隔相等。依這些切口，可將緞帶狀薄膜707、78，以X-Y方向組合成格子狀，可在臺座與臺座的間隙之間，配置此緞帶狀薄膜707、708，達(dá)到與個別探針組裝體之間的電氣性連接。另，在X、Y方向的各臺座與臺座的空隙間，各配置2片緞帶狀薄膜707、708。具有此配線型態(tài)的緞帶狀薄膜之構(gòu)造，以圖38、圖39來具體地說明。
圖38是顯示X方向緞帶狀薄膜之構(gòu)成圖，圖39是顯示Y方向緞帶狀薄膜的構(gòu)成圖。各個圖之中，(a)為側(cè)面圖、(b)為正面圖。如圖37所示，緞帶狀薄膜707上，配合支柱的配列周距P，在薄膜的短的方向，設(shè)有數(shù)個切口771，同樣地，緞帶狀薄膜708上，設(shè)有與緞帶狀薄膜707呈相反方向的切口781。切口深度約至薄膜幅的中央部位，切口的寬度則與臺座和臺座間隙相等。此外，薄膜707、708的長度，是可以覆蓋形成在芯片上晶粒的X或Y方向的最大配列長度。而X方向的緞帶狀薄膜707、及Y方向的緞帶狀薄膜708之間，配線型態(tài)構(gòu)造有著若干差異。
首先，圖38(a)所示之X方向緞帶狀薄膜707，在其表面?zhèn)葻o切口771的上半部分(h/2)的一側(cè)上，將數(shù)支銅配線772，以上下方向平行、狹周距(例如45μm)的形態(tài)形成。此狹周距間隔，與個別配列探針組裝體之垂直型探針的周距一致。另一方面，此薄膜707的里面一側(cè)上，與薄膜長的一方平行、在無切口771的上半部分(h/2)的一側(cè)，形成與銅配線772直交之?dāng)?shù)個共通銅配線773，銅配線772與共通銅配線773，透過在薄膜707上所開設(shè)的貫通孔774為媒介，在表里電氣性的連接。共通銅配線773，是使用與銅配線772同樣的微影(Photolithography)技術(shù)之蝕刻法或電鍍法制作而成。此外，銅配線772及共通銅配線773，分別設(shè)置于薄膜的表里兩面，因此，連接用的貫通孔774，僅設(shè)置于連接上所必要的交叉位置即可，除此之外，不需要在其它交叉點(diǎn)之磁氣遮蔽(shield)。依照此種方式，從形成于X方向緞帶狀薄膜707的銅配線772、與共通銅配線773所形成的配線型態(tài)，以共通銅配線773為共通line，銅配線772從此line與緊鄰的切口771及771的間隔P為1區(qū)劃，依各區(qū)劃之不同而形成分岐的形態(tài)。
另一方面，Y方向之緞帶狀薄膜708，如圖39(a)、(b)所示，在到達(dá)幅h的薄膜表面?zhèn)鹊南掳氩糠?h/2)之長度上，形成銅配線782，以及里面?zhèn)鹊南掳氩糠?h/2)上，形成共通銅配線783，各個配線以貫通孔784為媒介，在表里連接，此與X方向緞帶狀薄膜707相同，但此處切口781的位置是向上，因此共通銅配線783，配置在無切口的薄膜下半部分上，其長度為銅配線782的長度。依此種方式而形成的緞帶狀薄膜，以薄薄的絶緣被膜，包覆著包含銅配線及共通銅配線之薄膜全體，保護(hù)表面，防止銅配線剝離或短路。但前述之臺座及后述(圖41、圖42)之X-Y方向定位部材，若為樹脂的情況時，可不需要特別設(shè)置絶緣被膜。
另，銅配線772、782，其前端部分從薄膜長的一方上邊部位突出一點(diǎn)點(diǎn)(圖38、圖39之中以尺寸A表示)，此突出前端面露出銅面，組裝多配列探針組裝體時，為接觸垂直探針前端，而形成接觸端子775、785。此外，共通銅配線773、783，如圖45之斜視圖所示，緞帶狀薄膜707、708的端部是可插入承口715的構(gòu)造，因此可透過承口715，而達(dá)到與外部檢查裝置連接的可能。
圖47至圖49，是于圖39所顯示之Y方向緞帶狀薄膜708的應(yīng)用例圖，圖47是斜視圖、圖48是正面圖、圖49是斷面圖。與圖39的不同點(diǎn)，是將縱方向的銅配線782，越過與橫方向之共通銅配線783的交叉點(diǎn)，延長至緞帶狀薄膜的下邊，從下邊僅突出一點(diǎn)點(diǎn)，于下邊側(cè)亦設(shè)有連接端子785c。依據(jù)此種方式，連接端子形成于緞帶狀薄膜的上下邊，因此，即使上下顛倒亦可使用。同樣地，X方向緞帶狀薄膜的下邊，亦設(shè)有連接端子，因此，能擴(kuò)大緞帶狀薄膜的應(yīng)用范圍。
圖46是說明緞帶狀薄膜之配線與芯片連接之例圖。亦即是，做為共通銅配線，而設(shè)有2支的輸入信號線863、864、及輸出信號線865。這些信號線，例如在芯片861上，是在X方向配列之?dāng)?shù)個晶粒862共通地連接著，因此可達(dá)到同時檢查各列的可能。這些信號線，任意設(shè)定其種類或支數(shù)即可，亦可配合需要，輕易地更換緞帶狀薄膜。
將依此種方式而形成的X及Y方向緞帶狀薄膜，安裝于多配列裝架臺上。此時所需要的部品方面，則以圖34、圖35、圖36予以說明。圖40是顯示多配列裝架臺之一部份的平面圖。亦即是，在X-Y方向以周距P配列之臺座703的間隔c之間，X方向定位部材709、與Y方向定位部材710，以格子狀組合設(shè)置。X方向定位部材709、及Y方向定位部材710組合時，將開設(shè)于各交叉部的孔穴，穿過支柱706(直徑d)，而定位、固定X-Y-Z方向之位置。此X方向定位部材709、及Y方向定位部材710的厚度f，為穿過支柱706而f＞d，同時，在該兩側(cè)上，開設(shè)前述之緞帶狀薄膜707或708可插入之寬幅g，f＝c-2g。另，寬幅g，以緞帶狀薄膜707、708的兩面上所形成之銅配線772、773，或包含782、783之厚度尺寸可插入而定。
圖41是顯示X方向定位部材709、及Y方向定位部材710的構(gòu)造斜視圖。X方向定位部材709、及Y方向定位部材，是由樹脂或金屬材料等構(gòu)成，厚度h、寬幅f的長尺板狀部材。而幅c、深度h/2的數(shù)個切口792，以周距P在下邊側(cè)形成，在各切口792的中心位置上，開有穿過直徑d之支柱706的孔穴791。另一方面，Y方向定位部材710，是與上述X方向定位部材709，成直角組合安裝的部材，同樣地以周距P，設(shè)有切口802、孔穴801，但此處切口802設(shè)于對面一側(cè)(上邊側(cè))。另，于定位部材709、及710上所形成的切口792、802，以及于緞帶狀薄膜707及708上所形成之切口771、781的各個尺寸，全部均為相同。
圖42是顯示組合X方向定位部材709、及Y方向定位部材710之交叉位置的狀態(tài)斜視圖。X方向定位部材709、Y方向定位部材710，均藉由將支柱706穿過孔穴791及801，而決定X-Y方向之位置，同時，下端部當(dāng)接于支柱706的段部761，決定Z方向的位置。在此時所形成的間隙g上，安裝緞帶狀薄膜。另，此定位部材709及710，除了定位機(jī)能之外，也具有和支柱706同時構(gòu)成多配列探針組裝體之補(bǔ)強(qiáng)部材的機(jī)能。
圖37顯示的是，將上述X方向定位部材709、及Y方向定位部材710、及緞帶狀薄膜707、708，組裝于多配列裝架臺之狀態(tài)的平面圖。藉由安裝此等部品，而定位、安裝緞帶狀薄膜707、708，緞帶狀薄膜707、708是在臺座703的四個側(cè)面上，具有為了與個別探針組裝體的垂直型探針接觸之接觸端子775、785的緞帶狀薄膜，此外，透過緞帶狀薄膜707、708的銅配線772、782，而能夠?qū)㈦姎庑盘柸〕鲋镣獠?，充分發(fā)揮多配列探針組裝體的機(jī)能。
接下來再以圖44(a)、(b)、(c)、(d)的工程圖，來說明如圖43所示，安裝定位部材709及710、緞帶狀薄膜707及708的程序。另，此程序僅為其中一例，以其它程序進(jìn)行亦無妨。首先，如圖43(a)所示，將Y方向定位部材710的切口802朝上，將孔穴801穿過支柱706，將Y方向定位部材710，設(shè)置于臺座703及703之間。此時，Y方向定位部材710，依支柱706而定出Y方向位置的同時，下邊部當(dāng)接于支柱706的段部761，決定Z方向的位置。此時，在Y方向定位部材710的兩側(cè)，與臺座3之間形成間隙g。
接下來如圖43(b)所示，在此兩側(cè)的間隙g上，將Y方向緞帶狀薄膜708橫向，一片片地垂直嵌入。插入之際，將切口781朝上，且將垂直銅配線782，朝臺座703的側(cè)面插入。此時，緞帶狀薄膜708，由于切口781與定位部材710的切口802是相同尺寸，因此配合各切口位置，決定Y方向位置。或事先將緞帶狀薄膜708，配合、重合在定位部材710上，在安裝定位部材10時一體嵌入亦可。嵌入的同時，緞帶狀薄膜708的下邊部亦當(dāng)接于支柱706的段部761，決定Z方向的位置，藉由此，使薄膜708的上端面位置與臺座703上面位置一致。此外，安裝于臺座703上之探針組裝體701的探針前端，與緞帶狀薄膜708的垂直銅配線782之接觸端子785一致。
如以上說明，在Y方向之定位部材710、及緞帶狀薄膜708安裝完成后，接下來再如圖43(c)所示，將X方向定位部材709的切口792朝下，將孔穴791穿過支柱706，將X方向定位部材709，設(shè)置在臺座703及703之間。此時，X方向定位部材709依支柱706，決定X方向之位置，同時，下邊部也當(dāng)接于支柱706的段部761，決定Z方向的位置。結(jié)果即形成，定位部材710及709，各組合切口802及792，形成格子狀，安裝于臺座703及臺座703之間。此時，在X方向定位部材709的兩側(cè)，與臺座703之間，形成間隙g。
接下來如圖43(d)所示，在此兩側(cè)的間隙g上，將X方向緞帶狀薄膜707橫向，一片片地垂直嵌入。插入之際，將X方向緞帶狀薄膜707、切口771朝下，且將垂直銅配線772，朝臺座703的側(cè)面插入。此時，緞帶狀薄膜707切口771，與已安裝之定位部材710的切口802、緞帶狀薄膜708的切口781，組合成格子狀，定出X方向的位置。同時，薄膜下邊部亦當(dāng)接于支柱706的段部761，決定Z方向之位置，依此，薄膜7的上端面位置，與臺座703的上面位置一致。此外，安裝在臺座703之探針組裝體701的垂直探針前端，與緞帶狀薄膜707的垂直銅配線772的接觸端子775，形成各個一致。
依此而形成的本發(fā)明多配列探針組裝體之電氣配線構(gòu)造，透過將具有共通配線Line的緞帶狀薄膜組合為格子狀，可輕易且高精確度地組裝。此外，臺座的各側(cè)面正確位置上，一次當(dāng)接固定各數(shù)支的銅配線連接端子，因此，之后亦不需要調(diào)整連接端子的高度或平行度。
接下來再參照圖面，詳細(xì)地說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)11。本實(shí)施形態(tài)11，是已于圖4所說明過的本發(fā)明系統(tǒng)多數(shù)配線對應(yīng)及高速化對應(yīng)之部份。圖50是本實(shí)施形態(tài)11的斜視圖。例如，將配列在內(nèi)存相關(guān)之線上的焊墊，一次全部與探針接觸，進(jìn)行高速檢查。
圖50上的602是焊墊，有緊鄰的2列，如圖所示，以一定間隔各2列配列。在本實(shí)施形態(tài)11之中，有2列緊鄰配列的例子，但若不配置前述對向的探針603的任一方，即變成等間隔的線配列。
709-1是X方向定位部材，710-1是Y方向定位部材。在實(shí)施形態(tài)9之中，已說明X方向定位部材709、Y方向定位部材710的形狀及機(jī)能，本實(shí)施形態(tài)之X方向定位部材709-1、Y方向定位部材710-1，亦具有略同的形狀及機(jī)能。此外，709-1是X方向定位部材、710-1是Y方向定位部材，為達(dá)成相互、正確地定位的方式而產(chǎn)生作用。探針603-1是于Y方向配列數(shù)個、于厚的方向(X方向)積層配列著。實(shí)際上，如前述說明，薄膜狀絶緣膜之薄膜605-1上，配置著以基于微影(lithography)技術(shù)的蝕刻及電鍍等加工方式所形成的基線圖樣604-1及電氣銅通部606-3。110是1軸用檢測電路。
圖51是圖50的主要部位擴(kuò)大圖。在X方向定位部材709-1的側(cè)面上，強(qiáng)固地貼附2組1軸檢測電路110。圖52是1軸檢測電路110的正面圖。1軸檢測電路是軟性影膜(flexible film)111、電子裝置112、連接配線113、輸出入線114所構(gòu)成。
軟性影膜111，是與實(shí)施形態(tài)8之緞帶狀薄膜707同質(zhì)的材料所構(gòu)成，連接配線113，是擔(dān)負(fù)與銅配線772略相同的探針之間電氣性連接的角色。電子裝置112，是如前述圖4所說明，從接口75接受來自于泛用計(jì)算機(jī)73的檢查情報，傳送至連接線113。電子裝置112，由于可確保紙面上下方向上必要的空間，因此對于1個晶粒，可存在配置1個檢查電路。圖52代表的是連接配線113，從2個電子裝置112，連接至晶粒上焊墊602，但實(shí)際上，從多數(shù)的電子裝置112的其中1個，實(shí)質(zhì)性地透過前述連接配線113，而連接至1個晶粒上焊墊602。
圖53是從圖50的箭頭X方向所看的圖。圖54是從圖50的箭頭Y方向所看的圖。圖51、圖53之中，在X方向定位部材709-1開設(shè)之孔穴791-1上，壓入固定腳(pin)109，固定腳109的端緣部及X方向定位部材709-1的凸部一端，夾有圓棒109而固定。本實(shí)施形態(tài)時，圓棒109從1直線方向(此時僅從X方向)配置著。后述之實(shí)施形態(tài)之中，則變成從X及Y方向配置。
圖54之中，連接配線113是由從軟性影膜111突出若干，與輸出變形部610-1電氣性連接所形成。切口115是為了避免與X方向定位部材709-1發(fā)生干涉情況而設(shè)置。
以上，依據(jù)本實(shí)施形態(tài)11，則可對于配列在芯片上之所有晶粒的所有焊墊，從檢查電路直接建構(gòu)同時、全部且高速之芯片檢查系統(tǒng)，而非以晶粒1對檢查電路1之對應(yīng)，進(jìn)行收發(fā)檢查信號之連續(xù)檢查。
接下來再參照圖面，詳細(xì)地說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)12。本實(shí)施形態(tài)12，是于圖4已說明過之本發(fā)明系統(tǒng)的多數(shù)配線對應(yīng)及高速化對應(yīng)的部份。圖55是本實(shí)施形態(tài)12的斜視圖。例如對于以邏輯關(guān)系A(chǔ)CIC等之矩形配列之焊墊，謀求一次全部接觸探針，以達(dá)到高速檢查。
圖55之中，601是晶粒、602是焊墊，晶粒601是在芯片上以數(shù)個格子狀配列而成。709-1是X方向定位部材、710-1是Y方向定位部材。實(shí)施形態(tài)9之中，已說明X方向定位部材709、Y方向定位部材710的形狀及機(jī)能，本實(shí)施形態(tài)12之X方向定位部材709-1、Y方向定位部材710-1亦具有略為相同的形狀及機(jī)能。此外，709-1是X方向定位部材、710-1是Y方向定位部材，做為達(dá)成相互且正確定位的工具而產(chǎn)生作用。探針603-1是于Y方向配列數(shù)個、于厚的方向(X方向)積層配列著。實(shí)際上，如前述說明，薄膜狀絶緣膜之薄膜605-1上，配置著以微影技術(shù)的蝕刻及電鍍等加工方式而形成的基線圖樣604-1、及電氣銅通部606-3。
110是1軸用檢測電路。探針603-2是與探針603-1直交一樣地，如圖所示，與探針603-1同樣，配列在Y方向及X方向。探針603-1及探針603-2不干涉的方法方面，是依據(jù)于圖26及圖27所說明之方法制作而成。
2組1軸檢測電路110，強(qiáng)固地貼附在X方向定位部材709-1的兩側(cè)面。同樣地，將2組2軸檢測電路116，強(qiáng)固地貼附在Y方向定位部材710-1的兩側(cè)面。為了不使1軸檢測電路110與2軸檢測電路發(fā)生干涉現(xiàn)象，而在2軸檢測電路116設(shè)有切口120，1軸檢測電路110穿過此切口組裝而成。圖56是2軸檢測電路116的正面圖。如圖56所示，2軸檢測電路是由2軟性影膜之117、電子裝置之112、2連接配線之118、2入輸出線119、切口120所構(gòu)成。
2軟性影膜117，以和實(shí)施形態(tài)8的緞帶狀薄膜707相同的材料所構(gòu)成，2連接配線118與銅配線772及連接配線113略相同，擔(dān)負(fù)與探針電氣性連接的角色。電子裝置112以圖4說明，從接口75接收來自于泛用計(jì)算機(jī)73的檢查情報，傳送至連接線118。電子裝置112，由于可確保紙面上下方向上必要的空間，因此對于1個晶粒，可存在配置1個檢查電路。圖52代表的是連接配線113，從2個電子裝置112，連接至晶粒上焊墊602，但實(shí)際上，從多數(shù)的電子裝置112的其中1個，實(shí)質(zhì)性地透過前述連接配線113，而連接至1個晶粒上焊墊602。
1軸用檢測電路110及2軸用檢測電路最主要的不同，是為了避免電子裝置112的干涉發(fā)生，而使2切口120比切口115來得更大。另，由于切口變大，使得2連接配線118的通過幅度變窄。本發(fā)明實(shí)施形態(tài)如圖56所示，變窄的部分，在2軟性影膜的表里配線，表面及里面的配線合計(jì)，是與電子裝置112所輸出之配線合計(jì)相同地配線、對應(yīng)。
圖57是從圖50的箭頭X方向所看的圖。圖58是從圖50的箭頭Y方向所看的圖。圖55、圖57、圖58之中，在X方向定位部材709-1開設(shè)之孔穴791-1上，壓入固定腳109，固定腳109的端緣部及X方向定位部材709-1的凸部一端，夾有圓棒109而固定。本實(shí)施形態(tài)時，圓棒109從2直線方向(此時僅從X方向及Y方向)配置著。2連接配線118，從2軟性影膜117突出若干，與輸出變形部610-1形成電氣性連接。
依據(jù)以上本實(shí)施形態(tài)的話，則可對于配列在芯片上之所有晶粒的所有焊墊，從檢查電路直接建構(gòu)同時、全部且高速之芯片檢查系統(tǒng)，而非以晶粒及檢查電路1∶1之對應(yīng)，進(jìn)行收發(fā)檢查信號之連續(xù)檢查。
依本發(fā)明，透過蝕刻積層通常一般使用的銅箔之樹脂薄膜，而使得微細(xì)的垂直型探針及配線型態(tài)更容易加工，此外，并設(shè)數(shù)件以樹脂薄膜形成緞帶狀的東西為1組件，將此組件以X-Y方向呈格子狀組合的話，即可輕易地構(gòu)成多配列垂直型探針組裝體。藉由此，而可能對于在大口徑之半導(dǎo)體芯片上所形成的多晶粒，一次全部檢測測定，隨著IC晶粒的高集積化，在逐漸微細(xì)化之半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)里，可期待將有極大的貢獻(xiàn)。
以上透過圖面所示之實(shí)施例子，對本發(fā)明做一說明，但若為本業(yè)者的話，可清楚得知此發(fā)明可輕易地變更、可以改變，此種變更部分亦包含于發(fā)明的范圍內(nèi)。對于在LSI等之電子裝置制造工程的半導(dǎo)體芯片上，所形成的數(shù)個半導(dǎo)體晶粒電路檢查時使用，本發(fā)明尤其有效。本發(fā)明更可以使用于液晶及其它電子裝置的電路檢查等，可使用于范圍廣泛的電氣機(jī)能組件之機(jī)能檢查。
權(quán)利要求
1.一種電氣信號連接裝置，其特征在于具有與設(shè)于被檢查電氣機(jī)能組件之電氣連接用端子接觸，進(jìn)行電氣連接之垂直型探針，以及支持著前述垂直型探針之樹脂薄膜，前述垂直型探針在樹脂薄膜的面上，沿著該薄膜面的方向，以具有彈性變形的方式設(shè)置，將前述垂直型探針的一端，與被檢查電氣機(jī)能組件的端子接觸，將前述垂直型探針的另一端，與電氣機(jī)能檢查裝置的端子接觸，在被檢查電氣機(jī)能組件及電氣機(jī)能檢查裝置之間，收發(fā)信號。
2.一種電氣信號連接裝置，其特征在于具有與設(shè)在被檢查電氣機(jī)能組件之?dāng)?shù)個電氣連接用端子接觸之?dāng)?shù)個垂直型探針，在進(jìn)行電氣連接之電氣機(jī)能檢查裝置上，具有數(shù)支垂直型探針的緞帶狀樹脂薄膜，并設(shè)數(shù)片此薄膜而成之X方向組件、及與X方向組件交叉方向延伸之Y方向組件，各有數(shù)組，將此數(shù)組X方向組件及Y方向組件，在支持基板上成格子狀配設(shè)，定位、并予以固定，將X方向組件及Y方向組件的各交叉位置上所配置之前述垂直型探針，一次全部使之接觸于被檢查電氣機(jī)能組件的所有端子上，在被檢查電氣機(jī)能組件及電氣機(jī)能檢查裝置之間，收發(fā)信號。
3.一種探測器裝置，其特征在于使形成于半導(dǎo)體芯片上之被檢查半導(dǎo)體晶粒接觸垂直型探針，透過此垂直型探針，在與檢查裝置之間，進(jìn)行電氣性連接之探測器裝置上，具有數(shù)支垂直型探針之緞帶狀樹脂薄膜，并設(shè)此薄膜而形成之X方向組件及Y方向組件，各有數(shù)組，將此數(shù)組X方向組件及Y方向組件，在支持基板上成格子狀配設(shè)，定位、并予以固定，將X方向組件及Y方向組件的各交叉位置上所配置之前述垂直型探針，一次全部使之接觸于形成在半導(dǎo)體芯片上所形成之被檢查半導(dǎo)體晶粒的所有焊墊，進(jìn)行檢測測試。
4.如權(quán)利要求3所述的探測器裝置，其特征在于所述垂直型探針?biāo)渲弥當(dāng)?shù)組X方向組件及Y方向組件的交叉位置，與形成于半導(dǎo)體芯片之所有被檢查半導(dǎo)體晶粒，一對一地對應(yīng)，X方向緞帶狀薄膜及Y方向緞帶狀樹脂薄膜，在交叉位置占有上下不同的空間，因此不會發(fā)生干涉現(xiàn)象。
5.如權(quán)利要求3所述的探測器裝置，其特征在于配置在前述X方向組件及Y方向組件各交叉位置上之前述垂直型探針，在彈性變形之彎曲部的終端上，與配線連接，在終端部透過角型部材等固定方式而獲得支持，各被檢查半導(dǎo)體晶粒之焊墊配置及前端部一致。
6.如權(quán)利要求3所述的探測器裝置，其特征在于所述X方向組件及Y方向組件，配設(shè)、植立在支持基板上成鑄型狀，配置在以角型部材等固定方式連結(jié)之?dāng)?shù)支X、Y方向定位用支柱上。
7.如權(quán)利要求3所述的探測器裝置，其特征在于所述緞帶狀樹脂薄膜由X方向緞帶狀薄膜及Y方向緞帶狀薄膜所構(gòu)成，具有設(shè)于各銅箔積層樹脂薄膜上之彎曲部的垂直型探針、以及與此連接之配線型態(tài)，藉由蝕刻而成形。
8.如權(quán)利要求3所述的探測器裝置，其特征在于所述緞帶狀樹脂薄膜，與緊鄰之垂直型探針的彎曲部方向呈反方向配置。
9.如權(quán)利要求3所述的探測器裝置，其特征在于所述X方向緞帶狀薄膜，以從長的一方上邊，往垂直型探針一端突出的方式設(shè)置，另一端則經(jīng)過彎曲部而垂下，沿著下邊延伸至緞帶狀薄膜端部，形成配線，另一方面，在樹脂薄膜部分，備有以彎曲部所圍繞而開設(shè)之第2開口、以及沿著長的一方，以等間隔所開設(shè)之Y方向緞帶狀薄膜，為了將之從直角方向穿過之第2開口。
10.如權(quán)利要求3所述的探測器裝置，其特征在于所述Y方向緞帶狀薄膜，以從長的一方上邊，往垂直型探針一端突出的方式設(shè)置，另一端則經(jīng)過彎曲部而垂下，沿著下邊延伸至緞帶狀薄膜端部，形成配線，垂直型探針的突出長度，比在前述X方向緞帶狀薄膜之突出長度更長的方式形成，另一方面，樹脂薄膜部分上，具有以彎曲部圍繞而開設(shè)之開口。
11.如權(quán)利要求9所述的探測器裝置，其特征在于所述X及Y方向緞帶狀薄膜，透過在前述彎曲部所圍繞而開設(shè)的開口、及樹脂薄膜上邊所形成之樹脂薄膜幅狹部的彈性變形，而使垂直型探針的軸方向，在檢查時具有彈性復(fù)原力。
12.如權(quán)利要求3所述的探測器裝置，其特征在于將所述X方向組件及Y方向組件，以格子狀配設(shè)時，從X及Y方向緞帶狀薄膜各自突出的垂直型探針前端部之高度一致。
13.如權(quán)利要求3所述的探測器裝置，其特征在于所述X方向組件及Y方向組件，位于Z軸方向時有位相差，而不會產(chǎn)生干涉現(xiàn)象地配置于直角方向，X方向組件上之彎曲部，以及Y方向組件上之彎曲部，在Z軸方向有位相差，而不會產(chǎn)生干涉現(xiàn)象地配置，角型部材是支持各彎曲部的工具，在Z軸方向有位相差而直交，此外，前述各角型部材，與緊鄰之被檢查半導(dǎo)體晶粒為等距離。
14.如權(quán)要求11所述的探測器裝置，其特征在于X方向組件是穿過第2開口部，將Y方向組件從直角方向穿過，位在X方向組件之彎曲部、及位在Y方向組件之彎曲部，于Z軸方向具有位相差，而不會產(chǎn)生干涉現(xiàn)象地配置，角型部材是支撐各彎曲部之工具，在Z軸方向有位相差而直交，此外，前述各角型部材，與緊鄰之被檢查半導(dǎo)體晶粒為等距離。
15.如權(quán)利要求3所述的探測器裝置，其特征在于為了將X方向緞帶狀薄膜及Y方向緞帶狀薄膜的厚度方向之位置，正確地定位，而將配置于角型部材表面之凸?fàn)钔黄鹬穸确较虻拿?、與X方向緞帶狀薄膜、或Y方向緞帶狀薄膜所接觸的位置，變?yōu)楸∧ぶ苿涌赡芙缦尬恢蒙稀?br> 16.如權(quán)利要求7所述的探測器裝置，其特征在于具有各個配線可彈性變形之?dāng)?shù)個接觸端子。
17.一種探針組裝體，其特征在于具有彈性變形部的數(shù)個探針部、及具有電氣傳導(dǎo)手段及數(shù)個彈性端子之?dāng)?shù)個配線，在具有非電氣傳導(dǎo)材之?dāng)?shù)個孔穴及切口穴之薄膜狀樹脂表面，電氣性物理結(jié)合，保持前述薄膜狀樹脂與前述探針部、與前述配線部之機(jī)能，并藉由相乘作用，助長前述探針部之力學(xué)機(jī)能、機(jī)械機(jī)能，配置于所預(yù)定的位置上。
18.一種探針組裝體，其特征在于具有彈性變形部之?dāng)?shù)個探針部、及與該探針部在樹脂表面電氣性物理地結(jié)合，具有數(shù)個孔穴及切口穴之薄膜所構(gòu)成，前述探針部支持被測定端子之連接焊墊與探針的接觸力，具有設(shè)置于棒狀被傳導(dǎo)材所壓入之該探針上的孔穴、以及位在該穴略下方之彈性變形部，具有配線端子接觸、電氣性連接之彈性變形部。
19.如權(quán)利要求18所述的探針組裝體，其特征在于將探針組裝體在同一方向連結(jié)狀態(tài)下所配列。
20.如權(quán)利要求18所述的探針組裝體，其特征在于將數(shù)個探針組裝體，配列在厚的方向上。
21.如權(quán)利要求18所述的探針組裝體，其特征在于與配置于X方向之探針組裝體，以略相同方式構(gòu)成，由配置于Y方向之探針組裝體所構(gòu)成。
22.一種探針組裝體，其特征在于由具有彈性變形部之探針部、與和該探針部在樹脂表面電氣性物理地結(jié)合，具有孔穴及切口穴之薄膜所構(gòu)成，前述探針部支持被測定端子之連接焊墊與探針的接觸力，具有設(shè)置于棒狀被傳導(dǎo)材所壓入之該探針上的孔穴、以及位在該穴略下方之彈性變形部，具有配線端子接觸、電氣性連接之彈性變形部的探針部、以及夾有前述薄膜，在相反一側(cè)上，具有比前述探針更大面積之彎曲部等的彈性變形部之基材部，以及在該基材部上支持接觸力，具有與棒狀被傳導(dǎo)材所壓入之該探針上設(shè)置之孔穴相同位相的孔穴，該孔穴的略下方，有因應(yīng)需要之彈性變形部，透過與前述探針和薄膜之間的結(jié)合力，而可能從基材部之彈性變形部，達(dá)到力的傳達(dá)，在電氣性方面，于彈性變形部以外之部分連接。
23.一種探針組裝體，其特征在于由具有彈性變形部之探針部，以及和該探針部在樹脂表面電氣性物理地結(jié)合、具有孔穴之薄膜所形成，前述探針部支持著被測定端子之連接焊墊及探針接觸力，具有設(shè)于棒狀被傳導(dǎo)材被壓入之該探針上的孔穴，以及位于該孔穴略下方之彈性變形部，具有配線端子接觸、電氣性連接之彈性變形部，夾著前述薄膜、在對向一側(cè)，具有比前述探針更大面積之彎曲部等的彈性變形部，以及在該基材部支持接觸力，具有與棒狀被傳導(dǎo)材被壓入之該探針上所設(shè)孔穴相同位相之孔穴，在該孔穴的略下方，具有因應(yīng)需要之彈性變形部，透過前述探針及薄膜的結(jié)合力，而可能從基材部部的彈性變形部傳達(dá)力，電氣性部份，于彈性變形部以外之部分連接，且探針部之被接觸部與接觸部分的材料，是和基材部同一材料，探針部形成結(jié)束后，前述基材部透過蝕刻等，而電氣性物理地分離、形成。。
24.如權(quán)利要求22所述的探針組裝體，其特征在于是在同一方向，以連結(jié)狀態(tài)配列而成。
25.如權(quán)利要求22所述的探針組裝體，其特征在于是數(shù)個配列于厚的方向。
26.如權(quán)利要求25所述的探針組裝體，其特征在于是由配置于X方向之探針組裝體、以及以略相同方式形成、配置于Y方向探針組裝體所構(gòu)成。
27.如權(quán)利要求23所述的探針組裝體，其特征在于將數(shù)個探針組裝體，配列于厚的方向，緊鄰該厚的方向之探針變形部，在垂直方向的位置不同，具有使電氣容量變小之作用。
28.如權(quán)利要求27所述的探針組裝體，其特征在于由配置于X方向之探針組裝體、以及以略相同方式形成、配置于Y方向探針組裝體所構(gòu)成。
29.一種配線組裝體，其特征在于是配線在非導(dǎo)電性軟性影膜表面，接著形成之排線(Flexible Flat Cable)的一端上，垂直地與探針端子電氣接觸的配線方面，前述非導(dǎo)電性軟性影膜單側(cè)上，有電源線、基材線及信號線、晶粒選擇線所形成之共通線，以及設(shè)置在晶粒上、相對于前述共通配線垂直配列的晶粒驅(qū)動線所構(gòu)成。
30.如權(quán)利要求29所述的配線組裝體，其特征在于表面由非導(dǎo)電性之固定板、及強(qiáng)固地結(jié)合在該固定板單側(cè)1表面之配線組裝所構(gòu)成。
31.一種配線組裝積層體，其特征在于是將權(quán)利要求29所述的配線組裝體、以及與該配線組裝體略相同構(gòu)成、半周距不同的配線組裝體，以千鳥配列，再積層配置晶粒驅(qū)動線之配置組裝。
32.如權(quán)利要求29所述的配線組裝體，其特征在于是數(shù)個配列于薄膜的厚的方向上。
33.如權(quán)利要求29所述的配線組裝體，其特征在于是對向于非導(dǎo)電性之固定板的兩側(cè)面，在該固定板強(qiáng)固地結(jié)合。
34如權(quán)利要求30所述的配線組裝體，其特征在于是數(shù)個配列于薄膜的厚的方向上。
35.如權(quán)利要求18所述的探針組裝體，其特征在于是配置多配列裝架臺、及此多配列裝架臺上、配列于X方向之第1臺座、及配列于Y方向之第2臺座、及前述第1及第2臺座之間，往X方向延伸之棒狀部材及往Y方向延伸之棒狀部材所組合而成格子狀的定位部材，配合此定位部材，而進(jìn)行前述電氣配線連接體之位置定位。
36.如權(quán)利要求35所述的探針組裝體，其特征在于所述格子狀之定位部材，在X方向及Y方向交叉部分，開有穿過支柱的孔穴，支柱穿過此孔穴，固定定位部材，此定位部材與支柱同時構(gòu)成多配列裝架臺之補(bǔ)強(qiáng)部材。
37.如權(quán)利要求35所述的探針組裝體，其特征在于在前述X方向及Y方向延伸的棒狀部材上，設(shè)有等周距間隔的切口，配合此而組裝成格子狀。
38.如權(quán)利要求35所述的探針組裝體，其特征在于所述格子狀定位部材，藉由穿過支柱，而決定X-Y方向之位置，同時，定位部材下邊部，當(dāng)接于支柱段部，決定Z方向之位置。
39.如權(quán)利要求35所述的探針組裝體，其特征在于在所述格子狀的定位部材、與臺座之間，形成緞帶狀薄膜之電氣配線連接體可能插入的間隙。
40.如權(quán)利要求35所述的探針組裝體，其特征在于前述電氣配線連接體，藉由格子狀定位部材，而決定X-Y方向的位置，同時，薄膜下邊部當(dāng)接于支柱段部，決定Z方向之位置。
41.如權(quán)利要求40所述的探針組裝體，其特征在于在所述電氣配線連接體X、Y方向緞帶狀薄膜上，設(shè)有等周距間隔的切口，配合此切口，組合成格子狀。
42.如權(quán)利要求36所述的探針組裝體，其特征在于所述格子狀的定位部材、及電氣配線連接體，以前述支柱為基準(zhǔn)，而形成裝卸方便的形態(tài)。
43.如權(quán)利要求35所述的探針組裝體，其特征在于所述的電氣配線連接體，是在兩面以銅配線型態(tài)形成之緞帶狀薄膜。
44.如權(quán)利要求43所述的探針組裝體，其特征在于所述的緞帶狀薄膜，是包括銅配線型態(tài)的兩面，被絕緣薄膜所被覆著。
45.如權(quán)利要求43所述的探針組裝體，其特征在于形成于所述緞帶狀薄膜兩面之銅配線型態(tài)，表面?zhèn)仁茄刂L的一方所形成之?dāng)?shù)個共通銅配線，里面?zhèn)葎t是與此共通銅配線于直交方向形成之?dāng)?shù)個銅配線。
46.如權(quán)利要求45所述的探針組裝體，其特征在于形成于前述緞帶狀薄膜表里面之銅配線，在直交位置透過貫通孔，可任意與配線之間電氣性地連接。
47.如權(quán)利要求43所述的探針組裝體，其特征在于與所述長的一方直交之銅配線，將其前端部朝上，從緞帶狀薄膜上邊僅突出一點(diǎn)點(diǎn)，成為與前述個別探針組裝體之垂直型探針接觸之連接端子。
48.如權(quán)利要求43所述的探針組裝體，其特征在于與所述長的一方直交之銅配線，將其前端部從緞帶狀薄膜上邊及下邊的兩側(cè)僅突出一點(diǎn)點(diǎn)，在上下兩邊形成與前述個別探針組裝體之垂直型探針接觸的連接端子。
49.如權(quán)利要求39所述的探針組裝體，其特征在于裝著所述緞帶狀薄膜之際，將具有連接端子的銅配線側(cè)的一面，面向前述臺座的側(cè)面來配置。
50.如權(quán)利要求49所述的探針組裝體，其特征在于將2片前述緞帶狀薄膜重疊，使各連接端子呈2列且千鳥狀般地錯開配置，使之可能適應(yīng)晶粒焊墊的千鳥配列。
51.如權(quán)利要求43所述的探針組裝體，其特征在于是具有形成于前述緞帶狀薄膜之連接端子的銅配線，將之?dāng)?shù)支為一個單位，數(shù)個單位以等周距的方式，從共通銅配線開始分岐。
52.如權(quán)利要求43所述的探針組裝體，其特征在于在所述緞帶狀薄膜的長的一方端部上，設(shè)有共通銅配線的配線端子，并可能插入連接外部檢查裝置的承口。
53.如權(quán)利要求51所述的探針組裝體，其特征在于具有形成于前述緞帶狀薄膜之連接端子的銅配線各單位，對應(yīng)于各自多配列在半導(dǎo)體芯片上之各半導(dǎo)體晶粒。
54.如權(quán)利要求36所述的探針組裝體，其特征在于對于形成于半導(dǎo)體芯片上的數(shù)個半導(dǎo)體晶粒焊墊，同時且一次全部使之接觸各垂直型探針，以進(jìn)行檢測檢查，接著再以此原本狀態(tài)，進(jìn)行燒機(jī)檢查。
55.如權(quán)利要求54所述的探針組裝體，其特征在于所述燒機(jī)檢查之際，透過支持著個別探針組裝體垂直型探針的絕緣基板之熱膨張而按壓，以防止垂直型探針的位置偏移。
56.一種電氣電路檢查裝置，是由薄膜，以及與此薄膜一體安裝、進(jìn)行電路檢查處理的電子部品，以及連接于前述電子部品、且從薄膜端部往外方突出若干之配線端子所構(gòu)成。
57.一種芯片檢查裝置，是由薄膜，以及與此薄膜一體安裝、進(jìn)行電路檢查處理之電子部品，以及連接于前述電子部品、且從薄膜端部往外方突出若干之配線端子所構(gòu)成。
58.一種電氣電路檢查裝置，其特征在于是由薄膜，以及與此薄膜一體安裝、進(jìn)行電路檢查處理之電子部品，以及連接于前述電子部品、且從薄膜端部往外方突出若干之配線端子所構(gòu)成的第1電氣電路檢查裝置，和具有與前述第1電氣電路檢查裝置略相同構(gòu)造、且與該第1電氣電路檢查裝置交叉方向延伸之第2電氣電路檢查裝置所構(gòu)成，前述第1電氣電路檢查裝置、以及第2電氣電路檢查裝置之中，在其中一端的交叉部分設(shè)有切口，使之插通另一端之電氣電路檢查裝置的薄膜。
59.如權(quán)利要求58所述的電氣電路檢查裝置，其特征在于支持接觸力、彎曲較少的一面，貼附于絕緣之板狀基板上。
全文摘要
對于具有高密度端子的電子裝置、或半導(dǎo)體晶粒，可一次全部同時地進(jìn)行檢測測試。因此，做為電氣信號連接裝置，有接觸設(shè)于被檢查電氣機(jī)能組件之電氣連接用端子、進(jìn)行電氣連接的垂直型探針，以及支持前述垂直型探針之樹脂薄膜，前述垂直型探針，在樹脂薄膜之面上，沿著該薄膜面的方向，具有彈性變形可能，將與前述垂直型探針之一端，接觸被檢查電氣機(jī)能組件的端子，將前述垂直型探針的另一端，接觸電氣機(jī)能檢查裝置的端子，在被檢查電氣機(jī)能組件與電氣機(jī)能檢查裝置之間，收發(fā)信號。
文檔編號G01R1/073GK1670540SQ200510055220
公開日2005年9月21日 申請日期2005年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月16日
發(fā)明者木本軍生 申請人:木本軍生