專利名稱：適用于磁共振成像的低溫冷卻的超導體梯度線圈模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及磁共振成像及波譜學，特別是涉及一種磁共振成像與采用超導體組件 的波譜儀，具體涉及一種適用于磁共振成像的低溫冷卻的超導體梯度線圈模塊。
背景技術：
當前，磁共振成像(MRI)技術已廣泛應用于全球較大的醫(yī)療機構，給醫(yī)療實踐領 域帶來了顯著和獨特的益處。盡管MRI已經演變成一種成熟的基于結構和解剖的成像診斷 工具，人們還在不斷地發(fā)展MRI，使之適用于腦功能成像和其它生物物理與生物化學特性或 過程(如血流、代謝/新陳代謝、擴散)。這些磁共振(MR)成像技術的例子包括功能MRI、 波譜MRI或磁共振波譜成像(MRSI)、磁共振擴散加權成像(DWI)及彌散張量成像(DTI)。 這些磁共振成像技術除了具有檢查和評估病理學，確定受檢組織健康狀態(tài)的醫(yī)療診斷價值 外，還廣泛地應用于臨床和科研領域。在典型的MRI檢查中，患者的身體(或受測對象標本)放置在檢查區(qū)內，并使用患 者支架支撐好，置于MRI掃描儀環(huán)境中。MRI掃描儀的主磁體提供恒定、均勻的主磁場。磁 場將進動原子核，例如體內的氫(質子)定向。磁體內的梯度線圈組在既定位置對均勻磁場 產生小的修正，從而為成像區(qū)的共振頻率提供編碼。在計算機控制下，根據脈沖序列，有選 擇地驅動射頻(RF)線圈，在患者身上生成瞬時的振蕩橫磁化信號，該信號可由RF線圈檢測 而得，并且通過計算機處理再映射到患者身上空間確定的區(qū)域，從而生成受檢區(qū)域的圖像。在一般的高場MRI配置中，靜態(tài)主磁場一般由螺管式磁體生成，患者平臺放置于 圓柱空間中(即主磁孔)。主磁場繞組一般為低溫超導體(LTQ材料，可以使用液氦制冷， 從而減少電阻，因此，可將產生的熱量和生成磁場所必需的功率下降到最低，從而維持主磁 場。目前，大部分LTS超導MRI磁體均由鈮鈦(NbTi)和/或鈮三錫(Nb3Sn)合金超導線材 料制成，可由低溫恒溫器冷卻至4. I。正如本領域的技術人員所知，磁場梯度線圈一般配置為可以有選擇地沿著空間內 的三個主要的直角坐標軸(其中一個坐標軸與主磁場方向相同)，分別提供線性磁場梯度， 以便磁場大小隨著檢查區(qū)域內位置的變化而變化，而感應區(qū)域不同位置發(fā)出的磁共振信號 (如信號頻率和相位)，其特點是可以根據區(qū)域內的位置被編碼(從而提供空間定位)。在 通常情況下，梯度磁場由經過電磁繞組的電流生成，這些電磁繞組被安裝在同軸的支架上， 并安裝在含有主磁場繞組的較大容器的中心。與主磁場不同的是，用來生成梯度磁場的線 圈一般為室溫銅繞組。梯度強度和磁場線性無論對生成圖像的細節(jié)準確性，還是提供的組 織化學(如在MRSI中)信息的準確性都至關重要。自從引入MRI之后，人們始終致力于改進MRI質量和功能，如通過提供更大的空間 分辨率、更高的波譜分辨率(如用于MRSI)、更大的對比度和更快的采集速度。例如，需要 不斷提高成像(采集)速度，將圖像采集過程中成像區(qū)域的瞬時修正導致的成像模糊下降 到最低，此類修正可能由患者移動、自然的解剖和/或功能性移動(如心跳、呼吸、血流)和 /或自然的生物化學修正(如在MRSI過程中新陳代謝引發(fā))等原因造成。同樣的，在波譜MRI中，由于采集數據的脈沖序列將空間信息及波譜信息進行編碼，因此，將采集足夠的波 譜和空間信息，以獲得需要的波譜分辨率，并將空間定位所需的時間最小化，這對于改進臨 床可行性和波譜MRI實用性特別重要。高對比度、分辨率和采集速度等因素可提高MRI圖像質量。影響圖像質量和采集 速度的一個重要參數就是信噪比(S·)。在MRI系統(tǒng)前置放大器之前增強信號，提高SNR， 對于提高圖像質量非常重要。提高SNR的方法之一就是提高磁體的磁場強度，因為SNR與 磁場強度成比例。然而，在臨床應用中，MRI對于磁體的磁場強度有所限制(美國視頻藥物 管理局現行的上限是3T (Tesla))。其它提高SNR的方法包括在適用時，通過降低視場(若 適用)降低樣品噪聲、縮短樣品與射頻線圈之間的距離和/或減少射頻線圈噪聲。盡管人們始終堅持不懈地改進MRI并不斷取得進步，進一步提高MRI的需求仍持 續(xù)存在，如借此提供更大的對比度、提高SNR、加快采集速度、提高空間及時間分辨率和/或 提高波譜分辨率。此外，影響MRI技術得到更廣泛應用的一個重要因素就是高磁場系統(tǒng)的高采購和 保養(yǎng)成本。因此，提供以合理成本制造和保養(yǎng)的優(yōu)質MRI成像系統(tǒng)，讓MRI技術得到更廣泛 應用，將會使人們受益匪淺。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種適用于磁共振成像的低溫冷卻的超導體梯 度線圈模塊，能提高磁共振成像儀的性能，降低制造和保養(yǎng)成本。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種適用于磁共振成像的低溫冷卻的超導體梯 度線圈模塊，包含一個真空隔熱外殼，包含一個雙層氣密夾套，可(i)封閉出一個具有第 一真空壓力的高真空空間，(ii)封閉出一個具有第二真空壓力的真空空間；至少一個超導 體梯度線圈，位于真空空間內；一個散熱元件，位于真空空間內，與至少一個超導體梯度線 圈熱接觸；以及一個端口，至少用來低溫冷卻該散熱元件。本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明提出了使用超導體制作梯度線圈并提供了相應的 降溫技術。超導體梯度線圈可以提高磁共振成像儀的磁場梯度和空間分辨率，也可以降低 電能損耗和發(fā)熱，節(jié)約冷卻用水。請注意，對于本領域的技術人員而言，上述介紹和下述詳細說明僅為本發(fā)明的示 范和解釋，并非限制本發(fā)明或本發(fā)明所創(chuàng)造的優(yōu)勢。此外，本發(fā)明的上述內容總結代表本發(fā) 明的部分實施例，不能代表或涵蓋本發(fā)明范圍內的所有主旨和實施例。因此，本文的附圖， 與此相關的信息，本文中的圖例說明，及詳細的介紹都用來解釋本發(fā)明實施例的原理。本發(fā) 明實施例結構和操作的各個方面、特征及優(yōu)勢，若結合附圖并根據下述介紹進行思考，將易 于理解，接合起來看，會更清楚；在各個附圖中，相同的參考編號指代相同或相似的部件。


圖IA和圖IB是根據本發(fā)明部分實施例大致描繪的具有一般圓柱形狀的低溫冷卻 的超導體梯度線圈模塊10的正交視圖；圖IA是沿著縱軸的截面圖，圖IB是從圖IA左側觀 察的俯視圖或端視圖；圖2A是圖IA和圖IB描述的低溫冷卻超導體梯度線圈模塊10相對應的超導體梯度線圈3的側視圖；圖2B是圖2A描述的圓柱形χ梯度支架258的平面圖；圖3是采用圖IA和圖IB所示的圓柱形狀的低溫冷卻的超導體梯度線圈模塊10 的MRI系統(tǒng)的截面示意圖；圖4是本發(fā)明實施例之一適用于磁共振成像的低溫冷卻的超導體梯度線圈模塊 的正交視圖；圖5是專為用于頭部成像的磁共振成像系統(tǒng)而設計的低溫冷卻的超導體梯度冷 卻模塊的真空隔熱外殼的示意圖(尺寸僅供示例)。
具體實施例方式鑒于下文介紹，本領域的技術人員應了解，根據本發(fā)明各個實施例的低溫冷卻的 超導體梯度線圈模塊(如嵌件)可在多種磁共振成像和波譜系統(tǒng)中實施，如采用傳統(tǒng)RF銅 線圈的系統(tǒng)、采用超導線RF線圈的系統(tǒng)、全身系統(tǒng)、專用系統(tǒng)(如關節(jié)、頭部、寵物、嬰兒等 磁共振成像儀)、具有垂直或水平定向的主磁場的系統(tǒng)、開放或封閉的系統(tǒng)等。同樣地，本領 域的技術人員眾所周知，盡管下文介紹的多個方面均可在應用于患者結構檢查的MRI系統(tǒng) 中提出，根據本發(fā)明各個實施例的低溫冷卻的超導體梯度線圈模塊可以與針對其它形態(tài)操 作和配置的磁共振(MR)系統(tǒng)結合使用，如功能MRI、彌散加權和/或彌散張量MRI、MR波譜 和/或波譜成像等。此外，如本發(fā)明所采用的MRI包括和包含磁共振波譜成像、彌散張量成 像(DTI)以及基于核磁共振的其它任何成像形態(tài)。圖IA和圖IB是根據本發(fā)明部分實施例大致描繪的具有一般圓柱形狀的低溫冷卻 的超導體梯度線圈模塊10的正交視圖。更具體地說，圖IA是沿著縱軸的截面圖，圖IB是 從圖IA左側觀察的俯視圖或端視圖，但顯示了不銹鋼隔艙8的剖視圖或截面，以展現隔艙 8內的制冷機7。如圖IA和圖IB所示，在部分實施例中，低溫冷卻的超導體梯度線圈模塊10包括 (i) 一個真空隔熱外殼1，包含一個雙層氣密夾套，由玻璃和/或其它非導電的、機械性能強 大的材料制成，如G10、RF4、塑料和/或陶瓷；(ii) 一個散熱元件2，由非金屬熱導體制成， 如高導熱性的陶瓷，如藍寶石或氧化鋁陶瓷；(iii)超導體梯度線圈3(即，在正交的x、y、z 方向形成B磁場修正的三個梯度)，與散熱元件2熱接觸良好，由諸如低溫超導體(LTS)線 (如NbTi、Nb3Sn等)或高溫超導體(HTS)帶(如YBCO、BSCCO等)制成；(iv) 一個雙層不 銹鋼隔艙8，與真空隔熱外殼1密封耦合；以及(ν) —個制冷機7，與散熱元件2熱耦合，可 密封安裝到不銹鋼隔艙8的法蘭中。請了解，真空隔熱外殼1可以由各種方式構成，它是一種連續(xù)、氣密的玻璃外殼， 封閉出一個具有第一真空壓力的高真空空間4和一個具有第二真空壓力的真空空間5，高 真空空間4內可維持高真空環(huán)境(如第一真空壓力為10_6托或以下)。例如，根據部分實 施例，真空隔熱外殼1的制造方法可為如下(i)形成兩個大體為圓柱形的雙層結構，每個 結構的截面均為U型壁，第一個結構與連續(xù)的玻璃壁部分Ia對應，第二個接口與連續(xù)的玻 璃壁部分Ib對應；(ii)將所述大體為圓柱形的連續(xù)的玻璃壁部分Ib安裝到大體為圓柱形 的連續(xù)的玻璃壁部分Ia的環(huán)形空隙中，可在二者之間使用玻璃墊片；(iii)將高真空空間 4抽吸到高真空，利用玻璃粘結、燒熔或密封Ia和Ib之間的開口端(即稍后將密封安裝到不銹鋼隔艙8的末端)，以便在真空環(huán)境中密封高真空空間4。請注意，可以多種方式完成 真空密封。例如，可以完全在真空隔艙內進行真空密封，或者可以燒熔Ia和Ib末端使之熔 合，并留出一個小區(qū)域作為真空抽吸端口，并在高真空空間4抽吸到真空環(huán)境之后再加以 密封。在各個實施例中，真空隔熱外殼1可作為氣密雙層結構(和真空隔熱外殼)或與之 類似的方式。通過示例，可以通過環(huán)氧結合、焊接或其他氣密的法蘭連接，在真空隔熱外殼 1 (如玻璃)和不銹鋼隔艙8之間形成焊縫6，可提供足夠的密封，維持安放超導體梯度線圈 3和散熱元件2的真空空間5為低真空環(huán)境(如第二真空壓力為10_2托至10_6托左右)。 同樣地，通過示例，制冷機7和不銹鋼隔艙8的法蘭之間的真空密封可以通過0型圈或其他 密封機構9 (如金屬墊圈/刀型連接)完成，同樣，此舉的目的在于在安放超導體梯度線圈 3和散熱元件2的真空空間5維持低真空環(huán)境。但是，本領域的技術人員了解到，隔艙8也 可由不銹鋼之外的其他材料制成，包括鋁或其它金屬或非金屬材料，如玻璃、陶瓷、塑料或 這些材料的組合，以及可適用于連接到真空隔熱外殼1和制冷機7的其他材料。在各個實施例中，制冷機7可以是各種單級或多級的制冷機，如Gifford McMahon (GM)制冷機、脈沖管(PT)制冷機、Joule-Thomson (JT)制冷機、Stirling制冷機或 其它任何制冷機。在各種替代實施例中，梯度線圈模塊10可被冷卻，使得超導體梯度線圈 3由液氦和液氮等制冷劑冷卻?，F在參照圖2A，這是根據本發(fā)明的部分實施例，進一步描述與圖IA和IB描述的 低溫冷卻超導體梯度線圈模塊10相對應的超導體梯度線圈3的側視圖。在此類實施例中， 如圖2A所示，三個相應的共軸圓柱形支架結構，即χ梯度支架258，y梯度支架262和ζ梯 度支架264表面之上和/或表面之內形成或配備三個獨立的梯度線圈，用于沿著三個正交 方向形成調制磁場。根據一般約定，χ和y表示垂直于主磁場的兩個正交方向(有時指橫 向)，ζ表示主磁場的方向。因此，χ梯度支架258、y梯度支架262和ζ梯度支架264支撐 相應的梯度線圈，分別沿著x、y和ζ方向形成磁場梯度。例如，梯度支架258、262和264可 由GlO或其它非鐵磁、非導電(如非金屬、絕緣)的材料制成。在本實施例中，ζ梯度支架 線圈為螺線管線圈，χ和y梯度線圈為鞍形線圈，每個線圈都在圓周方向上覆蓋一半的與之 相應的圓柱支架。1梯度支架262與χ梯度支架258和ζ梯度支架264熱接觸良好，后者與 圖IA和圖IB中的散熱元件2熱接觸良好。在各種替代實施例中，可額外安裝或替換安裝 一個散熱片，使之與χ梯度支架258接觸。在使用散熱元件2時，與χ梯度支架258接觸的 散熱片可能會被散熱元件2的同一制冷機或其它制冷機冷卻。根據本發(fā)明的一個實施例，圖2Β是圖2Α描述的圓柱形χ梯度支架258的平面圖， 顯示了一個線圈268，它是χ梯度支架258支撐的整體χ梯度線圈的四分之一。χ梯度支架 258的表面通常內凹(如蝕刻或雕刻)，梯度線圈沈8 (導線)位于內凹處，梯度線圈導線固 定并粘結在內凹處，以便當電流傳導經過磁場內的梯度線圈導線時，導線不會移動(在洛 倫茲力作用下)。y梯度支架262上配備的y向梯度線圈，其設計和結構基本上與χ梯度支 架258上配備的χ向梯度線圈268 —致，但尺寸方面存在些許修正y梯度支架的直徑可以 略小于χ向梯度支架的直徑。如圖2A和圖2B所示，χ梯度線圈沈8的中心260朝著χ方 向，而y梯度線圈則與χ梯度線圈成直角正交。螺線管ζ梯度線圈(未在圖中詳細示出)以 相似的方式形成在ζ梯度支架264表面之上和/或表面之內，但ζ梯度線圈圍繞ζ梯度支架264的圓柱軸繞成螺旋形，其中沿著圓柱軸有一板線圈以主磁體繞組的同一方向纏繞，以便 ζ梯度線圈在該線圈一半的范圍內增大磁場，而沿著圓柱軸的另一半線圈則以相反的方向 纏繞，以便ζ梯度線圈在該線圈另一半的范圍內降低磁場。本領域的技術人員應了解，圖IA和圖IB描述的為普通圓柱形的梯度線圈模塊10 非常適用于采用圓柱螺旋主磁體結構并形成大體均勻、水平磁場的MRI系統(tǒng)等。例如，圖3 即為此類MRI系統(tǒng)的截面圖示，該系統(tǒng)包括圓柱形主磁體17，該磁體上具有安放梯度線圈 模塊10和射頻線圈13(可為任何形式的射頻線圈或適用于全身、特殊身體部位(如頭部或 上肢)、嬰兒或寵物等成像場合的線圈組)的內孔。但是，應了解，低溫冷卻的超導體梯度線 圈模塊10除了適用于提供水平磁場的圓柱形螺管式主磁體外，而且可以用于開放式磁體， 如垂直磁體或雙圈磁體。此外，還應了解，盡管根據本發(fā)明的部分實施例，圖1A、圖IB和圖3所示實施例可 與低溫冷卻的超導體梯度線圈模塊10外部的一個或多個射頻線圈結合使用，一個或多個 射頻線圈可以替換或額外安裝在梯度線圈模塊中。例如，根據如圖4所述的部分實施例，射 頻線圈13和超導體梯度線圈3與同一散熱元件2保持熱接觸。在各種實施例中，射頻線圈 13與散熱元件2熱接觸，因此在低溫冷卻時，射頻線圈13可以是一個或多個傳統(tǒng)的銅線圈 和/或一個或多個超導體射頻線圈(LTS和/或HTS)線圈和/或一個或多個線圈，包含一 個非超導線材料，該材料在冷卻到低于室溫的溫度時，其導電性高于低于室溫的同一溫度 的銅(如，基于碳納米管的材料和/或二維電子槍半導體結構)。通過示例，適用于本應用的HTS射頻線圈的適當形態(tài)為由鉍鍶鈣銅氧(BSCCO)制 成的超導體帶材。例如，美國專利6，943，550介紹了利用HTS帶材制成HTS RF線圈的過程， 本文在此引用此公開信息。在替代實施例中，超導線射頻線圈可以為超導薄膜，如一個包含 HTS材料(如釔鋇銅氧(YBCO)、鉈鋇鈣銅氧(TBCCO)、MgB2或MB)的超導薄膜，其中M可從 以下元素中選擇Be、Al、Nb、Mo、Ta、Ti、Hf、V 和 Cr。在發(fā)表于 Proc. Mag. Res. Medicine, 1，171 (1999)的Ma等人撰寫的“用于人體成像的超導MR表面線圈”中詳細介紹了在平面 基片上形成HTS薄膜線圈的過程，本文引用此公開信息的全部內容。在2003年9月9日 "Academic Radiology”雜志第10卷第978至987頁刊登的Ma等人撰寫的“在低場實現臨 床MR成像的超導線射頻線圈”以及Miller等人撰寫的“2. OT下活體顯微成像的高溫超導 探頭的性能”(MagneticResonance in Medicine,41 :72-79(1999))中進一步介紹了其他與 HTS線圈相關的信息，本文引用此公開信息的全部內容。本領域的技術人員應了解，無論射頻線圈13位于梯度模塊10之內還是之外，射頻 線圈13均可為射頻發(fā)射器和射頻接收器的單獨線圈，或者是發(fā)射和接收的共用線圈(即收 發(fā)線圈)。此外，在部分實施例中，發(fā)射器和接收器線圈為分開的單獨線圈，只有一個線圈 (如接收器線圈)是超導線圈(如另一個線圈可以是位于梯度模塊10外部的傳統(tǒng)銅線圈， 而超導線圈可以敷設在梯度模塊10內的熱導體2表面)。此外，在部分實施例中，無論射頻 線圈13位于模塊10之內還是之外，它可以是一個射頻線圈列陣，在部分情況下該射頻線圈 列陣可以為超導線射頻線圈列陣，如HTS線圈列陣。此外，應了解，低溫冷卻的超導梯度線圈模塊的尺寸和形狀可以根據具體的應用 場合進行修改。例如，根據本發(fā)明的部分實施例，圖5描述的低溫冷卻的超導體梯度冷卻模 塊的玻璃(或玻璃鋼)容器部分(尺寸僅供示例)專為用于頭部成像的磁共振成像系統(tǒng)而設計。另外應了解，雖然未在附圖中示出，但是根據本發(fā)明的各個實施例，低溫冷卻的超 導體梯度線圈模塊(如模塊10)包括至少一個電流饋線(如通過隔艙8)，以將耦合電流信 號提供至模塊中(如，用于驅動梯度線圈)，控制和/或監(jiān)控模塊中配備的梯度線圈和/或 射頻線圈。根據本發(fā)明的各個實施例，應了解，含有玻璃容器的梯度線圈模塊(如模塊10)， 可包括(i)在玻璃上的涂層(如塑料或聚合體)，以提供保護(如防止斷裂、剝落或破裂) 和/或增加強度等，以及/或者(ii)剛性套管(如由塑料或GlO或金屬構成)，玻璃容器可 安裝在該套管中，以提供上述保護和/或增加強度。本發(fā)明根據特定實施例進行描述和介紹，這些實施例僅用于描述本發(fā)明的原理， 并非排除或限制實施例。因此，盡管本發(fā)明實施例的上述介紹和各種描述性修改和特征提 供了許多特性，這些詳情不應構成對本發(fā)明范圍的限制，而且，本領域的技術人員應了解， 在不偏離本發(fā)明范圍的情況下，可對本發(fā)明進行各種修改、改編、變動、刪節(jié)、增加及類似操 作。例如，除了由于過程本身的需要或固有的原因，本次公開并未暗示其所述步驟或方法階 段或過程的特定順序，包括圖形。在許多不改變目的、效果或主要方法的情況下，過程步驟 的順序可以不同，各個描述步驟可以結合、修改或省略。還應注意，術語和表達是作為描述 性術語，而非限制性術語。本文無意使用排除同類產品的術語或表達。此外，本發(fā)明可以在 不必提供此處所述的一個或多個優(yōu)勢的情況下實施，或者可以通過本次公開進行理解和/ 或本發(fā)明的部分實施例實現。因此，本發(fā)明并不局限于所公開的實施例，而應根據下述權利 要求進行界定。
權利要求
1.一種適用于磁共振成像的低溫冷卻的超導體梯度線圈模塊，其特征在于，包含真空隔熱外殼，包含雙層氣密夾套，用于封閉出具有第一真空壓力的高真空空間和具 有第二真空壓力的真空空間；至少一個超導體梯度線圈，位于所述真空空間內；散熱元件，位于所述真空空間內，與所述至少一個超導體梯度線圈熱接觸；以及一個端口，用于低溫冷卻至少該散熱元件。
2.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于，所述端口與至少熱耦合到該散熱元件的 制冷機耦合。
3.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于，進一步包含一個與所述雙層氣密夾套連 接的隔艙，其內空間與所述真空空間的壓力相同，所述端口安裝在所述隔艙中。
4.根據權利要求3所述的模塊，其特征在于，所述端口與至少熱耦合到該散熱元件的 制冷機耦合。
5.根據權利要求3所述的模塊，其特征在于，所述隔艙為雙層不銹鋼隔艙。
6.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于，所述第一真空壓力為10_6托至10_12托，所 述第二真空壓力為10_2托至10_6托。
7.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于，所述超導體梯度線圈在χ梯度支架、y梯 度支架和Z梯度支架表面之上和/或表面之內形成，用于沿著三個正交方向形成調制磁場。
8.根據權利要求7所述的模塊，其特征在于，所述y梯度支架與χ梯度支架和ζ梯度支 架熱接觸，該ζ梯度支架與所述散熱元件熱接觸，該χ梯度支架與另一散熱片接觸，在使用 散熱元件時，與χ梯度支架接觸的散熱片可能會被散熱元件的同一制冷機或其它制冷機冷 卻。
9.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于，所述模塊之內或之外設有一個或多個射頻線圈。
10.根據權利要求9所述的模塊，其特征在于，所述模塊之內設有一個或多個射頻線 圈，所述射頻線圈與所述散熱元件熱接觸。
11.根據權利要求9所述的模塊，其特征在于，所述射頻線圈為射頻發(fā)射器和射頻接收 器的單獨線圈，或者是射頻發(fā)射器和射頻接收器的共用線圈。
12.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于，還包括至少一個電流饋線，以將耦合電 流信號提供至模塊中，控制模塊中配備的梯度線圈和/或射頻線圈。
13.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于，在所述真空隔熱外殼上設有涂層和/或 剛性套管，所述真空隔熱外殼安裝在該剛性套管中，該涂層采用塑料或聚合體，該剛性套管 采用塑料或GlO或金屬。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種適用于磁共振成像的低溫冷卻的超導體梯度線圈模塊，包含一個真空隔熱外殼，包含一個雙層氣密夾套，可(i)封閉出一個具有第一真空壓力的高真空空間，(ii)封閉出一個具有第二真空壓力的真空空間；至少一個超導體梯度線圈，位于真空空間內；一個散熱元件，位于真空空間內，與至少一個超導體梯度線圈熱接觸；以及一個端口，至少用來低溫冷卻該散熱元件。本發(fā)明結構簡單，能提高磁共振成像儀的性能，降低制造和保養(yǎng)成本。
文檔編號G01R33/385GK102062844SQ20091020182
公開日2011年5月18日 申請日期2009年11月18日 優(yōu)先權日2009年11月18日
發(fā)明者馬啟元, 高而震 申請人:美時醫(yī)療技術(上海)有限公司