專利名稱：一種有機電致發(fā)光器件的檢測裝置及檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測裝置及檢測方法，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件的檢測裝置及 檢測方法。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光顯示器(OLED)具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動、全固化、視角寬、顏 色豐富等一系列的優(yōu)點，具有廣闊的應(yīng)用前景。
目前OLED器件分光源及點陣兩種，其中光源為全屏點亮型，相當于全屏為一個單像 素；而點陣型主要應(yīng)用于顯示屏，由多組像素組成。
在OLED的制備過程中，環(huán)境中的塵埃和蒸鍍過程中的雜質(zhì)會進入發(fā)光區(qū)，由于塵埃 的存在，電極之間會出現(xiàn)短路現(xiàn)象，進而出現(xiàn)不亮點及列連現(xiàn)象，使得產(chǎn)品成為壞品；一 些較小的塵埃即使不能產(chǎn)生短路，也會存在漏電現(xiàn)象，在長期工作后也會成為不亮點。為 了保證屏體的質(zhì)量，OLED顯示屏的制程完成后，需要對每片顯示屏進行檢測程序、老化 程序。
由于OLED顯示屏是電流驅(qū)動性的顯示器件，檢測屏體的方法通常是觀察顯示屏的顯 示效果來檢測，即由掃描方式，觀察每個通過電流的區(qū)域是否發(fā)光來判斷是否存在缺陷。 然而有些缺陷只有在工作一段時間后才能表現(xiàn)出來，對這類缺陷的檢測更加困難，常常需 要在老化程序和預(yù)燒程序完成后才能進行，此時檢測出的缺陷會導(dǎo)致整片顯示屏報廢。
另一種檢測方式是通過檢測電流信號來判斷缺陷是否存在，如中國專利CN1275074號 公開了一種由通過預(yù)定大小的電流來檢測OLED顯示屏的方^^。該檢測方式也需要顯示屏 進行工作，因而會消耗大量的能耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠簡單有效判斷屏體優(yōu)良，同時檢測缺陷像素的有機電致 發(fā)光器件的檢測裝置。
本發(fā)明的另一 目的在于提供一種使用上述檢測裝置對有機電致發(fā)光器件進行檢測的方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)的其特征在于，本發(fā)明之檢測裝置包括電 容數(shù)據(jù)采集單元，數(shù)據(jù)存儲單元，數(shù)據(jù)比較單元及輸出單元，所述電容數(shù)據(jù)采集單元及數(shù) 據(jù)存儲單元的輸出分別連接數(shù)據(jù)比較單元的輸入端，數(shù)據(jù)比較單元的輸出端與輸出單元連接。
所述檢測裝置還包括掃描單元。 所述檢測裝置還包括輸入單元。
所述數(shù)據(jù)存儲單元所存數(shù)據(jù)為有機電致發(fā)光器件的電容標準值。
所述電容標準值包括屏體電容標準值，列電容標準值，行電容標準值及像素電容標準值。 本發(fā)明的另一目的是通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)的采用本發(fā)明之檢測裝置對有機電致 發(fā)光器件進行檢測的步驟包括
1、 利用電容數(shù)據(jù)采集單元檢測有機電致發(fā)光器件電容值；
2、 將檢測到的數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)存儲單元中的有機電致發(fā)光器件的電容標準值進行比較，并 通過輸出單元輸出比較結(jié)果。
本發(fā)明的另一目的還可通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)采用本發(fā)明之檢測裝置對有機電致 發(fā)光器件進行檢測的步驟包括
1、 利用電容數(shù)據(jù)采集單元檢測有機電致發(fā)光器件屏體電容值；
2、 將檢測到的數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)存儲單元中的有機電致發(fā)光器件的電容標準值進行比較，并 通過輸出單元輸出比較結(jié)果；
3、 根據(jù)比較結(jié)果進行是否存在缺陷判斷，無缺陷進入老化程序，有缺陷進行像素檢測。 所述檢測方法還可在步驟3之后對有缺陷的，記錄缺陷像素位置，進行修復(fù)。 本發(fā)明基于的原理有機電致發(fā)光器件包含第一電極、有機材料層以及與所述第一電極
相對的第二電極，該結(jié)構(gòu)與平行板電容器非常相近。相同結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件具有一 定的電容量，且電容量滿足平行板電容計算公式，即C^e eoS/d，其中，C表示電容，e 是介電常數(shù)，eo是真空介電常數(shù)，S是象素面積，d是兩電極間的面間距。若器件結(jié)構(gòu)中 存在缺陷，例如附著在第一電極表面的塵埃顆?；蛴袡C材料中的雜質(zhì)等，都會造成介電常 數(shù)的變化，進而導(dǎo)致有機電致發(fā)光器件電容量的變化。本發(fā)明利用有機電致發(fā)光器件具有一電容標準值的特性，對其進行電容檢測，將檢測結(jié) 果與電容標準值比較，與電容標準值吻合即為無缺陷像素；與電容標準值相比大于或小于 該值，即為需要修復(fù)的存在缺陷的像素。本發(fā)明之檢測裝置及采用該裝置對像素進行檢測 的方法，簡單而有效，并且檢測時無需器件工作，減小能耗。


圖1為本發(fā)明實施例的檢測裝置結(jié)構(gòu)框圖2為采用本發(fā)明之檢測裝置對有機電致發(fā)光器件進行檢測流程圖。
具體實施例方式
以下結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明做進一步說明。
參照圖1、 2。本發(fā)明之有機電致發(fā)光器件檢測裝置包括電容數(shù)據(jù)采集單元1，數(shù)據(jù)存儲 單元2，數(shù)據(jù)比較單元3及輸出單元4。其中，電容數(shù)據(jù)采集單元l可為電容測量儀，數(shù)據(jù)存 儲單元2為一數(shù)據(jù)存儲器，將電容標準值寫入數(shù)據(jù)存儲器中；數(shù)據(jù)比較單元3為一比較器， 數(shù)據(jù)存儲器的輸出為比較器的一端輸入，電容測量儀的輸出為其另一端輸入，在比較器中對 兩個數(shù)據(jù)進行比較，根據(jù)比較器的輸出結(jié)果顯示到輸出單元4，即可實時顯示檢測結(jié)果。
對有機電致發(fā)光顯示屏進行檢測過程如下將有機電致發(fā)光器件全行并聯(lián)、全列并聯(lián)， 使電容測量儀的陽極連接并聯(lián)列，陰極連接并聯(lián)行，檢測整個屏體的電容值，若符合數(shù)據(jù) 存儲器中的電容標準值則直接進入老化程序，若不符合數(shù)據(jù)存儲器中的電容標準值則進行 全行并聯(lián)，電容測量儀的陰極連接并聯(lián)行，陽極對列引線進行掃描，對每一列的電容與數(shù)
據(jù)存儲器中存儲的列電容標準值對比，記錄不符合數(shù)據(jù)存儲單元中電容標準值的列位置Ym;
將電容測量儀的陽極連接不符合數(shù)據(jù)存儲單元中電容標準值的列引線，陰極對行進行掃描， 對該列每一像素的電容與數(shù)據(jù)存儲器中存儲的像素電容標準值對比，記錄不符合數(shù)據(jù)存儲
器中電容標準值的行位置Xn;由Ym、 Xn確定缺陷像素位置，之后進入修復(fù)和老化程序。
同理，在檢測完整個屏體之后，如不符合數(shù)據(jù)存儲器中的電容標準值，需要確定缺陷像 素位置時，也可進行全列并聯(lián)，電容測量儀的陽極連接并聯(lián)列，陰極對行引線進行掃描， 對每一行的電容與數(shù)據(jù)存儲器中存儲的行電容標準值對比，記錄不符合數(shù)據(jù)存儲單元中電 容標準值的行位置Xn;將電容測量儀的陰極連接不符合數(shù)據(jù)存儲單元中列電容標準值的行 引線，陽極對列進行掃描，對該行每一像素的電容與數(shù)據(jù)存儲器中存儲的像素電容標準值對比，記錄不符合數(shù)據(jù)存儲器中電容標準值的列位置Ym; SYm、 Xn確定缺陷像素位置'
之后進入修復(fù)和老化程序。 實施例1
本實施例之檢測對象為0.3cmX0.3cm的綠色實驗片，器件結(jié)構(gòu)為陽極(ITO) / (空穴 注入層)HIL/ (空穴傳輸層)HTL/ (發(fā)光層)EML/ (電子傳輸層)ETL/ (陰極)LiF/Al，本 實施例所述實驗片整片屏體為一個像素點。
將電容測量儀的陽極連接實驗片的陽極，陰極連接實驗片的陰極，檢測整個屏體的電容 值5.06nF，符合數(shù)據(jù)存儲器中的電容標準值范圍4.50nF 6.50nF，電流測試結(jié)果也表明實驗 片無缺陷。
實施例2
本實施例之檢測對象為0.3cmX0.3cm的綠色實驗片。
將電容測量儀的陽極連接實驗片的陽極，陰極連接實驗片的陰極，檢測整個屏體的電容 值為4.00nF，不符合數(shù)據(jù)存儲器中的電容標準值范圍4.50nF 6.50nF，測試時發(fā)光區(qū)亮度低， 在放大鏡中發(fā)現(xiàn)顯示區(qū)有雜質(zhì)，進入修復(fù)程序后，將缺陷修復(fù)，重復(fù)前述測試過程，測得實 驗片的電容值為4.64nF，符合數(shù)據(jù)存儲器中的電容標準值范圍4.50nF 6.50nF，此時發(fā)光區(qū) 工作正常。
實施例3
本實施例之檢測對象為0.3cmX0.3cm的綠色實驗片。
將電容測量儀的陽極連接實驗片的陽極，陰極連接實驗片的陰極，檢測整個屏體的電容 值190nF，遠遠超出數(shù)據(jù)存儲器中的電容標準值范圍4.50nF 6.50nF，并且很不穩(wěn)定，此實 驗片有明顯的短路點，不可修復(fù)，屬報廢品。
實施例4
本實施例之檢測對象為發(fā)光區(qū)面積4.5cmX4.5cm的光源，本實施例所述光源整片屏體為 一個像素點。
將電容測量儀的陽極連接光源的陽極，陰極連接光源的陰極，檢測整個屏體的電容值為 190nF，符合數(shù)據(jù)存儲器中的電容標準值范圍120nF 260nF，直接進入老化程序。 實施例5本實施例之檢測對象為發(fā)光區(qū)面積4.5cmX4.5cm的光源。
將電容測量儀的陽極連接光源的陽極，陰極連接光源的陰極，檢測屏體的電容值為 6L7nF，不符合數(shù)據(jù)存儲器中的電容標準值范圍120nF 260nF，發(fā)光區(qū)亮度低，且閃爍，顯 微鏡下觀察，顯示區(qū)有雜質(zhì)，進入修復(fù)程序，修復(fù)后，重復(fù)前述測試過程，測得光源的電容 值為132nF，符合數(shù)據(jù)存儲器中的電容標準值范圍120nF 260nF，可正常工作。
實施例6
本實施例之檢測對象為128X64的點陣屏。
將待檢測的128X64的點陣屏全行并聯(lián)、全列并聯(lián)，使電容測量儀的陽極連接并聯(lián)列， 陰極連接并聯(lián)行，檢測整個屏體的電容值為900nF，符合數(shù)據(jù)存儲器中的電容標準值范圍 800nF 1200nF，直接進入老化程序。
實施例7
本實施例之檢測對象為128X64的點陣屏。
將待檢測的128X64的點陣屏全行并聯(lián)、全列并聯(lián)，使電容測量儀的陽極連接并聯(lián)列， 陰極連接并聯(lián)行，檢測整個屏體的電容值為235nF，不符合數(shù)據(jù)存儲器中的電標準容值范圍 750nF 1300nF，則進行全行并聯(lián)，電容測量儀的陰極連接并聯(lián)行，陽極對列引線進行掃描， 對每一列的電容與數(shù)據(jù)存儲器中存儲的列電容標準值對比，當掃描到第17列時，測得該列電 容值為0.55nF，不符合數(shù)據(jù)存儲器中的列電容標準值范圍60.0nF 100nF，記錄不符合數(shù)據(jù) 存儲器中列電容標準值的列位置Yn，將電容測量儀的陽極連接第17列的列引線，陰極對行 進行掃描，掃描該列，對該列每一像素的電容與數(shù)據(jù)存儲器中存儲的像素電容標準值對比， 當掃描到第52行時，測得第17列、第52行該點像素電容值為0.33nF,不符合數(shù)據(jù)存儲器中 的像素電容標準值范圍2.00nF 4.00nF，繼續(xù)掃描，直至掃描完64行，未發(fā)現(xiàn)不符合數(shù)據(jù)存 儲器中像素電容標準值的像素，記錄不符合數(shù)據(jù)存儲器中像素電容標準值的行位置X52;由 Y17、 乂52確定缺陷像素位置。繼續(xù)并聯(lián)所有行，從第18列開始掃描，直至掃描完128列，未 發(fā)現(xiàn)不符合數(shù)據(jù)存儲器中列電容標準值的列，之后進入修復(fù)和老化程序。雖然以上描述了本發(fā)明的最佳實施例，但本發(fā)明的技術(shù)范圍并不局限于上述討論的范圍。 上述提供的實施例只是僅僅用于進一步在發(fā)明內(nèi)容的基礎(chǔ)上解釋本發(fā)明。應(yīng)該理解的是，本 領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對上述過程做出多種改進，但是所有的這類改進也都屬于本發(fā)明的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其特征在于，包括電容數(shù)據(jù)采集單元，數(shù)據(jù)存儲單元，數(shù)據(jù)比較單元及輸出單元，所述電容數(shù)據(jù)采集單元及數(shù)據(jù)存儲單元的輸出分別連接數(shù)據(jù)比較單元的輸入端，數(shù)據(jù)比較單元的輸出端與輸出單元連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其特征在于，所述檢測裝 置還包括掃描單元及輸入單元。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其特征在于，所述數(shù) 據(jù)存儲單元所存數(shù)據(jù)為有機電致發(fā)光器件的電容標準值。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置，其特征在于，所述電容標 準值包括屏體電容標準值，列電容標準值，行電容標準值及像素電容標準值。
5. —種采用如權(quán)利要求1 4所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置對有機電致發(fā)光 器件進行檢測的方法，其步驟包括A、利用電容數(shù)據(jù)釆集單元檢測有機電致發(fā)光器件電容 值；B、將檢測到的數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)存儲單元中的有機電致發(fā)光器件的電容標準值進行比較，并 通過輸出單元輸出比較結(jié)果。
6. —種釆用如權(quán)利要求1 4所述的有機電致發(fā)光器件的檢測裝置對有機電致發(fā)光 器件進行檢測的方法，其步驟包括A、利用電容數(shù)據(jù)采集單元檢測有機電致發(fā)光器件屏體 電容值；B、將檢測到的數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)存儲單元中的有機電致發(fā)光器件的電容標準值進行比較， 并通過輸出單元輸出比較結(jié)果；C、根據(jù)比較結(jié)果進行是否存在缺陷判斷，無缺陷進入下一 步程序，有缺陷進行像素檢測。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測方法，其特征在于，所述步驟C后還進行D、記錄缺 陷像素位置，進行修復(fù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件的檢測裝置及檢測方法，其包括分別連接數(shù)據(jù)比較單元輸入端的電容數(shù)據(jù)采集單元、數(shù)據(jù)存儲單元，及數(shù)據(jù)比較單元、輸出單元。檢測的步驟包括A.利用電容數(shù)據(jù)采集單元檢測有機電致發(fā)光器件電容值；B.將檢測的數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)存儲單元中的有機電致發(fā)光器件的電容標準值進行比較，通過輸出單元輸出比較結(jié)果。本發(fā)明利用有機電致發(fā)光器件具有一電容標準值的特性，對其進行電容檢測，將檢測結(jié)果與電容標準值比較，與電容標準值吻合即為無缺陷像素；與電容標準值相比大于或小于該值，即為需要修復(fù)的存在缺陷的像素。本發(fā)明之檢測裝置及采用該裝置對像素進行檢測的方法，簡單而有效，并且檢測時無需器件工作，減小能耗。
文檔編號G01R31/26GK101295005SQ200710022108
公開日2008年10月29日 申請日期2007年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月28日
發(fā)明者嵩 劉, 勇 邱, 高裕弟 申請人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司;清華大學;北京維信諾科技有限公司