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      強腐蝕性介質(zhì)相界面的測量方法

      文檔序號:6150789閱讀:364來源:國知局
      專利名稱:強腐蝕性介質(zhì)相界面的測量方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種相界面的測量方法,特別是涉及一種強腐蝕性介 質(zhì)的相界面的測量方法。
      背景技術(shù)
      在化工反應(yīng)中,系統(tǒng)內(nèi)不可避免的存在著兩相或者多相介質(zhì)的分 離過程,要實現(xiàn)化工過程連續(xù)、長期、正常的運行,能夠直接、準(zhǔn)確 的判斷出設(shè)備內(nèi)相界面的高度,特別是在有強腐蝕性介質(zhì)存在的相界 面高度就顯得尤其重要。
      但是,在強腐蝕性介質(zhì)環(huán)境中,如氫氟酸、鹽酸等介質(zhì)環(huán)境中, 如使用一般的儀表如磁浮式液位計,差壓式液位計等測量相界面位
      置,很快就會被腐蝕,很難保證長時間的有效使用;如果釆用雷達等 間接式液位計測量,儀表的成本費用又很高;另外,如生產(chǎn)過程需要 同時分離多相混合物,也需要能夠測量多相界面的儀表或方法,因此, 本發(fā)明的目的是提供一種成本低廉,能夠同時測量多個相界面,并特 別適用于強腐蝕性介質(zhì)相界面的方法。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是提供一種測量強腐蝕性介質(zhì)的相界面的方法。 本發(fā)明的原理是根據(jù)待測液體的引壓口 (上下分布)測得的壓
      力差、引壓口之間的距離以及待測液體中兩相的密度,計算出相界面
      的高度,艮P:
      假設(shè)上下引壓口的相對高度為H,兩引壓口的壓差為AP,相界 面上層相的密度為pl,下層相的密度為p2, 貝'J △ P= p 1 x g x ( H陽h) + p 2 x g x h
      相界面高度11= ( AP畫p 1 xgxH) / ( p2-p 1 ) /g即通過以上公式計算得到相界面高度h。
      本發(fā)明中所述的相界面高度為相界面的相對高度,即從下引壓口 到相界面的高度,如需要相界面的絕對高度,只需要將本發(fā)明所述的 相對高度與下引壓口的高度相加,即可得到。
      具體的說,本發(fā)明先選擇一種液體作為引壓液,為避免引入雜質(zhì), 一般可選用設(shè)備內(nèi)的某種相、介質(zhì)或不污染設(shè)備內(nèi)介質(zhì)、與待測相一
      分離的液體作為引壓液;在設(shè)備側(cè)壁開口,引出上下兩個引壓口,保
      證上下引壓口總是位于待測相界面的兩側(cè),并且上引壓口和下引壓口
      分別與待測相界面的上層相和下層相連通;用壓力泵將引壓液從引壓 口以一定流量泵入;用壓力表測定上下引壓口的壓力,并計算引壓口 的壓力差,利用上述公式計算出相界面的高度。
      本發(fā)明的方法可容易地推廣到多相相界面的測量,如在三相相界 面的測量中,假設(shè)上引壓口和中引壓口的相對高度為H1,壓差為A Pl,中引壓口和下引壓口的相對高度為H2,壓差為AP,從上到下三 相的密度分別為Pl, P2和p3,則中層相的相對相界面高度hl (相 對中引壓口的高度),下層相的相對相界面高度h2 (相對下引壓口的 高度)分別為
      hl= ( AP畫p 1 xgxHl ) / ( p2國p 1 ) /g
      h2= ( AP- p 2 x g x H2 ) / ( p 3- p 2 ) /g
      依次類推,可方便的計算出多相相界面的相對高度,由此也可方 便的計算出所需的相界面的絕對高度。
      本發(fā)明也可以直接利用差壓變送器測定各引壓口的壓力差,并將 壓力差轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號,由數(shù)據(jù)線傳送到數(shù)據(jù)處理設(shè)備,并根據(jù)數(shù)據(jù) 處理設(shè)備內(nèi)預(yù)先設(shè)定的引壓口距離H,相界面上層密度為pl,下層 密度為p2,由數(shù)據(jù)處理設(shè)備根據(jù)上述公式計算出相界面高度h。
      由于只要保證引壓口處為微正壓,就可以防止設(shè)備內(nèi)的強腐蝕性 物料倒流對儀表造成腐蝕,因此選用普通的儀表就可以達到測量的目
      4的。
      為準(zhǔn)確測定相界面的高度,用流量計控制引壓液的流量,使上下 引壓口的流量相同,只要保證引壓口處為微正壓(與設(shè)備內(nèi)壓力相比) 就可以將引壓液以很小的流量從引壓口壓入設(shè)備內(nèi)。
      若需要測定同一設(shè)備中多個相的各個相界面高度,則需要設(shè)置多 個引壓口,保證各個引壓口與需要測定的相連通,并用壓力泵將同種 引壓液以相同的流量壓入設(shè)備內(nèi),測定各個引壓口的壓力,通過已知 的各個引壓口的高度和各相的密度,利用上述公式計算出所需的各個 相界面的高度。
      本發(fā)明的技術(shù)方案有以下優(yōu)點
      1. 本發(fā)明釆用普通儀表就可以測量強腐蝕性介質(zhì)的相界面高 度,成本低廉,測量方法簡單。
      2. 引壓液選用不帶入雜質(zhì)而且容易分離的其他液體或與設(shè)備內(nèi)
      的一種物料相同的液體,利用該測量方法不會在分離相中引入雜質(zhì)。
      3. 本發(fā)明的方法應(yīng)用廣泛,除了特別適用于測量強腐蝕性介質(zhì) 的相界面高度,也可以用來測量液面高度,測量密度相近的介質(zhì)間的 相界面高度和測量多相混合物的各個相界面高度。


      圖l相界面的測量方法的示意圖,其中,F(xiàn)V為氣動閩的控制機構(gòu); FC為氣動閥;Pd為差壓變送器;LICA為計算得到的相對相界面高度; FI為流量顯示;FT和FE為控制流量的聯(lián)合執(zhí)行機構(gòu);FICQ為流量控 制;H為兩引壓口的相對高度;h為相界面高度。
      具體實施例方式
      以下實施例用于說明本發(fā)明,但不用來限制本發(fā)明的范圍。實施例l兩相相界面的測定
      將本發(fā)明的方法用于測定上層相含水氫氟酸,下層相為氟立昂的 相界面。
      利用水作為引壓液,在設(shè)備側(cè)壁開引壓口,上引壓口與上層相無 機混合物強酸連通,下引壓口與有機混合物連通,上下引壓口的相對
      高度為H;保證引壓液以一定的流量(如若引壓液的壓力低于設(shè)備內(nèi) 壓力就需用加壓泵給引壓液加壓)從上下引壓口流入設(shè)備中(保證引 壓口處微正壓就可以),為能保證并且能夠計量引壓液流量,安裝有 流量計,將差壓變送器的壓力傳感器分別設(shè)置在上引壓口和下引壓 口,測得的差壓結(jié)果AP由數(shù)據(jù)線傳送到計算機。
      如圖1所示,含水氫氟酸和氟立昂的混合物料A以一定的流量通 入設(shè)備內(nèi),將水作為物料B也以一定流量流入設(shè)備內(nèi),同時物料B也 作為引壓液通過引壓口進入設(shè)備內(nèi),用閩門控制使上下引壓口的流量 相同;差壓變送器的兩個壓力探頭分別設(shè)置在上下引壓口,將得到的 壓差數(shù)據(jù)AP送至計算機,由計算機計算出相界面的高度h。
      計算機內(nèi)預(yù)設(shè)上、下引壓口的相對高度H,上層相的密度pl和 下層相密度P2的取值,根據(jù)以下公式
      h= ( AP-p 1 xgxH) / ( p2-p 1 )。
      計算出相界面的高度h。
      如圖1所示,還可以通過相界面的測定,使相界面保持穩(wěn)定,便
      于分離物料1和2,即實現(xiàn)含水氫氟酸和氟立昂的穩(wěn)定分離。為保證物 料能夠連續(xù)穩(wěn)定的流入設(shè)備,在物料輸送管道上安裝有氣動閥控制 (如圖FV),且與引壓液的差壓變送器連鎖,這樣可以根據(jù)由差壓變 送器檢測出的壓差計算得到的相界面高度(如圖h)來控制物料的加 入量,實現(xiàn)對相界面的連續(xù)穩(wěn)定的控制,進而實現(xiàn)化工過程連續(xù)穩(wěn)定 的運行。實施例2三相相界面的測定
      將本發(fā)明的方法用于測定上層為氫氰酸,中層為二氟一氯甲烷, 下層為CCU的相界面,利用與容易與設(shè)備內(nèi)各種物料分離的介質(zhì)水 作為引壓液,在設(shè)備側(cè)壁開引壓口,上引壓口與氫氰酸相連通,中引 壓口與二氟一氯甲垸連通,下引壓口與CCU連通,上、中引壓口之間 的相對高度為Hl,中、下引壓口的相對高度為H2;保證引壓液以相 同的流量從上、中、下引壓口流入設(shè)備,將差壓變送器2的壓力傳感 器分別設(shè)置在中引壓口和下引壓口,差壓變送器l的壓力傳感器分別 設(shè)置在上引壓口和下引壓口,測得的差壓結(jié)果AP2和AP1由數(shù)據(jù)線傳
      送到計算機。
      計算機內(nèi)預(yù)設(shè)上引壓口和中引壓口的相對高度H1,中引壓口和 下引壓口的相對高度H2,上層相的密度pl,中層相密度p2和下層 相密度P3的具體取值,根據(jù)以下公式
      hl= ( △ P畫p 1 x g x Hl ) / ( p 2- p 1 ) /g;
      h2= ( AP- p 2 x g x H2 ) / ( p 3- p 2 ) /g;
      計算出下層相界面的相對高度h2(相對下引壓口 )和中層相界面 相對高度hl (相對中引壓口 )。
      權(quán)利要求
      1、一種測量相界面的方法,是將引壓液以相同流量從各引壓口壓入待測相,并測定引壓口的壓力,根據(jù)引壓口的壓力差ΔP、引壓口的相對高度H以及待測相中上層相的密度ρ1和下層相密度ρ2,計算出相界面的高度hh=(ΔP-ρ1×g×H)/(ρ2-ρ1)。
      2、 如權(quán)利要求l所述的方法,其特征在于,所述引壓液是待測 相或待測相介質(zhì)中的一種或多種,或是與待測相易分離的液體。
      3、 如權(quán)利要求l所述的方法,其特征在于,所述引壓口位于待 測相界面的兩側(cè),并與待測相界面的各相連通。
      4、 如權(quán)利要求l所述的方法,其特征在于,所述將引壓液以相 同流量從引壓口壓入待測相,是將引壓液由壓力泵加壓,由流量計控 制流量,進入待測相來實現(xiàn)。
      5、 如權(quán)利要求l所述的方法,其特征在于,所述引壓口的壓力 由壓力表測定。
      6、 如權(quán)利要求1或4所述的方法,其特征在于,是利用差壓變 送器測定各引壓口的壓力差,并將壓力差轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號,由數(shù)據(jù)線 傳送到數(shù)據(jù)處理設(shè)備,并根據(jù)數(shù)據(jù)處理設(shè)備內(nèi)預(yù)先設(shè)定的引壓口距離 H,相界面上層相密度pl,下層相密度p2,由數(shù)據(jù)處理設(shè)備根據(jù) 權(quán)利要求1所述的公式計算出相界面高度h。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種相界面的測量方法。本發(fā)明是將引壓液以相同流量從上下引壓口壓入待測相,并測定引壓口的壓力,根據(jù)上下引壓口的壓力差ΔP、上引壓口的高度H以及待測相中兩相上層相的密度ρ1和下層相密度ρ2,計算出相界面的高度hh=(ΔP-ρ1×g×H)/(ρ2-ρ1)/g。本發(fā)明采用普通儀表就可以測量強腐蝕性介質(zhì)的相界面高度,成本低廉,測量方法簡單應(yīng)用廣泛,除了特別適用于測量強腐蝕性介質(zhì)的相界面高度,也可以用來測量液面高度,測量密度相近的介質(zhì)間的相界面高度和測量多相混合物的各個相界面高度。
      文檔編號G01F23/14GK101493353SQ20091007857
      公開日2009年7月29日 申請日期2009年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月26日
      發(fā)明者余道騰, 張金剛, 曾本忠, 榮 柏, 許鴻禧, 譚梅芳 申請人:中昊晨光化工研究院
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