專(zhuān)利名稱(chēng)：具自校正功能的集成電路、測(cè)量裝置及參數(shù)自我燒錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種作為測(cè)量應(yīng)用領(lǐng)域的集成電路、應(yīng)用該集成電路的裝置以及其中的參數(shù)燒錄方法。
背景技術(shù)：
目前，公知的集成電路構(gòu)造是由待測(cè)信號(hào)如壓力、重量等傳感器(sensor)、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、MCU和校正系數(shù)儲(chǔ)存器組成。而MCU則包含有程序內(nèi)存、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、以及中央計(jì)算單元等。
在進(jìn)行測(cè)量時(shí)，將傳感器與待測(cè)信號(hào)接觸，傳感器將待測(cè)信號(hào)的物理量轉(zhuǎn)換成電信號(hào)(電壓量或是電流量)，該電信號(hào)被模數(shù)轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，被MCU計(jì)算、處理或是進(jìn)一步轉(zhuǎn)換，并顯示在顯示器上。然而促使MCU計(jì)算、處理或是進(jìn)一步轉(zhuǎn)換的根源，就是來(lái)自于程序內(nèi)存內(nèi)所儲(chǔ)存的指令，指令的總和及順序便成為程序。
但是，很多包含有ADC的集成電路在能夠正確顯示測(cè)量值之前，都必須經(jīng)過(guò)校正手續(xù)，如此ADC及MCU方可正確無(wú)誤地將該待測(cè)信號(hào)的物理量轉(zhuǎn)換成相對(duì)應(yīng)的數(shù)字結(jié)果顯示出來(lái)。在電子式量測(cè)系統(tǒng)之校正程序中，使用具有標(biāo)準(zhǔn)物理量之標(biāo)準(zhǔn)量測(cè)物，傳感器接觸標(biāo)準(zhǔn)量測(cè)物后發(fā)出一標(biāo)準(zhǔn)量測(cè)信號(hào)，經(jīng)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)后成為標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)并儲(chǔ)存于內(nèi)存之中，當(dāng)微處理器執(zhí)行一般量測(cè)程序時(shí)，從內(nèi)存中取出校正用的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，并根據(jù)量測(cè)信號(hào)計(jì)算實(shí)際模擬量。因此，經(jīng)過(guò)校正之后，會(huì)產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的校正系數(shù)，這些校正系數(shù)需要被儲(chǔ)存下來(lái)，同時(shí)必須能夠被MCU讀取，如此，MCU方可正確地運(yùn)行計(jì)算或轉(zhuǎn)換的功能并呈現(xiàn)精確的數(shù)值。因此，大多數(shù)電子組件都需要外接的電子組件EEPROM以提供儲(chǔ)存這些校正參數(shù)的能力。
然而，若要將校正系數(shù)儲(chǔ)存放于EEPROM中，尚需另外的燒錄器，方可將系數(shù)燒錄進(jìn)入EEPROM中儲(chǔ)存。燒錄完成后，再將該EEPROM取出燒錄器并且連接于最終系統(tǒng)產(chǎn)品電子式量測(cè)工具上，才算完成校正手續(xù)。
現(xiàn)在可能有比較好的校正系數(shù)燒錄方式，不需將EEPROM從最終產(chǎn)品取出。如圖1所示，系顯示一種集成電路100的電路架構(gòu)圖，此集成電路100外接顯示器115、電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)105與傳感器101。集成電路100必須經(jīng)過(guò)校正程序之后才能夠執(zhí)行一般量測(cè)程序，校正程序系以傳感器101直接接觸標(biāo)準(zhǔn)量測(cè)物(未顯示于第1圖)，傳感器101輸出標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)至模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器103，此標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)為模擬信號(hào)，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器103根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)輸出數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)至微處理器109，經(jīng)過(guò)微處理器109的計(jì)算之后，標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)經(jīng)由串行接口電路107被儲(chǔ)存于電抹除程序化只讀存儲(chǔ)器105之中，而微處理器109在執(zhí)行任何指令時(shí)，都必須從可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)111讀取指令集。在完成校正程序之后，標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)被儲(chǔ)存于電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器105之中，在進(jìn)行一般量測(cè)程序時(shí)，傳感器101直接接觸待量測(cè)物，輸出量測(cè)信號(hào)至模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器103，經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)換后，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器103輸出數(shù)字量測(cè)信號(hào)至微處理器109，微處理器109經(jīng)由串行接口電路107至電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器105讀取標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，經(jīng)過(guò)計(jì)算后，獲得相對(duì)應(yīng)于數(shù)字量測(cè)信號(hào)之實(shí)際量測(cè)值，微處理器109經(jīng)由時(shí)序控制器113輸出實(shí)際測(cè)量值至顯示器115之上。微處理器109在待量測(cè)物之實(shí)際量測(cè)值時(shí)，必須使用標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，而標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)是被儲(chǔ)存于電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器105之中，微處理器109在存取標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)時(shí)，都必須經(jīng)過(guò)序列界面電路107，而且電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器105系外接于集成電路100之外。這種以外接式內(nèi)存來(lái)儲(chǔ)存標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的方式，雖然使用電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器105較易于被存取，但是會(huì)增加整個(gè)量測(cè)系統(tǒng)的制造成本。而且，即使如此，最終的系統(tǒng)產(chǎn)品在進(jìn)行校正手續(xù)或是燒錄程序進(jìn)入程序內(nèi)存時(shí)，除了正常的芯片電源以外，仍然需要額外的2個(gè)電壓源，稱(chēng)為VPP＝12volt及VDD＝5.8volt。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的就是為了克服以上現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種校正程序簡(jiǎn)化、應(yīng)用成本降低、具自校正功能的集成電路及參數(shù)自我燒錄方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種具自校正功能的集成電路，至少包含一微處理器；一一次可程序化內(nèi)存，直接連接該微處理器，該一次可程序化內(nèi)存中規(guī)劃有至少一指令集存儲(chǔ)區(qū)、一參數(shù)記憶區(qū)，所述參數(shù)記憶區(qū)用于儲(chǔ)存標(biāo)定參數(shù)或校正用標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)；該微處理器可根據(jù)該一次可程序化內(nèi)存中的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，計(jì)算相對(duì)應(yīng)于該數(shù)字信號(hào)之實(shí)際模擬量。
上述之集成電路，還包含一模數(shù)轉(zhuǎn)換器，連接于該微處理器，用于接收量測(cè)信號(hào)，并將該量測(cè)信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。還包含一時(shí)序控制器，連接于該微處理器，該微處理器經(jīng)由該時(shí)序控制器輸出該實(shí)際模擬量的讀數(shù)。
上述之集成電路，該一次可程序化內(nèi)存中的指令集包括量測(cè)指令集及校正指令集，以進(jìn)行量測(cè)程序與校正程序。其中該微處理器于該一次可程序化內(nèi)存上讀取指令集與存取該標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)。
上述之集成電路，還包含一電荷泵、一開(kāi)關(guān)電路，該電荷泵使能端與該微處理器連接，該開(kāi)關(guān)電路控制端與該微處理器連接；該開(kāi)關(guān)電路一輸入端與該電荷泵輸出端連接，另一輸入端與該微處理器電源連接，該開(kāi)關(guān)電路輸出端與該一次可程序化內(nèi)存連接，以提供該一次可程序化內(nèi)存工作電壓及燒錄電壓。
同時(shí)，本發(fā)明提出了一種具自校正功能的測(cè)量裝置，包括傳感器、集成電路，該集成電路至少包含一微處理器，用于接收數(shù)字信號(hào)；一模數(shù)轉(zhuǎn)換器，連接于該微處理器，用于接收該傳感器的量測(cè)信號(hào)，并將該量測(cè)信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)；一一次可程序化內(nèi)存，直接連接該微處理器；該一次可程序化內(nèi)存中規(guī)劃有至少一指令集存儲(chǔ)區(qū)、一參數(shù)記憶區(qū)，所述參數(shù)記憶區(qū)用于儲(chǔ)存標(biāo)定參數(shù)或校正用標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)；該微處理器可根據(jù)該一次可程序化內(nèi)存中的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，計(jì)算相對(duì)應(yīng)于該數(shù)字信號(hào)之實(shí)際模擬量。
上述之測(cè)量裝置，該集成電路還包括一時(shí)序控制器，連接于該微處理器，該微處理器經(jīng)由該時(shí)序控制器輸出該實(shí)際模擬量的讀數(shù)。該一次可程序化內(nèi)存中的指令集包括量測(cè)指令集及校正指令集，以進(jìn)行量測(cè)程序與校正程序。
該集成電路還包含一電荷泵、一開(kāi)關(guān)電路，該電荷泵使能端與該微處理器連接，該開(kāi)關(guān)電路控制端與該微處理器連接；該開(kāi)關(guān)電路一輸入端與該電荷泵輸出端連接，另一輸入端與該微處理器電源連接，該開(kāi)關(guān)電路輸出端與該一次可程序化內(nèi)存連接，以提供該一次可程序化內(nèi)存工作電壓及燒錄電壓。
相應(yīng)地，本發(fā)明還提出了一種集成電路參數(shù)自我燒錄方法，包含如下步驟A)于集成電路之燒錄有指令集的一次可程序化內(nèi)存中規(guī)劃一參數(shù)記憶區(qū)；B)運(yùn)行該一次可程序化內(nèi)存指令集中的自我校正模式；C)將標(biāo)定參數(shù)或標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)寫(xiě)入該一次可程序化內(nèi)存中的參數(shù)記憶區(qū)。
上述之自我燒錄方法，該步驟B)包含讀取標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，找尋參數(shù)記憶區(qū)之存儲(chǔ)地址，確認(rèn)該存儲(chǔ)地址為空，對(duì)該存儲(chǔ)地址寫(xiě)入標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)。
上述之自我燒錄方法，其中該參數(shù)記憶區(qū)被劃分為多個(gè)分區(qū)，用于寫(xiě)入不同類(lèi)型之標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)；或提供校正用標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的多次寫(xiě)入。
上述之自我燒錄方法，其中該標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)是經(jīng)由傳感器量測(cè)一標(biāo)準(zhǔn)量測(cè)物，由模數(shù)轉(zhuǎn)換器將該傳感器之量測(cè)信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)而得。
上述之自我燒錄方法，其中該一次可程序化內(nèi)存的指令集中，包含量測(cè)指令集、校正指令集，以進(jìn)行量測(cè)工作模式與自我校正模式。
上述之自我燒錄方法，該步驟B)還包含當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)寫(xiě)入時(shí)，將該一次可程序化內(nèi)存的供電電壓提升為燒錄電壓。該燒錄電壓由該集成電路之電源電壓直接升壓獲得。
由于采用了以上的方案，本發(fā)明的集成電路在應(yīng)用時(shí)，不需要額外的外接EEPROM等存儲(chǔ)組件，節(jié)省最終系統(tǒng)產(chǎn)品的組件，降低最終的電子測(cè)量裝置的成本。由于本發(fā)明提供的集成電路具有自我燒錄校正參數(shù)的功能，可在最終系統(tǒng)產(chǎn)品制造完成后，直接進(jìn)行自我校正；無(wú)需集成電路的應(yīng)用廠商在生產(chǎn)最終系統(tǒng)產(chǎn)品前先利用外接存儲(chǔ)器寫(xiě)入校正參數(shù)，也無(wú)需集成電路廠商針對(duì)不同應(yīng)用提前寫(xiě)入各種校正參數(shù)，使其校正程序簡(jiǎn)化，對(duì)于應(yīng)用廠商或集成電路廠商均可以藉以降低生產(chǎn)成本。
本發(fā)明中，可將一次可程序化內(nèi)存的參數(shù)記憶區(qū)分為多個(gè)子區(qū)，每一子區(qū)可用于一次自我校正模式下的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)寫(xiě)入，則本發(fā)明之集成電路可對(duì)一次可程序化內(nèi)存進(jìn)行多次的校正標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的寫(xiě)入，為應(yīng)用廠商提供更加靈活、方便的應(yīng)用。
本發(fā)明的集成電路，增設(shè)一電荷泵，使最終應(yīng)用的測(cè)量裝置不需要再額外多連接一個(gè)5.8volt的VDD電壓，在燒錄校正的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)時(shí)，可以減少外接的電壓源?？梢院?jiǎn)化生產(chǎn)時(shí)的校正程序所需的電壓，節(jié)省能源消耗。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的測(cè)量裝置的架構(gòu)示意圖。
圖2是應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例一的測(cè)量裝置的架構(gòu)示意圖。
圖3是應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)量裝置的校正流程圖。
圖4是應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例二的測(cè)量裝置的架構(gòu)示意圖。
符號(hào)說(shuō)明100、200-集成電路，101、201-傳感器，103、203-模數(shù)轉(zhuǎn)換器，105-電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，107-串行接口電路，109、209-微處理器，111、211-可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，113、213-時(shí)序控制器，115、215-顯示器，220-參數(shù)記憶區(qū)。
具體實(shí)施方式下面通過(guò)具體的實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
實(shí)施例一請(qǐng)參閱第2圖，系根據(jù)本發(fā)明之具體實(shí)施例，顯示內(nèi)建一次可程序化內(nèi)存之測(cè)量裝置的電路架構(gòu)圖，包括集成電路200、外接傳感器201與顯示器215，傳感器201輸入量測(cè)信號(hào)至集成電路200，集成電路200輸出待量測(cè)物的實(shí)際模擬量至顯示器215。于校正程序中，傳感器201接觸標(biāo)準(zhǔn)量測(cè)物，輸出標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)至集成電路200的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器203，標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)為模擬信號(hào)，經(jīng)過(guò)模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器203轉(zhuǎn)換成數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)，并輸入至微處理器209，經(jīng)過(guò)微處理器209之計(jì)算后得到標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，微處理器209直接儲(chǔ)存標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)于可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)211之中規(guī)劃的參數(shù)記憶區(qū)220。根據(jù)本發(fā)明之具體實(shí)施例，參數(shù)記憶區(qū)220是位于可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211之中，微處理器209在可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211之中直接存取標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)與指令集，在微處理器209執(zhí)行功能運(yùn)算時(shí)，從可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211之中取出指令并加以執(zhí)行。
根據(jù)本發(fā)明之具體實(shí)施例，可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211可被一次可程序化內(nèi)存(One Time Programmable Memory；OTP memory)所取代，由于數(shù)據(jù)存入內(nèi)存之后無(wú)須將數(shù)據(jù)抹除，因此可使用一次可程序化內(nèi)存來(lái)取代可抹除只讀存儲(chǔ)器211。
根據(jù)本發(fā)明之具體實(shí)施例，傳感器201可量測(cè)溫度、電壓、水壓、電流或液體流量等等物理量而輸出量測(cè)信號(hào)，所輸出的量測(cè)信號(hào)為模擬信號(hào)。
在集成電路200執(zhí)行一般量測(cè)程序時(shí)，傳感器201直接接觸待量測(cè)物，并輸出量測(cè)信號(hào)至模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器203，經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)換后，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器203輸出數(shù)字量測(cè)信號(hào)至微處理器209，微處理器209從可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211之參數(shù)記憶區(qū)220中取出標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，然后根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，計(jì)算出相對(duì)應(yīng)于此數(shù)字量測(cè)信號(hào)之實(shí)際量測(cè)值。微處理器209經(jīng)由時(shí)序控制器213輸出實(shí)際量測(cè)值至顯示器215，由顯示器215顯示實(shí)際量測(cè)值給使用者。根據(jù)本發(fā)明之具體實(shí)施例，將校正程序之標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)儲(chǔ)存于內(nèi)建內(nèi)存之中，微處理器需要標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)時(shí)直接讀取可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211，而無(wú)須使用外接電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，而且微處理器于校正程序與量測(cè)程序之中，直接存取可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211的指令集與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，無(wú)須使用序列界面電路，更有助于加快電子式集成電路的操作速度。再者，電子式集成電路以可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211儲(chǔ)存標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，以微處理器直接存取標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，無(wú)須使用外接的電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，有助于降低電子量測(cè)系統(tǒng)的成本。
請(qǐng)參閱第3圖，根據(jù)本發(fā)明之具體實(shí)施例，依照第2圖之內(nèi)建可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211的集成電路200，說(shuō)明其校正程序與量測(cè)程序的操作流程。步驟301，開(kāi)始操作集成電路200。步驟303，判斷是否開(kāi)始進(jìn)行自我校正模式，若是則進(jìn)入步驟305，若否則進(jìn)入步驟331。進(jìn)入自我校正模式，進(jìn)入步驟305，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器203提供標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)至微處理器209，然后執(zhí)行步驟307，微處理器209找尋標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的儲(chǔ)存地址，這儲(chǔ)存地址系位于可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211之中。在找到標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的儲(chǔ)存地址之后，微處理器209確認(rèn)此儲(chǔ)存地址是否為空白，是否已儲(chǔ)存標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，若為空白則進(jìn)入步驟311，若已有標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)則進(jìn)入步驟319，結(jié)束自我校正程序。步驟311，微處理器209執(zhí)行程序化指令，在可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211之中儲(chǔ)存標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，在完成標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的儲(chǔ)存動(dòng)作之后，進(jìn)行步驟313，微處理器209確認(rèn)已儲(chǔ)存的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)是否正確。步驟315，確認(rèn)已儲(chǔ)存標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)是否正確，若是則進(jìn)入步驟319，結(jié)束自我校正程序，若否則進(jìn)入步驟317，顯示錯(cuò)誤訊息后進(jìn)入步驟319，結(jié)束自我校正程序。
在執(zhí)行步驟303判斷是否進(jìn)入自我校正模式時(shí)，若不進(jìn)入自我校正模式，則執(zhí)行步驟331，開(kāi)始集成電路200的量測(cè)模式。步驟331，微處理器209查詢(xún)儲(chǔ)存于可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器211的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，然后執(zhí)行步驟333，微處理器209接收從模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器203所提供之?dāng)?shù)字量測(cè)信號(hào)，執(zhí)行步驟335，微處理器209根據(jù)數(shù)字量測(cè)信號(hào)與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)計(jì)算實(shí)際量測(cè)值，最后進(jìn)入步驟319，結(jié)束集成電路200的量測(cè)模式。
根據(jù)本發(fā)明之具體實(shí)施例，當(dāng)集成電路使用一次可程序化內(nèi)存(OneTime Programmable Memory；OTP memory)時(shí)，參數(shù)記憶區(qū)220可分為多個(gè)子區(qū)，每一子區(qū)可用于一次自我校正模式下的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)寫(xiě)入。則本發(fā)明之集成電路可對(duì)一次可程序化內(nèi)存進(jìn)行多次的校正標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的寫(xiě)入。
實(shí)施例二請(qǐng)參考圖4所示，本例中，集成電路增設(shè)一電荷泵，將系統(tǒng)電源直接升壓后，提供給自我校正模式下的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)寫(xiě)入之用。在自我校正模式下，當(dāng)校正指令對(duì)一次可程序化內(nèi)存的參數(shù)記憶區(qū)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)燒錄時(shí)，微處理器發(fā)出一使能信號(hào)啟動(dòng)電荷泵216，并通過(guò)一開(kāi)關(guān)電路217選擇導(dǎo)通電荷泵的輸出電壓，提供給一次可程序化內(nèi)存，直至標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的燒錄程序完成。例如如果集成電路電源為3volt，經(jīng)過(guò)電荷泵升壓后，會(huì)自己產(chǎn)生一電壓6volt。如此一來(lái)，最終的系統(tǒng)產(chǎn)品便不需要再額外多連接一個(gè)5.8volt的VDD電壓，在燒錄校正的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)時(shí)，可以減少外接的電壓源?？梢院?jiǎn)化生產(chǎn)時(shí)的校正程序所需的電壓，節(jié)省能源消耗。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視申請(qǐng)專(zhuān)利權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種具自校正功能的集成電路，其特征是至少包含一微處理器；一一次可程序化內(nèi)存，直接連接該微處理器，該一次可程序化內(nèi)存中規(guī)劃有至少一指令集存儲(chǔ)區(qū)、一參數(shù)記憶區(qū)，所述參數(shù)記憶區(qū)用于儲(chǔ)存標(biāo)定參數(shù)或校正用標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)；該微處理器可根據(jù)該一次可程序化內(nèi)存中的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，計(jì)算相對(duì)應(yīng)于該數(shù)字信號(hào)之實(shí)際模擬量。
2.如權(quán)利要求1所述之集成電路，其特征是還包含一模數(shù)轉(zhuǎn)換器，連接于該微處理器，用于接收模擬信號(hào)，并將該模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。
3.如權(quán)利要求1所述之集成電路，其特征是該一次可程序化內(nèi)存中的指令集包括量測(cè)指令集及校正指令集，以進(jìn)行量測(cè)程序與校正程序。
4.如權(quán)利要求1所述之集成電路，其特征是還包含一時(shí)序控制器，連接于該微處理器，該微處理器經(jīng)由該時(shí)序控制器輸出該實(shí)際模擬量的讀數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所述之集成電路，其特征是其中該微處理器于該一次可程序化內(nèi)存上讀取指令集與存取該標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)。
6.如權(quán)利要求1所述之集成電路，其特征是還包含一電荷泵、一開(kāi)關(guān)電路，該電荷泵使能端與該微處理器連接，該開(kāi)關(guān)電路控制端與該微處理器連接；該開(kāi)關(guān)電路一輸入端與該電荷泵輸出端連接，另一輸入端與該微處理器電源連接，該開(kāi)關(guān)電路輸出端與該一次可程序化內(nèi)存連接，以提供該一次可程序化內(nèi)存工作電壓及燒錄電壓。
7.一種具自校正功能的測(cè)量裝置，包括傳感器、集成電路，該集成電路至少包含一微處理器，用于接收數(shù)字信號(hào)；一模數(shù)轉(zhuǎn)換器，連接于該微處理器，用于接收該傳感器的模擬信號(hào)，并將該模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)；一一次可程序化內(nèi)存，直接連接該微處理器；其特征是該一次可程序化內(nèi)存中規(guī)劃有至少一指令集存儲(chǔ)區(qū)、一參數(shù)記憶區(qū)，所述參數(shù)記憶區(qū)用于儲(chǔ)存標(biāo)定參數(shù)或校正用標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)；該微處理器可根據(jù)該一次可程序化內(nèi)存中的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，計(jì)算相對(duì)應(yīng)于該數(shù)字信號(hào)之實(shí)際模擬量。
8.如權(quán)利要求7所述之測(cè)量裝置，其特征是該集成電路還包括一時(shí)序控制器，連接于該微處理器，該微處理器經(jīng)由該時(shí)序控制器輸出該實(shí)際模擬量的讀數(shù)。
9.如權(quán)利要求7所述之測(cè)量裝置，其特征是該一次可程序化內(nèi)存中的指令集包括量測(cè)指令集及校正指令集，以進(jìn)行量測(cè)程序與校正程序。
10.如權(quán)利要求7所述之測(cè)量裝置，其特征是該集成電路還包含一電荷泵、一開(kāi)關(guān)電路，該電荷泵使能端與該微處理器連接，該開(kāi)關(guān)電路控制端與該微處理器連接；該開(kāi)關(guān)電路一輸入端與該電荷泵輸出端連接，另一輸入端與該微處理器電源連接，該開(kāi)關(guān)電路輸出端與該一次可程序化內(nèi)存連接，以提供該一次可程序化內(nèi)存工作電壓及燒錄電壓。
11.一種集成電路參數(shù)自我燒錄方法，包含如下步驟A)于集成電路之燒錄有指令集的一次可程序化內(nèi)存中規(guī)劃一參數(shù)記憶區(qū)；B)運(yùn)行該一次可程序化內(nèi)存指令集中的自我校正模式；C)將標(biāo)定參數(shù)或標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)寫(xiě)入該一次可程序化內(nèi)存中的參數(shù)記憶區(qū)。
12.如權(quán)利要求11所述之自我燒錄方法，其特征是該步驟B)包含讀取標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，找尋參數(shù)記憶區(qū)之存儲(chǔ)地址，確認(rèn)該存儲(chǔ)地址為空，對(duì)該存儲(chǔ)地址寫(xiě)入標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)。
13.如權(quán)利要求12所述之自我燒錄方法，其特征是其中該參數(shù)記憶區(qū)被劃分為多個(gè)分區(qū)，用于寫(xiě)入不同類(lèi)型之標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)；或提供校正用標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的多次寫(xiě)入。
14.如權(quán)利要求11或12所述之自我燒錄方法，其特征是其中該標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)是經(jīng)由傳感器量測(cè)一標(biāo)準(zhǔn)量測(cè)物，由模數(shù)轉(zhuǎn)換器將該傳感器之量測(cè)信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)而得。
15.如權(quán)利要求11或12所述之自我燒錄方法，其特征是其中該一次可程序化內(nèi)存的指令集中，包含量測(cè)指令集、校正指令集，以進(jìn)行量測(cè)工作模式與自我校正模式。
16.如權(quán)利要求11或12所述之自我燒錄方法，其特征是該步驟B)還包含當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)寫(xiě)入時(shí)，將該一次可程序化內(nèi)存的供電電壓提升為燒錄電壓。
17.如權(quán)利要求16所述之自我燒錄方法，其特征是該燒錄電壓由該集成電路之電源電壓直接升壓獲得。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種集成電路、應(yīng)用該集成電路的測(cè)量裝置，以及集成電路的參數(shù)自我燒錄方法，該集成電路包括微處理器、一次可程序化內(nèi)存，該一次可程序化內(nèi)存中規(guī)劃有至少一指令集存儲(chǔ)區(qū)、一參數(shù)記憶區(qū)，所述參數(shù)記憶區(qū)用于儲(chǔ)存校正用標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)；該微處理器根據(jù)該一次可程序化內(nèi)存中的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，計(jì)算相對(duì)應(yīng)于該數(shù)字信號(hào)之實(shí)際量測(cè)值。本發(fā)明的集成電路不需要額外外接存儲(chǔ)組件，節(jié)省最終系統(tǒng)產(chǎn)品的組件，降低最終的電子測(cè)量裝置的成本。由于本發(fā)明提供的集成電路具有自我燒錄校正參數(shù)的功能，可在最終系統(tǒng)產(chǎn)品制造完成后，直接進(jìn)行自我校正，使其校正程序簡(jiǎn)化，對(duì)于應(yīng)用廠商或集成電路廠商均可以藉以降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)G01D5/00GK1884976SQ20061006160
公開(kāi)日2006年12月27日 申請(qǐng)日期2006年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月7日
發(fā)明者趙伯寅, 林祥民, 袁國(guó)元 申請(qǐng)人:富享微電子(深圳)有限公司