專利名稱：太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能等級(jí)半導(dǎo)體晶片的測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及在一次操作 過(guò)程中即可完成太陽(yáng)能等級(jí)半導(dǎo)體晶片的厚度、厚度偏差以及體電阻率的測(cè)量 的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能等級(jí)晶片的厚度、厚度偏差以及體電阻率等多種參數(shù)都需要經(jīng)過(guò)測(cè) 試。例如太陽(yáng)能級(jí)晶片制造企業(yè)需要在整個(gè)工藝流程中的不同環(huán)節(jié)特別對(duì)產(chǎn) 品晶片的厚度、厚度偏差以及體電阻率等參數(shù)分別進(jìn)行測(cè)試與監(jiān)控，以保證最 終出廠的晶片產(chǎn)品滿足太陽(yáng)能工業(yè)或者客戶的技術(shù)指標(biāo)。而目前市場(chǎng)上，盡管 有幾種設(shè)備可以分別單獨(dú)測(cè)試這些參數(shù)，然而沒(méi)有任何一種測(cè)試設(shè)備能夠同時(shí) 具備多功能、可靠性、高效率等特點(diǎn)，以滿足太陽(yáng)能晶片產(chǎn)業(yè)日益增長(zhǎng)的競(jìng)爭(zhēng) 需求。具體來(lái)說(shuō)，傳統(tǒng)的測(cè)試方式需要用兩種不同的測(cè)試儀器分別測(cè)試太陽(yáng)能級(jí) 晶片的厚度和體電阻率。測(cè)試厚度一般用一種裝備在支架上的千分表或者電容 式厚度測(cè)試工具。而測(cè)試體電阻率一般用四探針式探頭或者渦流傳感器式測(cè)試 工具。太陽(yáng)能級(jí)晶片的測(cè)試一般需要先用厚度測(cè)試工具完成厚度的測(cè)試，然后用電阻率測(cè)試工具完成體電阻率參數(shù)的測(cè)試。而這種方式需要至少兩個(gè)步驟來(lái) 完成，數(shù)據(jù)的紀(jì)錄與匹配也同樣消耗時(shí)間，同時(shí)，晶片的破損、碎片率也會(huì)明 顯提高，這些都大大影響了生產(chǎn)效率。因此， 一種能夠僅需一次操作即可完成厚度、厚度偏差、體電阻率的測(cè)試 以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能，并同時(shí)兼?zhèn)淇焖?、?zhǔn)確、價(jià)格合理等特點(diǎn)的多功能太陽(yáng)能 級(jí)晶片測(cè)試系統(tǒng)已經(jīng)成為眾望所歸的市場(chǎng)需求。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系 統(tǒng)，僅需一次無(wú)接觸式操作即可完成厚度、厚度偏差和體電阻率的測(cè)試。本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問(wèn)題而采用的技術(shù)方案是提供一種太陽(yáng)能晶 片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)，包括測(cè)量模塊、信號(hào)處理模塊和控制模塊。其中測(cè)量模 塊包括 一用以承載太陽(yáng)能晶片的承片臺(tái)； 一對(duì)相距一標(biāo)準(zhǔn)距離的探頭，其中第一 探頭相對(duì)于晶片上表面設(shè)置，以測(cè)量晶片上表面到第一探頭的第一距離，第二探頭 相對(duì)于晶片下表面設(shè)置，以測(cè)量晶片下表面到第二探頭的第二距離；以及一對(duì)渦流 傳感器，用以測(cè)量晶片的渦流場(chǎng)變化量。信號(hào)處理模塊連接于測(cè)量模塊，用于對(duì)第 一探頭、第二探頭以及渦流傳感器的信號(hào)進(jìn)行處理后輸出?？刂颇K連接信號(hào)處理 模塊，用以根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn)距離、第一距離和第二距離計(jì)算晶片厚度，以及根據(jù)晶片厚 度和渦流場(chǎng)變化量計(jì)算晶片電阻率。在上述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)中，所述承片臺(tái)上可具有用以校準(zhǔn)晶 片位置的至少一對(duì)刻度標(biāo)記。在上述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)中，信號(hào)處理模塊對(duì)信號(hào)的處理包 括放大和/或?yàn)V波。在上述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)中，控制模塊是依據(jù)公式晶片 厚度=(7-C4 +萬(wàn))來(lái)計(jì)算晶片厚度，其中G為所述標(biāo)準(zhǔn)距離，A為第一距離，B 為第二距離。在上述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)中，控制模塊是依據(jù)公式 晶片電阻率日日斤電守傘來(lái)計(jì)算晶片電阻率，其中晶片電導(dǎo)率是依據(jù)渦流場(chǎng)變化量轉(zhuǎn)換得到。 在上述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)中，測(cè)量模塊還包括振蕩電路，連接于一對(duì)渦流傳感器與信號(hào)處理模塊之間，用以向渦流傳感器提供驅(qū)動(dòng)振蕩信號(hào)源，并根據(jù)探測(cè)到的渦流場(chǎng)變化量而產(chǎn)生輸出至信號(hào)處理模塊的電流信號(hào)。 在上述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)中，信號(hào)處理模塊還連接有一厚度偏差測(cè)量開(kāi)關(guān)，控制模塊則響應(yīng)厚度偏差測(cè)量開(kāi)關(guān)而多次測(cè)量晶片厚度并計(jì)算厚度偏差。在上述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)中，信號(hào)處理模塊還連接有一數(shù)據(jù) 保存開(kāi)關(guān)，控制模塊具有一數(shù)據(jù)庫(kù)并響應(yīng)數(shù)據(jù)保存開(kāi)關(guān)被按下而將晶片厚度、電阻率和厚度偏差保存到該數(shù)據(jù)庫(kù)中。在上述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)中，控制模塊具有一顯示器，用以 顯示晶片厚度、電阻率和厚度偏差。本實(shí)用新型由于采用以上技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以通過(guò)一步 操作同時(shí)得到太陽(yáng)能級(jí)晶片的厚度、厚度偏差以及體電阻率的測(cè)試結(jié)果。同時(shí) 配合開(kāi)關(guān)的一次動(dòng)作將完成晶片的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本實(shí)用新型的測(cè)量為無(wú)接觸式測(cè) 量，對(duì)晶片的損傷將大大降低。


為讓本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對(duì) 本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作詳細(xì)說(shuō)明，其中圖1是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的太陽(yáng)能晶片測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。 圖2是圖1所示測(cè)試系統(tǒng)的實(shí)際測(cè)試流程圖。 圖3是本實(shí)用新型的測(cè)試系統(tǒng)的厚度重復(fù)性測(cè)試結(jié)果示意圖。 圖4是本實(shí)用新型的測(cè)試系統(tǒng)的厚度相關(guān)性測(cè)試結(jié)果示意圖。圖5是本實(shí)用新型的測(cè)試系統(tǒng)的電阻率重復(fù)性測(cè)試結(jié)果示意圖。 圖6是本實(shí)用新型的測(cè)試系統(tǒng)的電阻率相關(guān)性測(cè)試結(jié)果示意圖。 圖7是本實(shí)用新型的測(cè)試系統(tǒng)中各參數(shù)同時(shí)測(cè)量時(shí)厚度重復(fù)性測(cè)試結(jié)果示意圖。圖8是本實(shí)用新型的測(cè)試系統(tǒng)中各參數(shù)同時(shí)測(cè)量時(shí)電阻率重復(fù)性測(cè)試結(jié)果示 意圖。
具體實(shí)施方式
圖1是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的太陽(yáng)能晶片測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。本系統(tǒng)適用于 測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)半導(dǎo)體晶片的厚度、厚度偏差和體電阻率。通過(guò)下面的進(jìn)一步詳細(xì)描 述我們將知道，本系統(tǒng)可通過(guò)一步操作就能實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片的厚度、厚度偏差以及體電 阻率等參數(shù)值進(jìn)行高精度和高可靠性的無(wú)接觸式測(cè)量。如圖1所示，本系統(tǒng)包含了晶片測(cè)量模塊l、信號(hào)處理模塊5和控制模塊2， 其中晶片測(cè)量模塊1與信號(hào)處理模塊5相連接，而信號(hào)處理模塊5又與控制模塊26相連。如圖1所示，晶片10為太陽(yáng)能級(jí)半導(dǎo)體晶片，晶片10通常為薄的正方型體，且由具有固定電阻率范圍的高純度半導(dǎo)體材料(如硅)而制成的。其兩表面相對(duì)平行，且外形尺寸符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。然而在特殊的應(yīng)用背景下，半導(dǎo)體晶片也可根據(jù)需 求而制成其它形狀。晶片測(cè)量模塊1設(shè)置了一對(duì)用以測(cè)量晶片厚度探頭，包括第一探頭131和第 二探頭132，例如電容式探頭。第一探頭131和第二探頭132固定在探頭組合架151 上。探頭131和132能夠測(cè)量晶片表面與探頭之間的電容值，借此得出晶片表面與 上、下探頭之間的距離。探頭131、 132的精度與準(zhǔn)確性將直接決定了被測(cè)晶片厚 度的精度與準(zhǔn)確性。探頭131和132與放大電路133電連接，由放大電路133給探 頭提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)并根據(jù)探頭測(cè)量的電容值而產(chǎn)生相應(yīng)的電壓輸出信號(hào)。晶片測(cè)量模塊1還設(shè)置一對(duì)渦流傳感器161和162，它們固定在探頭組合架 151上。渦流傳感器161和162能夠探測(cè)到由晶片10而產(chǎn)生的渦流場(chǎng)變化值。渦 流傳感器161和162與振蕩電路163電連接，由振蕩電路163給傳感器161、 162 提供驅(qū)動(dòng)振蕩信號(hào)源，并能根據(jù)探測(cè)到的晶片10的渦流場(chǎng)變化值而產(chǎn)生相應(yīng)的電 流輸出信號(hào)。晶片測(cè)量模塊1包含了一個(gè)在測(cè)試過(guò)程中起支撐晶片作用的承片臺(tái)11。 一般 而言，承片臺(tái)ll是作為支撐晶片的，但如果需要，其也能起到校準(zhǔn)晶片10與探頭 131、 132或與渦流傳感器161、 162之間的中心位置的作用。舉例來(lái)說(shuō)，承片臺(tái)ll 具有兩對(duì)(即4個(gè))刻度標(biāo)記，目的在于確定晶片10的二維位置。其中一對(duì)刻度 標(biāo)記是為放置尺寸為125毫米*125毫米的晶片而設(shè)定的，另一對(duì)刻度是為放置尺 寸為156毫米*156毫米的晶片而設(shè)定的。這些標(biāo)記可以指導(dǎo)操作者在探頭13K132 或在渦流傳感器161與162之間準(zhǔn)確地放置晶片。而對(duì)晶片的準(zhǔn)確安放，將能保證 在測(cè)試過(guò)程中，得到高重復(fù)性的測(cè)試結(jié)果。承片臺(tái)ll是一正方形平臺(tái)，且其尺寸 比156毫米*156毫米稍微大些。無(wú)論如何，該承片臺(tái)適合于任何外形結(jié)構(gòu)尺寸晶 片的測(cè)量，并且該承片臺(tái)與基臺(tái)12配合相當(dāng)協(xié)調(diào)。當(dāng)晶片IO放置于承片臺(tái)11時(shí)， 其位于一對(duì)探頭131、 132所形成的間距之間，并位于渦流傳感器161、 162所形成 的間距之間?；_(tái)12—般由足夠厚的鋁合金材料制成的，且具有很高的剛度。承片臺(tái)ll、 探頭組合架151和電容探頭132都安裝在基臺(tái)上。在正常的操作過(guò)程中，基臺(tái)12被固定在具有橡膠墊(圖1中沒(méi)有顯示)的框架上，橡膠墊可以起到緩沖和隔離震 動(dòng)的作用。依照前述，測(cè)量模塊1所測(cè)得的距離信號(hào)(電壓形式)通過(guò)放大電路133輸 出，測(cè)量模塊1所測(cè)得的渦流場(chǎng)變化值信號(hào)(電流形式)通過(guò)振蕩電路163輸出。信號(hào)處理模塊5中有三個(gè)獨(dú)立的信號(hào)處理單元。其中信號(hào)處理單元50用于處 理放大電路133輸出的電壓形式的距離信號(hào)，所做的處理包括首先將探頭131 和132輸出的電壓信號(hào)混合后，再利用低通濾波器對(duì)信號(hào)進(jìn)行濾波處理。而信號(hào)處 理單元51首先將振蕩電路163產(chǎn)生的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)并進(jìn)行放大處理， 再利用低通濾波器進(jìn)行濾波處理。此外，信號(hào)處理單元52是一個(gè)數(shù)據(jù)保存開(kāi)關(guān)53 和厚度偏差測(cè)量開(kāi)關(guān)54的開(kāi)關(guān)信號(hào)輸入接口。最后，三個(gè)信號(hào)處理單元輸出的信 號(hào)傳輸給控制模塊2進(jìn)行進(jìn)一步的信號(hào)處理。控制模塊2通常設(shè)計(jì)成類似于臺(tái)式電腦，然而它完全可以用大型計(jì)算機(jī)、手 掌電腦、分布式計(jì)算機(jī)或其它合適的設(shè)備取代，因?yàn)檫@些設(shè)備同樣具備從信號(hào)處理 模塊5接口處獲取信號(hào)的功能。 一般而言，典型的控制模塊2包括一個(gè)計(jì)算機(jī)處理 器(圖中沒(méi)有顯示)，該處理器用于調(diào)配執(zhí)行控制軟件、數(shù)據(jù)庫(kù)23 (如圖1所示)、 顯示器22 (如圖l所示)和信號(hào)轉(zhuǎn)換處理器21 (如圖l所示)等的運(yùn)行。其中控 制軟件可以用任何種類的編程語(yǔ)言來(lái)編寫(xiě)，如VISUAL BASIC?？刂颇K2完成數(shù) 據(jù)的運(yùn)算，包括晶片厚度、電阻率以及厚度偏差的計(jì)算等。圖2為依照本實(shí)用新型的測(cè)量半導(dǎo)體晶片的厚度、厚度偏差和體電阻率的流 程示意圖。首先，步驟60將晶片置于承片臺(tái)上。而步驟61是利用探頭131測(cè)量其 與晶片上表面之間的第一距離A，步驟62是利用探頭132測(cè)量其與晶片下表面之 間的第二距離B。如果需要，在測(cè)量前可對(duì)探頭進(jìn)行校準(zhǔn)。步驟63為控制模塊2 對(duì)晶片厚度進(jìn)行計(jì)算，計(jì)算公式為晶片厚度=<7-(」+ 5)其中G為已知的探頭131和132之間的標(biāo)準(zhǔn)距離，A為探頭131測(cè)量的從晶片 上表面到該探頭的第一距離，B為探頭132測(cè)量的從晶片下表面到該探頭的第二距 離。步驟64為利用渦流傳感器161和162測(cè)量晶片10產(chǎn)生的渦流。步驟65是將 測(cè)定的渦流數(shù)值利用控制模塊2中預(yù)置的轉(zhuǎn)換表格轉(zhuǎn)換為電導(dǎo)率。步驟66為控制模塊2利用電導(dǎo)率和之前測(cè)得的厚度參數(shù)值，通過(guò)以下公式最終確定晶片的電阻率其中S為測(cè)得的晶片的電導(dǎo)率。如需要的話，電導(dǎo)率的數(shù)值還可根據(jù)環(huán)境溫 度的變化進(jìn)行補(bǔ)償。步驟67是將厚度與電阻率的數(shù)值顯示在控制模塊2的顯示器22上。步驟68 為數(shù)據(jù)保存開(kāi)關(guān)控制，即當(dāng)按下此開(kāi)關(guān)53 (如圖l)后，控制模塊2會(huì)作出響應(yīng)， 將所測(cè)量的數(shù)據(jù)(包括厚度和電阻率)保存在數(shù)據(jù)庫(kù)23中(步驟70)。步驟69 是測(cè)量晶片全厚度偏差，按下測(cè)量全厚度偏差開(kāi)關(guān)54后(如圖1)，將得到晶片 上一點(diǎn)的厚度值。在131和132探頭之間移動(dòng)晶片(例如人工移動(dòng))，在運(yùn)動(dòng)的同 時(shí)依照上述方式多次測(cè)量晶片的厚度，并對(duì)比最大與最小厚度的差別計(jì)算出厚度偏 差數(shù)值(步驟71)，并最終將數(shù)值顯示在顯示器22上(步驟72)。當(dāng)步驟68在 步驟69之后執(zhí)行時(shí)，保存到數(shù)據(jù)庫(kù)23中的數(shù)據(jù)將會(huì)包括厚度、電阻率和厚度偏差 等。當(dāng)完成測(cè)量后，被測(cè)晶片將被操作員從承片臺(tái)ll上移走，下一晶片的測(cè)量將 重復(fù)以上過(guò)程。 一片晶片測(cè)量所需時(shí)間大約只是3秒鐘。如上所述，本系統(tǒng)非常適合于太陽(yáng)能工業(yè)對(duì)太陽(yáng)能級(jí)半導(dǎo)體晶片的測(cè)試需求 一個(gè)價(jià)位合理，且具備高速測(cè)試晶片厚度，厚度偏差和電阻率等參數(shù)功能的獨(dú)立系 統(tǒng)。圖3 圖7，展示了本系統(tǒng)具有的測(cè)試精度和重復(fù)性。圖3為本系統(tǒng)對(duì)同一晶片進(jìn)行10次厚度測(cè)量的結(jié)果。該晶片由國(guó)家計(jì)量院標(biāo) 定的厚度值為309.6微米。從圖中可以看出，其測(cè)量誤差在士l微米之內(nèi)。圖4為 對(duì)5片不同厚度的晶片進(jìn)行厚度測(cè)量的結(jié)果，晶片的厚度分布范圍從300微米到 700微米不等。所用晶片都由國(guó)家計(jì)量院標(biāo)定及認(rèn)證過(guò)的。圖4為厚度標(biāo)準(zhǔn)樣片標(biāo) 稱值與實(shí)際測(cè)試的厚度值之間的相關(guān)性結(jié)果，其中R2 = 1，表示完全相關(guān)。圖5為本系統(tǒng)對(duì)同一晶片進(jìn)行10次電阻率測(cè)量的結(jié)果。該晶片由國(guó)家計(jì)量院 標(biāo)定的電阻率為26.37歐姆-厘米。從圖中可以看出，測(cè)量誤差小于3%。圖6為對(duì) 5片晶片進(jìn)行電阻率測(cè)量的結(jié)果，晶片的電阻率分布范圍從1歐姆-厘米到95歐姆 -厘米不等。所用晶片都經(jīng)由國(guó)家計(jì)量院標(biāo)定及認(rèn)證。圖6為電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片標(biāo)稱 值與實(shí)際測(cè)試的電阻率值之間的相關(guān)性結(jié)果，其中R2 = 0.9999，表示幾乎完全相9關(guān)。圖7和圖8為本系統(tǒng)在同一晶片上連續(xù)進(jìn)行厚度與電阻率測(cè)量的測(cè)試結(jié)果。 從圖中可以看出，測(cè)量的厚度偏差在± l微米以內(nèi)、電阻率誤差在3%以內(nèi)。綜上所述，本實(shí)用新型的測(cè)試系統(tǒng)可以通過(guò)一步操作同時(shí)得到太陽(yáng)能級(jí)晶 片的厚度、厚度偏差以及體電阻率的測(cè)試結(jié)果。本系統(tǒng)集成了一套電容式探頭 傳感器以及一套渦流式探頭傳感器用于測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)半導(dǎo)體晶片的厚度與體 電阻率。厚度偏差以及體電阻率偏差通過(guò)計(jì)算晶片在探頭傳感器組件中移動(dòng)軌 跡中的不同位置的值而得到。配合開(kāi)關(guān)的一次動(dòng)作將完成該片晶片的數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)。同時(shí)，系統(tǒng)可以根據(jù)預(yù)先設(shè)置的晶片厚度、厚度偏差以及體電阻率的合格 標(biāo)準(zhǔn)自動(dòng)判斷以及分選不同等級(jí)的晶片。本實(shí)用新型的測(cè)量為無(wú)接觸式測(cè)量， 對(duì)晶片的損傷將大大降低。雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本實(shí)用新 型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許 的修改和完善，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書(shū)所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于包括測(cè)量模塊，其包括一用以承載太陽(yáng)能晶片的承片臺(tái)；一對(duì)相距一標(biāo)準(zhǔn)距離的探頭，其中第一探頭相對(duì)于晶片上表面設(shè)置，以測(cè)量晶片上表面到第一探頭的第一距離，第二探頭相對(duì)于晶片下表面設(shè)置，以測(cè)量晶片下表面到第二探頭的第二距離；以及一對(duì)渦流傳感器，用以測(cè)量晶片的渦流場(chǎng)變化量；一信號(hào)處理模塊，連接于測(cè)量模塊，對(duì)第一探頭、第二探頭以及渦流傳感器的信號(hào)進(jìn)行處理后輸出；以及一控制模塊，連接信號(hào)處理模塊，用以根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn)距離、第一距離和第二距離計(jì)算晶片厚度，以及根據(jù)晶片厚度和渦流場(chǎng)變化量計(jì)算晶片電阻率。
2. 如權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述 承片臺(tái)上具有用以校準(zhǔn)晶片位置的至少一對(duì)刻度標(biāo)記。
3. 如權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述 信號(hào)處理模塊對(duì)信號(hào)的處理包括放大和/或?yàn)V波。
4. 如權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述 控制模塊是依據(jù)公式晶片厚度^G-04 +勻來(lái)計(jì)算晶片厚度，其中G為所述 標(biāo)準(zhǔn)距離，A為第一距離，B為第二距離。
5. 如權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述 控制模塊是依據(jù)公式曰曰曰細(xì)率=^^ 曰日斤電守傘來(lái)計(jì)算晶片電阻率，其中晶片電導(dǎo)率是依據(jù)渦流場(chǎng)變化量轉(zhuǎn)換得到。
6. 如權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述 測(cè)量模塊還包括振蕩電路，連接于一對(duì)渦流傳感器與信號(hào)處理模塊之間，用以 向渦流傳感器提供驅(qū)動(dòng)振蕩信號(hào)源，并根據(jù)探測(cè)到的渦流場(chǎng)變化量而產(chǎn)生輸出 至信號(hào)處理模塊的電流信號(hào)。
7. 如權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述 信號(hào)處理模塊還連接有一厚度偏差測(cè)量開(kāi)關(guān)，所述控制模塊響應(yīng)厚度偏差測(cè)量 開(kāi)關(guān)而多次測(cè)量晶片厚度并計(jì)算厚度偏差。
8. 如權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述 信號(hào)處理模塊還連接有一數(shù)據(jù)保存開(kāi)關(guān)，所述控制模塊具有一數(shù)據(jù)庫(kù)并響應(yīng)數(shù) 據(jù)保存開(kāi)關(guān)被按下而將晶片厚度、電阻率和厚度偏差保存到該數(shù)據(jù)庫(kù)中。
9. 如權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述 控制模塊具有一顯示器，用以顯示晶片厚度、電阻率和厚度偏差。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能晶片無(wú)接觸式測(cè)試系統(tǒng)，一用以承載太陽(yáng)能晶片的承片臺(tái)，一對(duì)探頭分別測(cè)量晶片的上、下表面與探頭之間的距離，據(jù)以計(jì)算晶片厚度。一對(duì)渦流傳感器用以測(cè)量晶片的渦流場(chǎng)變化量，據(jù)此得到晶片的導(dǎo)電率并結(jié)合晶片厚度計(jì)算出晶片電阻率。此外，厚度偏差可通過(guò)計(jì)算晶片在探頭傳感器之間移動(dòng)的過(guò)程中，測(cè)得的不同點(diǎn)的厚度值而得到。系統(tǒng)還可響應(yīng)數(shù)據(jù)保存開(kāi)關(guān)而保存測(cè)量數(shù)據(jù)。本測(cè)試系統(tǒng)具有無(wú)接觸、一次性測(cè)量、快速、準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G01B7/06GK201166564SQ20082005480
公開(kāi)日2008年12月17日 申請(qǐng)日期2008年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月17日
發(fā)明者曹紅萍, 李福榮, 鄧超明 申請(qǐng)人:上海星納電子科技有限公司